【課題】チップサイズを増大することなく、キャパシタの容量を増やすことができる半導体集積回路を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上にメインブロック１１と周辺ブロック１２とが混載された半導体集積回路において、半導体基板１０上のメインブロック１１に形成され、第１のトレンチキャパシタを有するメイン回路と、半導体基板１０上の周辺ブロック１２に形成され、第２のトレンチキャパシタを有するアナログ回路とを備える。 （もっと読む）

【課題】解析対象回路内に設けられた素子のそれぞれに対する基板ノイズの影響を解析することができるノイズ解析モデル及びノイズ解析方法を提供すること。
【解決手段】本発明の一態様にかかるノイズ解析モデル１００は、抵抗Ｒ_Ｓ１〜Ｒ_Ｓ４、抵抗Ｒ_ＧＢ１〜Ｒ_ＧＢ４及び接地抵抗Ｒ_ＧＮＤを有する。抵抗Ｒ_Ｓ１〜Ｒ_Ｓ４は、ノイズ発生源から半導体基板を介して基板ノイズが伝搬する接続点１と、バックゲート直下の半導体基板中の点ＢＧ１〜ＢＧ４の間にそれぞれ接続される。抵抗Ｒ_ＧＢ１〜Ｒ_ＧＢ４は、バックゲート直下の半導体基板中の点ＢＧ１〜ＢＧ４とガードバンド４との間に接続される。接地抵抗Ｒ_ＧＮＤは、ガードバンド４と接地電位との間に接続される。 （もっと読む）

【課題】アナログ回路において最適な配線効率を実現するためのレイアウト設計を可能にする。
【解決手段】機能ブロックを構成する素子をその種類毎にグループ化する。機能ブロック内の素子の配置を各素子の接続関係に基づいて決定する。この時、グループを構成する素子の分割数を考慮してもよい。機能ブロックの配置順序を面積又は幅が大きい順に配置されるように決定する。また、配置順序はユーザの指定により調整できることが好ましい。配置順序と回路全体の接続情報とに基づいて各機能ブロックの配置位置を決定する。 （もっと読む）

【課題】ミックスドシグナル回路の消費電流を短時間で見積もること。
【解決手段】消費電流算出装置１００は、対象回路へ入力されるデジタル信号の値１１３と、デジタル信号とともに対象回路へ入力されるアナログ信号の値１１２と、を取得する。消費電流算出装置１００は、デジタル信号の値１１３およびアナログ信号の代表値の組み合わせごとに組み合わせが入力された場合の対象回路の消費電流を示す消費電流テーブル１１４から、デジタル信号の値１１３が対象回路へ入力された場合のアナログ信号の各代表値と消費電流との対応情報１１５を抽出する。消費電流算出装置１００は、抽出した対応情報１１５に基づいて、アナログ信号の各代表値の間の値に対応する対象回路の消費電流を補間する補間関数１１６を生成し、生成した補間関数１１６に基づいて、アナログ信号の値１１２に対応する対象回路の消費電流１１７を算出する。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ型の半導体集積回路において電源遮断時の低消費電力及び電源供給時の動作性能向上に資することができる電源遮断制御を可能にする。
【解決手段】本発明に係る半導体集積回路は、第１電源スイッチと、前記第１電源スイッチに直列接続される論理回路を有する。前記論理回路は、順序回路（ＦＦ１，ＦＦ２）及び組み合わせ回路（ＬＯＧ１，ＬＯＧ２）を含み、前記第１電源スイッチと前記組み合わせ回路との間に第２電源スイッチが接続される。第１モードにおいて前記第１電源スイッチをオフ状態に制御し、前記順序回路及び前記組み合わせ回路を非通電状態にし、第２モードにおいて前記第１電源スイッチをオン状態に維持し且つ前記第２電源スイッチをオフ状態に制御し、前記順序回路を通電状態、前記組み合わせ回路を非通電状態にする電源スイッチ制御回路を有する。 （もっと読む）

【課題】情報が読み取られることを防止する半導体装置を提供する。
【解決手段】本明細書に開示する半導体装置１０は、コンタクト１５ａを有する第２絶縁層１５と、コンタクト１７ａを有する第３絶縁層１７と、第２絶縁層１５と第３絶縁層１７との間に配置された第２配線層１６と、を備え、コンタクト１５ａとコンタクト１７ａとの間の第２配線層１６の部分には配線が配置されておらず、コンタクト１５ａとコンタクト１７ａとの間の距離は、コンタクト１５ａ又はコンタクト１７ａと、第２絶縁層１５及び第３絶縁層１７及び第２配線層１６内の他のコンタクト又は配線との間の距離よりも短い。 （もっと読む）

【課題】精度よく簡便にチップサイズを見積もることができる、半導体集積回路のチップサイズ見積もり装置、及び半導体集積回路のチップ見積もり方法を提供する。
【解決手段】回路の機能の実現に最小限必要なゲート数である最小機能ゲート数を入力する入力部１と、セルライブラリごとに所定の動作速度の達成に必要となるゲート数と前記最小機能ゲート数との比率である性能考慮ゲート数係数が予め設定された設定値保持部２１と、前記最小機能ゲート数と前記性能考慮ゲート数係数とから算出されるゲート数を用いて前記回路の総面積を見積もる計算部２２と、を備えたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】キャパシタの電極として機能する配線の延伸方向への電流供給を容易とすること。
【解決手段】第１金属層１２と、前記第１金属層の膜厚方向に離間して設けられ、第１方向および前記第１方向に交差する第２方向に配列された複数の孔３６を備えた第２金属層１４と、前記第２金属層の膜厚方向で前記第１金属層とは反対側に離間して設けられ、前記第１方向および前記第２方向とは異なる方向に延伸し、第１配線と第２配線とが交互に設けられた複数の第１配線１６ａおよび複数の第２配線１６ｂと、前記複数の第１配線と前記複数の第２配線との間に設けられた誘電体膜２６と、前記複数の第１配線を、それぞれ前記複数の孔を通過し前記第１金属層に電気的に接続する複数の第１ビア配線３２と、前記複数の第２配線を、それぞれ前記第２金属層に電気的に接続する複数の第２ビア配線３４と、を具備するキャパシタ。 （もっと読む）

【課題】多層配線構造を有する半導体装置にダミーパタンを配線空隙に効率よく製造容易的に形成する。
【解決手段】多層配線構造の半導体装置において、狭い配線空隙（Ａｒｅａ＿Ｓ１）に、広い配線空隙（Ａｒｅａ＿Ｓ２）に形成されたダミーパタン（２２，２３）と異なる向きのダミーパタン（２１）が形成されている。 （もっと読む）

【課題】入出力（Ｉ／Ｏ）積層体を含むシステムを提供する。
【解決手段】入出力（Ｉ／Ｏ）積層体を含むシステム及びこのシステムを製造する方法が記述されている。一実装において、本方法は、Ｉ／Ｏ素子を含むと共に論理素子を含まないＩ／Ｏダイを積層するステップを有する。又、一実装において、本方法は、Ｉ／Ｏダイに対して集積回路ダイを積層するステップを更に含む。集積回路は、論理素子を含み、且つ、Ｉ／Ｏ素子を含まない。集積回路ダイからＩ／Ｏダイを分離することにより、それぞれのダイの独立的な開発や従来のダイのものとの比較におけるＩ／ＯダイのＩ／Ｏ基板上のＩ／Ｏ素子用の相対的に大きな空間などの様々な利益が得られる。空間の増大により、多数の論理素子を集積回路ダイの基板の同一の表面積内に収容する集積回路ダイの新しいプロセス世代が可能となる。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、ＬＳＩに搭載される回路ブロックのノイズを見積もることを目的とする。
【解決手段】 上記課題は、コンピュータによって実行されるノイズ見積り方法であって、該コンピュータが、記憶領域に格納されるＬＳＩの基板の電気的特性に係るプロセスパラメータを用いて、該ＬＳＩに配置される複数の回路ブロック間の基板抵抗を計算する算出手順と、前記計算した基板抵抗を有する等価回路を生成して、チップ内ネットリストを記憶領域内に生成する生成手順と、前記記憶領域に格納される前記チップ内ネットリストに前記ＬＳＩの動作に係る電気的要素と回路ブロックとの接続情報が付加された全体ネットリストを用いて、回路シミュレーションを実行することによって回路ブロック毎のノイズを見積もる回路シミュレーション手順とを実行するノイズ見積り方法により達成される。 （もっと読む）

【課題】アナログレイアウト設計の自動化による設計工期の短縮を図ることが可能なレイアウト設計装置を提供すること。
【解決手段】レイアウト設計装置２１は、回路データ２４の中から特性を一致させる必要があるトランジスタ、抵抗、容量素子群を抽出し、トランジスタ、抵抗、容量素子群の接続関係に基づいてトランジスタ、抵抗、容量素子群に含まれる複数のトランジスタ、抵抗、容量素子によって構成される所定の機能を有する回路、たとえば差動回路、差動負荷回路およびミラー回路を特定する。そして、特定された回路の種別に応じてレイアウト制約３０を生成し、レイアウト制約３０に基づいて配置配線を行なう。したがって、アナログ回路のレイアウト制約３０を自動的に付加することができ、アナログレイアウト設計の自動化による設計工期の短縮を図ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の特性を向上させる。
【解決手段】本発明の半導体装置は、半導体基板の上方に形成された半導体素子と、半導体素子の上方に形成された第１絶縁膜と、第１絶縁膜上に形成されたアルミニウム（Ａｌ）を含有する第１導電性膜よりなるヒューズ素子Ｆと、を有する。さらに、第１絶縁膜上に形成され、第１導電性膜よりなる第１配線と、第１配線上に形成された第２絶縁膜と、を有し、ヒューズ素子Ｆのプログラム領域は、第２絶縁膜に設けられた開口部ＯＡ１から露出している。また、ヒューズ素子Ｆのプログラム期間およびヒューズ素子にプログラムされたデータの読み出し期間以外の期間において、ヒューズ素子Ｆの両端を接地電位に維持する。例えば、ヒューズ素子Ｆの一端は、接地電位に接続され、他端は、スイッチング素子を介して接地電位に接続されている。 （もっと読む）

【課題】バイアス電流を配給する際のノイズ耐性を大幅に向上させる。
【解決手段】基準バイアス電流回路１１は、基準バイアス電流Ｉｐと該基準バイアス電流Ｉｐと電流の極性が逆となる基準バイアス電流Ｉｎとを生成し、２本の配線を１ペアとしたバイアス電流用配線Ｈ１を介してバイアス電流回路２ａに供給する。ペアの配線のうち、一方の配線は他方の線の近傍に平行してレイアウトされており、これら配線の配線長が略同じとしている。バイアス電流回路２ａでは、基準バイアス電流Ｉｐを反転させ、基準バイアス電流Ｉｎに加算した後、必要なバイアス電流となるように調整し、バイアス電流を生成する。 （もっと読む）

【課題】再配線層形成工程、メタルポスト形成工程及び樹脂封止工程を経てウェハレベルで樹脂封止される半導体装置について、パッケージング工程の前後での素子の特性変動を低減させる。
【解決手段】素子が形成された半導体基板に対して、再配線層形成工程、メタルポスト形成工程及び樹脂封止工程を経てウェハレベルで樹脂封止される半導体装置について、上方から見てメタルポスト２１の周縁と重なる位置に素子３３，３５，３７を配置しないようにする。また、製造時におけるメタルポスト２１に起因して生じる応力の影響を受ける、メタルポスト２１の周縁から所定の範囲に素子の配置禁止領域２１ａを設け、配置禁止領域２１ａに素子３３，３５，３７を配置しないようにする。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、被ノイズ回路において影響を受けるノイズの大きさに基づいて効率的に基板ノイズ解析を行うことを目的とする。
【解決手段】 上記課題は、導体集積回路の回路ブロック毎に該回路ブロックの回路データを用いてノイズ源解析を行い、各周波数と該周波数に対するノイズ量とを対応させたノイズ源情報を出力するノイズ源解析手段と、回路ブロック毎に該回路ブロックの回路データを用いて各周波数に対して出力ノードから出力される該周波数の振幅をノイズの影響の大きさを示す感度として解析するノイズ感度解析を行い、各周波数と該周波数に対する感度とを対応させたノイズ感度情報を出力するノイズ感度解析手段と、前記ノイズ源情報と前記ノイズ感度情報とに基づいてノイズを受ける被ノイズ回路の動作に影響を与える周波数成分を特定し、該ノイズ源情報から該周波数成分を抽出するノイズ源情報抽出手段とを有する基板ノイズ解析装置により達成される。 （もっと読む）

【課題】 本発明の課題は、素子データを含むアナログ回路モデルを生成することを目的とする。
【解決手段】 上記課題は、回路図データとレイアウトデータとを格納する記憶領域と、前記レイアウトデータから寄生素子に係る素子データを抽出する抽出手段と、前記回路図データに前記素子データを含む回路モデルをハードウェア記述言語によって生成する回路モデル生成手段とを有する回路モデル生成装置により達成される。 （もっと読む）

【課題】ブルーミング発生を抑え、かつ動作電圧を低電圧化することが可能な固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、半導体基板に形成されたＣＣＤ型の固体撮像装置であって、オーバーフロードレイン構造のオーバーフローバリアの高さを規定する基板電圧Ｖｓｕｂを半導体基板に印加するＶｓｕｂ電圧発生回路２６を備え、Ｖｓｕｂ電圧発生回路２６は、直列接続された複数の抵抗素子を含み、電圧分割により基板電圧を出力する抵抗回路と、前記複数の抵抗素子のいずれかに並列に接続されたポリシリコンのパターンであるヒューズ６とを含み、ヒューズ６は、コンタクト２が設けられた２つのジョイント基部１と、２つのジョイント基部１に挟まれて位置し、コンタクト２を介して電圧が印加されることにより電流が流れて溶断する溶断部１０とを含み、溶断部１０は、Ｗ方向の長さがジョイント基部１より小さく、Ｗ方向の長さが異なる領域を含む。 （もっと読む）

【課題】集積回路の設計及び製造の問題点に対応する新規の設計プラットフォームを提供する。
【解決手段】集積回路の設計のためのシステム。構造マルチプロジェクトウエハ5(SMPW)は、あらかじめ製造されており且つあらかじめ確認されている多数の機能ブロックを有する。SMPWは、ユーザーが、該ユーザーの要求に応じて、SMPWの異なるブロックをカスタマイズ及びプログラムできるように、コンタクト層まで形成される。SMPWのプロバイダーは、SMPWの在庫を保持する。もし、SMPWの一つがユーザーのIC設計要求の全てを満足できるか、又は市場/コンセプトの確認やIPの確認のような、ユーザーのIC設計プロセスの中間ステップに役立つならば、SMPWは、上記ユーザーへ提供される。ユーザーは、1-3ヶ月のサイクルタイムを有する合理的な設計フローを用いて直接生産へ進む。又は、ユーザーは、もっと長いサイクルタイムを有する普通の設計フローを用いる生産へ進む。 （もっと読む）

【課題】複数のスタンダードセルを有する半導体装置のチップ面積をさらに小さくする。
【解決手段】半導体装置ＳＤ１は第１および第２スタンダードセルＳＣ１，ＳＣ２を備える。第１スタンダードセルＳＣ１は、拡散領域Ａｎ１１、拡散領域Ａｎ１１に対向する機能素子領域ＦＥ１、および金属層ＭＴ１１を有する。第２スタンダードセルＳＣ２は、拡散領域Ａｎ１１に連続する拡散領域Ａｎ２１、拡散領域Ａｎ２１に対向する機能素子領域ＦＥ２、ならびに拡散領域Ａｎ２１および機能素子領域ＦＥ２の間に形成された拡散領域ＣＲ２１を有する。金属層ＭＴ１１および機能素子領域ＦＥ２は、拡散領域Ａｎ１１、拡散領域Ａｎ２１、および拡散領域ＣＲ２１通して電気的に接続される。 （もっと読む）