【課題】 近年の微細化・低温化された半導体装置は、配線間の寸法が極めて細く、アスペクト比が極めて大きくなっている。また微細化にともない熱処理温度を高くできなくなり、微細配線間を埋設する最適な絶縁膜が形成できない。本発明は微細配線間を埋設する最適なＢＰＳＧ膜等の絶縁膜を成膜できる半導体装置の製造方法を提供することにある。
【解決手段】 成膜手順として、オゾンＯ３を含む酸化ガスで成膜装置のチャンバーを充満させた後に、ソースガスを導入することで成膜する。オゾン／ＴＥＯＳの重量比を３．７以上、成膜速度を４５ｎｍ／ｍｉｎ以下とすることステップカバレッジの良い、膜収縮率が低い良質の絶縁膜が得られる。 （もっと読む）

【課題】堆積絶縁層内のボイドを消滅させ，ボイドの影響による素子特性の劣化を抑制した絶縁ゲート型半導体装置の製造方法を提供すること。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法では，ゲートトレンチ２１および終端トレンチ６１を形成した後，各トレンチに対して不純物がドープされていない，いわゆるノンドープの絶縁膜の埋め込みを行う。その後，絶縁膜が形成された半導体基板に対し，酸化性雰囲気にてアニール処理を行う。これにより，ゲートトレンチ２１の壁面沿いに熱酸化膜８３が形成され，堆積絶縁層２３中のボイドが消滅する。その後，堆積絶縁層２３の一部をエッチバックし，エッチバックにて設けられたスペースにゲート材を充填する。 （もっと読む）

【課題】 メタル元素を含有するシリコン酸化膜を有する半導体装置において、その特性や信頼性の向上をはかることが可能な製造方法を提供する。
【解決手段】 下面近傍の第１の領域と、上面近傍の第２の領域と、第１の領域と第２の領域との間の第３の領域とを有し、メタル元素の厚さ方向における濃度分布が第１の領域又は第３の領域に最大点を有する、メタル元素を含有する非晶質シリコン膜１２を半導体基板１１上に形成する工程と、メタル元素を含有する非晶質シリコン膜を酸化して、メタル元素を含有するシリコン酸化膜１３を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【解決手段】本発明は、低誘電率コーティングが無機及び有機成分を含み、これらの成分のための前駆体が、化学蒸気相のプラズマ活性化沈積のための少なくとも二つのプラズマ源において活性化され、かつ該複数の活性化された前駆体が、それらが基体上に化学蒸気相から沈積されてコーティングを形成する前に一緒にされるところの、低誘電率コーティングを製造するための方法を開示し、該無機成分が多孔性ナノ粒子を含むことを特徴とする。本発明はまた、低誘電率コーティングの製造のための装置を開示する。 （もっと読む）

本発明は、チップス上にＳｉＯ₂含有絶縁層を形成させる方法および前記目的のための特殊な前駆体の使用に関する。更に、本発明は、前記方法で得ることができる絶縁層ならびにこのような絶縁層を備えたチップスに関する。 （もっと読む）

基板上に持ち上がった隣接特徴部により画成されたギャップを充填する方法は、基板を収容するチャンバにシリコン含有プロセスガス流を供給するステップと、上記チャンバに酸化プロセスガス流を供給するステップと、上記チャンバに燐含有プロセスガス流を供給するステップとを備えている。また、この方法は、シリコン含有プロセスガスと、燐含有プロセスガスと、酸化プロセスガスとの間に反応を生じさせることにより、Ｐドープの酸化シリコン膜の第１部分を実質的な適合層としてギャップに堆積するステップも備えている。適合層の堆積は、（シリコン含有プロセスガス＋燐含有プロセスガス）：（酸化プロセスガス）の比を時間と共に変化させる段階と、適合層の堆積全体にわたり基板の温度を約５００℃未満に維持する段階とを含む。また、この方法は、Ｐドープの酸化シリコン膜の第２部分をバルク層として堆積するステップも備えている。上記膜の第２部分の堆積は、（シリコン含有プロセスガス＋燐含有プロセスガス）：（酸化プロセスガス）の比をバルク層の堆積全体にわたり実質的に一定に維持する段階と、バルク層の堆積全体にわたり基板の温度を約５００℃未満に維持する段階とを含む。 （もっと読む）

低Ｋ誘電体複合層（２６，２８）は、低ｋバリア層（２６）及びバリア層（２６）上の低Ｋ誘電体層（２８）により形成される。結果的に疎水性の上部表面を有するように堆積するバリア層（２６）を酸素プラズマで処理して表面を疎水性から親水性に改質する。後続の水を用いた洗浄は、バリア層（２６）の表面の改質に起因して歩留まりを低下させるバリア層（２６）上の欠陥を取り除くために非常に効果的である。水を用いた洗浄の後、低Ｋ誘電体層（２８）をバリア層（２６）の表面上に形成して低Ｋ誘電体である複合層（２６，２８）を完成させる。
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【課題】 調整可能な光学的性質およびエッチング特性を有する材料を堆積させる方法と装置の提供。
【解決手段】 プラズマ増強化学蒸着によって基板に調整可能な光学的およびエッチング耐性特性を有する膜を堆積させる方法およびシステムに関するものである。チャンバは、プラズマソースと、ＲＦ電源に結合された基板ホルダとを有する。基板は、基板ホルダに配置される。ＴＥＲＡ層は、基板に堆積される。ＴＥＲＡ層の少なくとも一部分の堆積速度が、ホルダの基板にＲＦ電力が印加されていないときより早くなるように、ＲＦ電源によって提供されるＲＦ電力は、選択される。 （もっと読む）

【課題】 上層配線の線幅面積を減少させて、上下配線間の相互干渉による不具合を低減する。
【解決手段】 半導体基板１上に形成された第１の配線７を覆うＴＥＯＳ膜から成る第１の層間絶縁膜８と、該第１の層間絶縁膜８を隔てて前記第１の配線７にコンタクトする第２の配線９と、該第２の配線９を覆うＴＥＯＳ膜から成る第２の層間絶縁膜１０と、該第２の層間絶縁膜１０を隔てて前記第２の配線９にコンタクトする第３の配線１１と、該第３の配線１１を覆うシリコン窒化膜１３とポリイミド系絶縁膜１４から成るパッシベーション膜１２とを具備し、前記第３の配線１１には相互干渉を起こし易い映像信号に用いられているクロマ系信号や同期信号やシリアルコントロール信号等が流れていることを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】多層配線構造体の製造工程のＳＯＧ膜のエッチバック工程で、第１の金属配線を露出しない構造とする。
【解決手段】表面に段差２３のある絶縁膜１上に選択的に第１の金属配線２を形成し、この第１の金属配線２上にメタル系絶縁膜であるチタン酸化膜３を形成する。その露出面に第１のＰ−ＴＥＯＳ膜４を形成する。チタン酸化膜３の直上を除く第１のＰ−ＴＥＯＳ膜４の表面にＳＯＧ膜５を形成し、チタン酸化膜３上とＳＯＧ膜５上に第２のＰ−ＴＥＯＳ膜６を形成する。最後に第２のＰ−ＴＥＯＳ膜６上に第２の金属配線７を形成して、多層配線構造体が完成する。ここでは２層の金属配線２、７を例に上げたが、さらに多層の配線構造体の場合も、同様に各膜を積層することで製作できる。 （もっと読む）