実質的に平坦な回路において、導体が約３．０未満の誘電率をもつ無機材料によって分離される。その誘電体層は、放射硬化性組成物の最初は平坦な表面をインプリントすることによって導体のトレンチおよび／またはバイアスを定めるステップを含むプロセスにおいて形成される。インプリンティング用の型は、好ましくは、インプリント型が配置された状態で組成物がＵＶ硬化されるようにＵＶ透明性である。硬化性組成物は、有機修飾ケイ酸塩化合物と二次分解性有機化合物を含み、後者は、有機化合物が後で分解されてポリケイ酸塩のマトリックスを生成するときにナノスケールの細孔を形成する。その細孔は、別のやり方では密な二酸化ケイ素の有効誘電率を低下させる。
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【課題】 トレンチ（溝部）の肩部のコーナ部のみならず底部のコーナ部も共に丸めて曲面形状にしてファセットの発生を防止するようにした被処理体の酸化方法を提供する。
【解決手段】 真空引き可能になされた処理容器２２内に、表面に溝部４が形成された被処理体Ｗを収容し、前記処理容器内に酸化性ガスと還元性ガスとを供給して前記両ガスを反応させることによって発生した酸素活性種と水酸基活性種とを有する雰囲気中で前記被処理体の表面を酸化するようにした被処理体の酸化方法において、前記酸化時の処理容器内の温度を９００℃以下になるように設定する。これにより、トレンチ（溝部）の肩部のコーナ部のみならず、底部のコーナ部も共に丸めて曲面形状にしてファセットの発生を防止する。 （もっと読む）

【課題】トランジスターを劣化させるゲート酸化物ラップアラウンド現象を解消する。
【解決手段】
マスク材料は、タングステン、窒化チタン及び非晶炭素のうちの少なくとも一種を含んでいる。開口部が、マスク材料を通って半導体基板内に至るように形成されている。トレンチ分離材料が、分離トレンチを過剰充填する効果量で形成されている。トレンチ分離材料は、マスク材料のタングステン、窒化チタン及び非晶炭素のうちの少なくとも一種の少なくとも最外側面に至るまで研磨される。タングステン、窒化チタン及び非晶炭素のうちの少なくとも一種は基板からエッチング除去される。 （もっと読む）

半導体ディバイスの製造方法は相互に対向する第１及び第２の主表面を有する半導体基板を設けることを含む。この方法は、上記の半導体基板に少なくとも１つの溝と、第１メサおよび第２メサとを設けることを含む。この方法は、また、各溝の両側壁と底部とを酸化し、ドープされた酸化物を各溝ならびに第１および第２メサの頂部に沈着させて、沈着せられた酸化物が流動して、各第１メサのシリコンが完全に二酸化ケイ素に変換し、各第２メサのシリコンが部分的にのみ二酸化ケイ素に変換し、各溝には酸化物が充填される温度で、半導体基板を熱酸化させることを含む。 （もっと読む）

本発明はリンでドープした二酸化ケイ素含有層の形成方法及び集積回路の作製におけるトレンチ分離の形成方法を含む。一実施において、リンでドープした二酸化ケイ素含有層の形成方法は堆積チャンバー中で基板の位置決めをすることを含む。第1及び第2気相反応物をリンでドープした二酸化ケイ素含有層を該基板上に堆積するために有効な条件下で交互の且つ時間を置いたパルスで複数の堆積サイクルで該チャンバー中の該基板へ導入する。該第1及び第2気相反応物の一つはRがヒドロカルビルであるPO(OR)₃であり、そして該第1及び第2気相反応物の他の反応物はRがヒドロカルビルであるSi(OR)₃OHである。 （もっと読む）

流動性絶縁材料から残留炭素堆積物を除去する方法。流動性絶縁材料はケイ素、炭素および水素を含むもので、流動性酸化物材料またはスピンオン流動性酸化物材料である。残留炭素堆積物は、流動性絶縁材料をオゾンに曝露することによってその流動性絶縁材料から除去される。流動性絶縁材料は、半導体基板上に配置されたトレンチの中に絶縁層を形成するために使用される。 （もっと読む）