プラズマ処理装置１のチャンバ２内に、シリコン化合物ガス、酸化性ガス、および希ガスを供給する。マイクロ波をチャンバ２内に供給し、マイクロ波により生成されたプラズマで、被処理基板上にシリコン酸化膜を形成する。希ガスの分圧比は、シリコン化合物ガスと酸化性ガスと希ガスを併せたトータルガス圧の１０％以上の割合であって、シリコン化合物ガスと酸化性ガスの有効流量比（酸化性ガス／シリコン化合物ガス）は、３以上１１以下とする。
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【課題】 埋め込み性に優れ、かつ凹凸の緩和にも優れ、機械強度の高い電子部品を得るための塗布型シリカ系被膜形成用組成物、シリカ系被膜の形成方法及びシリカ系被膜を有する電子部品を提供する。
【解決手段】 （ａ）ＳｉＸ_４（Ｘは、加水分解性基を示し、同一でも異なっていてもよい）を加水分解重縮合して得られるシロキサン樹脂、
（ｂ）熱分解又は揮発する熱分解揮発性化合物であって、ポリオキシプロピレン単位を有する化合物、
（ｃ）前記（ａ）及び（ｂ）成分を共に溶解できる溶媒
からなる塗布型シリカ系被膜形成用組成物であって、（ｂ）成分の配合割合が（ａ）成分のシロキサン樹脂重量に対して３〜１５重量％である塗布型シリカ系被膜形成用組成物、シリカ系被膜の形成方法及びシリカ系被膜を有する電子部品。 （もっと読む）

本発明は、半導体基板（１）上に酸化層（９）を形成する方法を提供する。この方法は、例えば３次元構造を含む、少なくとも１つの孔（５）を含むような半導体基板（１）を得る工程と、酸性の電解質溶液中で基板を陽極酸化することにより、例えば３次元構造を含む半導体基板（１）上に酸化層（９）を形成する工程と、を含む。
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【課題】半導体基板の垂直方向より水平方向により厚くシリコン酸化膜又はシリコン窒化膜が形成される異方性酸化又は異方性窒化を行う半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板１の表面に、側壁部及び底部を有する素子分離溝を形成する工程と、マイクロ波、高周波、又は電子サイクロトロンのいずれかによって発生したプラズマに含まれる酸化性イオン、又はプラズマに含まれる窒化性イオンを、半導体基板１に所定電圧を印加して素子分離溝の側壁部及び素子分離溝の底部に供給し、素子分離溝の側壁部及び素子分離溝の底部に対して異方性酸化を行う、又は異方性窒化を行う工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】凹凸を有する基板上に凹部の内部まで均一なシリカ質膜を形成させるための浸漬用溶液とそれを用いたシリカ質膜の製造法
【解決手段】本発明はシリカ質膜の製造過程において用いられる浸漬用溶液に関する。この浸漬用溶液は、ポリシラザン組成物塗布済み基板を焼成前に浸漬させるためのものであって、過酸化水素、気泡付着防止剤、および溶媒を含んでなる。 （もっと読む）

【課題】膜中窒素濃度が低いシリカ質膜の形成方法の提供。
【解決手段】凹凸を有する基板表面にポリシラザン組成物を塗布して塗膜を形成させ、
前記塗膜のうち、基板表面に隣接した部分のみを硬化させて、前記凹凸を有する基板の形状に沿った被覆薄膜を形成させ、
前記塗膜のうち、前記被覆薄膜形成工程において未硬化のまま残ったポリシラザン組成物を除去する
ことを含んでなるシリカ質膜の形成方法。この方法により形成されたシリカ質膜は、複数堆積することもできる。 （もっと読む）

【課題】素子分離絶縁膜に含まれる不純物に起因する半導体装置の電気的特性や信頼性の低下を抑制することができる半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】過水素化シラザン重合体を、炭素を含む溶媒に分散することによって生成された過水素化シラザン溶液をシリコン基板１上に塗布して塗布膜６を形成し、塗布膜６を加熱して溶媒を揮発させることにより、ポリシラザン膜７を形成し、ポリシラザン膜７を薬液処理することにより、ポリシラザン膜７を二酸化シリコン膜８に変換する。 （もっと読む）

【課題】 凹凸形状を有するシリコンの酸化処理において、側壁に形成されるシリコン酸化膜の膜厚を底部に比べて極力薄く形成する。
【解決手段】 複数のマイクロ波放射孔３２を有する平面アンテナ板３１によりチャンバー１内にマイクロ波を導入するプラズマ処理装置１００を用い、載置台２に高周波電力を印加しながら、処理ガス中の酸素の割合が０．１％以上５０％以下の範囲内であり、かつ処理圧力が１．３Ｐａ異常６６７Ｐａ以下の範囲内の条件でプラズマを生成させる。このプラズマにより、ウエハＷ上に形成された凹凸形状のシリコンの側壁面に形成されるシリコン酸化膜の膜厚と、凹部の底壁面に形成されるシリコン酸化膜の膜厚との比［側壁面の膜厚／底壁面の膜厚］が０．６以下の範囲内となるようにする。 （もっと読む）

【課題】３０ｎｍ以下の微細化に適応できるフラッシュメモリ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】基板１０１に接続された上部にスペーサ絶縁膜１１６を有するフィン構造のビットラインから形成されたメモリセル部の最小加工寸法をＦとするとき、独立に書き込み／消去可能なビットライン２本が対になって４Ｆ周期に配置されてメモリセル部が形成され、一対のフィンの上部を覆うように記憶絶縁膜が形成されている。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、トレンチの底面に流動性の第１の絶縁膜を満たし、第２の絶縁膜を形成した後に乾式エッチング工程及び湿式エッチング工程を行ってトレンチの上部の幅を広げながら第２の絶縁膜に含まれるフッ素(Ｆ；fluorine；フローリン)の量を減少させることができる半導体メモリ素子の素子分離膜形成方法を提供することを可能にすることを目的としている。
【解決手段】 トレンチが形成された半導体基板が提供される段階と、トレンチを含む半導体基板上に第１の絶縁膜を形成する段階と、第１の絶縁膜の一部を除去する第１のエッチング工程を行ってトレンチの開口部の幅を広げる段階と、第２のエッチング工程を行って第１の絶縁膜内に含まれた不純物を除去する段階と、第１の絶縁膜を含む半導体基板上に第２の絶縁膜を形成する段階とを含む構成としたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】誘電体中にボイドやシームを生ずることなく充填するシリコン酸化物層を基板上に形成する方法を提供する。
【解決手段】基板の少なくとも一部を覆う第１の酸化物層を形成するステップであって、該第１の酸化物層が、残留する水、水酸基及び炭素種を含むステップとを含む。該方法はさらに、該第１のシリコン酸化物層と部分的に混合されている複数の非晶質シリコン成分を形成するために、該第１の酸化物層を複数のシリコン含有種に曝すステップを含む。また、該方法は、該複数の非晶質シリコン成分と部分的に混合されている該第１のシリコン酸化物層を、酸化環境中でアニーリングして、第２のシリコン酸化物層を該基板上に形成するステップを含む。非晶質シリコン成分の少なくとも一部は、酸化されて、該第２のシリコン酸化物層の一部になり、該第２のシリコン酸化物層内の未反応の残留する水酸基及び炭素種は、実質的に除去される。 （もっと読む）

【課題】半導体構造の形成方法、より具体的にはトレンチ内における誘電層の形成方法を提供する。
【解決手段】半導体構造を形成する方法は、基板上にシリコン酸化被膜を形成するために、シリコン前駆体と原子酸素前駆体を約１５０℃以下の処理温度において反応させることを含む。シリコン酸化被膜は酸素含有環境内で紫外線（ＵＶ）硬化される。 （もっと読む）

基板に形成された高いアスペクト比を有するキャビティの表面上に、絶縁層をスパッタ堆積するための方法および装置が提供される。絶縁層に含まれる材料から少なくとも一部が形成されるターゲットおよび基板が、ハウジングによって画定される実質的に閉鎖されたチャンバ内に設けられる。実質的に閉鎖されたチャンバ内でプラズマが点火され、少なくとも一部がターゲットの表面の近傍にプラズマを含むように磁界がターゲットの表面の近傍に生成される。カソードとアノードとの間に高出力電気パルスを反復的に確立するように、電圧を急速に上昇させる。電気パルスの平均出力は少なくとも０．１ｋＷであり、任意でより大きくすることができる。スパッタ堆積の動作パラメータは、金属モードと反応モードとの間の移行モードで、絶縁層のスパッタ堆積を促進するように制御される。
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【課題】基板上に形成されたギャップを酸化シリコン膜で充填する改良された技術を提供する。
【解決手段】高密度プラズマプロセスを使用して酸化シリコンの第１の部分を該基板上および該ギャップ内に堆積する。この後、該酸化シリコン膜の該堆積された第１の部分の一部がエッチングバックされる。これは、ハロゲン前駆体ソースから該基板処理チャンバにハロゲン前駆体を流すステップと、該ハロゲン前駆体から高密度プラズマを形成するステップと、該一部がエッチングバックされた後に該ハロゲン前駆体を流すことを終了するステップとを含んでいる。この後、ハロゲンスカベンジャーが該基板処理チャンバに流されて、該基板処理チャンバで残渣ハロゲンと反応する。この後、該酸化シリコン膜の第２の部分が、高密度プラズマプロセスを使用して該酸化シリコン膜の該第１の部分上および該ギャップ内に堆積される。 （もっと読む）

【課題】基板上の微細なトレンチおよびギャップにシリコンおよび窒素含有膜を堆積する方法を提供する。
【解決手段】基板を収容する堆積チャンバ内にシリコンを含有する前駆体を導入することを含み、シリコンを含有する前駆体は少なくとも２つのシリコン原子を含む。さらに、堆積チャンバの外側に位置する遠隔プラズマシステムを用いて少なくとも１つのラジカル窒素前駆体を生成する。さらに、堆積チャンバにラジカル窒素前駆体を導入することを含み、ラジカル窒素およびシリコン含有前駆体は反応して基板上にシリコンおよび窒素含有膜を堆積する。さらに、蒸気環境内でシリコンおよび窒素含有膜をアニーリングしてシリコン酸化膜を形成することを含み、蒸気環境は水および酸蒸気を含む。 （もっと読む）

【課題】有機基を含まず且つ、比較的低温の硬化においても比誘電率４以下を達成できるシリカ系被膜を形成することができるシリカ系被膜形成用組成物、それより得られるシリカ系被膜、及び、その形成方法、並びに、そのシリカ系被膜を備える電子部品を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表される化合物を加水分解する際に用いる触媒が（ａ）カルボン酸であり、且つ（ｂ）オニウム塩を含有する塗布型シリカ系被膜形成用組成物であって、４５０℃以上で被膜を硬化した際の比誘電率が４以下である、塗布型シリカ系被膜形成用組成物。
ＳｉＸ_４ ・・・（１）
（各Ｘは加水分解性基を示し、同一でも異なっていてもよい） （もっと読む）

【課題】シリコン基板に形成したトレンチに埋め込む塗布型酸化膜の膜質の改善を図る。
【解決手段】シリコン基板１にシリコン酸化膜４、多結晶シリコン膜５、シリコン窒化膜６を積層形成し、フォトリソグラフィ処理でトレンチ１ａを形成する。トレンチ１ａ内にＰＳＺ塗布液を塗布してＰＳＺ膜２ｂを形成し、水蒸気酸化処理を行う。この後、洗浄装置７の温水８中で超音波（ＵＳ）を印加しながら温水処理を行う。この後、再び水蒸気酸化処理を行う。温水処理で超音波を印加することでシリコン酸化膜２ａを形成するので、酸化の促進とクラックの発生を防止できる。 （もっと読む）

【課題】酸化雰囲気や極端な高温環境を使用せずとも、不純物としての炭素残存量が炭素原子の量で１立方センチメートル当たり０．１ミリモル以下の酸化膜からなるトレンチ分離を実現できる、トレンチ埋め込み用組成物を提供する。
【解決手段】酸化シリコン粒子と溶媒とを含有するトレンチ埋め込み用組成物において、溶媒として、溶媒全体を１００質量部としたときに９０質量部以上の水を含有することを特徴とするトレンチ埋め込み用組成物。 （もっと読む）

【課題】溝の内部に埋設されたＳＯＧ膜の一部が粗になり、ウェットエッチングレートが高くなる現象を抑制し、かつ体積膨張率を低く抑えることが可能な酸化膜形成用塗布組成物、およびそれを用いた半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ポリシラザンまたは水素化シルセスキオキサンと、ポリシランとを含有する酸化膜形成用塗布組成物を、溝を有する基板上に塗布し、その後に酸化性雰囲気下で熱処理することで、溝の内部に酸化膜を形成する。この方法は、素子分離領域や配線層間絶縁膜の形成に好適である。 （もっと読む）

【課題】有機成分を含まない高純度の二酸化ケイ素膜を形成するために有用な二酸化ケイ素前駆体および二酸化ケイ素前駆体組成物を提供する。
【解決手段】上記二酸化ケイ素前駆体は、下記示性式（１）（Ｈ_２ＳｉＯ）_ｎ（ＨＳｉＯ_１．５）_ｍ（ＳｉＯ_２）_ｋ （１）（式（１）中、ｎ、ｍおよびｋはそれぞれ数であり、ｎ＋ｍ＋ｋ＝１としたとき、ｎは０．０５以上であり、ｍは０を超えて０．９５以下であり、ｋは０〜０．２である。）で表され、１２０℃において固体状であるシリコーン樹脂である。 上記二酸化ケイ素前駆体組成物は、上記シリコーン樹脂および有機溶媒を含有する。 （もっと読む）