酸化ケイ素層を形成する方法が記載される。方法は、無炭素シリコン含有前駆体をラジカル−窒素前駆体と混合すること、シリコン−窒素含有層を基板上に堆積することを含む。ラジカル−窒素前駆体は、プラズマ内に水素−窒素含有前駆体を流すことによって、プラズマ中で形成される。シリコン−窒素含有層を堆積する前に、酸化ケイ素ライナ層が形成され、シリコン−窒素含有層の接着、平滑性、流動性を改善する。シリコン−窒素含有層は、膜を硬化およびアニーリングすることにより、シリコン−酸素含有層に変換することができる。方法は、酸化ケイ素ライナ層を形成し、その後スピンオンシリコン含有材料を塗布することも含む。
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基板内に画定されたトレンチまたはビアを充填するケイ素含有誘電体材料上で湿式酸化処理を実行する方法が提供される。一実施形態では、誘電体材料を基板上に形成する方法は、流動性ＣＶＤ処理によって誘電体材料を基板上に形成するステップと、基板上に配置された誘電体材料を硬化させるステップと、基板上に配置された誘電体材料上で湿式酸化処理を実行するステップと、酸化させた誘電体材料を基板上に形成するステップとを含む。
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【課題】塗布法や堆積法を用いて高品質な絶縁部材を半導体素子周辺に形成することのできる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の一態様に係る半導体装置１００の製造方法は、半導体基板２上に、Ｓｉ系絶縁材料からなる絶縁膜１０を付加的に形成する工程と、絶縁膜１０上に触媒金属膜１１を形成する工程と、触媒金属膜１１を触媒として用いて絶縁膜１０に酸化処理を施す工程と、酸化処理を施した絶縁膜１０を加工してゲート絶縁膜４を形成する工程と、ゲート絶縁膜４を含むＭＯＳＦＥＴ１を形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】基板と素子分離層との剥離やクラックが発生し難く、凹状の溝を有する基板上に平坦な素子分離層を形成することができる素子分離材料用塗布液の作製方法等を提供する。
【解決手段】素子分離材料用塗布液の作製方法では、Ｓｉ（ＯＲ^１）_４（Ｒ^１は炭素数２〜６個の有機基）で表される第１のアルコキシシラン化合物と、Ｒ^２_ｎＳｉ（ＯＲ^３）_４−ｎ（Ｒ^２はメチル基、エチル基、プロピル基、ビニル基、または、フェニル基、Ｒ^３は炭素数２〜６個の有機基、ｎは１〜３の整数）で表される第２のアルコキシシラン化合物と、第１の溶媒との混合液を作製する。第１のアルコキシシラン化合物と第２のアルコキシシラン化合物とは、全アルコキシシラン化合物に対する第２のアルコキシシラン化合物のモル比が０．０９〜０．９となるように混合する。この混合液を加水分解、縮合して絶縁膜形成前駆体を作製し、これに第２の溶媒を加え、塗布液を作製する。 （もっと読む）

【課題】基板と素子分離層との剥離やクラックが発生し難く、凹状の溝を有する基板上に平坦な素子分離層を形成することができる素子分離材料用塗布液等を提供する。
【解決手段】半導体装置のシャロートレンチアイソレーション構造の素子分離層の形成に用いられる素子分離材料用塗布液は、アルコキシシラン化合物が加水分解、縮合された絶縁膜形成前駆体と、絶縁膜形成前駆体の濃度を所望の濃度に調製する溶媒と、を備えている。絶縁膜形成前駆体は、（Ｓｉ−Ｏ）の繰り返し単位を主骨格としたポリマーであり、その分子の末端に炭素数２〜６個のアルコキシル基を有している。 （もっと読む）

【課題】基板と素子分離層との剥離やクラックが発生し難く、凹状の溝を有する基板上に平坦な素子分離層を形成することができる素子分離材料用塗布液の作製方法等を提供する。
【解決手段】半導体装置のシャロートレンチアイソレーション構造の素子分離層の形成に用いられる素子分離材料用塗布液の作製方法は、混合液作製工程と絶縁膜形成前駆体作製工程と塗布液作製工程とを備えている。混合液作製工程では、炭素数２〜６個のアルコキシル基を有するアルコキシシラン化合物と第１の溶媒との混合液を作製する。絶縁膜形成前駆体作製工程では、この混合液に加水分解触媒及び水を添加し、加水分解、縮合して絶縁膜形成前駆体を作製する。水の添加量は、アルコキシシラン化合物中の全アルコキシル基１モルに対して０．３〜０．８倍モルの範囲とする。塗布液作製工程では、作製された絶縁膜形成前駆体に第２の溶媒を加え、素子分離材料用塗布液を作製する。 （もっと読む）

酸化ケイ素層を形成する方法が開示される。これらの方法は、ラジカル前駆体とラジカル酸素前駆体の両方を炭素のないケイ素含有前駆体と同時に組み合わせるステップを含む。ラジカル前駆体およびケイ素含有前駆体の１つは窒素を含有する。このような方法の結果、ケイ素、酸素、および窒素含有層が基板上に堆積される。次いで、ケイ素、酸素、および窒素含有層の酸素含有量を増大させて、窒素をほとんど含有しない酸化ケイ素層を形成する。ラジカル酸素前駆体およびラジカル前駆体は、別個のプラズマまたは同じプラズマ内で作り出すことができる。酸素含有量の増大は、酸素含有雰囲気の存在下でこの層をアニールすることによって引き起こすことができ、膜の密度は、不活性環境中の温度をさらに高くすることによって、さらに増大させることができる。
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【課題】基体に形成された開口幅が狭く高アスペクトなトレンチ内に、埋め込み性が良好で、低いリーク電流を示す絶縁膜の形成方法を提供する。
【解決手段】第一の工程としてポリシロキサン化合物とシリカ粒子との縮合反応物をトレンチ構造を含む基板に塗布する塗布工程と、第二の工程として前記塗布された縮合反応物を焼成して絶縁膜を形成する焼成工程と、第三の工程として前記絶縁膜の表面を疎水化処理剤にさらす疎水化処理工程を順に行う。 （もっと読む）

【課題】 ＳＴＩを利用して形成した素子分離膜がウエットエッチング工程により目減りすることを出来るだけ抑制しながら半導体装置を製造する。
【解決手段】 犠牲酸化膜の形成とウエットエッチングによる剥離、及び／又は、二酸化珪素膜の形成とウエットエッチングによる剥離を行う半導体装置の製造プロセスにおいて、犠牲酸化膜及び／又は二酸化珪素膜の形成を、プラズマ処理装置の処理容器内で、酸素を含む処理ガスを用いて生成させたＯ（^１Ｄ_２）ラジカルが支配的なプラズマにより行う。 （もっと読む）

クラッキングする傾向を減少させた、間隙充填酸化ケイ素層の形成が記載される。堆積は、トレンチの充填を容易にする、流動可能なシリコン含有層の形成を含む。高い基板温度における後続の処理が、従来技術の方法に従って形成された流動可能な膜よりも、誘電体膜中のクラッキングを少なくする。間隙充填酸化ケイ素層の形成に先立って堆積された圧縮性ライナ層が記載され、後続して堆積される膜がクラックする傾向を減少する。流動可能なシリコン含有層の後に堆積される圧縮性キャッピング層も、クラッキングを減少させるように決定された。圧縮性ライナ層および圧縮性キャッピング層は、単独でまたは組み合わせて使用され、クラッキングを減少させ、多くの場合クラッキングをなくすことができる。開示した実施形態の圧縮性キャッピング層は、下にある窒化ケイ素の層を酸化ケイ素層に変換できることが、さらに確定されている。 （もっと読む）

パターン付き基板上に高密度の間隙充填酸化ケイ素を形成するプロセスについて記載する。このようなプロセスは、特に狭いトレンチ内で間隙充填酸化ケイ素の密度を増大させる。密度は、広いトレンチおよび凹んだ開放領域内でも増大させることができる。処理の後では、狭いトレンチと広いトレンチ／開放領域内の間隙充填酸化ケイ素の密度は互いに接近し、エッチング速度の一致度が高まる。この効果は、パターンローディング効果の低減として説明することもできる。このプロセスは、酸化ケイ素を形成し、次いで平坦化するステップを伴う。平坦化により、狭いトレンチに近接して配置された新しい誘電体インターフェースが露出する。新しく露出されたインターフェースは、平坦化された表面をアニールし、かつ／またはプラズマに露出させることによって、高密度化処理を容易にする。
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【課題】素子間の溝のカバレッジを向上させることができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】素子間に溝を有する基板をサセプタへ載置するステップと、前記基板の前記溝に第一高周波電力をプラズマ生成部に供給し、第一成膜レートによって第一酸化膜を形成する第一酸化膜形成ステップと、前記第一高周波電力より低い第二高周波電力を前記プラズマ生成部に供給し、前記第一成膜レートより遅い第二成膜レートによって、前記第一酸化膜に第二酸化膜を形成する第二酸化膜形成ステップとを有する半導体装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】層間絶縁膜と配線金属との間に形成されるバリア膜について、配線金属を構成する元素や層間絶縁膜を構成する元素に対して高いバリア性を提供する。
【解決手段】処理容器内に基板を載置する載置台５１と周方向に沿って多数のスリットが形成された平面アンテナ部材８２とを対向して設け、導波管からのマイクロ波を前記平面アンテナ部材を介して処理容器内に供給する。一方処理容器の上部からＡｒガスなどのプラズマ発生用のガスを供給すると共にこのガスの供給口とは異なる位置から原料ガスである例えばトリメチルシランガスと窒素ガスとを供給することでこれらガスをプラズマ化し、更に載置台５１の上面の単位面積当たりに供給されるバイアス用の高周波電力が０．０４８Ｗ／ｃｍ2以下となるようにバイアス用の高周波電力を印加する。 （もっと読む）

【課題】 本発明の目的は、ＣＶＤ法等で膜を堆積するにあたり、不純物の除去、更なる膜の改質、膜の安定化を図るものである。
【解決手段】第一の原料と基板に含まれたシリコン成分が結合しない温度で基板を支持するステップと、少なくとも第一の原料を含む材料を処理室に供給し、励起し、前記素子分離領域に、所望の厚みの堆積層を形成する第一の基板処理ステップとを有する第一処理と、第一の原料を含まず、第二の原料を含む材料を処理室に供給し、励起し、前記堆積層を反応、蒸発、もしくは改質する第二の基板処理ステップとを有する第二処理と、前記第一処理と前記第二処理を繰り返すよう処理する基板処理方法 （もっと読む）

【課題】高いアスペクト比で、狭い幅の溝に絶縁膜を埋め込むことの可能な、スループットの高い基板処理方法を提供する。
【解決手段】基板を処理室内へ搬入する工程と、炭素及び水素を含むシリコン化合物ガスを処理室内へ供給する工程と、処理室内へ供給されたシリコン化合物ガスに紫外光を照射して基板を処理する工程と、処理された基板を処理室から搬出する工程と、処理室内を励起された酸素含有ガスで処理する工程とを備える基板処理方法により、基板を処理する。これにより、シリコン化合物ガスに紫外光を照射して基板を処理する際に処理室内壁等に付着した付着物を、励起された酸素含有ガスで処理することにより改質することができる。 （もっと読む）

【課題】微細なトレンチに対しても、ゲート構造または埋込み層などの層を再現性良く形成することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】トレンチ１６に対して、１００Ｐａ以下の減圧下で、チャネル層１７、ゲート絶縁膜１８およびゲート電極１９を形成する。具体的には、炭素原料として不飽和炭化水素および有機シランの少なくとも一方を含む原料ガスを用い、１００Ｐａ以下の減圧下で、エピタキシャル成長を行うことによって、ＳｉＣから成るチャネル層１７またはゲート電極１９を形成する。また１００Ｐａ以下の減圧下で酸素活性種を供給することによる酸化および、１００Ｐａ以下の減圧下で酸素活性種およびシラン原料を供給することによる堆積の少なくとも一方によって、ゲート絶縁膜１８を形成する。 （もっと読む）

酸化ケイ素層を形成する方法が記載されている。この方法は、炭素を含まないケイ素および窒素含有前駆体とラジカル前駆体とを混合するステップと、ケイ素および窒素含有層を基板上に堆積させるステップとを含むことができる。次いで、ケイ素および窒素含有層は、酸化ケイ素層に変換される。
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【課題】基板に形成されたトレンチ内に絶縁膜を埋め込むために使用するのに好適な、良好なクラック耐性を有し、硬化収縮率が小さい絶縁膜を形成する工程を提供すること。
【解決手段】ポリシロキサン化合物とシリカ粒子との縮合反応物を、トレンチ構造を含む基板に塗布する工程、前記塗布された縮合反応物を非酸化雰囲気下において焼成する工程を含むことを特徴とするトレンチ埋め込み用絶縁膜の形成方法。 （もっと読む）

【課題】基体に形成されたトレンチ内にシリコン酸化物を埋め込むために使用するのに好適な、トレンチへの埋め込み性が高く、硬化収縮率が小さく、かつ良好なクラック耐性を有するシリコン酸化物塗膜を与えるトレンチ埋め込み用組成物を提供すること。
【解決手段】水素化ポリシラザン化合物と、シリカ粒子に由来する構造を有する反応物とを含むことを特徴とするトレンチ埋め込み用組成物を提供する。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の結晶欠陥の発生を抑えつつ、シリコン酸化膜の膜質を向上させることが可能なシリコン酸化膜の形成方法を提供する。
【解決手段】スピンコーティング法により、過水素化シラザン重合体溶液を半導体基板１０１の表面上に塗布し、塗布された過水素化シラザン重合体溶液中の溶媒を加熱処理で揮発させることにより、半導体基板表面上の過水素化シラザン重合体をポリシラザン膜に変化させ、酸素（Ｏ_２）を含む雰囲気中において、ＵＶランプ１にＵＶ光を発光させることにより、雰囲気中にオゾン（Ｏ_３）を発生させ、遮蔽板４によってポリシラザン膜をＵＶランプ１の熱で硬化させないようにした状態で、ポリシラザン膜の表面を発生したオゾンにより酸化し、ポリシラザン膜を水蒸気酸化することにより、ポリシラザン膜中の不純物を除去し、ポリシラザン膜をアニールすることにより、ポリシラザン膜をシリコン酸化膜に変化させる。 （もっと読む）