【課題】逆方向耐圧を向上させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】一導電型の半導体層１００と、絶縁体層１３０と、絶縁体層中に設けられた半導体層２１０と、半導体層２１０に設けられた能動素子２０と、半導体層１００の前記一主面２０１に設けられた他の導電型の半導体領域１１２と、半導体領域１１２内に設けられた他の導電型であって半導体領域１１２よりも高不純物濃度の半導体領域１１４と、絶縁体層１３０に設けられたスルーホール１４４内に半導体領域１４４に接続して設けられた導電体１５４と、絶縁体層１３０上または中に設けられた導電体２１４であって、導電体１５４の周囲に設けられ、外側端部が半導体領域１１４よりも外側にある導電体２１４と、導電体１５４と導電体２１４とを接続して設けられた導電体１９２と、半導体層１００に接続して設けられた導電体１５２，１２０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】短絡電流密度と曲線因子の両立が可能な、光電変換効率の高い有機光電変換素子、この有機光電変換素子を用いた太陽電池及び光アレイセンサを提供することにある。
【解決手段】透明電極、対電極、及びｐ型半導体材料とｎ型半導体材料が混合されたバルクヘテロジャンクション層を有する有機光電変換素子において、前記バルクヘテロジャンクション層のｎ型有機半導体材料が、結晶性のフラーレン誘導体と、非晶性のフラーレン誘導体とを、１：９９〜９９：１の比率で混合した組成物であることを特徴とする有機光電変換素子。 （もっと読む）

【課題】高い曲線因子を提供しうるフラーレン誘導体を含有する有機光電変換素子、太陽電池及び光センサアレイを提供する。
【解決手段】対極と透明電極の間に、少なくとも下記一般式（１）で表される化合物を含有する有機層を有することを特徴とする有機光電変換素子。（式中、ＦＬＮはフラーレンを表す。Ａは芳香族環を形成するに必要な原子群を表す。Ｒ_１は水素原子または置換基を表す。）
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【課題】ＣＭＯＳ等と接続してハイブリッド型検出装置を形成するときオープン不良を生じにくい、受光素子アレイ等を提供する。
【解決手段】化合物半導体の受光素子アレイは、ＣＭＯＳ等との接続のためにバンプが設けられた電極が複数配列されており、電極が配列された領域は、中心から距離に応じて領域Ｓ_１，Ｓ_２，Ｓ_３に分けられており、外側の領域の、領域面積当たりのバンプの占有面積が中心側の領域のそれより大きくなるように、外側の領域のバンプの個数の密度が、中心側の領域のそれより大きいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】組立て作業性を損なうことなく、周波数特性を向上させ得る、裏面入射型半導体受光素子、それを内蔵する光受信モジュールおよび光トランシーバを提供する。
【解決手段】裏面入射型半導体受光素子１８は、矩形状のＦｅドープＩｎＰ基板１と、基板表面における１辺（上辺）側の中央部に形成された、基板裏面から入射される光を受光するＰＮ接合部を有する受光メサ部２と、受光メサ部２の上面に形成された、ＰＮ接合部の一方側に導通するＰ型電極４と、基板表面における１辺（上辺）側の１隅部に形成されたＮ型電極メサ部９と、Ｎ型電極メサ部９の上面まで引き出された、ＰＮ接合の他方側に導通するＮ型電極５と、基板表面における他の３つの隅部を含む領域に形成されたＰ型電極メサ部８およびダミー電極メサ部１０と、ダミー電極メサ部１０の上面に形成されたダミー電極６と、を含む。 （もっと読む）

【課題】光信号の伝送状態が単発的な光信号で示される場合であっても、その伝送状態を目視で容易に確認できる光モニタデバイス、および、光信号検出方法を提供する。
【解決手段】伝送情報保持手段８１は、予め定められた閾値を超えるパワーの光信号が光伝送路内を伝送した場合に、その光信号が伝送したことを示す情報である伝送情報を保持する。表示手段８２は、伝送情報が保持されていることを条件に、光信号が伝送したことを表示する。 （もっと読む）

【課題】 光学特性の優れた光伝送基板および光モジュールを提供する。
【解決手段】 発光モジュール１０は、第１電気配線が形成されている基体と、基体の上に形成された、伝送方向Ｄ１，Ｄ２に沿って光を伝送する光導波路３２ａを有している光学層３０と、光学層３０を厚み方向に貫通して形成された、第１電気配線に接続されている第１貫通導体４２と、光学層３０の上に形成され且つ第１貫通導体４２に接続された、光電変換を行う光素子に接続される第２電気配線４３とを有しており、第２電気配線４３は、第１貫通導体４２に接続されている第１接続部４３ａと、光素子に接続される第２接続部４３ｂと、第１接続部４３ａおよび第２接続部４３ｂの間を接続している主配線４３ｃとを有しており、第１接続部４３ａおよび第２接続部４３ｂの幅に比べて主配線４３ｃの幅が狭くなっている。 （もっと読む）

【課題】特定の構造の化合物を光電変換素子に適用した場合に光電変換素子として機能し、かつ、その素子は低い暗電流を示し、かつ該素子を加熱した場合にも暗電流の増加幅を小さくすることが可能な光電変換素子及びそのような光電変換素子を備えた撮像素子を提供すること。
【解決手段】透明導電性膜と導電性膜との間に挟持された、光電変換層及び電子ブロッキング層を含む光電変換膜を有する光電変換素子であって、前記電子ブロッキング層が環構造を３つ以上含む置換アミノ基を置換基に有する化合物を含む事を特徴とする光電変換素子。 （もっと読む）

【課題】小型化、低コスト化を実現することが可能な光送受信装置を提供すること。
【解決手段】本発明は、光ファイバ２０から出射される受信光を受光する第１のフォトダイオード１６と、第１のフォトダイオード１６の受光面４２ａと同一面を形成する受光面４２ｂを有する第２のフォトダイオード１７と、第１のフォトダイオード１６と第２のフォトダイオード１７とに向かって、光ファイバ２０に入射される送信光を出射するレーザダイオード１４と、第１のフォトダイオード１６の受光面４２ａ上に設けられ、レーザダイオード１４が出射する送信光の一部を光ファイバ２０に向かって反射させ、且つ光ファイバ２０から出射される受信光を透過する薄膜１８と、を具備し、第２のフォトダイオード１７は、レーザダイオード１４が出射する送信光の他の一部を受光する光送受信装置である。 （もっと読む）

【課題】小型化可能な光学センサー及び電子機器等を提供すること。
【解決手段】光学センサーは、半導体基板１０上に形成された、フォトダイオード用の不純物領域３１、３２と、フォトダイオードの受光領域に対する入射光の入射角度を制限するための角度制限フィルター４１、４２と、を含む。角度制限フィルター４１、４２は、フォトダイオード用の不純物領域３１、３２の上に半導体プロセスによって形成された遮光物質（光吸収物質または光反射物質）によって形成される。 （もっと読む）

【課題】 高周波特性が改善された光レシーバ装置を提供する。
【解決手段】 光レシーバ装置は、出力端子となる第１電極と接地電位とは異なる電源が接続される第２電極とを有する受光素子と、アンプ素子を搭載するとともに上面に信号電極および接地電極からなる接続端子が設けられてなるアンプ回路と、信号電極に対し上面側から受光素子の第１電極の電位を接続する第１導体と、接地電極に対し上面側から受光素子の第２電極の電位を、第１コンデンサを介して接続する第２導体と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高温熱処理後における性能劣化を防止し、かつ、高い性能を得ることのできる光電変換素子を提供する。
【解決手段】一対の電極（画素電極６、対向電極１０）と、画素電極６及び対向電極１０の間に設けられた有機化合物を含む光電変換層９と、光電変換層９と画素電極６との間に設けられた電荷ブロッキング層７とを有する有機光電変換素子Ｐであって、光電変換層９と電荷ブロッキング層７との間に設けられ、ガラス転移温度が２００℃以上の有機化合物で構成された中間層８を備える。 （もっと読む）

【課題】バルク中の不純物に起因するバルク中の漏れ電流および素子の表面の漏れ電流を低減する。
【解決手段】シリコン基板１１の表面に設けられたシリコン熱酸化膜２１を、窒素および水素を含有する雰囲気中（例えば、アンモニア雰囲気中）で熱窒化することによって、シリコン熱酸化膜２１の少なくとも一部の表面に該シリコン熱酸化膜２１が窒化されてなるシリコン窒化酸化膜２２を形成し、シリコン基板１１とシリコン熱酸化膜２１との界面のダングリングボンドを水素により終端する。 （もっと読む）

【課題】接合バンプを用いたフリップチップ実装する製品において、配線基板等に反り等があっても、接続不良をなくし、かつ容易にアラインメントをとることができる、実装製品の製造方法等を提供することを目的とする。
【解決手段】フォトダイオードアレイの電極１１とＲＯＩＣ５０の電極７１とが、接合バンプ７９，９を介在させて接合された実装製品の製造において、ＲＯＩＣの電極７１に接合バンプ７９を形成する工程と、ＲＯＩＣの全体の接合バンプ７９を化学機械研磨（ＣＭＰ：Chemical Mechanical Polishing）する工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ハイブリッド型撮像装置などの検出装置等において、その電極／接合バンプの接触抵抗を低くし、接合強度を高くすることができ、かつ受光素子アレイ等の本体にダメージが生じにくい、検出装置等を提供する。
【解決手段】近赤外域の受光素子アレイ５０と、読み出し回路を構成するＣＭＯＳ７０とを備え、１つまたは２つの接合バンプ７９，９を挟んで、受光素子アレイの電極１１と読み出し回路の電極７１とが接合され、読み出し回路において、電極の対応部に開口部７８をあけられて、該電極が設けられた側の面７４を覆う樹脂層７５を備え、樹脂層の開口部の壁面等被覆するカップ状金属Ｋと、電解めっきで形成された接合バンプ７９とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】テラヘルツ波の発生及び検出のために使用される光伝導スイッチングアンテナ素材を提供する。
【解決手段】本発明による光伝導体素子は、光伝導体基板と、光伝導体基板の上に積層された光伝導体薄膜と、光伝導体薄膜の上に形成された光伝導アンテナ電極とを含み、光伝導体薄膜は、多結晶ＧａＡｓを含む。 （もっと読む）

【課題】 電子機器類において、その電極／接合バンプの接触抵抗を低くし、かつ接合強度を高くすることができる、電子機器、バンプ接合された複合型電子機器、検出装置、受光素子アレイ、および、これらの製造方法を提供する。
【解決手段】 接合バンプ９に接合される電極を有する電子機器５０,７０であって、電極１１，７１，１２，７２に、凹部Ｋが、該凹部の底部と該凹部以外の電極の面である頂部との平均垂直距離が１００ｎｍ以上となるように、該電極の面にわたって形成されており、かつ、凹部がエッチングにより付されたものであることを特徴とする。 （もっと読む）

ラミネートリードレスキャリアパッケージ（１００）は、光電子チップ（１４５）と、複数の導電層（１１５、１３０）と複数の誘電層（１１０）とが共にラミネートされた、光電子チップを支持するための基板と、基板の頂部表面上に位置する光電子チップおよびワイヤーボンドパッドに結合されたワイヤーボンド（１６０）と、光電子チップ、ワイヤーボンドおよび基板の頂部表面の少なくとも一部をカバーするカプセル封入部（１６５）とを含み、カプセル封入部は、成形コンパウンドであり、パッケージは、横向きとして取り付けられるようになっている。複数のラミネートリードレスキャリアパッケージを製造するための方法は、基板を調製するためのステップと、ダイ取付けパッドにエポキシ接着剤を塗布するステップと、ダイ取付けパッドに光電子チップを取り付けるステップと、光電子チップをワイヤーボンディングするステップと、成形コンパウンドを成形し、光電子チップ、ワイヤーボンドおよび基板の頂部表面の少なくとも一部をカバーするカプセル封入部を形成するステップと、基板を個々のパッケージにダイシングするステップとを含む。
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【課題】発光装置において、発光素子からの光量を高いＳＮ比で検出するとともに、発光素子毎の光量検出において光センサに入射する光量を等しくする。
【解決手段】発光装置１０は、２ｎ個の発光素子Ｅと、入射する光を電気エネルギーに変換するｎ個のフォトダイオードＰＤと、ｎ個のフォトダイオードＰＤから出力される電気信号に基づいて、２ｎ個の発光素子Ｅの光量を調整するコントローラ４０とを備える。フォトダイオードＰＤは、２個の発光素子Ｅに対して１個の割合で設けられ、２個の発光素子Ｅと１個のフォトダイオードＰＤとの位置関係は等しい。 （もっと読む）

【課題】本発明は、上述した従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の主な目的は、暗電流を抑制する有機感光性の光電装置を提供することである。
【解決手段】陽極と、前記陽極の上に形成され、アクセプター部とドナー部を含む有機感光層と、前記有機感光層の上に形成され、前記陽極との間に前記有機感光層を介在させる正孔ブロッキング層と、前記正孔ブロッキング層の上に形成され、前記有機感光層との間に前記正孔ブロッキング層を介在させる陰極と、を有する有機感光性の光電装置を提供する。又、必要に応じて、前記正孔ブロッキング層の最高被占有分子軌道（ＨＯＭＯ）は前記ドナー部の最高被占有分子軌道よりも少なくとも０．３ｅＶ大きい。本発明に係る光電装置は暗電流を有効に抑制し、検出器に適用する際の感度を向上できる。 （もっと読む）