【課題】ＳｉＯＦ膜を含む層間絶縁膜にダマシン法で埋め込み配線を形成する半導体集積回路装置において、埋め込み配線用の配線溝を形成する際に用いるエッチングストッパ層とＳｉＯＦ膜との界面剥離を防止する。
【解決手段】ＳｉＯＦ膜２６、２９を含む層間絶縁膜をドライエッチングして形成した配線溝３２の内部にダマシン法でＣｕ配線３３を埋め込む際、上記ドライエッチングのエッチングストッパ層を構成する窒化シリコン膜２８とＳｉＯＦ膜２６との間に酸窒化シリコン膜２７を介在させ、ＳｉＯＦ膜２６中で発生した遊離のＦを酸窒化シリコン膜２７でトラップする。 （もっと読む）

【課題】安定した低誘電率と高い硬度（ヤング率）を有するＢＣＮ膜が形成できる半導体装置の製造方法が提供する。
【解決手段】従来のＢＣｌ_３ガスに代わる、腐食性のない有機アミノボロン系ガスを用いてＢＣＮ膜を成膜する。その例として、トリスジメチルアミノボロンを用いて、プラズマＣＶＤにより成膜を行うことで、 比誘電率が２．５以下で弾性率（ヤング率）が８ＧＰａ以上であるＢＣＮ系の低い誘電率を持つ絶縁体材料膜を得る。 （もっと読む）

【課題】酸化シリコンなどの被エッチング膜を部分的にドライエッチングする際、有機マスクのリフトオフを防止する。
【解決手段】酸化シリコンなどからなる被エッチング膜１２に界面膜１３を積層する。界面膜１３は、アモルファスシリコンや炭素含有シリコン化合物で構成されている。界面膜１３上に有機マスク２０を設け、無水または加湿したＨＦ（反応剤）とＯ_３（酸化剤）を含むエッチングガスを供給する。界面膜１３は、反応剤単独との反応性が被エッチング膜１２より低く、Ｏ_３との酸化反応を経て反応剤と間接的に反応しエッチングされる。 （もっと読む）

シリコン含有膜を形成する方法であって、基板を反応チャンバーに供給すること、前記反応チャンバー中に少なくとも1つのシリコン含有化合物を注入すること、前記反応チャンバー中に少なくとも1つのガス状共反応物質を注入すること、および前記基板、シリコン含有化合物、およびガス状共反応物質を550℃以下の温度で反応させ、前記基板上に蒸着されたシリコン含有膜を得ることを含む方法。窒化シリコン膜を調製する方法であって、シリコンウェーハを反応チャンバーに導入すること、シリコン含有化合物を前記反応チャンバー中に導入すること、前記反応チャンバーをイナートガスでパージすること、および窒素を含有するガス状共反応物質を、前記シリコンウェーハ上に窒化シリコンの単分子層を形成するために適切な条件下で、前記反応チャンバーに導入することを含む方法。
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【課題】安定性および信頼性を向上させる。
【解決手段】基体１１が準備されて、基体１１上に、シリコンおよび窒素を含有する膜１２が形成される。そして、膜１２を、フッ素を含有する薬液１３に浸漬させて、膜１２の表面のシリコン−水素結合構造が除去されるようになる。これにより、膜１２の表面が、緻密性の高い窒素で構成されるようになり、外部からの水や水素などの浸入を防ぐことができ、積層構造１０の安定性および信頼性を向上させることができる。 （もっと読む）

【課題】 相互接続積層物内の誘電層間にナノスケール波形界面を有するデバイス構造を提供する。
【解決手段】 相互接続積層物においてナノメートル・スケール波形界面を有する界面を含む誘電複合構造は、接着強度および界面破壊靭性の向上をもたらす。また、波形接着促進物層（１１４）を更に含んで固有の界面接着を更に向上させる複合構造も記載する。また、自己アセンブリング・ポリマー系およびパターン転送プロセスを用いてこれらの構造を可能とするための、ナノメートル・スケール波形界面を形成するための方法も記載する。 （もっと読む）

本発明は、フッ素を含有する絶縁膜を有する半導体装置であって、前記絶縁膜の上に直接形成されたＳｉＣＮ膜を有し、前記ＳｉＣＮ膜において、前記絶縁膜との界面から遠ざかる方向に、窒素含有量が低下する半導体装置でもよい。本発明において、ＣＦｘ膜との界面近傍においては耐フッ素性の高いＳｉＣＮ膜であって、ＳｉＣＮ膜全体としては誘電率の低い膜をハードマスクとして形成することができる。

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【課題】III族窒化物半導体との密着性、電気的特性又は光学的特性に優れる絶縁膜を形成できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、ＳｉＣからなる基板１１上に成長したＧａＮ系半導体からなる活性領域１２Ａと、該活性領域１２Ａの周囲にＧａＮ系半導体が酸化されてなる絶縁酸化膜１２Ｂとを有している。活性領域１２Ａの上には、該活性領域１２Ａとショットキ接触すると共に、絶縁酸化膜１２Ｂの上に延びるように形成され該絶縁酸化膜１２Ｂ上に引き出し部１３ａを有するゲート電極１３と、該ゲート電極１３のゲート長方向側の両側部と間隔をおき、それぞれがソース電極及びドレイン電極となるオーミック電極１４とが形成されている。 （もっと読む）

本発明は、原子層堆積（ＡＬＤ）プロセス又はＡＬＤ型プロセスによって作製される金属酸化物被膜の均一性を高めるための方法に関する。ハロゲン化金属含有前駆体と酸素含有前駆体（好ましくは水）の交互パルスを使用し、必要に応じてパージすることによって層が作製される。酸素含有前駆体のパルス後に改質剤のパルスを導入すると、層の均一性に好ましい効果（一般には、特に密に配置された基板を含むアプリケーションにおいて勾配を示す）を与える。特に、層厚さの均一性が改善される。本発明によれば、１〜３個の炭素原子を有するアルコールを改質剤として使用することができる。 （もっと読む）

【課題】薄膜トランジスタ、特にフレキシブル薄膜トランジスタにおいて、ゲート絶縁層と基板の密着性が強く、基板からゲート絶縁層が剥離しない信頼性の高い薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】絶縁基板上に少なくとも、ゲート電極、ゲート絶縁層、酸化物を含む半導体層が順次積層され、前記半導体層上にソース電極とドレイン電極が設けられた薄膜トランジスタであって、前記ゲート絶縁層が前記絶縁基板に接する下部層と前記下部層上に設けられた少なくとも一層以上の上部層からなり、且つ前記下部層はＩｎ、Ｚｎ、Ｇａのいずれか1種の元素を含む酸化物であることを特徴とする。 （もっと読む）

【要 約】
【課題】ガラス基板から剥離しないゲート電極を形成する。
【解決手段】本発明では、酸素を含有する銅又は銅を主成分とした薄膜である第一の層３２をガラス基板１１の表面に形成し、第一の層３２の表面に、酸素を含有しない銅又は銅を主成分とした薄膜をから成る第二の層３３を形成し、第一の層３２と第二の層３３の二層構造の銅を主成分とする配線膜１３を形成しており、銅を主成分とする配線膜１３を窒素プラズマで処理した後、その表面に窒化ケイ素薄膜（例えばゲート絶縁膜１４）を形成している。窒化ケイ素薄膜を形成する際のシランガスの影響が、ガラス基板１１の界面に及ばないので、銅を主成分とする配線膜１３から成るゲート電極１５や蓄積容量電極１２がガラス基板１１から剥離しない。 （もっと読む）

歪みSiN膜及び該歪みSiN膜を含む半導体デバイスの作製方法。当該方法は、シリコン先駆体を含む気体に前記基板を曝露する工程、第1レベルのプラズマ出力のプラズマ源によって励起されて前記シリコン先駆体と第1反応特性で反応する窒素先駆体を含む気体に前記基板を曝露する工程、及び、前記第1レベルとは異なる第2レベルのプラズマ出力のプラズマ源によって励起されて前記シリコン先駆体と第2反応特性で反応する窒素先駆体を含む気体に前記基板を曝露することで、前記の基板上に作製されたシリコン窒化物膜の特性が前記歪みSiN膜を供するように変化する、工程を有する。
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【課題】幅広い用途に対応することができ、製造コストが低く、大面積化が可能な半導体素子、半導体素子の製造方法、発光素子及び電子素子を提供すること。
【解決手段】半導体素子の基板が金属を主成分とするので、大面積の単結晶基板を安価に得ることができる。しかも、金属にはフレキシブル性があるため、例えば基板を曲げて使用することが可能である。これにより、スペースに応じて曲げて使用するなどの幅広い用途に対応することができ、製造コストが低く、大面積化が可能な半導体素子を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】銅に対する十分なバリア性を備え、配線間の電気容量を低下させて配線の遅延時間を小さく抑え、かつ配線間の密着性を向上させた積層構造により、半導体装置の信頼性を高め、高性能化を実現する技術を提供する。
【解決手段】銅配線層を有する半導体装置において、半導体装置が、銅配線、バリア層、このバリア層に直接接する酸化ケイ素系ポーラス絶縁層、このケイ素系ポーラス絶縁層に直接接するバリア層、銅配線をこの順に有する積層構造を少なくとも一つ有し、バリア層の少なくとも一つが密度２．４ｇ／ｃｍ^３以上のアモルファス炭素膜であり、このアモルファス炭素膜と銅配線との間にこれらに直接接するケイ素系絶縁層が存在する。 （もっと読む）

【課題】メタルキャップ層の信頼性と生産性を向上させた半導体装置の製造方法及び半導体装置の製造装置を提供する。
【解決手段】第２層間絶縁膜と第１配線、あるいは、第２配線層とハードマスクをシリコン基板２の表面に形成し、そのシリコン基板２を反応室Ｓに搬送させ、その反応室Ｓに、マイクロ波によって励起されたＮ_２ガスを導入する。そして、供給タンクＴに収容されるＺｒ（ＢＨ_４）_４をＡｒガスによってバブリングし、Ｚｒ（ＢＨ_４）_４を含むＡｒガスをＺｒ（ＢＨ_４）_４ガスとして反応室Ｓに導入する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に膜を形成する際、良好な密着性を保ったまま、可視光領域での光透過性を向上させた成膜を可能とし、更に、その膜がカーボン膜であっても、良好な密着性と光透過性を同時に有することを可能とする半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、プラズマ生成可能な反応室２において、半導体基板Ｗの被処理面に膜を形成する工程に先立って、前記膜を形成する工程を行う反応室に半導体基板Ｗを設置したまま、少なくとも酸素ガスを用いたプラズマを生成し制御して前記被処理面をプラズマ処理する第１の工程と、反応室２に半導体基板Ｗを設置したまま、少なくとも水素ガスを用いたプラズマを生成し制御して前記被処理面をプラズマ処理する第２の工程とを、順に有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】低誘電性、接着性に優れると共に十分な機械強度を有するシリカ系被膜を形成できるシリカ系被膜形成用組成物を提供すること。
【解決手段】本発明のシリカ系被膜形成用組成物は、（ａ）成分：式（１）；Ｒ^１_ｎＳｉＸ_４−ｎ（Ｒ^１は、Ｈ原子若しくはＦ原子、又はＢ原子、Ｎ原子、Ａｌ原子、Ｐ原子、Ｓｉ原子、Ｇｅ原子若しくはＴｉ原子を含む基、又は炭素数１〜２０の有機基を示し、Ｘは加水分解性基を示し、ｎは０〜２の整数を示し、ｎが２のとき各Ｒ^１は同一でも異なってもよく、ｎが０〜２のとき各Ｘは同一でも異なってもよい）で表される化合物を加水分解縮合して得られるシロキサン樹脂と、（ｂ）成分：（ａ）成分を溶解可能な溶媒と、（ｃ）成分：オニウム塩と、（ｄ）成分：２５０〜５００℃で熱分解又は揮発する熱分解揮発性化合物とを含有し、オニウム塩の含有量はシリカ系被膜形成用組成物全量に対して０．００１ｐｐｍ〜５％である。 （もっと読む）

【課題】 酸素の含有量の少ないシリコンカーバイドからなる絶縁膜の上に、低誘電率絶縁材料からなる膜を形成する場合にも、十分な密着性を得ることができる絶縁膜形成方法を提供する。
【解決手段】 下地基板の上に、シリコンカーバイド、酸素含有シリコンカーバイド、シリコンオキシカーバイドからなる群より選択された絶縁材料からなる第１の膜を形成する。第１の膜の上に、比誘電率が２．７以下の低誘電率絶縁材料で形成されている絶縁膜であるか、または塗布法により形成される絶縁膜である第２の膜を形成する。第２の膜が形成された基板を、水素プラズマに晒す。 （もっと読む）

【課題】下地膜との密着性を上げるためのプラズマ処理後に行われる成膜過程において発生する膜の異常成長を防止する。
【解決手段】ヘリウムプラズマ４により、半導体装置基板１に絶縁膜を堆積する前に、下地膜との密着性を上げるために基板表面の改質を図る。除電処理にて、半導体装置基板１を、リフトピン５にて、一旦、半導体装置基板１をステージ３から上昇させ、そこに不活性ガスであるヘリウムガス６を排気しながら数秒流す。その後、ヘリウムガス６を止め、リフトピン５を下げ、再びステージ３の上に半導体装置基板１を載置する。半導体装置基板１をリフトピン５にて上昇させ、半導体装置基板１の表面と裏面とをヘリウムガス６にさらすことによって、効率的に除電する。 （もっと読む）

原子層堆積技術を開示する。ある特定の例示的実施形態においては、この技術は、ひずみ薄膜を形成する方法によって実現することができる。この方法は、基板表面に少なくとも１つの第１種原子および少なくとも１つの第２種原子を有する１つまたはそれ以上の前駆物質を供給して、それによって基板表面上に前駆物質の層を形成するステップを備える。この方法は、さらに、基板表面に第３種のプラズマ生成した準安定原子を照射するステップであって、この準安定原子が基板表面から少なくとも１つの第２種原子を脱離させて、少なくとも１つの第１種の原子層を形成するようにしたステップも備える。少なくとも１つの第１種の原子層における所望応力量は、原子層堆積プロセスにおける１つまたはそれ以上のパラメータを制御することによって得ることができる。
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