【課題】接着特性が優秀な低誘電膜を形成するためのスピンオンガラス組成物、その製造方法、及びそれを用いた多孔性シリコン酸化膜の形成方法を提供する。
【解決手段】構造式１を有する３〜２０質量％のシルセスキオキサンオリゴマー、３〜２０質量％の気孔生成剤、及び残余の溶媒を含むスピンオンガラス組成物。そして、前記多孔性シリコン酸化膜を形成するために、前記スピンオンガラス組成物を基板上に塗布してスピンオンガラス薄膜を形成した後、前記薄膜を硬化して多孔性シリコン酸化膜を形成する。したがって、前記多孔性シリコン酸化膜は、接着特性が優秀であるのみならず、後続工程で過剰エッチングを招かない。
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【課題】 ボラジン系化合物の絶縁膜を用いて、絶縁材料と配線材料との間の密着性や、機械強度等の特性が向上された半導体装置およびその製造方法を提供すること
【解決手段】 凹部に第１の導体層が埋め込まれた第１の絶縁層と、第１の絶縁層上に形成されたエッチングストッパー層と、エッチングストッパー層上に形成された第２の絶縁層と、第２の絶縁層上に形成された第３の絶縁層と、第２の絶縁層と第３の絶縁層との凹部に埋め込まれた第２の導体層と、を含む半導体装置であって、第２の絶縁層および第３の絶縁層は、炭素含有ボラジン化合物を原料として化学的気相反応成長法によって形成され、第３の絶縁層の炭素含有率が、第２の絶縁層の炭素含有率よりも小さいことを特徴とする半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 絶縁膜とその下地絶縁膜との間の密着性を、下地絶縁膜にダメージを与えることなく向上させ、高速で信頼性の高い半導体デバイスを歩留まりよく得ることができる技術を提供する。
【解決手段】 積層体を製造する際に、酸化力または還元力を持つ気体を溶解させて得ることのできる水溶液を用いて第一の絶縁膜の表面を処理し、その後、第一の絶縁膜上に第二の絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】 流動性に優れ、平坦化効果が良好であり、かつ、クラックが入りにくく、酸化珪素膜やアルミニウム等の基板又は配線材料に対して優れた接着性及び耐熱性を有する膜を形成するためのシリコーン系材料組成物を提供する。
【解決手段】 熱硬化前にアモルファス状態にあり、熱硬化後に結晶状態となるシリコーン系材料と、１気圧下の沸点が１５０〜３００℃であり熱硬化前で５質量％以下の高沸点溶剤と、を含有してなるシリコーン系材料組成物であり、該シリコーン系材料組成物を基体表面上に塗布した後に形成された塗膜をリフローさせる用途に用いられるシリコーン系材料組成物。 （もっと読む）

【課題】半導体素子等の絶縁膜材料として、ＰＣＴ後の誘電特性、ＰＣＴ後のＣＭＰ耐性、ＰＣＴ後の基板との密着性に優れた膜が形成可能な組成物を提供する。
【解決手段】組成物は、（Ａ）下記式（１）、（２）中の少なくとも１種の化合物を水酸化テトラアルキルアンモニウムと水で加水分解、縮合した慣性半径が５〜５０ｎｍの物 Ｒ_ａＳｉ（ＯＲ^１）_４−ａ ・・・・・（１） （式中、Ｒは水素原子、フッ素原子または１価の有機基、Ｒ^１は１価の有機基、ａは０〜２の整数を示す。） Ｒ^３_ｂ（Ｒ^４Ｏ）_３−ｂＳｉ−（Ｒ^７）_ｄ−Ｓｉ（Ｏ^５）_３−ｃＲ^６_ｃ ・・（２） 〔式中、Ｒ^３〜Ｒ^６は同一または異なり、それぞれ１価の有機基、ｂおよびｃは同一または異なり、０〜２の数を示し、Ｒ^７は酸素原子、フェニレン基または−（ＣＨ_２）_ｎ−で表される基（ここで、ｎは１〜６の整数である）、ｄは０または１を示す。〕ならびに（Ｂ）有機溶媒を含有することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】第１絶縁膜のスクライブラインにプラズマを照射することで、第１絶縁膜上に積層される第２絶縁膜の密着性を改善し、第２絶縁膜を研磨したときの剥がれを防止することを可能とする。
【解決手段】基板１１上に形成される多層配線構造の配線間を電気的に絶縁する絶縁膜を第１絶縁膜２１と第２絶縁膜２２との積層構造で形成する半導体装置の製造方法において、前記第１絶縁膜２１を形成した後で前記第２絶縁膜２２を形成する前に、前記基板１１に形成されたスクライブライン１３上における前記第１絶縁膜２１表面にプラズマ処理を施す工程を備えている。 （もっと読む）

【課題】向上された特性を有する強誘電体薄膜の製造方法及びこれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】基板上に有機金属化学気相蒸着工程でＰＺＴを蒸着して予備強誘電体膜を形成した後、予備強誘電体膜の表面を化学機械的研磨工程で研磨して基板上に強誘電体薄膜を形成する。研磨された強誘電体薄膜を洗浄した後、洗浄された強誘電体薄膜を形成する。研磨された強誘電体薄膜を洗浄した後、洗浄された強誘電体薄膜をキュアリングする。適切な工程条件下で表面研磨工程を適用して薄い厚いを有する強誘電体薄膜を具現することができ、強誘電体薄膜の劣化を顕著に改善することができる。 （もっと読む）

半導体ウェーハをプロセスするための統合型システムであって、このシステムは熱吸収層を堆積させるトロイダルソースプラズマリアクタを含み、このリアクタは、ウェーハ支持部と、チャンバの一般的に両側に結合しているリアクタチャンバおよび外部再入トロイダル導管と、外部再入導管の１区間に電力を結合するためのＲＦソース電力アプリケータと、熱吸収材料前駆物質ガスを含有するプロセスガスソースとを含む。統合型システムはさらに光アニーリングチャンバを含む。 （もっと読む）

【課題】歩留りの高い成膜方法、成膜装置および基板処理方法を提供すること。
【解決手段】本発明の成膜方法は、被塗布基材７に液状の膜形成材料を塗布して膜８を形成する方法である。この成膜方法は、被塗布基材７に膜形成材料を塗布する塗布工程と、膜形成材料を加熱して乾燥させることにより膜８を得る熱処理工程と、膜８のストレスを検出し、該検出されたストレスに基づいて、膜８の少なくとも一部に対して再加熱を行ない、これにより、ストレスが均一になるように該ストレスを調整する調整工程とを有している。 （もっと読む）

【課題】 配線に対する膜剥がれや腐食等の不具合が発生せず、高密度で高速動作が可能な半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】 第１の配線パターン３の表面にＳＲＯ膜９Ａを形成し、この配線パターン３を埋めるようにＳＲＯ膜９Ａの表面全体に比誘電率が低いＦＳＧ膜５Ａを形成する。ＦＳＧ膜５Ａの表面全体にＳＲＯ膜９Ｂを形成し、更にこのＳＲＯ膜９Ｂの表面全体にＦＳＧ膜５Ｂを形成し、このＦＳＧ膜５Ｂの表面を平坦化する。ＦＳＧ膜５Ｂの表面にほぼ一定の膜厚でＳＲＯ膜９Ｃを形成し、このＳＲＯ膜９Ｃ上に配線パターン７を形成する。配線パターン３，７間は、必要に応じて金属製のヴィアプラグ８で接続される。ＳＲＯ膜は弗化水素を捕獲する性質があるので、ヴィアプラグ等の形成時の熱処理でＦＳＧ膜から発生する弗化水素をトラップし、配線パターンへの影響を無くすことができる。 （もっと読む）

【課題】 レジストポイズニング対策の技術を提供することである。
【解決手段】 レジスト膜が用いられて構成された素子であって、
前記レジスト膜が設けられる下側に、Ｃを構成元素としたＣ含有膜４と、Ｎを構成元素としたＮ含有膜６とが設けられてなり、
前記Ｃ含有膜の構成成分と前記Ｎ含有膜の構成成分との反応を阻止するバリア層５が構成され、
前記バリア層５は、その厚さが２０ｎｍ以上であって、かつ、Ｃ含有濃度が１０原子％未満である。 （もっと読む）

【課題】ストライエーションの発生を有効に防止する誘電体薄膜の形成方法及びそれを使用して製造された圧電体装置を提供する。
【解決手段】誘電体薄膜形成用液体材料を塗布対象物の表面に塗布することにより誘電体薄膜を形成する誘電体薄膜の形成方法であって、該塗布対象物の表面を、予めシラン化合物で処理することを特徴とする誘電体薄膜の形成方法及びそれを用いて製造した圧電体装置により解決する。このような構成により、塗布対象物の表面張力が上がり、塗布対象物に対する誘電体薄膜形成用液体材料の濡れ性が確保されることにより、ストライエーションの発生を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】 Ｌｏｗ−ｋ絶縁膜のエッチング時の表面荒れを抑制する。
【解決手段】 下層側のＣｕ配線が形成された層、ＳｉＣ膜１およびＳｉＯＣ膜２の積層構造に対し、ＳｉＯＣ膜２をエッチングしてＳｉＣ膜１に達するビアホール用の開口部５を形成し、開口部５に連通する配線溝６ａ，６ｂを形成した後に、その開口部５の底のＳｉＣ膜１をエッチングしてビアホールを形成する際に、そのビアホールおよび配線溝６ａ，６ｂの表面にエッチング生成物の堆積膜を形成する。この堆積膜によってビアホールおよび配線溝６ａ，６ｂが形成されたＳｉＯＣ膜２のエッチングプラズマに晒された表面を平坦化する。その後は、Ｔａ膜の形成、メッキＣｕの埋め込みを行ってビアおよび上層側のＣｕ配線を形成する。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、透明性、緻密性、密着性等に優れた金属酸化物膜を得ることができる金属酸化物膜の製造方法を提供することを主目的とするものである。
【解決手段】 本発明は、スプレー装置により、金属源として金属塩または金属錯体が溶解した金属酸化物膜形成用溶液を霧化し、霧化された上記金属酸化物膜形成用溶液と、金属酸化物膜形成温度以上の温度まで加熱した基材とを接触させることにより、上記基材上に金属酸化物膜を得る金属酸化物膜の製造方法であって、上記スプレー装置が、上記金属酸化物膜形成用溶液を霧化するためにエアーを使用しない方式の装置であることを特徴とする金属酸化物膜の製造方法を提供することにより、上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】 化学的に安定した基板表面に、滑らかで一様で、かつ閉じられたフィルム(または層)の形成を許容しない。
【解決手段】 この発明は一般に、集積回路(IC)製作プロセスに関する。この発明は、より特別にはその後の金属、金属酸化物、金属窒化物、および/または、金属カーバイドの層のために、二酸化珪素やシリコン窒化酸化物層などの表面の処理に関する。この発明はさらにこの発明の方法で入手できる高いkのゲートに関する。 （もっと読む）

コーティング済み基板を形成する方法は、流れから基板の上に材料を堆積することに基づくことができ、ここで、コーティング材料は、流れ内部での反応によって形成される。プロセスチャンバ（３００）において、生成物材料を、光入口（３２０）を経て供給される照射ビームから吸収された光子エネルギーによって駆動される反応において形成してよい。生成物流れを有する流れを、ノズル（３０８）に接続し、排気口（３２２）によって出るガス／紙入口管（３０６）を経て基板において指向してよい。例えば基板キャリア（３１６）を生成物流れを通して並進運動させるアーム（３１８）によって、基板を流れに対して移動させてよい。コーティング材料を、十分に緻密化したコーティング材料の６５％〜９５％の密度を有し非常に高いレベルのコーティング均一性を有して形成することができる。
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【課題】 応力蓄積絶縁膜の製造方法及び半導体装置に関し、高圧縮応力蓄積絶縁膜の剥がれに対する耐性を高める。
【解決手段】 少なくともＳｉを主成分とする半導体基板１上にＳｉソースガスとして、Ｓｉ原子１個当たりのＳｉ−Ｈ結合の数が１以下のアルキルシラン、アルコキシシラン、或いはアルキルシロキサンのいずれかを用いて、圧縮応力５が１ＧＰａ以上になるＳｉソースガス分圧及び印加電力の条件下で応力蓄積絶縁膜４を成膜する。 （もっと読む）

【課題】成膜後の加熱処理において腐食性ガスがほとんど発生することがないフルオロカーボン膜を形成可能であり、また半導体材料に対して高選択的かつ高エッチング速度で良好なパターン形状を形成可能なプラズマ反応用ガスを提供すること、及びこのプラズマ反応用ガスを用いる、フルオロカーボン膜の成膜方法、ドライエッチング方法、並びにドライエッチング工程、ＣＶＤ工程及びアッシング工程のいずれか少なくとも１つの工程を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】不飽和フッ素化炭素化合物からなり、塩素原子含有化合物量が１００重量ｐｐｍ以下であるプラズマ反応用ガス、このプラズマ反応用ガスを用いるＣＶＤ法によるフルオロカーボン膜の成膜方法及びドライエッチング方法、並びにこのプラズマ反応用ガスを用いる、ドライエッチング工程、ＣＶＤ工程及びアッシング工程のいずれか少なくとも１つの工程を有する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】膜厚が５μｍ以上であり、表面上に付着しているパーティクルの数が極めて少ない高品質の酸化膜を持ったシリコン基板の製造方法及び酸化膜付きシリコン基板を提供する。
【解決手段】水蒸気を含む雰囲気下においてシリコン基板を熱処理して膜厚が５μｍを超える所定膜厚の酸化膜を表面に形成し、該酸化膜付きシリコン基板の表面を少なくともＨＦ溶液を含む溶液を用いて酸化膜の膜厚が５μｍ以上残存するようにエッチング処理を行い、その後、洗浄を行う酸化膜付きシリコン基板の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 フッ素添加カーボン膜（ＣＦ膜）上にハードマスク用の薄膜であるＳｉＣＯ膜あるいはＳｉＣＮ膜を成膜するにあたり、その薄膜とフッ素添加カーボン膜との間で大きな密着性を得ること。
【解決手段】 ＳｉＣＯ膜をハードマスクとして使用する場合に、ＣＦ膜をシリコンの有機化合物例えばトリメチルシランガスを活性化したプラズマ雰囲気に例えば５〜１０秒程度曝し、次いでこのプラズマに窒素プラズマを加えてフッ素添加カーボン膜の上にＳｉＣＮ膜を成膜し、その後例えばトリメチルシランガスと酸素ガスとを活性化したプラズマによりＳｉＣＯ膜を成膜する。ＳｉＣＯ膜の成膜時に、酸素の活性種がＣＦ膜中の炭素と反応することが抑えられ、従ってＣＦ膜の脱ガス量が低減する。またＳｉＣＮ膜をハードマスクとして使用する場合も、同様に最初にトリメチルシランガスのプラズマ処理を行う。 （もっと読む）