【課題】 誘電体多層膜による光フィルムの出射面側に受光素子を配置した光学系において、光フィルムに斜め入射した光と受光素子の受光部との光結合を防止する。
【解決手段】 受光素子１自体に遮光膜層７を形成する。すなわち、受光素子１の入射面側に遮光膜層７を形成し、この遮光膜層７のｐ領域４に相当する位置に開口部８を設ける。この開口部８の大きさは、入射面から受光部領域のｐ領域４に至るまでの距離に基づいて、ｐ領域４に平方光かそれに近い光のみが結合するように設定する。 （もっと読む）

【課題】 光ノイズを簡便に除去することができる半導体受光素子及び半導体受光装置を提供する。
【解決手段】 半導体受光素子の受光面表面に、直接、波長選択性を有するフィルタを備えている。このフィルタは、中心波長９１０ｎｍの光をほぼ遮断し、赤外線リモコン信号の光を透過させるような波長選択性を有している。中心波長１０１３ｎｍの光を遮断する構造としても好適である。 （もっと読む）

【課題】隣接する画素から漏れ込む光によって発生する混色を抑制することが可能な固体撮像素子を提供する。
【解決手段】光電変換がなされるセンサ部１１と、センサ部１１に対応するカラーフィルタ１５との間に設けられた遮光層１７とからなり、遮光層１７が、画素分離部に沿ってセンサ部１１に対して垂直、又は、略垂直に形成されている固体撮像素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】シンチレータの発光取り出し効率、鮮鋭性が高く、平面受光素子面間での鮮鋭性の劣化が少ないシンチレータパネルを提供する。
【解決手段】基板１上に反射層３及びシンチレータ層２を設けて成るシンチレータパネル１０であって、該反射層３とシンチレータ層２の間に極大吸収波長が５６０〜６５０ｎｍである光吸収層４を有する。光吸収層４は顔料もしくは染料等、有機系または無機系の着色剤を含有させ、厚さは鮮鋭性および発光光取りだし効率の観点で０．２〜２．５μｍが選択される。 （もっと読む）

【課題】 従来の光電変換装置では、不要な赤外光をカットするが、それとともに可視光領域の光の透過率までも減少していまうという課題があった。
【解決手段】 本発明では、光電変換素子が形成された半導体基板２と、半導体基板２上に設けられたカラーフィルター８と、カラーフィルター８上に接着された支持基体２１とを備え、支持基体２１は、複数の誘電体層が積層された赤外光を反射する干渉膜フィルター１１を有する光電変換装置によって上記課題を解決することができる。さらに、カラーフィルター８の光透過特性を人間の視感度に調整することで、人間の視感度に調整した光電変換装置を実現できる。 （もっと読む）

【課題】半導体素子と電極板とが積層構造とされた半導体放射線検出器において、半導体素子を好適に保持し、また、放射線検出の感度を向上させる。
【解決手段】入射した放射線を電気信号に変換する半導体素子１１と、金属製の電極板１２Ｃ，１２Ａとが導電性接着剤１４によって交互に複数接着されて積層構造とされた半導体放射線検出器１であって、積層構造を構成する少なくともひとつの電極板１２Ｃ，１２Ａには、半導体素子１１に接する領域に切欠部１３が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、光電変換効率が高く、電子写真感光体や太陽電池或いは光センサーとして有用な新規なジフタロイルピレン系化合物及びジフタロイルピレン系化合物の製造方法を提供することであり、又、該ジフタロイルピレン系化合物を用いた電子写真感光体、光電変換素子、太陽電池、光センサーを提供することである。
【解決手段】下記一般式（１）で表されることを特徴とするジフタロイルピレン系化合物。
【化１】
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【課題】放射線画像検出器における、下部層との界面、上部層との界面での結晶化を防止して、電子走行性を改良し、経時による画像欠陥の増加を抑制する。
【解決手段】放射線画像を担持した記録用の電磁波を透過する第１の電極１と、第１の電極１を透過した前記記録用の電磁波の照射により電荷を発生する、アルカリ金属を含むアモルファスセレンを主成分とする記録用光導電層３と、複数の電荷収集電極４と、基板５とをこの順に積層してなる放射線画像検出器において、第１の電極２と記録用光導電層３との間に、結晶化防止層２としてＡｓ、Ｓｂ、Ｂｉからなる群より選ばれる少なくとも１つの元素を５％〜４０％含有するアモルファスセレン層を設ける。 （もっと読む）

【課題】製造が容易な光電変換装置およびその製造方法を提供すること。
【解決手段】透明基板２と、この透明基板２上に配置された複数の有機光電変換素子７とを有する光電変換装置２０を作製するにあたって、複数の有機光電変換素子それぞれの構成を、透明基板２上に配置された透明電極３と、この透明電極上にインクジェット方式により形成された有機光電変換部４と、この該有機光電変換部４上に配置された背面電極６とを有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】放射線検出性能が良好で、十分な強度を備えると共に大面積とすることが容易である半導体放射線検出器を安価に製造できる製造方法を提供する。
【解決手段】低抵抗のＮ型のＳｉ基板１１が高温還元雰囲気中に置かれた状態で、ＧａＡｓ粉末あるいはＧａＡｓ結晶を分解してＳｉ基板１１上に砒素を付着させ、砒素被覆層１２を形成する。砒素被覆層１２の形成されたＳｉ基板１１上に、ＭＯＶＰＥ法により高抵抗のＰ型のＣｄＴｅ成長層１３が積層形成される。ＣｄＴｅ成長層１３の表面には電極１６が、Ｓｉ基板１１の裏面には共通電極１７が形成される。 （もっと読む）

本願が記載するのは、集積回路の設計、及び、その集積回路を製造するための方法である。この集積回路は、効率が高く、雑音が低く、位置に敏感な、Ｘ線検出器のための、集積回路である。このＸ線検出器を、とりわけ医療で応用する。Ｘ線検出集積回路素子３５０は、深い凹部３５４に基づく。深い凹部３５４を、Ｘ線を検出するシンチレーター材料で満たす。浅い第１の電極３６０を、基板３５２の側壁の面に形成する。側壁は、２つの隣り合う凹部３５４を分離する。この側壁の電極３６０を、ウエハーの表面の特定の電極３６３の構造と組み合わせる。この組み合わせにより、素子３５０の側壁を完全に空乏化することになる。これにより、信号の電荷が、低容量の読み出し電極３６３に向けて移動することになる。記載の集積回路素子３５０は、効率が高い光の収集及び深さに依存しない光の収集を、確実にする。
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【課題】 検出素子の支持体としてマイクロエアブリッジ構造体を有し、感度の向上、特性劣化の改善、チッピング不良の改善を図った熱型赤外線検出装置、およびその製造方法を得る。
【解決手段】 熱型赤外線検出装置のセンサ部は、ＳＯＩ基板２７上にＩＣＰドライエッチングプロセスによってマイクロエアブリッジ構造体１１を形成し、その活性領域１２に複数のｐｎ接合ダイオードからなる半導体ダイオード部１８を形成し、その上面に金属反射膜１５および赤外線吸収層１４を順に設ける。前記金属反射膜１５は、ｐｎ接合ダイオードの特性劣化の改善のためのアニール時の発熱体として用いると共に、照射赤外線を前記赤外線吸収層１３に集光して感度を高める反射膜としても使用する。また前記センサ部を有するウェハの切断線上の配線には基板内部に設けた拡散抵抗配線３３、３４を用い、金属薄膜による配線を追放することで切断時のチッピング不良を解決する。 （もっと読む）

【課題】有機光電変換素子間でのクロストークを抑え易い有機光電変換素子アレイおよびこれを用いたイメージセンサを提供すること。
【解決手段】基板１と、該基板１上に配置された複数の有機光電変換素子６とを備えた有機光電変換素子アレイＡ₁を作製するにあたり、複数の有機光電変換素子６の各々は、基板１上に配置された第一電極２と、該第一電極２上に配置された光電変換層３と、該光電変換層３上に配置された第二電極４と、光電変換層３と第一電極２または第二電極４との間に配置されたバッファ層５とを有する構成とし、かつ個々の有機光電変換素子６におけるバッファ層５および光電変換層３のうちの少なくとも一方を有機光電変換素子６毎に分離する。 （もっと読む）

【課題】受光部への集光率が高い固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置１において、シリコン基板２を設け、シリコン基板２の表面部の一部にＰ型ウェル３を形成し、その表面部の一部にＮ型領域４を形成する。また、シリコン基板２上に多層配線層５を設け、この多層配線層５内におけるＮ型領域４の直上域に、Ｎ型領域４に接合するようにＰ^＋型Ｓｉ層２２を設ける。そして、Ｐ^＋型Ｓｉ層２２内の不純物濃度を、Ｎ型領域４から離れるにつれて低下させる。 （もっと読む）

【課題】 容易にかつ精度よく光学素子を製造することのできる光学素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板２２の受光面２４を除く領域を覆うカバー層４６，４７を形成した後、基板２２の受光面２４に透光層２３ａ，２３ｂを複数積層して透光部２３を形成する。次に、カバー層４６，４７とともに、透光部２３の除去部分２３Ｂを除去する。透光部２３の除去部分２３Ｂをエッチングによって除去するのではなく、カバー層４６，４７を除去することで、各透光層２３ａ，２３ｂのエッチング速度の違いにかかわらず、透光部２３の除去部分２３Ｂを精度よく除去することができる。これによってドライエッチングを行うことなく、透光部２３の残留部分２３Ａを精度よくパターン形成することができる。 （もっと読む）

【課題】電圧印加電極と光導電層の界面に整流特性を持たせ、感度を損なうことなく暗電流を低減することが可能であって、界面での剥離の問題を解消することが可能な放射線検出器を提供する。
【解決手段】バイアス電圧が印加される電圧印加電極13と、放射線の照射を受けて電荷を発生する、ａ−Ｓｅからなる記録用光導電層14と、キャリア収集電極17と、記録用光導電層14において発生した電荷を蓄積する蓄電部および該蓄電部に蓄積された電荷信号を読み出すスイッチ素子20とをこの順に積層してなる放射線検出装置において、記録用光導電層14と電圧印加電極13との間に、膜厚が０．０１μｍ以上１μｍ未満、比抵抗が１０^１２Ωｃｍ以上、熱膨張係数が６×１０^−６〜１．５×１０^―４／℃の有機樹脂誘電体層16を設ける。 （もっと読む）

【課題】 光学素子を安価に、また容易に精度良く製造することのできる光学素子の製造方法、およびそれに用いるエッチング方法を提供する。
【解決手段】 受光基板１１を準備し、受光基板１１の受光面１２および、受光基板１１の一表面のうちで受光面１２以外の部分の少なくとも一部分を覆うように透光部１３を形成する。透光部１３のうちで受光基板１１の受光面１２以外の部分を覆う部分、たとえば電極被覆部１３ａにレーザ光を照射し、孔部２４に孔を形成する。この孔部２４の孔にエッチング液を充填して透光部１３をエッチングする。これによって、ドライエッチング法を用いることなく透光部１３を精度良くエッチングすることができるので、光学素子を安価に、また容易に精度良く製造することができる。 （もっと読む）

【課題】 ノイズを低減し、ＳＮ比を向上させた光電変換装置を提供する。
【解決手段】 半導体基板に配される第１導電型の第１の半導体領域と、その一部と光電変換素子を構成する第２導電型の第２の半導体領域と、光電変換素子で生成した電荷を第２導電型の第３の半導体領域へ転送するゲート電極とを有している。さらに、光電変換素子と隣接する素子とを電気的に分離する素子分離領域と、第２の半導体領域と素子分離領域を介して隣接する、その隣接する素子を構成する第２導電型の第４の半導体領域とを有し、ゲート電極へ電位を与えるための配線が素子分離領域上に配されている。ここで、第４の半導体領域と素子分離領域との間に、第４の半導体領域の不純物濃度よりも低い不純物濃度を有する第２導電型の第５の半導体領域を有する。 （もっと読む）

【課題】有機金属気相成長法により作成する放射線検出器において、放射線吸収層とするｐ型CdTe厚膜層のイオン化不純物密度を低減することを提供する。
【解決手段】放射線検出部とするｐ型厚膜CdTe層（100〜500mm）の形成を、成長温度400℃以上で微量のn型不純物を導入しながら成長する。 （もっと読む）

【課題】残像が少なく良好な画質のカラー画像を撮像できるハイブリッド型の光電変換膜積層型固体撮像素子を提供する。
【解決手段】光電変換膜４３で緑色入射光量を検出し、フォトダイオード３７で青色、フォトダイオード３６で赤色の各入射光量を検出するハイブリッド型の光電変換膜積層型固体撮像素子において、光電変換膜４３の検出信号を読み出す信号読出回路５０をリセットトランジスタ１３と行選択トランジスタ１２と出力トランジスタ１１の３トランジスタで構成される信号読出回路５０とし、フォトダイオード３７，３６の検出信号を読み出す信号読出回路を読出トランジスタ１４Ｂ（または１４Ｒ）とリセットトランジスタ１３と行選択トランジスタ１２と出力トランジスタ１１の４トランジスタで構成される信号読出回路５１とする。 （もっと読む）