【課題】ＬＳＩ素子の性能劣化及びヒューズ素子の欠陥の増加を抑制できる半導体記憶素子及び半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】半導体記憶素子１００は、第１ヒューズ線１１１と、第１ヒューズ線１１１と並列接続された第２ヒューズ線１１２とを有し、切断されているか否かによって２値のデータを保持するヒューズ素子１１０と、一端がワード線１３０に接続されており、ヒューズ素子１１０に電流を流すか否かを選択する選択素子１２０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】多層配線プロセスでＳＯＧエッチバックにて平坦化を行なうプロセスにて、ヒューズ開口部に起因する水分の浸入における長期信頼性の劣化を防止する半導体装置の製造方法を提供する。
【解決手段】ヒューズ開口部からの水分侵入を防ぐためのメタル１層目のガードリングの下部まで多結晶シリコンが伸びているヒューズ形状にする。これによりヒューズの電極をとるためのメタル配線とガードリングのメタル配線の高さがそろい、ＳＯＧ層がＩＣ内部に到達することを防ぐことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】過電流に対して内部回路を保護する半導体集積回路装置を提供することを目的としている。
【解決手段】多層配線構造を有する半導体集積回路装置であって、半導体集積回路装置の内部にある内部回路と半導体集積回路装置の外部にある外部回路とを接続するために半導体集積回路装置の内部に設けられたパッドパターンにおいて、第１の配線層と、第１の配線層が形成されている層とは別の層に形成されている第２の配線層と、第１の配線層と第２の配線層を接続するビアと、を備え、第２の配線層にヒューズパターンが形成されており、ヒューズパターンを経由して内部回路と外部回路とを電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】トリミングや冗長に用いられるヒューズを有する半導体装置に関し、安定且つ確実に溶断しうるヒューズを有する半導体装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体基板上に、第１の絶縁膜を形成し、第１の絶縁膜上に、ヒューズを形成し、ヒューズが形成された半導体基板上に、第１の絶縁膜に接して第２の絶縁膜を形成し、ヒューズ上の第２の絶縁膜に、開口部を形成し、第２の絶縁膜上及び開口部内に第３の絶縁膜を形成する。 （もっと読む）

【課題】高電圧が不要で安定した状態を得ること。
【解決手段】半導体装置１０に形成されたヒューズ素子１１は、概略的に、拡散領域２２と、拡散領域２２と一部重なるように拡散領域２２より上方に形成された導電体２５を含む。半導体装置１０の半導体基板２１には、拡散領域２２が形成されている。半導体基板２１には素子分離領域２３が形成されている。拡散領域２２を含む半導体基板２１上には絶縁膜２４が形成されている。絶縁膜２４上には、導電体２５が形成されている。導電体２５上には、カバー膜２６が形成されている。カバー膜２６は、導電体２５の上面及び側面を覆うように形成されている。カバー膜２６は、絶縁膜２４より高い引っ張り応力を持つ。 （もっと読む）

【課題】トリミングヒューズの上の絶縁膜が、トリミングヒューズの機能を高めるために適正な状態を維持することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】表面を有する絶縁膜ＩＩＩ上のヒューズ配線Ｆ１と、ヒューズ配線Ｆ１上の層間絶縁層ＩＩ１，ＩＩ２，ＰＩと、層間絶縁層ＩＩ１，ＩＩ２，ＰＩの内部に位置する、ヒューズ配線Ｆ１と平面視において重ならない領域に形成された電極部ＰＤとを備える。上記ヒューズ配線Ｆ１の真上のうち少なくとも一部の第１の領域において、層間絶縁層ＩＩ１，ＩＩ２，ＰＩの厚みが、第１の領域以外の第２の領域における層間絶縁層ＩＩ１，ＩＩ２，ＰＩの厚みより薄くなるようにトリミング開口部ＬＴＣが形成される。トリミング開口部ＬＴＣの内側において側壁および底面の少なくとも一部を覆うアルミニウム薄膜部ＳＡＬを備える。アルミニウム薄膜部ＳＡＬは、側壁の少なくとも一部から、底面より上側において上記表面に沿う方向に連なる。 （もっと読む）

【課題】半導体ダイ上に相互接続部又はボンドパッドなどのフィーチャ構造を電気めっきする方法を提供する。
【解決手段】方法は半導体基板の上方に複数のヒューズ（２０８）を形成する工程と、半導体基板の上方の複数の相互接続層（４００〜４０８）と、該複数の相互接続層の上面の複数の相互接続パッド（５０２）とを形成する工程と、を含む。シールリング（２０２）が、半導体基板（３０２）と、前記複数の相互接続パッド（５０２）と、前記複数のヒューズ（２０８，３２０）とに形成された能動回路を包囲する。各ヒューズ（２０８，３２０）は、対応する相互接続パッド（５０２）とシールリング（２０２）とに電気的に接続される。各ヒューズ（２０８）が導通状態にあるとき、該ヒューズは対応する相互接続パッド（５０２）をシールリング（２０２）に電気的に接続する。 （もっと読む）

【課題】より小型なｅヒューズモジュールを提供する。
【解決手段】半導体デバイスが、ｅヒューズモジュールおよびプログラミング電流生成器を有する。ｅヒューズモジュールが電気的にプログラミングするｅヒューズ素子（２２６）のアレイを含む。プログラミング電流発生器が、複数の基準トランジスタ素子（Ｍ０〜Ｍ６）のセットと、基準トランジスタ素子（Ｍ０〜Ｍ６）を活性化させて、選択された基準電流を生成するセレクタ（２５４）と、アレイの選択されたｅヒューズ素子（２２６）に、選択された基準電流に応じたプログラミング電流を印加して、ｅヒューズ素子（２２６）の抵抗をプログラミングするカレントミラー（Ｍ７、Ｍ８、Ｍ９）とを有する。 （もっと読む）

【課題】発熱体である抵抗から熱容量の大きいアノード領域への放熱を阻止し、ジュール熱を効率的に抵抗で消費するようにして、電気ヒューズの切断電力の低減化を図る。
【解決手段】絶縁膜５上にポリシリコン層６を形成し、該ポリシリコン層６上の一部に絶縁膜マスクを形成する。次に、該絶縁膜マスク層で被覆された以外のポリシリコン層６上にシリサイド層７を形成する。次にフォトエッチング工程を経てシリサイド層７、ポリシリコン層６をエッチングし、アノード領域１、カソード領域２及びアノード領域１とカソード領域２を接続するリンク領域３からなる電気ヒューズを形成する。電気ヒューズは、アノード領域１とリンク領域３の境界を挟んでリンク領域３方向からアノード領域１の一部に延在する非シリサイド領域を具備する。リンク領域３の非シリサイド領域は高抵抗領域１１を構成し、アノード領域１の非シリサイド領域は熱伝導阻止層１ｂを構成する。 （もっと読む）

【課題】 例えば半導体集積回路等のチップに搭載する電気ヒューズの容量を省スペースで効率よく増加させることのできる電気ヒューズ、及び、それを備える半導体装置を提供する。
【解決手段】 電気ヒューズは、第１導電層４と、第１導電層４上に形成された第２導電層５とを有しフィラメント１を備える。そして、フィラメント１は、第１導電層４の状態及び第２導電層５の状態の組み合わせを変えることにより、少なくとも３つの識別可能な抵抗状態が生成されるように構成される。 （もっと読む）

【課題】レーザートリミングの際に半導体基板のダメージを極力抑えながら導電体を溶断することが可能な半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上にＬＯＣＯＳ絶縁膜１１を覆う第１の絶縁膜１２が形成され、第１の絶縁膜１２上には、ＬＯＣＯＳ絶縁膜１１の平坦部１１Ｆ上を通って、レーザートリミングにより溶断される導電体２０が形成されている。第１の絶縁膜１２及び導電体２０を覆って、ＬＯＣＯＳ絶縁膜１１の平坦部１１Ｆと重畳する領域内に凸レンズ状の凸部１３Ｃを有した第２の絶縁膜１３が形成されている。レーザートリミングの際、ＬＯＣＯＳ絶縁膜１１の平坦部１１Ｆの両側の傾斜部１１Ｓでは、レーザー光が半導体基板１０の表面に斜めに入射するように反射されるため、半導体基板１０のダメージを回避できる。また、第２の絶縁膜１３の凸部１３Ｃは、レーザー光を屈折させて導電体２０に集光させる。 （もっと読む）

【課題】ヒューズメモリを利用したトリミングを行う半導体ウェハにおける各半導体チップの回路面積を小さくする。
【解決手段】半導体ウェハ１０におけるシリコン基板上は、複数個のチップ領域ＴＡＲとこの領域ＴＡＲを囲むスクライブ領域ＳＡＲとに区画されている。チップ領域ＴＡＲには、トリミング対象回路１１と、ヒューズ素子Ｆｍ（ｍ＝１〜２Ｍ）と、ヒューズ素子Ｆｍ（ｍ＝１〜２Ｍ）が断線状態であるか否かを検出する検出回路としての役割を果たす定電流源ＩＰｍ（ｍ＝１〜２Ｍ）及びインバータＩＮｍ（ｍ＝１〜２Ｍ）とが形成されている。スクライブ領域ＳＡＲには、制御信号に応じてＯＮ／ＯＦＦが切り換わり、ＯＮとなることによりヒューズ素子Ｆｍ（ｍ＝１〜２Ｍ）を断線させる電流を発生するＮチャネル電界効果トランジスタＴＳｍ（ｍ＝１〜２Ｍ）がある。 （もっと読む）

【課題】 省スペースによって従来よりも多くの論理回路及びヒューズブロックを設けることができる半導体記憶装置を提供する。
【解決手段】 ヒューズ露出窓を介して外部に露出して互いに並置された複数のヒューズ片を各々が含む複数のヒューズブロックがゲートアレイの近傍において縦列に配置され、電源配線と接地配線とが当該ヒューズ片の並置方向に沿って延在しており、ヒューズブロックの配置のために当該ゲートアレイの近傍のスペースを活用した半導体記憶装置。 （もっと読む）

【課題】ヒューズ回路の２つの出力側にそれぞれ所期の論理値に設定された論理信号出力する。
【解決手段】ヒューズ回路１０は、電圧源ＶＤＤと、第１主電極、第２主電極、及び制御電極を有する第１及び第２のトランジスタＱ１１，Ｑ１２と、電圧源と第１のトランジスタのソースＳとの間に直列に配置される第１の電気ヒューズＲｆ１と、電圧源と第２のトランジスタのソースとの間に直列に配置される第２の電気ヒューズＲｆ２を備える。さらに、第１，第２の電力供給回路Ｑ１３，Ｑ１４と、第１及び第２のトランジスタのドレインＤ側から論理値出力を取り出す第１及び第２の出力Ｘ，Ｙを備える。 （もっと読む）

【課題】現行プロセスを用いて追加工程なしに製造でき、高い信頼性を有する多値化された電気ヒューズを有する半導体装置を提供する。
【解決手段】第１フィラメントＦＳ１と、第１フィラメントＦＳ１に接続された第２フィラメントＦＳ２とを有する電気ヒューズ素子を有し、第１フィラメントＦＳ１の第２フィラメントＦＳ２との接続端と反対の端部に接続された第１フィラメントＦＳ１と第２フィラメントＦＳ２の直列抵抗を読み出す直列読み出し部ＲＤＳとを有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】スイッチ素子の製造バラツキを排除し、より均一で確実な溶断が行える半導体装置のトリミング方法、及びトリミング制御回路を提供すること。
【解決手段】電位が異なる第１電源（電源端子ｃ）と第２電源（接地端子ｄ）との間にて直列接続された第１スイッチ素子Ｓ１〜Ｓ３およびフューズＦ１〜Ｆ３を内蔵した半導体装置１０１における第１スイッチ素子Ｓ１〜Ｓ３をオン制御することでフューズＦ１〜Ｆ３に電圧を印加してフューズＦ１〜Ｆ３を溶断する半導体装置１０１のトリミング方法であって、第１スイッチ素子Ｓ１〜Ｓ３をターンオン制御することにより、第１電源（電源端子ｃ）からフューズＦ１〜Ｆ３を溶断させない第１電圧値を所定時間印加するステップと、第１電圧値の印加が完了した後、第１電源（電源端子ｃ）からフューズＦ１〜Ｆ３を溶断させる第２電圧値を印加するように切り替えるステップと、を含む。 （もっと読む）

【課題】工程を追加せずに、アライメントマークの形成領域におけるゲート電極膜の残渣を低減する。
【解決手段】半導体装置の製造方法は、アライメントマーク１０を有する第１領域Ｒ１と、抵抗体４０が形成される第２領域Ｒ２と、ゲート電極１５が形成される第３領域Ｒ３と、を主面１ａに有する基板の主面１ａ上に、金属材料を含有するゲート電極膜１１を形成する工程を有する。更に、第１及び第２領域Ｒ１、Ｒ２のゲート電極膜１１を等方性エッチングにより除去する工程を有する。更に、ゲート電極膜１１を除去した第２領域Ｒ２と、第３領域Ｒ３と、に導電膜（ポリシリコン膜１３）を成膜する工程を有する。更に、導電膜を成膜する工程の後に、基板の主面１ａ上にフォトレジスト膜を形成し、アライメントマーク１０をアライメントに用いて所定のパターンをフォトレジスト膜に転写する工程を有する。 （もっと読む）

【課題】面積の増加を抑えつつ、ヒューズ構造体のデータの保持量を増加する。
【解決手段】半導体装置１００は、基板（不図示）上に形成されたヒューズ構造体１２０を含む。ヒューズ構造体１２０は、第１の配線（１２２）および第２の配線（１２４）と、これらを接続するビア１２３とから構成された電気ヒューズ１２１と、一端がビア１２３の側方にビア１２３に接続して形成された抵抗配線１２８と、を含む。電気ヒューズ１２１のビア１２３は、基板の積層方向において、第１の配線（１２２）との接続箇所から抵抗配線１２８との接続箇所までの間に、面内方向の断面積が第２の配線（１２４）との接続箇所から抵抗配線１２８との接続箇所までの面内方向の断面積よりも小さい箇所を有する。 （もっと読む）

【課題】 ヒューズを用いてデータを記憶する半導体集積回路において、データの誤読み出しを抑制すること。
【解決手段】 半導体集積回路１００は、直列に接続された複数のヒューズを含むヒューズ回路１０と、複数のヒューズに対し切断用の電流を供給する切断電流供給部３０と、複数のヒューズの切断情報を読み出す読み出し部２０と、を備える。ヒューズ回路１０は、第１端子Ｎ１及び第２端子Ｎ２を含み、複数のヒューズは、第１端子Ｎ１に接続された第１ヒューズＦ１と、第１ヒューズＦ１及び第２端子Ｎ２に接続された第２ヒューズＦ２とを含む。読み出し部２０は、第１端子Ｎ１に接続された第１電源端子Ｖｄｄと、第２端子Ｎ２に接続された第２電源端子Ｖｓｓと、第１端子Ｎ１と第１電源端子Ｖｄｄとの間（Ｎ３）に接続され、切断情報を出力する出力回路４０とを含む。 （もっと読む）

【課題】フューズ開口部に起因する水分の浸入における長期信頼性の劣化を防止する半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板上にフィールド酸化膜を介して抵抗体を設け、抵抗体上に第一の金属配線を設け、第一の金属配線上に吸湿性膜を含む平坦性の良い金属間層間膜を形成する。抵抗体のトリミング用フューズは吸湿性膜を含む金属間層間膜の上に形成することで吸湿性膜の露出を防止する。 （もっと読む）