【課題】合焦ずれ量を所定値に設定することができ、かつ、ジッタ及びビットエラーレートの悪化を防止でき、さらに、光ピックアップ装置の部品コスト及び組立調整コストが高くなるのを防止できる光半導体装置を提供する。
【解決手段】受光素子６は光電変換するための光入射面を有する。受光素子６上には屈折率可変部７が配置され、受光素子６の光入射面に屈折率可変部７が接している。屈折率可変部７の屈折率を可変することにより、受光素子６の光入射面に入射する光の屈折率可変部７の光路長を調整することができる。 （もっと読む）

光活性ファイバならびにこのようなファイバを製作する方法を提供する。ファイバは、第1電極を含む導電性コアを有する。有機層が第1電極を取り囲み、第1電極に電気的に接続されている。透明な第2電極が有機層を取り囲み、有機層に電気的に接続されている。遮断層またはスムージング層などのその他の層もファイバの中に組み込まれてもよい。ファイバを布地に織ってもよい。
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半導体放射線検出器デバイスが、第１導電型の導電裏面層（１０２）およびバルク層（１０３）を含む。導電裏面層（１０２）の反対面に、第２導電型の改変内部ゲート層（１０４）、第１導電型のバリア層（１０５）、および第２導電型のピクセル・ドーピング（１１０、１１２、５０６、５１０、５１２）がある。ピクセル・ドーピングは、ピクセル電圧に結合されるように適合され、この電圧は、導電裏面層（１０２）の電位に対する電位差として定義され、信号電荷を捕捉するための検出器材料内部に電位極小点を形成する。 （もっと読む）

【課題】埋込フォトダイオードを電荷生成部に有するＣＭＯＳ型固体撮像装置において、暗電流をさらに低減できるようにする。
【解決手段】半導体基板２１１の表面側に信号電荷蓄積層である第１センサ領域２２１を形成し、第１センサ領域２２１の上部にホール蓄積層である第２センサ領域２２２を形成することで、埋込フォトダイオード２３２を形成する。フローティングディフュージョン部２３８をなす拡散層２４６とフォトダイオード２３２との間に転送トランジスタ２３４をなす転送ゲート電極２４８を形成する。この転送ゲート電極２４８を、少なくともそのチャネル側がｐ型半導体またはそれに準じる仕事関数の物質で形成する。仕事関数差を利用することで、転送ゲート電極２４８の電位を実質的に負電位にして、転送ゲート電極２４８下にホールを蓄積する効果を享受できるようになり、転送ゲート下界面からの暗電流の発生を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】入射光を効率良く光電変換することができる面型光電変換素子を提供する。
【解決手段】光電変換層の一方の面を受光面とする光電変換素子において、光電変換層１０２の受光面の反対側に入射光を反射する反射層１０３を設ける。このため、受光面から入射し、光電変換層１０２でエネルギー吸収されずに光電変換層１０２の底部に到達した入射光を反射層１０３によって反射し、入射光の光路長を長くすることができ、もって光電変換効率を高めることができる。 （もっと読む）

【課題】 光利用率の良い光検出器を持つＸ線検出装置、および、そのようなＸ線検出装置を備えたＸ線ＣＴ装置を実現する。
【解決手段】 Ｘ線をシンチレータで光に変換して光検出器で検出するＸ線検出装置であって、光検出器は、６角形の受光面がハニカム状の２次元アレイを形成するように配列された複数の受光素子（５４２）を具備する。６角形は正６角形である。２次元アレイは円筒状に湾曲したアレイである。２次元アレイは平面的なアレイである。受光素子は半導体受光素子である。半導体受光素子がはフォトダイオードである。フォトダイオードはシリコン・フォトダイオードである。フォトダイオードはバックリット型のフォトダイオードである。 （もっと読む）

本発明は、第１基板の面上に位置する領域と第２基板の面上に位置する対応する領域との間の局所的な電気接続を可能にする組立方法に関し、前記面は互いに向かい合い、前記基板の少なくとも１つは表面トポグラフィーを有する。本方法は、前記基板を互いに前記基板の面の分子結合にトポグラフィックに適合するように、表面トポグラフィーを有する前記１つの基板または２つの基板の前記面に少なくとも１つの埋込層を含む中間層を形成する段階であって、前記局所的な電気接続を可能にするように前記中間層の抵抗率及び／又は厚さが選択される段階と、前記２つの表面を接触させる段階であって、前記第１基板上に位置する領域と前記第２基板上に位置する前記対応する領域との間の電気接続を保証することができる方式で前記基板を位置させる段階と、によって特徴付けられる。
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【課題】 ＬＤとＰＤとの間隔を短くしてもクロストークの起こりにくい構成が可能な１チップ光素子を提供する
【解決手段】 Ｆｅ−ＩｎＰ基板３０の表面に配設された面発光レーザ１０ａとフォトダイオード１０ｂを、Ｆｅ−ＩｎＰ基板に掘り込まれたトレンチ１２により分離すると共に、面発光レーザ１０ａとフォトダイオード１０ｂとの表面を、ＳｉＮ膜２２を介して金属膜２４で覆ったもので、面発光レーザ１０ａに供給する電気信号とフォトダイオード１０ｂから取り出される電気信号とによる電界が、金属膜２４により面発光レーザ１０ａ、フォトダイオード１０ｂそれぞれの内部に閉じ込められて、外部に漏れることはないので、面発光レーザ１０ａ、フォトダイオード１０ｂ相互間における電気信号のクロストークが除去される。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサーの面積を縮小するとともに微細で簡単なセンサー回路を達成し、製造プロセスが容易な高感度のイメージサンサーを提供する。
【解決手段】半導体基板上に、少なくとも２つの垂直積層感光性センサーとセンサー群アレイを有する垂直カラーフィルターセンサー群を形成する。センサー群の少なくとも１つのセンサーのキャリア収集要素は、センサー群の各々の最小サイズのキャリア収集要素よりも、最上部センサーの最上部面によって定義される法線軸に対して垂直な面に投影された、実質的に大きな面積を持つ。センサー群アレイは、少なくとも１つのキャリア収集要素を共有する少なくとも２つのセンサー群を含む。またセンサー群は、フィルターを通して伝播したか又はフィルターから反射した放射線がセンサー群の少なくとも１つのセンサーへ伝播するように、センサーに対して配置された少なくとも１つのフィルターを含む。 （もっと読む）

半導体デバイスであって、第１の伝導型の半導体材料の第１の領域（１００）を含む半導体デバイス。半導体デバイスは、第１の伝導型の半導体材料の第１の領域（１００）中に突出する第２の伝導型の半導体材料の細長い空間要素（１１１、１１２、１１３）と、動作時に空間要素を第２の伝導型の多数キャリアから空乏化するように調節されたバイアス電圧源とを含む。本発明に従う半導体デバイスは、スミアに対して耐性を有し、１に等しいフィル・ファクタを有し、低い総容量のせいで進歩した感度を提供する。
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電磁ビーム（１７）の検出用の1つ又は複数のビーム感応ゾーン（７，８，９）を有する半導体チップ（２）を有するビーム検出光電素子において、ビーム感応ゾーン（７，８，９）内の電磁ビーム（１７）のフォーカシングが、回折素子（１）によって行われ、この回折素子（１）は、有利には、半導体チップ（２）内に集積化されている。回折素子（１）は、殊に、ゾーンプレートにするとよい。
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【課題】 低雑音な熱酸化膜素子分離構造を有する固体撮像装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基板１上に複数の単位画素が配列された撮像領域を備える固体撮像装置であって、単位画素は、入射光を光電変換するフォトダイオード３と、フォトダイオード３で得られた電荷を読み出すトランジスタと、トランジスタを、トランジスタと隣接するトランジスタと分離する、絶縁体から成る素子分離部２とを備え、素子分離部２が半導体基板１を侵食する深さは、半導体基板１を侵食する幅よりも大きいか同等である。素子分離部２は、空洞を有してもよい。素子分離部２の製造方法は、ドライエッチング法によって半導体基板１を侵食して侵食領域を形成するステップと、侵食領域の側壁を、半導体基板１から化学反応によって生成された熱酸化物によって充填するステップとを含む。 （もっと読む）

本発明は、マトリックス状に配置された複数の球状素子を有する受光又は発光モジュールシートに関する。本発明の目的は、良品の球状素子のみで構成すること、光電変換効率を向上させることなどである。 受光モジュールシート（１）は、マトリックス状に配置された複数の球状の太陽電池素子（２）と、網目状部材（３）と、シート部材（４）とを備えている。各太陽電池素子（２）は、球面状のｐｎ接合（１３）と、ｐｎ接合（１３）の両極に接続され太陽電池素子（２）の中心を挟んで対向する位置に形成された正負の電極（１４，１５）とを備えている。網目状部材（３）は、各列の複数の太陽電池素子（２）を電気的に並列接続する平行に配置され
た複数の導電線（２０，２１）と、太陽電池素子（２）の行と行との間に導電線（２０，２１）と直交状に配置され、複数の導電線（２０，２１）を固定するために網目状に織られた絶縁性の張力線材（２２）とを有する。
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ｎ型半導体基板５にはその表面側において、ｐ型領域７がアレイ状に２次元配列されている。隣接するｐ型領域７同士の間には、高濃度ｎ型領域９及びｐ型領域１１が配置されている。高濃度ｎ型領域９は、表面側から見てｐ型領域７を取り囲むように、基板５の表面側からｎ型不純物を拡散して形成されている。ｐ型領域１１は、表面側から見てｐ型領域７及び高濃度ｎ型領域９を取り囲むように、基板５の表面側からｐ型不純物を拡散して形成されている。ｎ型半導体基板５の表面側には、ｐ型領域７に電気的に接続される電極１５と、高濃度ｎ型領域９及びｐ型領域１１に電気的に接続される電極１９とが形成されている。これにより、クロストークの発生を良好に抑制することと、初期的な接続エラーもしくは温度サイクル等による接続点の破損によって、あるホトダイオードが電気的にフローティングな状態になった場合においても、隣接するホトダイオードへのキャリアの流れ込みを抑制することが可能な半導体光検出素子及び放射線検出装置が実現される。 （もっと読む）

本発明はマトリックス（２、２０）の行（Ｙ１〜Ｙ３）と列（Ｘ１〜Ｘ３）との交点に分布する感光画素（Ｐ１〜Ｐ９）のマトリックス（２、２０）を備える感光装置（１、１’）を駆動する方法に関する。本発明は特に（排他的ではなく）放射線画像の検出に用いられるような装置の制御に関する。この方法はマトリックス（２、２０）を画像取得段階の前にリセット段階を含む画像化周期にかけるステップを含む。マトリックス（２、２０）の行がいくつかの群に分配されており、この方法はリセット段階中に任意の１つの群のすべての行を同時にリセットするステップを含み、さらに行の各群を連続してリセットするステップを含む。
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