【課題】ノイズを効果的に抑制するとともに、高い画質を得ることができる放射線撮像素子を提供する。
【解決手段】被写体を透過した放射線を吸収することにより発光する蛍光体膜８と、上部電極６、下部電極２、及び該上下の電極間に配置された光電変換膜４を有し、該光電変換膜が、前記蛍光体膜が発する光を吸収する有機光電変換材料を含む光電変換部１３と、非晶質酸化物により形成された活性層２４を有する電界効果型薄膜トランジスタ１０を有し、前記光電変換部により発生した電荷に応じた信号を出力する信号出力部１４と、前記信号出力部、前記光電変換部、及び前記蛍光体膜が順次積層した基板１と、を備え、前記信号出力部、前記光電変換部、及び前記蛍光体膜により構成される画素部が前記基板上に複数配列されており、各画素部における前記信号出力部と前記光電変換部とが重なりを有している放射線撮像素子１２。 （もっと読む）

【課題】受光感度や暗電流を犠牲にすることなく、汎用のＣＭＯＳ回路をそのまま使用することができる受光素子アレイを備えた検出装置を提供する。
【解決手段】化合物半導体の受光素子１０が配列した受光素子アレイと、ＣＭＯＳ回路７１とを組み合わせた近赤外光の検出装置７０であって、この検出装置では、受光素子アレイは、１つの化合物半導体基板５１上に複数のプレーナ型受光素子１０が形成されたものであり、受光素子のｎ型部１６がその受光素子ごとに各別に形成され、ＣＭＯＳ回路の画素の信号入力部に、受光素子のｎ型部が電気的に接続されている。 （もっと読む）

【課題】 高域においてゲインが低下しないと共に、ＰＤ保護カバー等を必要としない。
【解決手段】 基板１０の所定位置に切欠部１０ａを形成し、この切欠部１０ａ内にフォトダイオード（ＰＤ）１１を配置する。ことにより、フォトダイオード１１を基板１０に沈めて取り付けることができ、フォトダイオード１１から導出されている光ファイバを、基板１０の一面とほぼ同じ高さで導出することができると共に、他端面から導出されたリード線１１ｂをほぼ最短距離で基板のハンダ付け部１０ｂにハンダ付けできる。これにより、高周波特性が改善される。 （もっと読む）

【課題】集光部品を光検出素子と効率よく一体化し、簡便で位置合わせの精度が良好で、光検出素子性能を向上させる光学センサを提供する。
【解決手段】光検出素子２の前面にフォトニック結晶立体素子９を一体化して形成し、次いで、フォトニック結晶立体素子に部分的に紫外線を照射して、紫外線を照射した部分の屈折率を変化させることにより、光検出素子の前面にフォトニック結晶レンズ９０を形成する光学センサ。要約するに、光検出素子２の前面に一体化形成したフォトニック結晶レンズ９０を具える光学センサ。 （もっと読む）

【課題】光導電体素子の光電変換層に用いた場合に、光電変換効率が十分に向上する組成物を提供すること。
【解決手段】電子供与性を示す化合物と、電子受容性を示す化合物とを含有する組成物であって、下記一般式（１）で表される化合物をさらに含有する組成物。


［式（１）中、Ｒ^１及びＲ^２は、それぞれ独立に、アルキル基又はアルコキシ基を示し、ｎは２〜６の整数を示す。］ （もっと読む）

【課題】有効画素領域内のＳｉ基板温度分布を補償することのできる赤外線固体撮像素子を得る。
【解決手段】赤外線を検知することにより温度検出を行う有効画素２０と、赤外線入射の影響を受けずに基板温度および自己発熱を検知するリファレンス画素２１とを備え、有効画素２０による温度検出結果とリファレンス画素２１による温度検出結果との差分を出力することで、２次元アレイ状に配置された有効画素２０の領域内の基板温度分布を補償する赤外線固体撮像素子において、リファレンス画素２１は、それぞれの有効画素２０に隣接するように配置される。 （もっと読む）

【課題】暗電流を抑制させるとともに素子温度の変化に対してシステムの動作を安定させることができる。
【解決手段】障壁層１２ａ上に形成された量子ドット１１と、量子ドット１１の上面を覆うように形成された障壁層１２ｂとを有する量子ドット層１３と、動作時に、量子ドット層１３に対して垂直方向に流れる電流の量子ドット層１３下流側に向かって、第１の導電型の不純物がドープされた不純物層１６と、アンドープまたは第２の導電型の不純物がドープされた低濃度不純物層１５と、第２の導電型と同型であって、低濃度不純物層１５よりも高濃度の不純物がドープされた導電層１４と、を順に有する導電構造１７と、で構成されて、導電層１４と障壁層１２ｂとの電位障壁の高さが温度に依存するようになる。 （もっと読む）

【課題】 青紫色レーザなどの、高エネルギーで高密度の出力の光を受光する光半導体装置でも、受光面が変色して光の透過率を低下させることなく、また、容易に製造することができて安価に得られる受光素子を有する光半導体装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 基板２の少なくとも１つの面（表面）に電極端子２２が形成されると共に、開口孔２１が形成され、その基板２上に受光素子１が、そのバンプ１２と電極端子２２とが接続され、かつ、受光面１１が基板２の開口孔２１と対向するように、フリップチップ実装されている。そして、少なくともその接続部（バンプ１２の部分）が被覆されるように、紫外線硬化樹脂が、開口孔２１の周縁に沿って受光素子１と基板２との間隙部に充填されて封止樹脂層３が形成されている。この封止樹脂層３は、受光素子１の受光面および開口孔２１内には漏出しないように形成されている。 （もっと読む）

【課題】光センサーの熱電流及び迷光による誤差を効果的に除去できる電気光学装置を実現する。
【解決手段】第１および第２の基板間にネマティック相液晶材料９２２が挟持され、表示領域が形成された液晶パネル９１１と、前記パネルの周囲光の照度を検出する光検出部とを備え、前記光検出部は、第１または第２の基板の前記表示領域周縁部に設けられ、外光が照射される第１の光センサー（受光センサー３５０Ｐ）と、外光の照射が遮断される第２の光センサー（遮光センサー３５０Ｄ）とを備え、前記第１の光センサーと第２の光センサーは前記表示領域周縁部に複数配置される電気光学装置である。 （もっと読む）

【課題】シンチレータの発光取り出し効率、鮮鋭性が高く、平面受光素子面間での鮮鋭性の劣化が少ないシンチレータパネルを提供する。
【解決手段】基板１上に反射層３及び蒸着により形成されたシンチレータ層２を有するシンチレータパネル１０であって、該反射層が白色顔料及びバインダー樹脂からなることを特徴とする。反射層の表面はカレンダー処理により平滑化されていることが好ましく、白色顔料はアルミナ、酸化イットリウム、酸化ジルコニウムおよび酸化チタンから選ばれる少なくとも一種の白色顔料であることが好ましい。 （もっと読む）

【課題】効率的に歩留まりよく形成でき、受光効率が良好なワンチップ高電圧光電池を提供する。
【解決手段】複数のフォトダイオード素子１を形成して成るシリコン基板２をプリント基板１１にハンダ付け接合した状態で、フォトダイオード素子１の形成領域の境界線に沿って設定切り込み量だけ切断し、複数のフォトダイオード素子１をプリント基板１１上に分離配置する。シリコン基板２とプリント基板１１とのハンダ接合による一体化物の温度がハンダ付け接合時よりもシリコン基板２の切断時に下がることによりシリコン基板２とプリント基板１１との熱膨張差によって生じるシリコン基板２の各切断位置における仮想平坦底面からの浮き上がり湾曲量の最大値と最小値との差がプリント基板１１の厚みより小となるようにする。 （もっと読む）

【課題】 配線材料に銅を用いた場合においても、好適な水素終端化処理を行なうことが可能な光電変換装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】 本発明は、半導体基板上に多層配線構造が配された光電変換装置の製造方法であって、層間絶縁膜の、前記トランジスタの電極に対応する領域にホールを形成する工程と、前記ホールに導電体を埋め込む工程と、水素供給膜を形成する工程と、第一の温度で熱処理し前記水素供給膜から前記半導体基板へ水素を供給する工程と、配線材料に銅を用いて前記多層配線構造を形成する工程と、前記多層配線構造を覆って保護膜を形成する工程と、を有し、多層配線構造を形成する工程及び保護膜を形成する工程は第１の温度よりも低い温度で行なう。 （もっと読む）

【課題】光センサーの熱電流を効果的に除去する。
【解決手段】液晶パネル９１１と、該パネル基板の面に光を照射するバックライトユニット９２６と、周囲の光の照度を検出する光センサー３５０と、前記光検出結果に応じて前記照明装置を制御する中央演算回路７８１とを備え、前記光検出部は、前記パネル基板に設けられ、光の照度に応じて２つの端子間に流れる電流の変化を検出する受光センサー３５０Ｐと、前記受光センサーと直列に接続され、光の照度に応じて２つの端子間に流れる電流の変化を検出する遮光センサー３５０Ｄと、前記第１と第２の光センサー間の接続端（配線ＳＥＮＳＥ）の電位を電位ＶＶＣＨＧに設定する電位設定部を備え、前記第１の光センサーの他方端（配線ＶＳＨ）の電位を電位ＶＶＳＨ、前記第２の光センサーの他方端（配線ＶＳＬ）の電位を電位ＶＶＳＬとすると、前記各電位は、ＶＶＳＨ＞ＶＶＣＨＧ＞ＶＶＳＬを満たす。 （もっと読む）

【課題】本発明は、加熱された場合でも、光電変換効率の劣化をより抑制し得るバルクへテロ接合型光電変換素子、光アレイセンサおよび放射線画像検出器を提供する。
【解決手段】本発明では、Ｐ型半導体材料とＮ型半導体材料とを混合したバルクヘテロ層を備えるバルクへテロ接合型光電変換素子１０において、前記Ｐ型半導体材料および前記Ｎ型半導体材料のうち、融点の低い半導体材料が予め設定された光電変換率を与える混合比よりもリッチであることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】半導体装置の性能を向上させる。
【解決手段】本発明の半導体装置の製造方法で製造された半導体装置１は、量子ドット２０が積層する構造を有した半導体装置であり、半導体層１１上に成長させた量子ドット２０と、量子ドット２０を被覆し巨大な量子ドットを被覆しない、半導体層１１上に形成させた半導体層１２と、半導体層１２上、及び巨大な量子ドットを除去して半導体層１２に発生した除去部分２２に形成させた半導体層１３と、を備えている。これにより、量子ドット２０の密度、形状が均一に形成された半導体装置１が実現される。その結果、量子ドット２０の欠陥に起因した半導体装置１の特性不良が低減し、且つ積層構造による特性向上によって、半導体装置１の性能がより向上する。 （もっと読む）

【課題】可視光及び赤外光に対応した画素を備える固体撮像装置の赤外光に関する感度及び飽和出力を向上し且つ混色を抑制する。
【解決手段】固体撮像装置は、第１導電型の半導体基板１０１に、第１導電型の第１不純物層（１０５又は１５５）及び第１不純物層の下方に位置する第２導電型の第２不純物層（１０９又は１５９）を有する光電変換部（１０３又は１５３）をそれぞれ備えた複数の画素が配列され、複数の画素は、可視光に対応する可視光用画素Ｂ及び赤外光に対応する赤外光用画素Ａを含む。赤外光用画素Ａにおける第２不純物層１０９は、可視光用画素Ｂにおける第２不純物層１５９よりも深い位置に設けられている。赤外光用画素Ａにおいて、第１不純物層１０５と第２不純物層１０９との間に、第１導電型の第３不純物層１０６を更に備える。 （もっと読む）

【課題】
１０Ｋ以上の温度でも漏洩電流が小さく、電子あるいは正孔のトラッピングが少なく電荷生成量の多い表面障壁型あるいはｐｎ接合型のＩｎＳｂ単結晶を用いた半導体放射線検出器を製作する。
【解決手段】
放射線の検出媒体として、不純物を人工的にドープしない高純度ＩｎＳｂ単結晶を用い、かつダイオード特性を得るため、Ａｕ−Ｐｄを用いて表面障壁型電極を形成した半導体放射線検出器を製作する。特性試験の結果、４．２Ｋでのダイオード特性は素子抵抗が１．４ｋΩと大きく、電荷有感型前置増幅器の出力信号のライズタイムも０．４μｓと短く、電子あるいは正孔のトラッピングの少ない半導体放射線検出器となることが確認された。また、本半導体検出器は２Ｋから５０Ｋの温度範囲でα線スペクトルを測定できた。 （もっと読む）

【課題】本発明は、多波長光信号と基準信号とを、波長により、多数のスペクトルチャネルと基準スペクトル成分とに分離する新規な方法及び装置を提供する。
【解決手段】基準スペクトル成分を所定の位置に位置合わせすることにより、スペクトルチャネルは、同時に、例えば、スペクトルアレイに基づいて位置させられたビーム受信素子のアレイ上のような指定された位置の上に衝突する。基準スペクトル成分を、さらに、サーボ制御により所定の位置に維持して、これによりスペクトルチャネルが指定された位置に位置合わせされた状態のまま留まるようにすることを確実にすることができる。本発明は、ＷＤＭ光通信用途のために、スペクトルパワーモニタ、及び光学マルチプレクサ／デマルチプレクサを含むサーボをベースにした光学系の新しいラインを構成するのに用いることができる。 （もっと読む）

【課題】素子の微細化に対応して、光電変換部への集光を効果的に行い、受光面積を確保して、小型で高感度な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】フォトダイオード部ＰＤの表面幅ｂが遮光膜９の表面と同等の高さかまたは遮光膜９の表面よりも高く、従来技術に比べてオンチップレンズとフォトダイオード部との距離が飛躍的に短くなるため、従来技術のように層内レンズを設けなくても、容易にフォトダイオード部に入射光を集光させることができる。また、遮光膜９の開口部ａの面積よりもフォトダイオード部ＰＤの表面積が同等または大きく、画素を微細化して画素サイズを小さくしても、受光面積が遮光膜９の開口面積により制約されないため、より広い受光面積を確保することができる。さらに、フォトダイオード部ＰＤの表面ｂが上に凸の半球状であれば、これがレンズの役割を果たすため、フォトダイオード部ＰＤへ効率的に入射光を集光させることができる。 （もっと読む）

【課題】光通信に用いる光ファイバと光反射面と搭載すべき光素子との位置合わせを精度良く確実に行える光素子用基板を提供する。
【解決手段】光素子２４が搭載される表面２（２ａ）、および裏面３を有する樹脂製の成形体ｓからなり、かかる成形体ｓの表面２（２ｂ）に形成した複数の光ファイバ２０用の挿入溝１０と、かかる複数の挿入溝１０の一端ごとに位置し、且つ挿入される光ファイバ２０の端面に接触する垂直なファイバ停止面１２と、少なくとも上記光ファイバ用の挿入溝１０の上記ファイバ停止面１２に隣接すると共に、上記成形体ｓの表面２（２ａ）側に向かって広がるように傾斜する光反射面８と、を含む、光素子用基板１。 （もっと読む）