【課題】容量部のリークを防止することによって歩留まりを向上させ、基板製造工程における工程短縮化が実現できる電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】画素電極と該画素電極に対応して設けられたスイッチング素子とを有する素子基板と、該素子基板に対向配置される対向基板とを有する電気光学装置の製造方法であって、前記素子基板に第１の絶縁膜を形成する工程と、前記第１の絶縁膜上に、前記画素電極の電位を保持する容量部を形成する工程と、前記容量部を規定の形状にパターニングする工程と、前記容量部上に、第２の絶縁膜を形成する工程と、積層された前記容量部と前記第２の絶縁膜とを、所定量の酸素及び窒素を用いて焼成する焼成工程と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】多様なエッチング溶液に対して優れた耐性を有するエッチング阻止層を含む半導体装置の製造方法及びその半導体装置と、多様なエッチング溶液に対して優れた耐性を有することで、湿式エッチング工程の間、下部構造物を効果的に保護することができるエッチング阻止層の形成方法とを提供する。
【解決手段】第１構造物上に金属酸化物１１５を蒸着し、その蒸着された金属酸化物１１５をアニーリングし、第１構造物上にエッチング阻止層１１５を形成する。エッチング阻止層１１５上には第２構造物１２０を形成し、エッチング阻止層１１５を用いて第２構造物をエッチングする。金属酸化物はハウニウム及びアルミニウムのうち少なくとも一つを含むことが好ましい。 （もっと読む）

【課題】 半導体基板に対する密着性が高い絶縁膜を形成し得る絶縁膜形成用塗布液を提供すること。ほか
【解決手段】 以下の成分（Ａ）および（Ｂ）を含有する絶縁膜形成用塗布液。ほか
成分（Ａ）：非極性であり、かつ分子内に炭素−炭素二重結合を２個以上有するか、炭素−炭素三重結合を２個以上有するか、もしくは炭素−炭素二重結合を少なくとも１個と炭素−炭素三重結合を少なくとも１個有する熱反応性化合物、または該熱反応性化合物を重合して得られるポリマー。
成分（Ｂ）：式（１）〜（３）で示されるシラン化合物からなる群から選ばれる化合物を重縮合して得られる重合体。


（式中、Ｒ¹は水素原子、アルキル基またはアリール基を表し、Ｒ²はアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ³はアルキル基またはアリール基を表し、Ｒ⁴はアルキル基、アシル基またはアリール基を表し、Ｘは２価の基を表し、ｍは２または３を表す。） （もっと読む）

【課題】パッシベーション膜であるプラズマＣＶＤ法により形成されるシリコン窒化膜と下地絶縁膜、特に、ＴＥＯＳガスを原料としてプラズマＣＶＤ法により形成されるシリコン酸化膜との界面の密着性を向上させ、後工程で界面が剥離することを防止することのできる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【解決手段】配線が形成された半導体基板の表面の全面にＣＶＤ法によって下地絶縁膜を堆積し、この下地絶縁膜上にプラズマＣＶＤ法によってシリコン窒化膜を堆積するにあたって、下地絶縁膜の表面に窒素ガスまたはアンモニアガスのプラズマを照射してから、プラズマＣＶＤ法によるシリコン窒化膜の堆積を行う半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】 水分含有量が６０×１０^−９体積比以下のＣ₅Ｆ₈ガスを用いて、フッ素添加カーボン膜を成膜することにより、熱的安定性に優れたフッ素添加カーボン膜を得ること。
【解決手段】 Ｃ₅Ｆ₈ガスの供給源１と、ウエハＷに対してＣ₅Ｆ₈ガスをプラズマ化させてフッ素添加カーボン膜を成膜する成膜処理部３との間に、親水性又は還元作用のある表層を備えた物質を充填した精製器２を設け、Ｃ₅Ｆ₈ガスを精製器２に通気させることにより、Ｃ₅Ｆ₈ガスの水分を除去し、例えば水分含有量が２０×１０^−９体積比程度のＣ₅Ｆ₈ガスを成膜処理部３に導入し、フッ素添加カーボン膜を成膜する。このようすると、成膜されたフッ素添加カーボン膜に取り込まれる水分量が極めて少なくなり、後の加熱工程にて膜中の水分に起因するフッ素の脱離が発生しにくくなり、膜の熱的安定性が高められる。 （もっと読む）

基板上のアノード層と、該アノード層上の有機層と、該有機層上のカソード層とを備えた有機エレクトロルミネセント装置。一実施形態において、カソード層は、該カソードの上に保護層を堆積する前にＨ_２プラズマを受ける。別の実施形態では、有機エレクトロルミネセント装置は、カソード層上の内側カプセル化層と、該内側カプセル化層上の外側カプセル化層とでカプセル化される。内側層は、カソード層へ付着するのに最適とされる。
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【課題】 ＦＳＧ膜と反射防止膜との界面で膜剥がれが生じない半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板上に酸化膜１を介してメタル膜２を形成する工程と、上記メタル膜上に反射防止膜３を形成する工程と、上記反射防止膜上にレジストパターン４を形成し、このレジストパターンをマスクとして上記反射防止膜及びメタル膜をエッチングし、複数個のメタル配線５を形成する工程と、上記メタル配線上及びメタル配線間にフッ素添加の酸化シリコン膜（ＦＳＧ膜）からなる層間絶縁膜６を形成する工程と、上記層間絶縁膜の形成後に熱処理を行なう工程と、上記熱処理後に上記ＦＳＧ膜上にＴＥＯＳ膜７を形成する工程と、ＣＭＰにより上記ＴＥＯＳ膜またはＴＥＯＳ膜及びＦＳＧ膜を研磨し上面を平坦化する工程と、平坦化された面にシリコン酸化膜８を形成する工程とを含むものである。 （もっと読む）

【課題】 保護膜の下に設けた配線が破損しない半導体装置を提供する。
【解決手段】 半導体装置１は、酸化シリコンからなる絶縁膜７と、窒化シリコンからなる絶縁膜８と、アルミニウムからなる配線１０，１１，１２，１３と、絶縁膜８および配線１０，１１，１２，１３を覆うポリイミド樹脂からなる保護膜１４とからなり、絶縁膜８と保護膜１４との間に、酸化シリコンからなる中間膜９を設ける。 （もっと読む）

【課題】 サイドウォールの酸化膜・シリコン界面の窒化による界面準位の発生を抑制することにより、トランジスタの性能劣化を防止する。
【解決手段】 基板１０１上に形成されたゲート電極１０４と、ゲート電極１０４の側壁に形成された第１のサイドウォールである酸化膜１０５と第２のサイドウォールである窒化膜１０６と、ゲート電極１０４の側方に位置する基板１０１の領域の中に形成された低濃度不純物拡散領域１０７と高濃度不純物拡散領域１０９とを備え、第１のサイドウォールである酸化膜１０５と低濃度不純物拡散領域１０７との界面における窒素濃度が１×１０²⁰ｃｍ^-3以下である。これにより低濃度不純物拡散領域１０７と第１のサイドウォールである酸化膜１０５の界面における界面準位の発生量が少なくなり、界面準位による低濃度不純物拡散領域への空乏層の形成を抑制し、トランジスタ性能の劣化を防止する。 （もっと読む）

【課題】 不純物を抑制して膜質を向上させると共に、基板に対する密着性を向上させ、更には比誘電率、金属拡散防止機能及び機械的強度の特性について、高いレベルでバランスをとった窒化ホウ素膜を成膜可能な成膜方法を提供する。
【解決手段】 成膜室内において、ホウ素源ガスと窒素源ガスとのプラズマを発生させて、これらのガスを反応させて窒化ホウ素膜を成膜する方法において、原料ガスの流量に対して、不活性ガスを同じ流量以下で、又は同じ流量以上で、又は略同じ流量で供給する。 （もっと読む）

基板上に多層膜／コーティングを形成する改善された気相堆積方法及び装置を開示する。本方法は、多層コーティングを堆積するために使用されるものであって、基板と直接的に接触する酸化物層の厚さが、基板の化学組成に相関するものとして制御される。これにより、後に堆積される層は、酸化物層により良好に結合される。改善された方法は、多層コーティングを堆積するために使用されるが、この多層コーティングでは、酸化物層が基板上に直接的に堆積され、有機物層が酸化物層上に直接的に堆積される。典型的には、酸化物層及び有機物層が交互に配置される一連の層を形成する。 （もっと読む）

導電材料と誘電体層間の接着層を堆積させるために基板を処理する方法が提供される。一態様においては、本発明は、基板を処理する方法であって、導電材料が基板表面上に配置された基板を配置するステップと、基板表面を還元化合物、シリコンベースの化合物、又はその双方に曝すステップと、基板表面の少なくとも一部と該還元化合物、シリコンベースの化合物、又はその双方とを反応させるステップと、炭化シリコン層を真空を破壊せずに堆積させるステップと、を含む前記方法を提供する。 （もっと読む）

本発明においては大面積プラスチック基板上に低温無機膜を堆積させる方法及び装置が記載される。低温（＜８０℃）無機膜は、プラスチック基板にほとんど付着しない。それ故、接着性を改善するために低温（＜８０℃）プラズマ前処理が加えられる。プラズマ前処理した無機膜は、良好な接着と気密性を示す。 （もっと読む）

【課題】 ｈｉｇｈ−ｋゲート誘電体プロセスインテグレーションのための界面酸化プロセスの提供。
【解決手段】 界面酸化層を有した微細構造物を形成する方法は、この微細構造物内のｈｉｇｈ−ｋ層の形成と関係した基板の酸化特性を制御するように拡散フィルタ層を使用することにより提供される。拡散フィルタ層は、表面の酸化を制御する。界面酸化層は、拡散フィルタ層上へのｈｉｇｈ−ｋ層の堆積の後に実行される酸化プロセス中に、または拡散フィルタ層上へのｈｉｇｈ−ｋ層の堆積中に、形成されることができる。 （もっと読む）

後の堆積、特に原子層堆積（ＡＬＤ）によるゲート絶縁体堆積のための調製において、ゲルマニウム表面（２００）を処理するための方法が提供される。堆積の前に、該ゲルマニウム表面（２００）は、プラズマプロダクトを用いて反応されるか、又は気相反応物を用いて熱的に反応される。表面処理の例は、ＡＬＤ反応物により容易の吸着する酸素ブリッジ、窒素ブリッジ、−ＯＨ、−ＮＨ、及び／又は−ＮＨ_２末端を残す。該表面処理は、該反応物の該ゲルマニウムバルクへの深い浸透を回避するが、核形成を改良する。

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本発明は半導体または電気回路での低いｋ誘電性フィルムの製造方法に関し、前記方法は、一般式［（Ｒ_ａＸ_ｂＳｉＯ_１．５）_ｍ（Ｒ_ｃＹ_ｄＳｉＯ）_ｎ］（式中、ａ、ｂは０〜１であり、ｃ、ｄは１であり、ｍ＋ｎは３以上であり、ａ＋ｂは１であり、ｎ、ｍは１以上であり、Ｒは水素原子またはアルキル、シクロアルキル、アルケニル、シクロアルケニル、アルキニル、シクロアルキニル、アリールまたはヘテロアリール基であり、それぞれ置換されているかまたは置換されてなく、Ｘはオキシ、ヒドロキシル、アルコキシ、カルボキシル、シリル、シリルオキシ、ハロゲン、エポキシ。エステル、フルオロアルキル、イソシアネート、アクリレート、メタクリレート、ニトリル、アミノまたはホスフィン基であり、またはタイプＸの少なくとも１つの前記基を有するタイプＲの置換基であり、Ｙはヒドロキシル、アルコキシまたはタイプＯ−ＳｉＺ_１Ｚ_２Ｚ_３の置換基であり、Ｚ_１、Ｚ_２およびＺ_３はフルオロアルキル、アルコキシ、シリルオキシ、エポキシ、エステル、アクリレート、メタクリレートまたはニトリル基であり、またはタイプＲの置換基であり、同じかまたは異なり、タイプＲの置換基が同じかまたは異なるだけでなく、タイプＸおよびＹの置換基もそれぞれ同じかまたは異なり、タイプＹの置換基として少なくとも１個のヒドロキシル基を有する）の不完全に縮合した多面体のオリゴマーシルセスキオキサンをフィルムの製造のために使用することを特徴とし、更にこの方法により製造される低いｋ誘電性フィルムに関する。 （もっと読む）

【課題】配線の信号伝播性能向上を絶縁被膜の誘電率分布の均一化によって実現することを課題とする。
【解決手段】アルコキシシランを加水分解して得られたシリカからなる、平均粒径が１０００Å以下であって、粒径の３σが平均粒径の２０％以下である第一の微粒子と、平均粒径が１第一の微粒子の１／３以下で、粒径の３σが第二の微粒子の平均粒径の２０％以下である第二の微粒子とを含有し、半導体デバイスに用いるに好ましい被膜形成用塗布液。 （もっと読む）