【課題】昇降ピンを用いてサセプタに基板を載置することにより生じ得る問題を回避できる半導体製造装置、成膜装置、これらに用いられるサセプタ、プログラム、およびコンピュータ可読記憶媒体を提供する。
【解決手段】開示する半導体製造装置は、基板Ｗに対して所定の処理を行う容器１２；基板Ｗの裏面周縁部を支持する爪部１０ａを含み、容器内に進退可能な基板搬送アーム１０；および、基板が載置される載置領域２４と、爪部１０ａが載置領域の上面よりも低い位置まで移動できるように設けられた段差部２４ａとを含むサセプタ２；を備える。 （もっと読む）

【課題】 剥離の発生の少ない薄膜多層配線基板とその製造方法を提案する。
【解決手段】 少なくとも一つの前記配線層が、下層の配線層上に形成された第一のＳｉＯ_２薄膜と、前記第一のＳｉＯ_２薄膜上に形成されたＳｉＯＮ薄膜と、前記ＳｉＯＮ薄膜上に形成された第二のＳｉＯ_２薄膜と、前記第二のＳｉＯ_２薄膜に埋め込まれて形成された配線導体と、前記配線導体と接続しかつ前記第一のＳｉＯ_２薄膜、前記ＳｉＯＮ薄膜および前記第二のＳｉＯ_２薄膜を貫通して前記下層の配線層の配線導体と電気的に接続するビア導体と、前記第二のＳｉＯ_２薄膜上に形成されたＳｉＮ薄膜と、で構成されている。 （もっと読む）

【課題】酸化膜の形成に自由度をもたせる。低温で窒素成分を低減または含まない酸化膜を形成する。バッチ方式の成長装置にて低温で厚い酸化膜膜を形成する。
【解決手段】アルキル基或いはアルコキシ基を含むシリコン系のガス又はシロキサンガス又はシラザンガスと、前記ガスを酸化させる酸化剤とを、減圧状態で５００℃以下の温度下で反応させる。前記ガスに対して、シランガス、ジシランガス、リン系ガス、又は、ボロン系ガスを添加剤として反応させる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造に使用されるシリコン酸化膜の下地依存性を改善することによって、シリコン酸化膜の狭スペースへの埋め込み性やモフォロジーを向上させる。
【解決手段】半導体素子部を有するＳｉ基板１の表面に有機基を含まないＳｉ含有分子を吸着させ、Ｓｉ含有分子による吸着層１２を形成する。あるいは、Ｓｉ基板１上にＳｉリッチなＳｉＮ系保護膜を形成する。吸着層１２またはＳｉリッチなＳｉＮ系保護膜上から有機シリコン材料ガスとオゾン等の活性化された酸素を含むガスとを供給し、Ｓｉ基板１上にシリコン酸化物からなる絶縁膜１３を形成する。 （もっと読む）

【課題】 ＣＺ基板を用いた絶縁ゲート型の半導体装置の製造方法において、ゲート酸化膜の絶縁耐圧を十分に確保することができる製造方法を提供すること。
【解決手段】 プラズマＣＶＤ法によって、ＣＺ基板６の表面に水素が含有されたゲート酸化膜１０を形成する工程と、ゲート酸化膜１０を熱処理する工程を備えている。ゲート酸化膜１０を熱処理することによって、ゲート酸化膜１０内の水素と、ゲート酸化膜１０とＣＺ基板６の界面近傍のＣＺ基板６内に存在する酸素析出欠陥との間で還元反応が生じる。これによって、ＣＺ基板６内の酸素が除去され、ゲート酸化膜１０の絶縁耐圧を十分に確保することができる。 （もっと読む）

【課題】基板表面上に半導体素子構造を形成した後に、基板を裏面側から研削した場合に生じる基板の反りを防止でき、容易にダイシング処理を行うことができ、高集積でパッケージングされる半導体素子として好適な厚みの薄い半導体素子を提供する。
【解決手段】基板１表面上に形成された半導体素子構造と、前記半導体素子構造内に形成され、基板１を裏面側から研削することにより発生する前記基板１を反らせるストレスを補償する補償ストレス膜６とを備えている半導体素子とする。 （もっと読む）

【課題】原料ガスの混合を十分に低減して適切な分子層堆積を実現すると共に、スループットを向上し得る成膜装置及び成膜方法を提供する。
【解決手段】成膜装置１０は、気密可能な円筒状の容器２１内に設けられ、開口部を有し、容器の中心軸に沿った第１の方向に一の間隔で配列される複数の第１板状部材２３ｂと、第１の方向に一の間隔で配列され、複数の第１板状部材２３ｂが有する開口部の内側を往復運動可能な複数の第２板状部材２４ｂとを備える。複数の第１板状部材２３ｂのうち第１の一対の第１板状部材２３ｂにより、容器の内周面に向かう第２の方向に第１のガスが流れる第１の流路が画成され、複数の第１板状部材２３ｂのうち第２の一対の第１板状部材２３ｂにより、第２の方向に第２のガスが流れる第２の流路が画成され、複数の第２板状部材２４ｂのうち一対の第２板状部材２４ｂの間に基板が保持される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の信頼性を向上させることができる製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１に形成される半導体素子を覆う絶縁膜１１が、埋め込み特性が良好とされる熱ＣＶＤ法等によって形成される。その絶縁膜１１を覆うように、耐湿性に優れているとされるプラズマＣＶＤ法によって絶縁膜１４が形成される。その絶縁膜１１および絶縁膜１４を貫通するようにプラグ１３が形成される。さらに、その絶縁膜１４上に、誘電率が比較的低いＬｏｗ−ｋ膜からなる絶縁膜１６が形成され、その絶縁膜１６に、ダマシン技術によって、プラグ１３に電気的に接続される配線２０が形成される。 （もっと読む）

【課題】Ｂｕｌｋ Ｆｉｎ構造の製造に於いて、ハードマスクの側面の後退・破損を発生させること無く、パッド酸化膜のサイドエッチ量を最小限度にとどめて、ゲート加工等の後工程を行うに際して良好な形状を有するＦｉｎ構造を実現する。
【解決手段】シリコン基板１上に、所定の間隔ＳＤを隔てて配列し且つ各々が所定の方向へ延在すると共に、所定の高さＤを有する複数のシリコン柱体１Ｆを形成する。その際に、各シリコン柱体１Ｆの上面には、パッド酸化膜２及びハードマスク３が順次に形成される。その後、酸素ガス、アルゴンガス、水素ガス及びシリコンガスをベースとなる反応ガスとして用いるＰＶＤ法によって、隣り合うシリコン柱体１Ｆによって形成されるリセス１Ｒを完全に充填すると共に、リセス１Ｒの上方及びハードマスク３の上方にまで至る埋め込み酸化膜５を堆積する。この堆積時に、幅Ｗのハードマスク３の側面は削除されない。 （もっと読む）

【課題】ウェハの反り量を低減することにより生産性を向上させた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る半導体装置の製造方法は、ウェハ上に絶縁膜を形成する工程と、前記絶縁膜上に第１の配線９を形成する工程と、前記第１の配線及び前記絶縁膜の上に第１のＴＥＯＳ膜１０を成膜する工程と、前記第１のＴＥＯＳ膜上にＳＯＧ膜１１を塗布し、４３５〜４６５℃の温度で熱処理することにより、前記第１のＴＥＯＳ膜上に厚さ４５０〜５５０ｎｍのＳＯＧ膜を形成する工程と、前記ＳＯＧ膜の上に第２のＴＥＯＳ膜１２を成膜する工程と、前記第２のＴＥＯＳ膜上に第２の配線１５を形成する工程と、前記第２の配線及び前記第２のＴＥＯＳ膜の上に窒化シリコンからなる保護膜１６を成膜する工程と、を具備することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体ナノ粒子埋め込みＳｉ絶縁膜からなる高性能な光検出器、および、それに用いる安定性かつ信頼性のある半導体ナノ粒子埋め込みＳｉ絶縁膜の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体ナノ粒子埋め込み絶縁膜を用いる光検出器１００であって、底部電極１０２と、底部電極１０２の上に重なり、ＮおよびＣからなる群から選択された元素を含む半導体ナノ粒子埋め込みＳｉ絶縁膜１０４と、半導体ナノ粒子埋め込みＳｉ絶縁膜１０４の上に重なる上部電極１０６とを備えている。 （もっと読む）

【課題】バリア層上に膜質のよい高誘電率材料の絶縁体が形成され得る、絶縁体の成膜方法を提供すること。
【解決手段】半導体基板の面上に、第１の比誘電率を有する材料を本質的な成分とする第１の絶縁膜を形成する第１の工程と、第１の絶縁膜上に、第１の比誘電率より大きな第２の比誘電率を有する材料を本質的な成分とする第２の絶縁膜を第１の絶縁膜の膜厚より厚く形成する第２の工程と、を具備し、第２の工程が、処理室内に第１の原料ガスを流す工程と、第１の原料ガスをパージする工程と、処理室内に第１の酸化剤を流す工程と、第１の酸化剤をパージする工程と、処理室内に第２の原料ガスを流す工程と、第２の原料ガスをパージする工程と、処理室内に第２の酸化剤を流す工程と、第２の酸化剤をパージする工程とを順次繰り返してなされる。 （もっと読む）

プラズマ処理装置１のチャンバ２内に、シリコン化合物ガス、酸化性ガス、および希ガスを供給する。マイクロ波をチャンバ２内に供給し、マイクロ波により生成されたプラズマで、被処理基板上にシリコン酸化膜を形成する。希ガスの分圧比は、シリコン化合物ガスと酸化性ガスと希ガスを併せたトータルガス圧の１０％以上の割合であって、シリコン化合物ガスと酸化性ガスの有効流量比（酸化性ガス／シリコン化合物ガス）は、３以上１１以下とする。
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【課題】 メソポーラス体およびメソポーラス体を作製する方法を提供する。
【解決手段】 本発明は、鋳型材料を含む鋳型を供給することと、鋳型に前駆体を浸透させること、前駆体を鋳型内で反応させて堆積物を形成すること、および鋳型から鋳型材料を除去してメソポーラス材料を形成すること、によってメソポーラス材料を形成する。 （もっと読む）

【課題】化学蒸着法によって形成された酸化膜の膜質を向上させること。
【解決手段】酸化膜改質装置１は、化学蒸着法によって酸化膜（例えばシリコン酸化膜）が形成された基板２を格納すると共にオゾン含有ガスが供給される処理炉３と、この処理炉３内の基板２上の酸化膜に紫外光を有する光を照射する光源４を備える。光源４は前記オゾン含有ガスの供給と同時に前記光を照射する。前記オゾン含有ガスの雰囲気の圧力は例えば０．１〜３０Ｐａに制御される。前記オゾン含有ガスは例えばオゾン濃度が０．１〜１００ｖｏｌ％である。 （もっと読む）

【課題】電荷蓄積層への電荷の注入効率を向上させることが可能な半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に形成された第１の絶縁膜と、第１の絶縁膜上に形成された電荷蓄積層と、電荷蓄積層上に形成された第２の絶縁膜と、第２の絶縁膜上に形成された制御ゲート電極と、を備えた半導体装置の製造方法であって、第１の絶縁膜２０４を形成する工程は、下層絶縁層２０１を形成する工程と、下層絶縁層２０１上にゲルマニウム含有層２０２を形成する工程と、ゲルマニウム含有層２０２、シリコン及び酸素の反応により、中間絶縁層２０２ａを形成する工程と、中間絶縁層２０２ａ上に上層絶縁層２０３を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】 ＴＥＯＳ／Ｏ_３を使用した絶縁膜の被成膜面に対して安定した酸化処理を行う方法を提供する。
【解決手段】 オゾン及びテトラエチルオルソシリケートを含んだ反応ガスを用いた化学気相成長法によって形成される絶縁膜の、被成膜面を有する下地層の改質方法であって、ベース酸化剤と過酸化水素水を混合させて処理液を作製する工程と、処理液を加熱して昇温させる工程と、被成膜面に処理液を接触させることにより被成膜面の改質を行う工程と、被成膜面を洗浄する工程と、を備えることを特徴とする被成膜面の改質方法。 （もっと読む）

【課題】本発明は、絶縁膜、さらに詳しくは、半導体素子デバイスなどにおける層間絶縁膜として使用するのに適した、適当な均一な厚さを有する膜が形成可能な、しかも誘電率、ヤング率などの膜特性に優れた絶縁膜を提供することを目的とする。
【解決手段】シロキサン構造を有する化合物を含む膜に周波数５．８ＧＨｚのマイクロウエーブを照射して形成される絶縁膜。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＰ研磨により上面を平坦化する際にスクラッチが生じにくい半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板ＳＵＢの主表面に形成された下地パターン層を覆うように第１の層間絶縁膜ＩＬ１が形成されている。第２の層間絶縁膜ＩＬ２は第１の層間絶縁膜ＩＬ１上に選択的に形成されている。第３の層間絶縁膜ＩＬ３は第１および第２の層間絶縁膜ＩＬ１、ＩＬ２上を覆うように形成され、かつ上面が平坦化されている。第２の層間絶縁膜ＩＬ２の半導体基板ＳＵＢの主表面からの最上部の位置が、第１の層間絶縁膜ＩＬ１の上記主表面からの最上部の位置よりも高い。 （もっと読む）

【課題】配線抵抗のばらつきが低減されて、電気的特性の向上が図られる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１の主表面上にＬｏｗ−ｋ膜３および保護膜５が形成される。配線パターンが相対的に疎な第１領域と密な第２領域のうち、第１領域に位置する保護膜５の部分の厚みが第２領域に位置する部分の厚みよりも薄くされる。保護膜５およびＬｏｗ−ｋ膜３に所定の深さの溝部が形成される。その溝部を充填するように、保護膜５の表面上に銅膜が形成される。銅膜に研磨処理を施すことにより、溝部内に位置する銅膜の部分を残して保護膜５の表面上に位置する銅膜の部分が除去される。 （もっと読む）