【課題】１つの実施形態は、例えば、ＣＶＤ装置による成膜処理に対する新規な前処理を行うことができる基板処理装置及び成膜システムを提供することを目的とする。
【解決手段】１つの実施形態によれば、ＣＶＤ装置による成膜処理を行う基板の前処理を行なうための基板処理装置であって、前記基板を保持する基板ステージが配された基板処理室と、前記基板処理室内で前記基板ステージを介して前記基板を加熱する加熱部と、前記基板処理室内で、前記加熱部により加熱された前記基板の表面を酸化する酸化処理部と、前記基板処理室内で、前記酸化処理部により酸化された前記基板の表面に有機溶剤を塗布する塗布処理部とを備えたことを特徴とする基板処理装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】ポットライフが長く、焼成してシリコン酸化物としたときの硬化収縮率が小さく、更にクラック耐性に優れかつ耐電圧のばらつきが小さい絶縁膜を形成できる縮合反応物溶液の提供。
【解決手段】（Ｉ）（ｉ）下記一般式（１）：Ｒ¹_nＳｉＸ¹_4-n （１）｛式中、ｎは０〜３の整数であり、Ｒ¹は水素原子又は炭素数１〜１０の炭化水素基であり、Ｘ¹はハロゲン原子、炭素数１〜６のアルコキシ基又はアセトキシ基である｝で表されるシラン化合物に由来するポリシロキサン化合物と、（ｉｉ）シリカ粒子と、を少なくとも含有する縮合成分を縮合反応させて得られる縮合反応物、及び（ＩＩ）溶媒を含み、該一般式（１）で表されるシラン化合物が４官能シラン化合物及び３官能シラン化合物を少なくとも含有し、該シリカ粒子中の炭素量が０．０５質量％以上０．６５質量％未満である、縮合反応物溶液。 （もっと読む）

【課題】高アスペクト比のトレンチ内に埋め込んだ際に、クラック、及びボイドが生じにくく、かつ高密度に埋め込むことができるトレンチ埋め込み方法。
【解決手段】（１）トレンチ２を有する基体１上に、シロキサン系重合体、空孔形成剤、及び有機溶媒を含むトレンチ埋め込み用組成物を、少なくとも該組成物が前記トレンチ内に充填されるように塗布し、塗膜３を形成する工程、及び、（２）工程（１）で得られた塗膜３に加熱処理および光処理の少なくともいずれか一方を行う工程、を含むトレンチ埋め込み方法。 （もっと読む）

【課題】記憶及び論理回路を含む半導体基材、例えば、１つ又は複数の集積回路構造をその上に有するシリコンウェハにおいて用いられるシャロートレンチアイソレーションのための高アスペクト比の特徴のギャップを充填するための酸化条件下で二酸化ケイ素含有膜をスピンオン堆積させる方法を提供する。
【解決手段】高アスペクト比の特徴を有する半導体基材を用意する工程、該半導体基材を低分子量のアミノシランを含む液体配合物と接触させる工程、該半導体基材上に該液体配合物を塗布することにより膜を形成する工程、及び該膜を酸化条件下において高温で加熱する工程を含む方法が提供される。この方法のための組成物もまた記載される。 （もっと読む）

【課題】エピタキシアル沈着工程だけを用いて製造される縁部端子領域を有する高電圧半導体ディバイスを提供すること。
【解決手段】半導体ディバイスの製造方法は相互に対向する第１及び第２の主表面を有する半導体基板を設けることを含む。この方法は、上記の半導体基板に少なくとも１つの溝と、第１メサおよび第２メサとを設けることを含む。この方法は、また、各溝の両側壁と底部とを酸化し、ドープされた酸化物を各溝ならびに第１および第２メサの頂部に沈着させて、沈着せられた酸化物が流動して、各第１メサのシリコンが完全に二酸化ケイ素に変換し、各第２メサのシリコンが部分的にのみ二酸化ケイ素に変換し、各溝には酸化物が充填される温度で、半導体基板を熱酸化させることを含む。 （もっと読む）

【課題】従来のＢＣｌ_３ガスに代わる、腐食性のない有機アミノボロン系ガスを用いてＢ
ＣＮ膜を成膜ことが特徴である。その例として、トリスジメチルアミノボロンを用いて、
プラズマＣＶＤにより成膜を行うことで、安定した低誘電率と高い硬度（ヤング率）を有
するＢＣＮ膜が形成できる半導体装置の製造方法が提供すること。
【解決手段】 有機アミノボロン系ガスを用いて窒化ホウ素炭素（ＢＣＮ）系絶縁膜を形
成する絶縁膜の製造方法。前記有機アミノボロン系ガスはトリスジメチルアミノボロンで
ある。比誘電率が２．５以下で弾性率（ヤング率）が８ＧＰａ以上であるＢＣＮ系の絶縁
膜。 （もっと読む）

【課題】良好な半導体素子特性を得るために好ましい炭化珪素基板を用いながらも、絶縁耐圧を高く維持できるトレンチ構造を有する絶縁ゲート型半導体素子を提供する。
【解決手段】炭化珪素基板の表面をエッチングして前記表面に凹部を形成する工程と、前記表面の上方から粒子線を照射することにより、少なくとも前記凹部の底面および前記凹部近傍の前記基板の表面に損傷層を形成する工程と、前記炭化珪素基板を酸化雰囲気中で熱処理することにより、少なくとも前記凹部の側面と前記損傷層が形成された前記底面および前記凹部近傍の前記基板の表面とに、前記凹部の側面上では薄く、前記底面上および前記凹部近傍の前記基板の表面上では厚い酸化膜を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】ＣＦ_ｘ膜を層間絶縁膜として有する多層配線構造の半導体装置において、低誘電率であるＣＦ_ｘ膜の利点を生かすことができ、かつＣＭＰ処理による特性の劣化を防止することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、ＣＦ_ｘ膜を成膜する工程（ａ）と、ＣＦ_ｘ膜に所定パターンの凹部を形成する工程（ｂ）と、凹部を埋めかつＣＦ_ｘ膜上にわたって配線層を設ける工程（ｃ）と、凹部内以外の前記ＣＦ_ｘ膜上の余剰の配線層をＣＭＰ（化学機械研磨）によって除去してＣＦ_ｘ膜の表面を露出させる工程（ｄ）と、を有し、工程（ｂ）の前または後において、ＣＦ_ｘ膜の表面を窒化する工程（ｅ）を備える。 （もっと読む）

【課題】炭素を含む膜を選択成長させること。
【解決手段】主面上にトレンチとポストが形成された基板１３上に、選択的に炭素を有した膜を、プラズマＣＶＤ法により堆積する選択成膜方法である。基板を設置する反応室１１において、第１電力により、膜の原料ガスのプラズマを生成し、反応室と連通し、区画された補助空間２１において、第２電力により、基板に対してエッチング性を有するガスのプラズマを生成して、反応室に、イオン及びラジカルを供給する。反応室において、基板の主面に垂直方向に電界を発生させるバイアス電圧を制御して、基板のポストの上面、トレンチの側面及び底面に至るイオン量を制御する。第１電力、第２電力、バイアス電圧を制御することにより、基板の前記ポストの上面、トレンチの側面及び底面のうちの選択された１つの面、又は、２つの面に対して、膜を成膜する。 （もっと読む）

【課題】ボイドを発生させることなく絶縁膜を注入することを可能とする終端トレンチを備えた半導体装置を提供すること。
【解決手段】本発明の実施形態にかかる半導体装置は，半導体素子が形成されたセル領域と，このセル領域の四方をＸ方向に対して長手方向が平行な2つのトレンチとＸ方向と９０度であるＹ方向に対して長手方向が平行な２つのトレンチとで囲む終端トレンチ領域とを有する素子形成領域と，複数の素子形成領域を分離する溝を備えるダイシングライン領域とを具備する。この終端トレンチ領域は，素子形成領域の四隅においてＸ方向に長手方向が平行なトレンチとＹ方向に長手方向が平行なトレンチとが交差し，素子形成領域の四方側面において，終端トレンチ領域の短手方向の垂直断面が開放された状態で，ダイシングライン領域の長手方向と垂直に接していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】段差被覆性と共に絶縁性を向上させる絶縁膜形成装置及び形成方法を提供する。
【解決手段】基板に形成された段差を被覆する絶縁膜を形成する際、絶縁膜の形成に用いる主原料ガスと副原料ガスとを供給し、プラズマ生成時の主な励起種より基板に対する付着確率が低い励起種を含むプラズマを生成し、当該プラズマを用いて段差へ前駆体膜を成膜する成膜工程と、成膜工程の後、副原料ガスを供給し、副原料ガスのプラズマを生成し、当該プラズマを用いて前駆体膜から主原料ガスの成分を減少させて絶縁膜とする組成比減少工程（窒化工程）とを実施すると共に、成膜工程及び組成比減少工程を交互に実施する。 （もっと読む）

【課題】基板に吸着したガスに含まれる不純物を効果的に除去しつつ基板処理することができる基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板を処理室内へ搬入する搬入工程と、前記処理室内へ搬入された基板に、第１のガスを吸着させる第１ガス供給工程と、前記第１ガス供給工程の後、前記処理室内から第１のガスを排気する第１ガス排気工程と、前記第１ガス排気工程の後、前記基板に付着した第１のガスを、分解機構により分解する第１分解工程と、前記第１分解工程の後、前記処理室内へ第２のガスを供給しつつ、前記分解機構により第２のガスを分解する第２ガス供給工程と、前記第２ガス供給工程の後、前記基板を処理室内から搬出する搬出工程とから、基板処理方法を構成する。 （もっと読む）

【課題】 良質のシリコン酸化膜を狭いスペース内に低温で形成できるようにする。
【解決手段】 本実施形態は、シラザン結合を有するポリマーを有機溶媒に溶解した溶液を回転塗布してポリマー膜を形成するスピンコーティングユニットと、前記スピンコーティングユニットにより前記ポリマー膜が形成された基板を当該ポリマー膜に触れることなく酸化ユニット内に搬送する搬送機構と、前記搬送機構により基板が搬送されると、前記ポリマー膜に過酸化水素を含む加熱した水溶液への浸漬処理、過酸化水素を含む加熱した水溶液の噴霧処理、及び、過酸化水素蒸気を含む反応ガスへの曝露処理、の何れかを行うことにより前記ポリマー膜をシリコン酸化膜に転換する酸化ユニットと、を備え、前記スピンコーティングユニットによるポリマー膜の形成処理および前記酸化ユニットによる前記ポリマー膜のシリコン酸化膜への転換処理を１装置内にて完了することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 トレンチの内部に酸化障壁となる膜を形成しなくても、トレンチの内部に埋め込まれた埋め込み材料に空隙が発生することを抑制することが可能なトレンチの埋め込み方法を提供すること。
【解決手段】 少なくともトレンチ６の側壁に酸化膜７が形成されている半導体基板１を加熱し、半導体基板１の表面にアミノシラン系ガスを供給して半導体基板１上にシード層８を形成し、シード層８が形成された半導体基板１を加熱し、シード層８の表面にモノシランガスを供給してシード層８上にシリコン膜９を形成し、シリコン膜９が形成された半導体基板１のトレンチ６を、焼成することで収縮する埋め込み材料１０を用いて埋め込み、トレンチ６を埋め込む埋め込み材料１０を、水及び／又はヒドロキシ基を含む雰囲気中で焼成するとともに、シリコン膜９、及びシード層８をシリコン酸化物に変化させる。 （もっと読む）

【課題】小さい膜厚比が得られる成膜ガスと、大きい膜厚比が得られる成膜ガスとを用いて、所定膜厚比の酸化膜を形成することができる成膜方法を提供する。
【解決手段】穴８７の側壁及び底面を除いた基板８１の表面に形成される酸化膜８８の膜厚の、穴８７の底面に形成される酸化膜８８の膜厚に対する膜厚比が所定の膜厚比となるように、穴８７の側壁及び底面を除く基板８１の表面に、穴８７の底面よりも厚い膜厚の酸化膜８８を形成するに当たり、テトラエトキシシラン及び酸素の混合ガスをプラズマ化して酸化膜８８ａを形成した後、テトラエトキシシラン及び酸素の混合ガスよりも高い膜厚比が得られる、シラン及び亜酸化窒素の混合ガスをプラズマ化して酸化膜８８ｂを形成し、テトラエトキシシラン及び酸素から形成される酸化膜８８ａと、シラン及び亜酸化窒素から形成される酸化膜８８ｂとによって、所定膜厚比の酸化膜８８を形成する。 （もっと読む）

【課題】基板表面上のナノメートルレベルの開口幅を有し、アスペクト比が大きいトレンチ（溝）への埋め込み性に優れ、ボイドなどの欠陥の発生が抑制され、電気的絶縁性に優れたアイソレーション構造を製造するのに好適なトレンチ埋め込み用組成物、および該組成物を用いたトレンチ・アイソレーション構造の製造方法の提供。
【解決手段】アルキルトリアルコキシシランを５０モル％以上含むアルコキシシラン原料を加水分解、縮合して得られる加水分解縮合物を含有し、該加水分解縮合物の重量平均分子量が１０００〜５００００であり、該加水分解縮合物の含有量が組成物全量に対して１４質量％超３０質量％以下であるトレンチ埋め込み用組成物の塗膜１４により、基板１０表面上に形成されたトレンチ１２を埋め込む。 （もっと読む）

【課題】第１の溝を埋め込み特性に優れたＳＯＤ膜で埋め込むことで、ショートの発生を抑制することのできる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１の溝１７に第１のＳＯＤ（Ｓｐｉｎ Ｏｎ Ｄｉｅｌｅｃｔｒｉｃ）膜を埋め込み、第１のＳＯＤ膜を高温で改質させることで第１の絶縁膜４５を形成し、第１の絶縁膜４５上に位置する部分の第１の溝１７に、第１のＳＯＤ膜と同じ材料よりなる第２のＳＯＤ膜４６を埋め込み、第１のＳＯＤ膜を改質させる温度よりも低い温度で、第２のＳＯＤ膜４６を改質させることで、第２の絶縁膜２７を形成し、その後、ウエットエッチングにより第１の絶縁膜４５を除去する。 （もっと読む）

【課題】原子層堆積によって、第四族金属含有フィルムを形成する前駆体及び方法を提供する。
【解決手段】Ｍ（ＯＲ¹）（ＯＲ²）（Ｒ³Ｃ（Ｏ）Ｃ（Ｒ⁴）Ｃ（Ｏ）ＸＲ⁵_y）₂（ここで、Ｍは、第四族金属であり；Ｒ¹及びＲ²は、直鎖又は分岐鎖のＣ_1〜10アルキル及びＣ_6〜12アリールからなる群より、同じく又は異なって選択されることができ；Ｒ³は、直鎖又は分岐鎖のＣ_1〜10アルキル及びＣ_6〜12アリールからなる群より選択されることができ；Ｒ⁴は、水素、Ｃ_1〜10アルキル及びＣ_6〜12アリールからなる群より選択され；Ｒ⁵は、Ｃ_1〜10の直鎖又は分岐鎖アルキル及びＣ_6〜12アリールからなる群より選択され；ＸはＯ又はＮであるが、Ｘ＝Ｏの場合、ｙ＝１であり且つＲ^１、Ｒ^２及びＲ^５が同じとなり、Ｘ＝Ｎの場合、ｙ＝２であり、且つ各Ｒ⁵は同じものとなることができ、又は異なるものとなることができる）。 （もっと読む）

【課題】埋設性と塗布性とに優れ、すぐれた膜物性を有するシリカ質膜を形成することができるコーティング組成物とそれを用いたシリカ質膜の形成方法の提供。
【解決手段】ペルヒドロポリシラザンと溶媒とを含んでなるコーティング組成物であって、前記ペルヒドロポリシラザンの分子量分布曲線が、分子量８００〜２，５００の範囲と、分子量３，０００〜８，０００の範囲とにそれぞれ極大を有し、重量平均分子量Ｍｗと数平均分子量Ｍｎの比Ｍｗ／Ｍｎが６〜１２である、コーティング組成物。このコーティング組成物ギャップを有する基板上に塗布し、１０００℃以下で加熱することにより、ギャップ深部まで埋設されたシリカ質膜を形成させることができる。 （もっと読む）

誘電体層を形成する方法を説明する。この方法は、ケイ素を含有する前駆体をプラズマ廃水と混合するステップと、ケイ素と窒素を含有する層を基板上に堆積するステップとを含む。ケイ素と窒素を含有する層は、ケイ素と窒素を含有する層を堆積するために使用したのと同じ基板処理領域内においてオゾン含有雰囲気中で硬化することによって、ケイ素と酸素を含有する層に転換される。さらなるケイ素と窒素を含有する層を、ケイ素と酸素を含有する層の上に堆積することができ、ここでも基板を基板処理領域から取り出すことなく、層のスタックをオゾン中で硬化させることができる。複数回の堆積−硬化サイクル後、ケイ素と酸素を含有する層のスタックの転換は、より高い温度で酸素含有環境中においてアニールすることができる。
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