【課題】半導体基板の結晶欠陥の発生を抑えつつ、シリコン酸化膜の膜質を向上させることが可能なシリコン酸化膜の形成方法を提供する。
【解決手段】スピンコーティング法により、過水素化シラザン重合体溶液を半導体基板１０１の表面上に塗布し、塗布された過水素化シラザン重合体溶液中の溶媒を加熱処理で揮発させることにより、半導体基板表面上の過水素化シラザン重合体をポリシラザン膜に変化させ、酸素（Ｏ_２）を含む雰囲気中において、ＵＶランプ１にＵＶ光を発光させることにより、雰囲気中にオゾン（Ｏ_３）を発生させ、遮蔽板４によってポリシラザン膜をＵＶランプ１の熱で硬化させないようにした状態で、ポリシラザン膜の表面を発生したオゾンにより酸化し、ポリシラザン膜を水蒸気酸化することにより、ポリシラザン膜中の不純物を除去し、ポリシラザン膜をアニールすることにより、ポリシラザン膜をシリコン酸化膜に変化させる。 （もっと読む）

【課題】幅の狭い溝状領域への層間絶縁膜の形成にポリシラザンを用いた場合のシリコン酸化膜への改質が良好に行われる半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】上面及び側面をキャップ絶縁膜１０７及びサイドウォール絶縁膜１０８で覆われた複数のビット線１０６間に形成された溝状領域１０９と、Ｎ（窒素）よりもＯ（酸素）を多く含み溝状領域１０９の内表面を連続的に覆うＳｉＯＮ膜１０と、ＳｉＯＮ膜１０を介して溝状領域１０９内に埋め込まれ、ポリシラザンを改質することによって形成されたシリコン酸化膜１１とを備える。 （もっと読む）

【課題】アスペクト比が高くて幅が狭い凹状フィーチャーに誘電層を形成するための新規方法を提供する。
【解決手段】間隙に流動性重合膜をプラズマ強化化学気相成長（ＰＥＣＶＤ）法によって形成した後で、当該膜を誘電材料に変換するためのインサイチュ（ｉｎ−ｓｉｔｕ）処理を実行することを含む。インサイチュ処理は、純粋な熱処理プロセスまたはプラズマ処理プロセス。堆積−インサイチュ処理−堆積−インサイチュ処理というプロセスを実行して、間隙に誘電層を形成する。この一連の手順は、間隙をボトムアップ式に充填するべく必要なだけ繰り返される。エクサイチュ処理後プロセスは、間隙の充填が完了した後で実行される。特定の実施形態によると、誘電率が３．０未満の膜が形成される。上記プロセスは、フロントエンドおよびバックエンドの間隙充填に利用可能である。 （もっと読む）

【課題】狭い開口幅のトレンチを形成する場合に活性領域部分が倒壊するのを防止する。
【解決手段】シリコン基板１上に電荷保持層４、電極膜５を積層形成し、一括加工によりトレンチ１ａ、１ｂを形成する。上面およびトレンチ１ａ、１ｂ内にプラズマＣＶＤ法によりシリコン酸化膜６を形成する。狭いトレンチ１ａ内にボイドＶａを形成する。シリコン酸化膜６をエッチバックしてボイドＶａの上端部を開口する。このとき、トレンチ１ａの上部にこれらと直交するようにシリコン酸化膜６を梁部６ａとして残すパターニングをする。この後、レジストの剥離、ウェット処理を経るが、梁部６ａを設けているので、倒壊するのを防止できる。ポリシラザン膜を埋め込み、水蒸気キュアをしてシリコン酸化膜７に転換する。 （もっと読む）

【課題】基体に形成されたトレンチ内に酸化シリコンを埋め込むために使用するのに好適な溶液のポットライフが長く、トレンチへの埋め込み性が高く、HF耐性、クラック耐性を有するトレンチ埋め込み用反応物を提供する。
【解決手段】トレンチ埋め込み用縮合反応物を、該縮合反応物が少なくともポリシロキサン化合物とシリカ粒子との縮合反応物を含み、該ポリシロキサン化合物がＨＳｉＯ_３／２基、ＭｅＨＳｉＯ基、及びＨ_２ＳｉＯ基から選ばれる基の少なくとも一種を４０ｍｏｌ％以上有し、該ポリシロキサンの重量平均分子量が１０００以上２０００００以下であり、該シリカ粒子の平均一次粒径が1ｎｍ以上１００ｎｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】熱ＣＶＤ法で素子分離溝に絶縁膜を埋め込む際に、アクティブエリアの変形を防止する。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法は、シリコン基板１上に被加工膜を形成し、シリコン基板１及び被加工膜を加工して素子分離溝５を形成し、素子分離溝５に熱ＣＶＤ法により絶縁膜６を埋め込む製造方法であって、絶縁膜６を埋め込む工程の熱ＣＶＤ法の成膜条件を、素子分離溝５のうちのシリコン基板１の上面１ａの高さ以下の部分を埋め込む絶縁膜６ａの空孔率が５％以上となると共に、素子分離溝５のうちのシリコン基板１の上面１ａの高さを越える部分を埋め込む絶縁膜６ｂの堆積速度が素子分離溝５のうちのシリコン基板１の上面１ａの高さ以下の部分を埋め込む絶縁膜６ａの堆積速度よりも小さくなる条件に設定した。 （もっと読む）

【課題】アスペクト比が大きい凹部の底部においても膜厚方向の組成分布が均一な金属酸化物が形成された半導体装置を実現できるようにする。
【解決手段】半導体装置は、凹部の周縁部及び凹部の内部に順次積層された下部電極、金属酸化膜及び上部電極とを備えている。金属酸化膜は少なくとも第１の金属元素及び第２の金属元素を含む。金属酸化膜における凹部の底部に形成された部分は、下部電極側における第１の金属元素の組成と、上部電極側おける第１の金属元素の組成との間の変化率が、凹部の周縁部に形成された部分と比べて小さいか等しい。 （もっと読む）

【課題】低温の酸化処理により酸化膜を形成する。
【解決手段】酸化膜の作成方法は、主鎖にＳｉ−Ｎ結合を有する高分子化合物を含む第１の膜１６と主鎖にＳｉ−Ｏ結合を有する高分子化合物を含む第２の膜１５とを積層する工程と、前記第１の膜１６及び前記第２の膜１５を水蒸気又は水性の雰囲気中で加熱処理し、前記第１の膜１６及び前記第２の膜１５を酸化膜１８に変化させる工程と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】酸化膜の形成に自由度をもたせる。低温で窒素成分を低減または含まない酸化膜を形成する。バッチ方式の成長装置にて低温で厚い酸化膜膜を形成する。
【解決手段】アルキル基或いはアルコキシ基を含むシリコン系のガス又はシロキサンガス又はシラザンガスと、前記ガスを酸化させる酸化剤とを、減圧状態で５００℃以下の温度下で反応させる。前記ガスに対して、シランガス、ジシランガス、リン系ガス、又は、ボロン系ガスを添加剤として反応させる。 （もっと読む）

【課題】高温の酸化性雰囲気中でのＳＯＤ膜の改質を促進する。ライナー膜下部の素子や半導体基板が酸化されてダメージを受けることを防止する。
【解決手段】凹部と、凹部の内壁側面上に順に形成した、第１のライナー膜と、酸素原子を含有する第２のライナー膜と、凹部内に充填された絶縁領域と、を有し、第１のライナー膜は第２のライナー膜よりも耐酸化性が優れるものとした半導体装置。 （もっと読む）

【課題】 凹凸を有する基板での埋め込みに優れる、塗布型無機シリカ系被膜形成用組成物、それより得られる塗布型無機シリカ系被膜、及びその塗布型無機シリカ系被膜を有する電子部品を提供する。
【解決手段】 テトラアルコキシシランを加水分解する際に用いる触媒がマレイン酸であり、得られるシロキサン樹脂の溶液中での重量平均分子量が５００〜３０００である塗布型無機シリカ系被膜形成用組成物。 （もっと読む）

【課題】高いアスペクト比で狭い幅の溝に、シリコン酸化膜を埋め込むことの可能な、スループットの高い半導体製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置の製造方法において、基板を処理室内へ搬入する工程と、炭素及び水素を含むシリコン化合物ガスを処理室内へ供給して、処理室内を第１の圧力の状態にする工程と、処理室内を前記第１の圧力にした状態において、処理室内へ供給されたシリコン化合物ガスに紫外光を照射して、基板上にシリコン酸化膜を形成する工程と、処理室内を前記第１の圧力よりも低い第２の圧力の状態にする減圧処理工程とを行う。これにより、高アスペクト比で狭い幅の溝内に、緻密なシリコン酸化膜を形成することができる。 （もっと読む）

【課題】ＳＴＩにおける酸化シリコン部材によるトレンチ埋め込み工程においては、一般に、ＨＤＰ−ＣＶＤにより、成膜とスパッタ・エッチを同時的に進行させることで、酸化シリコン系の埋め込み絶縁膜の平坦化を計っている。しかしながら、６５ｎｍプロセス・ノード等の微細製品では、近接したトレンチを均一の埋め込むことが、ますます困難となっている。従って、近接したトレンチ配列部分をより均一に埋め込むことができる技術が待望されている。
【解決手段】本願発明は、近接したトレンチ配列部分をＨＤＰ−ＣＶＤによる酸化シリコン系の埋め込み絶縁膜によって埋め込む際に、成膜ステップとエッチング・ガスを含むガス雰囲気中でのエッチングを交互に繰り返すことによって、平坦な埋め込み特性を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】超臨界流体に原料を溶解させた処理媒体を用いてトレンチ内部を埋め込むに際し、トレンチ内部にボイドが残されないように成膜を行う。
【解決手段】切替部３０によって処理媒体供給部１０から処理媒体７０をチャンバ４０に供給することにより基板５０の表面５１側に埋め込み膜６０を形成する成膜工程と、切替部３０によってエッチング媒体供給部２０からエッチング媒体８０を供給することにより溝５３の開口部側に形成された埋め込み膜６０をエッチングするエッチング工程と、を繰り返し行う。これにより、溝５３の開口部側に形成された埋め込み膜６０をエッチング媒体８０によって選択的にエッチングして溝５３の開口部が埋め込み膜６０によって閉塞されることを抑制しつつ、基板５０の表面５１側に成膜を行う。 （もっと読む）

【課題】フッ素添加カーボン膜（ＣＦ膜）上にハードマスク用の薄膜であるＳｉＣＯ膜あるいはＳｉＣＮ膜を成膜するにあたり、その薄膜とフッ素添加カーボン膜との間で大きな密着性を得ること。
【解決手段】 ＳｉＣＯ膜をハードマスクとして使用する場合に、ＣＦ膜をシリコンの有機化合物例えばトリメチルシランガスを活性化したプラズマ雰囲気に例えば５〜１０秒程度曝し、次いでこのプラズマに窒素プラズマを加えてフッ素添加カーボン膜の上にＳｉＣＮ膜を成膜し、その後例えばトリメチルシランガスと酸素ガスとを活性化したプラズマによりＳｉＣＯ膜を成膜する。ＳｉＣＯ膜の成膜時に、酸素の活性種がＣＦ膜中の炭素と反応することが抑えられ、従ってＣＦ膜の脱ガス量が低減する。またＳｉＣＮ膜をハードマスクとして使用する場合も、同様に最初にトリメチルシランガスのプラズマ処理を行う。 （もっと読む）

【課題】バリア膜を良好に形成することができながら、Ｃｕ配線中のＭｎの残留量を低減することができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉおよびＯを含む第２絶縁層６に、第２溝１１およびビアホール１２が形成された後、Ｍｎからなる金属膜１８が第２溝１１およびビアホール１２の側面および底面に被着される。次いで、金属膜１８中のＭｎと第２絶縁層６中のＳｉおよびＯとを結合させるための熱処理が行われる。この熱処理の結果、第２溝１１およびビアホール１２の内面上に、ＭｎＳｉＯからなるバリア膜が形成される。 （もっと読む）

【課題】溝を埋め尽くすように形成されるＣｕ層中のＭｎの残留量の増加を生じることなく、溝の側面上における合金膜の膜剥がれの発生を防止することができる、半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ＳｉおよびＯを含む絶縁材料からなる第２絶縁層６に、第２溝１１が形成される。次に、スパッタ法により、第２溝１１の内面に、ＣｕＭｎ合金からなる合金膜１８が被着される。この合金膜１８は、第２溝１１の内面に接する部分のＭｎ濃度が相対的に高く、その表層部分のＭｎ濃度が相対的に低くなるように形成される。次いで、合金膜１８上に、Ｃｕからなる第２配線１４が形成される。第２配線１４の形成後、熱処理により、第２配線と第２絶縁層６との間に、ＭｎＳｉＯからなる第２バリア膜１３が形成される。 （もっと読む）

原子層を基板（６）の表面（４）に堆積させるための装置（２）。装置（２）は前駆体注入ヘッド（１０）を含み、前駆体注入ヘッド（１０）は前駆体供給部（１２）と、使用時に前駆体注入ヘッド（１０）と基板表面（４）とに界接する堆積空間（１４）とを備える。前駆体注入ヘッド（１０）は、基板表面（４）に接触させる前駆体ガスを前駆体供給部（１２）から堆積空間（１４）に注入するように構成される。装置（２）は、堆積空間（１４）と基板（６）との間の相対運動を基板表面（４）の平面で行うように構成される。装置（２）には、注入された前駆体ガスを基板表面（４）に隣接した堆積空間（１４）に閉じ込めるように構成された閉じ込め構造（２６）が設けられる。 （もっと読む）

【課題】Ｂｕｌｋ Ｆｉｎ構造の製造に於いて、ハードマスクの側面の後退・破損を発生させること無く、パッド酸化膜のサイドエッチ量を最小限度にとどめて、ゲート加工等の後工程を行うに際して良好な形状を有するＦｉｎ構造を実現する。
【解決手段】シリコン基板１上に、所定の間隔ＳＤを隔てて配列し且つ各々が所定の方向へ延在すると共に、所定の高さＤを有する複数のシリコン柱体１Ｆを形成する。その際に、各シリコン柱体１Ｆの上面には、パッド酸化膜２及びハードマスク３が順次に形成される。その後、酸素ガス、アルゴンガス、水素ガス及びシリコンガスをベースとなる反応ガスとして用いるＰＶＤ法によって、隣り合うシリコン柱体１Ｆによって形成されるリセス１Ｒを完全に充填すると共に、リセス１Ｒの上方及びハードマスク３の上方にまで至る埋め込み酸化膜５を堆積する。この堆積時に、幅Ｗのハードマスク３の側面は削除されない。 （もっと読む）

【課題】絶縁特性に優れたシャロー・トレンチ・アイソレーション構造とそれを形成するための簡便かつ低コストな方法の提供。
【解決手段】表面の溝構造が二酸化ケイ素膜により埋設されており、前記二酸化ケイ素膜が前記基板の表面側に局在し、前記溝の底部に空孔を具備してなるシャロー・トレンチ・アイソレーション構造。このようなアイソレーション構造は、基板表面にポリシラザン組成物を塗布し、前記塗膜の表面に紫外線を照射して、塗膜の表面近傍にあるポリシラザンの一部を硬化させ、さらに前記塗膜を焼成することにより形成させることができる。 （もっと読む）