【課題】カップリングチャネルを使用したアンチヒューズメモリ及びその操作方法を提供する。
【解決手段】カップリングチャネルを使用したアンチヒューズメモリは、第１導電型の基板と、第２導電型のドープ領域と、カップリングゲートと、ゲート誘電層と、アンチヒューズゲートと、アンチヒューズ層と、を含む。基板中に隔離構造を有する。ドープ領域が基板中に設置され、且つドープ領域及び隔離構造の間にチャネル領域を定義する。カップリングゲートがドープ領域及び隔離構造の間の基板上に設置され、且つカップリングゲートとドープ領域と隣り合う。ゲート誘電層がカップリングゲート及び基板の間に設置される。アンチヒューズゲートがカップリングゲート及び隔離構造の間の基板上に設置され、アンチヒューズゲート及びカップリングゲートの間に間隔を有する。アンチヒューズ層がアンチヒューズゲート及び基板の間に設置される。 （もっと読む）

【課題】省面積化を図ることが可能な半導体装置およびその動作方法を提供する。
【解決手段】各記憶素子２１は、Ｐ型の半導体層２１１Ｐと、半導体層２１１Ｐ内で互いに分離するように配設されたＮ型の半導体層２１２Ｎ，２１３Ｎと、半導体層２１２Ｎと電気的に接続された電極２１５Ａと、半導体層２１３Ｎと電気的に接続された電極２１５Ｂとを有する。駆動対象の記憶素子２１に対して、電極２１５Ａと電極２１５Ｂとの間に所定の閾値以上の電圧Ｖ１を印加して、半導体層２１２Ｎと半導体層２１３Ｎとの間の領域にそれらの半導体層同士を電気的に繋ぐ導電パスであるフィラメント２１０を形成することにより、情報の書き込み動作を行う。 （もっと読む）

【課題】１列に直列接続された各発光ダイオード（LED）素子の各々にそれぞれ１つのアンチヒューズ素子が並列接続されているLEDユニットにおいて、電源を誤って逆方向に接続した場合にも、LEDユニットを保護する一方向性アンチヒューズ素子を提供する。
【解決手段】１はカソード電極端子Ｋに接続されたカソード電極層、２はｐ型不純物層２１及びｎ型不純物層２２よりなる半導体層、３は絶縁層、４はボンディングワイヤ５によってアノード電極端子Ａに接続されたアノード電極層、６は封止樹脂層である。カソード電極端子Ｋとアノード電極端子Ａとの間に順方向電圧が印加された場合のみ、一方向性アンチヒューズ素子はアンチヒューズとして作用する。カソード電極端子Ｋとアノード電極端子Ａとの間に逆方向電圧が印加された場合には、一方向性アンチヒューズ素子はアンチヒューズとして作用しない。 （もっと読む）

【課題】銅ヒューズに起因する故障または特性悪化を抑制または防止できる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、半導体基板１と、銅ヒューズ４と、半導体基板１と銅ヒューズ４との間に配置された銅膜からなるシール膜７，８と、銅ヒューズ４よりも上の層に形成された銅以外の金属材料膜からなり、銅ヒューズ４の両端にそれぞれに接続された最上層配線５０１，５０２と、シール膜７，８に結合され、銅ヒューズ４の周囲を取り囲む筒状に形成された銅シールリング６とを含む。 （もっと読む）

【課題】安定した特性のヒューズ素子を有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１００は、基板１０と、基板１０の上方に形成され、空洞部２０を画成する被覆構造体３０と、空洞部２０に収容されたヒューズ素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃと、を含み、被覆構造体３０は、導電層を有し、ヒューズ素子４０ａ，４０ｂ，４０ｃの材質は、導電層の材質と同じである。 （もっと読む）

【課題】金属シリサイド層を利用した電気ヒューズの信頼性を向上する。
【解決手段】半導体装置５０は、電気ヒューズ１６を有する。電気ヒューズ１６は、第１の端子領域１６ａと、第２の端子領域１６ｂと、第１の端子領域１６ａ及び第２の端子領域１６ｂを接続するヒューズリンク領域１６ｃとを備える。ヒューズリンク領域１６ｃは、第１のシリコン膜１２ｃと、第１のシリコン膜上に形成された第１の金属シリサイド層１５ｃとを有する。平面視において、第１の端子領域１６ａと第２の端子領域１６ｂとが並ぶ方向に垂直な方向の寸法を幅とするとき、第１のシリコン膜１２ｃの少なくとも一部の幅は、第１の金属シリサイド層１５ｃの幅よりも大きい。 （もっと読む）

【課題】ヒューズ配線を溶断する際に素子分離構造や半導体基板に与えるダメージを抑制することができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置１は、半導体基板１０と、半導体基板の主面の面内方向に互いに離間するように形成された一対の電極１２Ａ，１２Ｂと、これら電極１２Ａ，１２Ｂを被覆し、上面に凹部１３ｃを有する下層絶縁膜１３と、凹部１３ｃに形成されたヒューズ配線２０Ｃと、下層絶縁膜１３及びヒューズ配線２０Ｃを被覆する層間絶縁膜２１と、層間絶縁膜２１上に形成され、ヒューズ配線２０Ｃの直上にレーザトリミング用の開口部１ｈを有する上層絶縁膜３１とを備える。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高いヒューズを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体層２２と、この半導体層２２の表面に形成され、半導体層２２と金属とが反応して形成された化合物層２８，２９と、半導体層２２及び化合物層２８，２９から成るヒューズと、このヒューズの接地電位側に電気的に接続された、選択トランジスタ１１とを含む、半導体装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】面積の増加を抑えつつ、ヒューズ構造体のデータの保持量を増加する。
【解決手段】半導体装置１００は、基板（不図示）上に形成されたヒューズ構造体１２０を含む。ヒューズ構造体１２０は、第１の配線（１２２）および第２の配線（１２４）と、これらを接続するビア１２３とから構成された電気ヒューズ１２１と、一端がビア１２３の側方にビア１２３に接続して形成された抵抗配線１２８と、を含む。電気ヒューズ１２１のビア１２３は、基板の積層方向において、第１の配線（１２２）との接続箇所から抵抗配線１２８との接続箇所までの間に、面内方向の断面積が第２の配線（１２４）との接続箇所から抵抗配線１２８との接続箇所までの面内方向の断面積よりも小さい箇所を有する。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の製造方法において、ヒューズ層を覆う絶縁膜の膜厚を精度良く調整する。
【解決手段】半導体基板１０上にザッピング素子１のヒューズ層１２を形成し、ヒューズ層１２を覆う第１の絶縁膜１３を形成する。第１の絶縁膜１３上にはヒューズ層１２を覆うエッチングストッパー膜１４を形成し、エッチングストッパー膜１４を覆う第２の絶縁膜１６を形成する。他の工程を経た後、第１のエッチング工程として、ヒューズ層１２上で、第２の絶縁膜１６をエッチングストッパー膜１４に対して選択的にエッチングすることにより、エッチングストッパー膜１４の表面を露出させる。次に、第２のエッチング工程として、ヒューズ層１２上で、エッチングストッパー膜１４を第１の絶縁膜１３に対して選択的にエッチングすることにより、第１の絶縁膜１３の表面を露出させる。 （もっと読む）

【課題】従来のヒューズ制御回路よりも回路規模が低減されたヒューズ制御回路、照度センサ、近接センサ、携帯電話、デジタルスチルカメラ、および電源回路を提供する。
【解決手段】ヒューズ制御回路１は、ヒューズ溶断回路２がヒューズ素子Ｆ１に電流を流すとき、ノードＢとヒューズ溶断検知回路３とを切断するとともに、ヒューズ溶断回路２がヒューズ素子Ｆ１に電流を流さないとき、ノードＢとヒューズ溶断検知回路３とを接続する分離用素子４を備える。 （もっと読む）

【課題】トランジスタの性能を良好にするとともに、トランジスタにより構成されたアンチヒューズのゲート絶縁膜の破壊後の特性を良好にする。
【解決手段】アンチヒューズ素子１９０として機能するＮＭＯＳトランジスタにおいて、Ｎ型チャネル領域１１２ａが設けられている。また、通常のＮＭＯＳトランジスタ１９４には、Ｎ型エクステンション領域１２０およびＰ型ポケット領域１２２が設けられているが、アンチヒューズ素子１９０には、エクステンション領域およびポケット領域が設けられない。 （もっと読む）

【課題】書込前後の電流値の比を大きくして、アンチヒューズ素子の書込状態を精度よく判定する。
【解決手段】トランジスタにより構成されているアンチヒューズ素子１０１のプログラム方法は、ゲート電極１１２に所定のゲート電圧を印加して、ゲート絶縁膜１１０を破壊するとともに、不純物拡散領域１０４ａおよび不純物拡散領域１０４ｂの少なくとも一方の表面に形成されたシリサイド層１０６ａまたはシリサイド層１０６ｂを構成するシリサイド材料をゲート絶縁膜１１０中に移動させて、ゲート電極１１２と不純物拡散領域１０４ａおよび不純物拡散領域１０４ｂの少なくとも一方とをシリサイド材料１２２を介して電気的に接続する工程を含む。 （もっと読む）

【課題】 電気ヒューズ構造とその形成方法を提供する。
【解決手段】 具体例はヒューズ構造である。具体例によると、ヒューズ構造は、陽極、陰極、陽極と陰極間に挿入されるヒューズリンク、及び、陰極に結合される陰極コネクタ、からなる。陰極コネクタは、それぞれ、アクティブ装置に結合されるコンタクトの最小フィーチャーサイズの約二倍以上である。 （もっと読む）

【課題】ヒューズのカットばらつきを防ぐとともに腐食（酸化等も含む）を良好に防ぐ。
【解決手段】半導体装置１００は、基板１０２と、基板１０２上に形成されたヒューズ配線１１６と、少なくともヒューズ配線１１６の側壁を保護するように形成された耐湿性絶縁膜１２０と、を含む。耐湿性絶縁膜１２０は、ヒューズ配線１１６の上面には形成されていないか、またはヒューズ配線１１６の上面における積層方向の膜厚ｄ１がヒューズ配線１１６の側壁における積層方向に垂直な方向の膜厚ｄ２よりも薄くなるように形成されている。 （もっと読む）

【課題】 アンチヒューズ構造体および形成方法を提供する。
【解決手段】 アンチヒューズ構造体は基板上に配置された複数の並行導電フィンを含み、フィンのそれぞれは第１の端部と第２の端部とを有する。第２の電気導体はフィンの第２の端部に電気的に接続される。絶縁体はフィンの第１の端部を覆い、第１の電気導体は絶縁体上に配置される。第１の電気導体は絶縁体によってフィンの第１の端部から電気的に絶縁される。絶縁体は、第２の電気導体と第１の電気導体との間に所定の電圧を印加したときに絶縁破壊し、それによりフィンを介して第２の電気導体と第１の電気導体との間に途切れない電気接続を形成するのに十分な厚さまで形成される。 （もっと読む）

【課題】回路規模の増大を抑制しつつ、素子破壊によってノード間の電気的接続を制御する電流制御素子を有する半導体装置の信頼性を高める。
【解決手段】本発明による半導体装置の製造方法は、半導体ウエハ１上に形成された素子特性抽出用パタン３０の素子特性を測定するステップと、測定された素子特性を、素子特性抽出用パタン３０に対応付けられた電流制御素子２０の素子特性として抽出するステップと、抽出された素子特性に基づいて、半導体ウエハ１上におけるノード間に形成された電流制御素子２０に供給するエネルギーを設定するステップと、設定されたエネルギーを電流制御素子に供給し、電流制御素子の素子破壊によってノード間の電気的接続を不可逆的に制御するステップとを具備する。 （もっと読む）

【課題】高速動作が可能で、しかも可逆的に安定した書き換え特性を有し、半導体製造プロセスと親和性の高い不揮発性記憶素子およびその製造方法、並びにその不揮発性記憶素子を用いた不揮発性半導体装置の提供を目的とする。
【解決手段】第1電極１０３と、第２電極１０５と、第１電極１０３と第２電極１０４との間に介在させ、両電極１０３，１０５間に与えられる電気的信号に基づいて可逆的に抵抗値が変化する抵抗変化層１０４とを備えている。この抵抗変化層１０４は少なくともハフニウム酸化物を含み、当該ハフニウム酸化物をＨｆＯ_ｘと表した場合に、０．９＜ｘ＜１．６を満足するように抵抗変化層１０４が構成されている。 （もっと読む）

【課題】ショートする箇所を特定することができ、ショート化電圧を高精度に制御することができ、製造コストを低減することができる、アンチヒューズ素子及びその製造方法を提供する。
【解決手段】（ａ）対向する少なくとも一対の電極膜１５，１７と、（ｂ）一対の電極膜１５，１７の間に配置された絶縁体膜１６と、（ｃ）一対の電極膜１５，１７及び絶縁体膜１６を支持する基板１２とを備える。膜厚方向から透視したときに、少なくとも一方の電極膜１７には先端が尖った角部１７ａが形成され、角部１７ａは他方の電極膜１５に重なっている。電極膜１５，１７間に電圧が印加されたときに一方の電極膜１７の角部１７ａの先端付近で電界が集中し、ショートに至る箇所を角部１７ａの先端付近に限定することができる。 （もっと読む）

【課題】銅を構成材料として用いた電気ヒューズの切断を確実に行うとともに、切断された電気ヒューズの切断状態を良好に保つ。
【解決手段】電気ヒューズ１００は、被切断配線１０２と、被切断配線１０２の両端にそれぞれ設けられた第１の端子１２０および第２の端子１２２とを含む。被切断配線１０２は、銅を主成分とするとともに（１１１）面に配向した第１の配向膜１０４と、第１の配向膜１０４中に、第１の配向膜１０４を分断するように、第１の端子１２０から第２の端子１２２に向かう方向に対して直角な方向の幅全体にわたって設けられた、銅を主成分とするとともに（５１１）面に配向した第２の配向膜１０６と、を含む。 （もっと読む）