【課題】低温下で、良質な酸化膜を形成することができる酸化膜の形成方法、酸化膜の形成装置及びプログラムを提供する。
【解決手段】まず、反応管２内にアンモニアラジカルを供給し、半導体ウエハＷの表面を窒化する。次に、反応管２内にＤＣＳを供給し、窒化された半導体ウエハＷの表面にＳｉを吸着させる。続いて、反応管２内に酸素ラジカルを供給して、吸着したＳｉを酸化させ、半導体ウエハＷにシリコン酸化膜を形成する。この処理を複数回繰り返すことにより所望厚のシリコン酸化膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】トランジスタ上に大きな応力を有する応力膜を精度良く形成する。
【解決手段】ｎＭＯＳＦＥＴ１０が形成された基板の全面に堆積した引っ張り応力膜３を、ｎＭＯＳＦＥＴ１０上に残してエッチングにより除去し、その後、その残った引っ張り応力膜３に対してＵＶ照射を行う。このＵＶ照射により、引っ張り応力膜３の引っ張り応力を向上させる。また、ＵＶ照射によって引っ張り応力膜３が硬化するが、エッチング後にＵＶ照射を行うため、そのような硬化に起因したエッチング不良の発生は回避される。これにより、ｎＭＯＳＦＥＴ１０の高速化および高品質化が図られる。 （もっと読む）

【課題】特性を劣化させることなく平坦化が可能な薄膜トランジスタを提供する。
【解決手段】ゲート電極22を覆ってゲート絶縁膜21上に、水素化窒化シリコン膜により層間絶縁膜25を形成する。層間絶縁膜25上に、ＢＰＳＧとＴＥＯＳとのいずれか一方により中間膜を形成する。中間膜を５００℃近傍に加熱して流動化させることで平坦化用の平坦化膜26を形成する。中間膜を加熱した際でも、活性層12とゲート絶縁膜21との間の欠陥準位に水素化窒化シリコン膜により形成した層間絶縁膜25から水素原子を充分に供給するので、特性を劣化させることなく平坦化が可能になる。 （もっと読む）

【課題】凹部が形成された半導体基板上に脱水縮合を行なうことによりシリコン酸化膜を形成する場合であっても、絶縁耐圧の低下によって半導体装置の特性の劣化を招くことが少ないシリコン酸化膜の形成方法を提供することである。
【解決手段】少なくともＳｉ含有ガスを原料ガスとして、凹部３０が表面に形成された半導体基板２２上に１次反応物を形成した後に脱水縮合を行なうことによりシリコン酸化膜３４、３６を半導体基板上に形成するシリコン酸化膜の形成方法であって、前記シリコン酸化膜３４、３６を半導体基板上に形成した後、前記凹部３０内に形成されたシリコン酸化膜のうち、表面に形成されたシリコン酸化膜３４よりも低密度に形成された部分３６の少なくとも一部が露出するまで、表面に形成されたシリコン酸化膜３４を除去し、次いで前記Ｓｉ含有ガスを前記低密度のシリコン酸化膜３６に供給することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、サセプタに吸着された半導体基板を加熱し、加熱された半導体基板に膜を形成する膜形成工程を含んだ半導体装置の製造方法に関し、半導体基板の上面側に良好な膜質の膜を形成すると共に、半導体基板の下面側への膜の形成を防止して、半導体装置の歩留まりを向上させることを課題とする。
【解決手段】半導体基板２２の中心から半導体基板２２の半径Ｒ_１の１／２よりも内側に位置する第１の領域Ｄに対応する半導体基板２２と、第１の領域Ｄよりも外側に位置する第２の領域Ｅに対応する半導体基板２２とをサセプタ１７により吸着すると共に、ヒータ１６により所定の温度Ｔ_ｘとなるように加熱された半導体基板２２上にＣＶＤ膜２３を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板の処理中に生じる小さな変化を監視すること。
【解決手段】本発明の基板を処理する装置は、基板を処理することができるチャンバと、放射線を与えることができる放射線源と、該放射線を該基板上で処理されているフィーチャの配向に対して選択された１つ又はそれ以上の偏光角に偏光するようにされた放射線偏光器と、処理中に該基板から反射した放射線を検知し、信号を生成する放射線検知器と、フィーチャによって反射された放射線から生じる信号成分を選択的に通過するように、該信号を濾波する帯域通過フィルタとを有する。 （もっと読む）

【課題】簡便な方法によりスイッチング特性が良好で安定した有機薄膜トランジスタ及び有機薄膜トランジスタの製造方法を提供する。
【解決手段】基板の上に、少なくともソース電極、ドレイン電極、前記ソース電極と前記ドレイン電極とを連結する有機半導体、ゲート電極及び前記有機半導体と該ゲート電極との間にある複数の膜でなる絶縁膜、を有し、前記有機半導体と接する前記絶縁膜は、導入するガスに水素ガスを含む大気圧プラズマ法で設けた無機酸化膜である。 （もっと読む）

【課題】シリコン酸化膜のウェットエッチング時のエッチングレートのばらつきを抑制す
ることが可能な電気光学装置の製造装置及び電気光学装置の製造方法を提供する。
【解決手段】電気光学装置用の基板が配置される下部電極２１０及び下部電極２１０に対
向して設けられた上部電極２２０に、それぞれ異なる周波数の電力を供給し、両電極間に
供給されるＴＥＯＳガスをプラズマ化し、ウェハ基板１０ｂ上にプラズマＣＶＤ法により
シリコン酸化膜を形成する平行平板型のプラズマＣＶＤ装置において、上部電極２２０に
供給する高周波電力の値に対する、基板１０ｂが配置される下部電極２１０に供給する低
周波電力の値の比を０．３以下とする。 （もっと読む）

基板上のギャップを酸化シリコンで充填する方法を記載する。前記方法には、有機シリコン前駆物質と酸素前駆物質を堆積チャンバに導入するステップと、前駆物質を反応させて、基板上のギャップ内に第一酸化シリコン層を形成するステップと、該第一酸化シリコン層をエッチングして層内の炭素含量を減少させるステップと、が含まれるのがよい。前記方法には、第一層上に第二酸化シリコン層を形成するステップと；第二層をエッチングして第二層内の炭素含量を減少させるステップとが含まれるのがよい。ギャップを充填した後に酸化シリコン層をアニールする。 （もっと読む）

基板上に酸化シリコン層を堆積する方法が記載される。方法には、堆積チャンバに基板を準備するステップと、堆積チャンバの外部で原子酸素前駆物質を生成させるステップと、原子酸素前駆物質をチャンバへ導入するステップとが含まれ得る。方法には、堆積チャンバにシリコン前駆物質を導入するステップであって、シリコン前駆物質と原子酸素前駆物質が最初にチャンバ内で混合される前記ステップが含まれ得る。シリコン前駆物質と原子酸素前駆物質が反応して、基板上に酸化シリコン層を形成する。基板上に酸化シリコン層を堆積させるシステムも記載される。 （もっと読む）

【課題】窒化処理された高誘電体膜からの窒素原子の脱離を抑制する。
【解決手段】高誘電体膜の窒化処理後、３０秒以内に熱処理を行う。また枚様式処理装置において、被処理基板が窒化処理後、３０秒にないに熱処理されるように、被処理基板の搬送を制御する。 （もっと読む）

電界効果トランジスタのゲート誘電体の製造方法を提供する。一実施形態において、前記方法は、自然酸化物層を除去するステップと、酸化物層を形成するステップと、酸化物層の上にゲート誘電体層を形成するステップと、ゲート誘電体層の上に酸化物層を形成するステップと、層と下に横たわる熱酸化物／シリコン接合部をアニールするステップとを含む。所望により、ゲート誘電体層を形成する前に、酸化物層を窒化してもよい。一実施形態において、基板上の酸化物層は、酸化物層を堆積させることによって形成され、ゲート誘電体層上の酸化物層は、酸素含有プラズマを用いてゲート誘電体層の少なくとも一部を酸化することによって形成される。他の実施形態において、ゲート誘電体層上の酸化物層は、熱酸化物層を形成することによって、即ち、ゲート誘電体層上に酸化物層を堆積させることによって形成される。 （もっと読む）

【課題】成膜された半導体基板表面にパーティクルが付着したディフェクト層を残存させず、歩留まりを向上させることができる半導体素子の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１１に成膜装置によって絶縁膜１２を成膜する半導体素子の製造方法であって、半導体基板１１に絶縁膜１２を目標膜厚ｄｔに成膜する際に、パーティクルを含有するディフェクト層１３の厚さ以上の余剰膜厚ｄａだけ厚く成膜し、その後、成膜された絶縁膜１２に表面除去処理を行うことで目標膜厚にする。 （もっと読む）

【課題】シリコン酸化膜を主成分とする酸化絶縁膜と炭化珪素半導体基板との界面における界面準位を低減して、チャネル移動度を改善してオン抵抗を小さくすることのできる炭化珪素半導体装置とその製造方法を提供すること。
【解決手段】炭化珪素半導体基板表面にシリコン酸化膜を主成分とする酸化物層を形成する工程を含む炭化珪素半導体装置の製造方法において、前記工程が、前記炭化珪素半導体基板表面に前記酸化物層を堆積した後に、非酸化性雰囲気中で前記堆積酸化物層を融液状態にする温度に昇温した後、１１４０℃以下に急冷してシリコン酸化膜を主成分とする酸化物層を形成する工程である炭化珪素半導体装置の製造方法とする。 （もっと読む）

【課題】 プラズマＣＶＤ法により、原料となるガスとして有機材料ガスを用いて絶縁膜を形成する際、温度の上昇を抑制しつつ、有機材料ガスの乖離を十分に行い、絶縁膜を良好なものとする。
【解決手段】 基板にプラズマＣＶＤ法を用いて絶縁膜を成膜する方法であって、前記プラズマＣＶＤ法において、絶縁膜の原料となるガスとして有機材料ガスを用い、且つプラズマを発生させるために印加する高周波電力を、一定の時間間隔を設けて印加することを特徴とする絶縁膜の成膜方法である。 （もっと読む）

【課題】薄膜の成膜性を向上させつつ、薄膜を形成させる基材への熱影響を抑制することができる薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】大気圧下でのプラズマＣＶＤにより、基材Ａの表面に薄膜を形成する薄膜形成方法であって、プラズマＣＶＤにおけるプラズマを発生させるための印加電圧の周波数が５〜９０ｋＨｚの範囲内に設定され、かつ、薄膜形成時の基材Ａの温度が２５〜９０℃の範囲内に設定される。 （もっと読む）

【課題】 厚膜であっても簡便に製造することができる多孔質膜およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 骨格材料で形成された骨格部と、孔源材料で形成された孔源部を有する一次膜を形成する一次膜形成工程と、前記骨格部の表面に対して反応可能な官能基と骨格部をなす原子結合を有する骨格強化化合物を前記一次膜に１００℃〜５００℃の範囲内の温度で接触させる接触工程と、前記一次膜から孔源材料を除去する除去工程を備える。前記一次膜形成工程において、前記骨格材料の基になる骨格原料の分子数をＡ、前記孔源材料に含まれる親水性の官能基数をＢ、多孔質膜の膜厚をＴ（単位μｍ）とするとき、下記式(1) を満足するように骨格原料、孔源材料の各量を調整する。
Ｂ／Ａ＞０．８３＋０．５４ｌｏｇＴ……(1) （もっと読む）

誘電物質を含有するトレンチが誘電物質と基板の間の窒化シリコン層上に形成された基板をアニールする方法であって、基板を酸素含有ガスを含む第一雰囲気中約８００℃以上の第一温度でアニールするステップと、基板を酸素を含まない第二雰囲気中約８００℃〜約１４００℃の第二温度でアニールするステップとを含む、前記方法。 （もっと読む）

【課題】オゾンＴＥＯＳ膜をＣＶＤ装置で成膜する場合に、高い成膜レートを安定して確保すると共に、均一性良く良好な膜質のオゾンＴＥＯＳ膜の成膜を可能とする半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】配線構造が形成された半導体基板上に層間絶縁膜を形成する半導体装置の製造方法であって、配線構造が形成された半導体基板上にプラズマＣＶＤシリコン酸化膜を成膜する第１の層間絶縁膜形成工程と、該第１の層間絶縁膜形成工程により成膜したプラズマＣＶＤシリコン酸化膜の表面改質のためのプラズマ処理を行う表面改質工程と、該表面改質工程により表面の改質が行われたプラズマＣＶＤシリコン酸化膜の上にオゾンＴＥＯＳ膜を成膜する第２の層間絶縁膜形成工程とを有し、さらに、前記表面改質工程において、表面改質のためのプラズマ処理を行う前に、該プラズマ処理を行う装置内に堆積した堆積物の除去を行う。 （もっと読む）

【課題】比誘電率が高く、熱的に安定で結晶化し難い、膜特性の良好なゲート絶縁膜の形成に適用される原子層蒸着法を用いた薄膜形成方法を提供する。
【解決手段】基板１１上に原子層蒸着法を用いて薄膜を形成する方法であって、基板表面を水酸基で終端させる前処理工程（Ｓ１０２）と、基板１１の処理表面に金属原子の層を形成し（Ｓ１０４）、この金属原子の層上に酸素原子の層を形成する（Ｓ１０６）第１の工程と、基板の処理表面にシリコン原子の層を形成し（Ｓ１０８）、このシリコン原子の層上に酸素原子の層を形成する（Ｓ１１０）第２の工程とを有し、第１の工程および第２の工程のいずれかを先に行うことを特徴とする原子層蒸着法を用いた薄膜形成方法である。 （もっと読む）