【課題】 堆積システムのパーティクルコンタミネーションを減少するように構成された排気装置を提供することである。
【解決手段】 基板上の蒸着のための方法およびシステムであって、処理システムの移送空間から分離（アイソレーション）された処理システムの処理空間に基板を配置し、移送空間から分離が維持されている間、処理空間の第１の位置または第２の位置のいずれかで基板を処理し、前記第１の位置または第２の位置のいずれかで前記基板に材料を堆積させる。さらに、システムは、処理空間に組み合わせられるように構成された装置を排気する高いコンダクタンスを含み、それによって、堆積システムで処理される基板の粒子汚染が最小にされる。 （もっと読む）

【課題】ＭＯＣＶＤ法による高誘電体膜の形成方法において、形成される高誘電体膜の表面荒さを最小化する。
【解決手段】最初に被処理基板表面に高誘電体膜の有機金属化合物原料を、前記有機金属化合物原料の処理容器内における滞留時間が比較的長くなるような条件で供給し、被処理基板表面に結晶核を高い面密度で形成し、次に前記有機金属化合物原料を滞留時間が比較的短くなるような条件で供給する。 （もっと読む）

【課題】プラズマ化学気相堆積法による有機・無機複合原料を用いるシリカを主成分とする薄膜中に半径が0.3nm-1.0nmの範囲のサブナノスケール空孔を限定的に形成して、比誘電率および屈折率の減少したシリカ薄膜及びその製造方法を提供。
【解決手段】
ケイ酸アルキル及び炭化水素からなる混合物中の炭化水素の割合が0.1から1.5である混合物にプラズマ化学気相堆積法による操作が、ケイ酸アルキル流量が20sccm-50sccmであり、炭化水素流量は4sccm-35sccmであり、希釈用不活性ガス流量は40sccm-80sccmであり、成膜反応炉内圧力は50Pa-150Paであり、高周波RF放電出力は200W-300Wであり、基板温度は80℃-100℃、前記得られた複合薄膜を300℃以上での加熱処理もしくは有機シリカ複合膜堆積時の基板温度での酸素プラズマ処理により有機物質を分解脱離させるシリカ薄膜及びその製造方法。 （もっと読む）

【課題】表面に凸状部を有する半導体基板の表面に、前記凸状部の高さよりも膜厚が薄く、かつその表面が平坦な膜を有する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】表面に凸状部３００を有する半導体基板１００の前記表面に高密度プラズマ−化学気相成長法によりシリコン酸化膜４５０を堆積させる堆積工程と、堆積させたシリコン酸化膜の表面が前記凸状部の頂上よりも低い高さになるように等方性エッチングにより前記シリコン酸化膜をエッチングするエッチング工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】ｈｉｇｈ−Ｋゲート絶縁膜を使った半導体装置において、ゲート絶縁膜への電荷のトラップを抑制する。
【解決手段】ゲート電極を、その下の界面酸化膜に接して形成され、小さな電子親和力と大きなバンドギャップを有する第１の絶縁膜と、ゲート電極に接して形成され、より大きな電子親和力とより小さなバンドギャップを有する第２の絶縁膜の積層により形成する。 （もっと読む）

【課題】微細パターンの形成工程におけるＣＭＰ時に生じる不均一性を最小化し、５０ｎｍ以下の微細パターンを安定的に形成可能な半導体素子の製造方法を提供すること。
【解決手段】被エッチング層（２１）上に、第１ハードマスク、第１パッド層及び第２パッド層を積層してエッチングマスクパターンを形成するステップと、エッチングマスクパターンの両側壁に、第１パッド層と同じ物質からなるスペーサを形成するステップと、エッチングマスクパターン間を埋め込むまで、第１ハードマスクとは異なり、且つ、第２パッド層と同じ物質からなる第２ハードマスクを形成するステップと、第１パッド層が露出するまで、第２ハードマスクを平坦化させるステップと、第１パッド層及びスペーサを除去するステップと、残留する第１ハードマスク（２２Ａ）及び第２ハードマスク（２７Ｂ）をエッチングバリアとして、被エッチング層をエッチングするステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】金属酸化物膜或いは金属珪酸化物膜をゲート絶縁膜に用いた半導体装置の性能を向上させる。
【解決手段】金属酸化物膜３をゲート絶縁膜の少なくとも一部に用いた半導体装置であって、半導体基板１と金属酸化物膜との間に、金属、シリコン及び酸素を含む絶縁膜６が形成され、金属、シリコン及び酸素を含む絶縁膜にフッ素又は窒素の少なくとも一方が含まれている。 （もっと読む）

【課題】コスト増やメンテナンスの複雑化を回避しつつ面内膜厚均一性を向上する。
【解決手段】複数枚の製品ウエハを複数枚のダミーウエハと共にボート４０によって保持して処理室内に搬入し、処理室内のボトム側からＴＥＯＳガスを供給してトップ側に流し、ウエハにＴＥＯＳ酸化膜を形成するＩＣの製造方法において、製品ウエハが配列される第一領域よりも上流側に設けられた第二領域であるボトム領域における製品ウエハと隣接する部分にダミーウエハを配置し、それよりも上流側にはダミーウエハを配置することなく空とする。ボトム領域のサイドダミーウエハよりも上流側に広い空間を設けることにより、ＴＥＯＳガスが充分にミキシングされて分解され、ＴＥＯＳガスが高濃度（過剰な状態）とならないため、処理室を改造しなくても、面内膜厚均一性を向上できる。 （もっと読む）

【課題】強誘電体材料よりなるキャパシタ誘電体膜の劣化を防止できる半導体装置とその製造方法を提供すること。
【解決手段】キャパシタQを覆う水素拡散防止絶縁膜２５を形成する工程と、水素拡散防止絶縁膜２５の上にキャパシタ保護絶縁膜２４を形成する工程と、半導体基板１側にバイアス用高周波電力を印加すると共に、酸素とシリコン化合物ガスとを含む第１成膜ガスにプラズマ化用高周波電力を印加するプラズマCVD法により、キャパシタ保護絶縁膜２４の上に第１絶縁膜２６を形成する工程とを有し、キャパシタ保護絶縁膜２４の成膜条件として、キャパシタ保護絶縁膜２４に含まれる水分量が第１絶縁膜２６に含まれる水分量よりも少なくなる条件を採用する半導体装置の製造方法による。 （もっと読む）

【課題】金属層上への表面の平坦かされた絶縁膜を化学的機械平坦化プロセスを適用しないでも済む形成方法を提供する。
【解決手段】０．３ミクロンの金属層を形成し、ＴＥＯＳ系の方法により金属層上に第１の成膜速度で酸化物層の一部を形成し、ＴＥＯＳ系の方法により第１の成膜速度より小さい第２の成膜速度で酸化物層の一部を形成し、酸化物層をファセットエッチングし、金属層の少なくとも一部をリフローさせるステップより成る形成方法。 （もっと読む）

【課題】Ｏ₃−ＴＥＯＳ酸化膜の蒸着方法及びＯ₃−ＴＥＯＳ酸化膜を含む所定の物質膜を蒸着するための蒸着装置を提供する。
【解決手段】Ｏ₃−ＴＥＯＳ膜蒸着方法は、下部膜質依存性がある下部膜３１５上に、下部膜質依存性がなくなる高温下で第１のＯ₃−ＴＥＯＳ酸化膜３２１を蒸着する段階と、第１のＯ₃−ＴＥＯＳ酸化膜３２１上に蒸着速度が速い低温下で第２のＯ₃−ＴＥＯＳ酸化膜３２３を蒸着する段階とを含む。したがって、Ｏ₃−ＴＥＯＳ膜を高温及び低温の２段階の温度条件下で蒸着することにより、生産性が低下しない下部膜質依存性が除去されたＯ₃−ＴＥＯＳを得ることができる。さらに、単一の装置内に２以上のサセプタまたはヒーターを具備することにより、同一の装置内において相異なる温度にて所定の物質膜を蒸着することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体製造用に改善された誘電体及び機械的特性を有する絶縁体材料を供する。
【解決手段】材料は酸素、シリコン及び水素を含み、２ｇ／ccより小さい密度を特徴とする。あるいは多孔質絶縁体材料は６３３ｎｍないし６７３ｎｍの波長の光に対する１．４５より小さい屈折率又は４５ＧＰａより小さいヤングモジュラスを特徴とする。半導体デバイスの作製方法は、デバイス形成のための上部表面を有する半導体層を供すること及び半導体層上に複数のレベルの相互接続を形成し、各レベルは複数の部分を含むことを含む。部分は少なくともいくつかの部分間に多孔質層を形成するため、ＴＥＯＳを分解することにより、他の部分から電気的に分離される。 （もっと読む）

【課題】ＲＣ遅延が抑制された半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】まず、基板上に設けられた層間絶縁膜７に、配線溝８ａと接続孔８ｂとからなるデュアルダマシン開口部８を形成する工程を行う。次に、デュアルダマシン開口部８の内壁を覆う状態で、層間絶縁膜７上にＭｎからなる金属膜２１を形成する工程を行う。次いで、熱処理を行い、金属膜２１中の金属を層間絶縁膜７の構成成分と反応させて、金属膜２１と層間絶縁膜７との界面に、Ｍｎ化合物からなる自己形成バリア膜１１を形成する工程を行う。続いて、金属膜２１の未反応部分を選択的に除去する工程を行う。その後、デュアルダマシン開口部８に、Ｃｕを含む導電層を埋め込んで、配線溝８ａと接続孔８ｂとに上層配線１２とヴィア１３とをそれぞれ形成する工程を行うことを特徴とする半導体装置の製造方法である。 （もっと読む）

【課題】低温でも優れたアッシング耐性を有する有機シリコン酸化膜を形成する。
【解決手段】プラズマCVDにより有機シリコン酸化膜を形成する方法は、(i)基板が載置されるサセプタの温度を３００℃以下に調節する工程と、(ii)サセプタが設置されたリアクタ内に少なくともテトラエチルオルソシリケート(TEOS)及び酸素を導入する工程と、(iii)高周波RF電力及び低周波RF電力を印加する工程と、(iv)基板上に有機シリコン酸化膜を蒸着する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】 シングルチャンバ内で異なる堆積プロセスを実行する方法およびシステムを提供することである。
【解決手段】 第１の蒸着プロセスに係る処理空間に第１のプロセスガス組成を導入し、基板上に第１の膜を堆積させ、第１の処理空間よりサイズが異なる第２の処理空間に第２のプロセスガス組成を導入し、そして第２のプロセスガス組成から基板上に第２の膜を堆積させる基板上への蒸着のための方法、コンピュータ読み取り可能なメディア、およびシステムである。このように、システムは、第１のボリュームを有する第１の処理空間を含む処理チャンバを有する。処理チャンバは、更に、第１の処理空間の少なくとも一部を含んで、第１のボリュームと異なる第２のボリュームを有する第２の処理空間を含む。 （もっと読む）

【課題】水分および有機物の吸着量の少ないＴＥＯＳ膜を形成する。
【解決手段】ＴＥＯＳおよび酸素（Ｏ_２）を含む混合ガスを反応室５１に供給する工程を有するプラズマＣＶＤ法によって、ステージ５３上に配置された半導体ウエハ１Ｗの主面上にＴＥＯＳ膜を成膜する。反応室５１内に配置されたシャワーヘッド５２の電極には、１３．５６ＭＨｚの高周波電力および３５０ｋＨｚの高周波電力を供給し、酸素とＴＥＯＳとの流量比を、３以上、１０未満とする。このＴＥＯＳ膜の成膜速度が５０ｎｍ／ｍｉｎ以上、１５０ｎｍ／ｍｉｎ以下となるように調整する。 （もっと読む）

【課題】プラズマＣＶＤ法による酸化膜の成膜において、セルフクリーニングを周期的に行っても酸化膜の膜厚変動を抑制することができるプラズマＣＶＤ装置および酸化膜の製造方法を提供する。
【解決手段】プラズマＣＶＤ(Chemical Vapor Deposition)装置を用いて酸化膜を成膜する方法である。酸化膜の製造方法は、プラズマによってプラズマＣＶＤ装置の成膜チャンバを洗浄するセルフクリーニングの工程を備えている。原料ガス放散口の温度が一定範囲内にある場合に成膜チャンバに装入した基板上に酸化膜を形成し、原料ガス放散口の温度が一定範囲内にない場合には酸化膜を形成しない。酸化膜の形成において、成膜チャンバ内に装入する基板とガス放散口との熱の授受により、原料ガス放散口の温度を一定範囲内にする。 （もっと読む）

【課題】シリコン基板表面に平坦化された高誘電体膜を形成する方法を提供する。
【解決手段】有機金属ＣＶＤ法によるシリコン基板４０上への金属シリケート膜の形成方法であって、前記シリコン基板表面４０に、前記金属シリケート膜４３を構成する金属元素を含む有機金属化合物よりなる第１の気相原料と有機シリコン化合物よりなる第２の気相原料とを供給する第1の工程と、前記第１の気相原料と前記第２の気相原料とを前記シリコン基板表面４０にて分解し、金属シリケート膜４３を形成する第２の工程とを、繰り返し実行し、その際、前記金属シリケート膜４３を、繰り返し毎に、０．５ｎｍ以上、２ｎｍ以下の膜厚で形成する。第１の原料はテトラターシャリブトキシハフニウムであり、第２の原料はＴＥＯＳであることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】半導体基板上に形成される被膜の剥離、ダストの発生を抑えることが可能な半導体製造方法及び半導体製造装置を提供する。
【解決手段】半導体基板に第１の被膜を形成する工程と、前記半導体基板の外周部において、第１の被膜の少なくとも一部を除去し、段差を形成する工程と、少なくとも前記段差の形成された領域に、選択的に第２の被膜を形成する工程を備える。 （もっと読む）

【課題】高濃度オゾンガスの高い反応性により、特には低温プロセスのみで、均一で高品質な絶縁膜を作製する方法を提供する。
【解決手段】加熱ユニット１０ｂを格納した反応炉（ＣＶＤ炉）１０と、オゾンガスを反応炉１０内に導入するオゾンガス導入バルブＶ₂を備えた配管２と、原料ガスを反応炉１０内に導入する原料ガス導入バルブＶ₃を備え前記の配管２に対し該反応炉１０外にて連結した配管３と、反応炉１０内のガスを排出する排気バルブＶ₄を備えた配管４と、窒素ガスを反応炉１０内に導入する窒素ガス導入バルブＶ₅を備えた配管５と、を備えた装置を用いる。そして、前記のバルブＶ₂〜Ｖ₅を適宜開閉動作し、前記の反応炉１０内に対しオゾンガスと原料ガスとをそれぞれ所定量供給することにより、基板１０ａの表面にシリコン酸化膜を形成する。 （もっと読む）