本発明はＸ線を電荷に変換するＸ線用の光検出器に関する。光検出器の活性有機層内にナノ粒子が加えられる。 （もっと読む）

【課題】金属ケース形成部を配置する領域を充分に確保することができ、かつ、入出力用リード端子にモールド樹脂が付着することを防止できるリードフレーム及びこのリードフレームを用いて形成されたリモコン受光ユニットを搭載した電子機器を提供する。
【解決手段】ＩＣチップ２及びＰＤチップ３がそれぞれ搭載される第１チップヘッダ部１１ａ及び第２チップヘッダ部１１ｂと金属ケース形成部１１ｃと複数の入出力用リード端子１１ｄとを備えており、前記入出力用リード端子１１ｄが、第１チップヘッダ部１１ａ及び第２チップヘッダ部１１ｂに対して一つの方向Ｂ１に沿って隣接する位置に配置されており、前記金属ケース形成部１１ｃが、第１チップヘッダ部１１ａ及び第２チップヘッダ部１１ｂに対して一つの方向Ｂ１と異なる他の一つの方向Ｂ２に沿って隣接する位置に配置されている。 （もっと読む）

【課題】放射線画像検出器において、光電変換素子に発生する暗電流による影響を低減し、リセット動作回数を大幅に低減させることで、放射線画像検出器の省電力化を図る。
【解決手段】シンチレータによって変換された光を検出する第２の光電変換素子と、第２の光電変換素子と同じ光電変換特性を有し遮光された第１の光電変換素子とを画素毎に同じ向きに直列に接続する。そうすることで、二つの光電変換素子の暗電流を相殺し、入射した光強度に応じた信号電流のみを検出する。 （もっと読む）

【課題】電荷輸送性に優れる両極性の有機半導体として利用可能な分岐型化合物の提供。
【解決手段】コア部と、該コア部に結合した少なくとも１つの側鎖部と、末端と、から構成される分岐型化合物であって、上記側鎖部の少なくとも１つは、下記一般式（１）で表される繰返し単位が１又は２以上繰り返しており（但し、コア部と結合する前記繰返し単位においては、Ｔがコア部に結合しており、２以上繰り返す前記繰返し単位においては、ＬがＴに結合している。）、Ｌは、共役形成単位が複数連結して構成され、上記共役形成単位として少なくとも一つのチエニレン単位を含み、Ｌの末端（Ｔと結合していない側のＬの末端）に存在する基は、少なくとも２つがアクセプター性の基である、分岐型化合物。


（式中、Ｌは置換基を有していてもよい２価の有機基を示し、Ｔは置換基を有していてもよい３価の有機基を示す。） （もっと読む）

【課題】感度強度のばらつきや、感度波長のばらつきを抑えることが可能な照度センサを提供する。
【解決手段】所定のピーク感度波長を有する第１受光部ＰＤ１と、第１受光部ＰＤ１と比較して長いピーク感度波長を有する第２受光部ＰＤ２とを備え、第１受光部ＰＤ１と第２受光部ＰＤ２とが直列接続された接続点を出力端とし、第１受光部ＰＤ１と第２受光部ＰＤ２とのそれぞれが２以上にほぼ同じ面積で分割された状態で並列接続され、分割された第１受光部ＰＤ１と第２受光部ＰＤ２とが、受光領域Ｓで平面的に均等に分布するように、交互に配置されている。そして、第１受光部と第２受光部とを封止する樹脂封止部４を備え、この樹脂封止部４には、受光領域Ｓに集光するレンズ部４１が設けられると共に、レンズ部４１の光入射面を除く上面が、粗面に形成されている。 （もっと読む）

【課題】十分な暗電流抑制効果と高い光電変換効率を両立させることができる光電変換素子及び固体撮像素子を提供する。
【解決手段】一対の電極と、一対の電極の間に配置された光電変換層と、一方の電極と光電変換層との間に形成され、一対の電極への電圧印加時に一対の電極の一方から光電変換層に電荷が注入されるのを抑制する電荷ブロッキング層と、を備えた光電変換素子であって、電荷ブロッキング層が絶縁性材料と導電性材料を含む。 （もっと読む）

【課題】何れかの読出用配線または行選択用配線が断線している場合にも解像度が高い画像を得ることができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、入射光強度に応じた量の電荷を発生するフォトダイオードＰＤと、このフォトダイオードと接続された読出用スイッチＳＷ_１と、を各々含むＭ×Ｎ個の画素部Ｐ_１,１〜Ｐ_Ｍ,ＮがＭ行Ｎ列に２次元配列された受光部を備える。各画素部Ｐ_ｍ,ｎは略正方形の領域を占めていて、その領域の殆どの部分がフォトダイオードＰＤの領域であり、その領域の一つの角部に読出用スイッチＳＷ_１としての電界効果トランジスタが形成されている。画素部間の領域にチャネルストッパＣＳが連続して形成されている。任意の互いに隣接する２×２個の画素部により囲まれる領域において、チャネルストッパＣＳにより囲まれてダミー用フォトダイオードＰＤ１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】新規な構造のメロシアニン色素を提供し、更に、一対の電極と、前記一対の電極間に設けられた光電変換層を含む光電変換部を備える光電変換素子において、前記光電変換膜が、上記メロシアニン色素を含有することで構成される光電変換素子を提供する。
【解決手段】下記一般式（１）で表されるメロシアニン色素、該色素を含む色素薄膜、一対の電極と、前記一対の電極間に設けられた光電変換層を含む光電変換部を備える光電変換素子の前記光電変換層に該色素を含有する光電変換素子。
一般式（１）
【化１】


（式中、Ａ_１は２価の原子団を表し、ｎは１〜３の整数を表し、Ａ_２〜Ａ_３はそれぞれ独立に芳香族炭化水素環、または炭素数３〜１８のヘテロ環を表す。Ｒ_１１、Ｒ_１２は水素原子または炭素数１〜１８のアルキル基、炭素数６〜１８のアリール基、炭素数３〜１８のヘテロ環を表す。） （もっと読む）

【課題】スイッチング速度が速く、集積化に適した光半導体リレーを提供する。
【解決手段】発光素子１１と、受光素子１３と、光起電力が印加されて、ゲート・ソース間が充電されることによりドレイン・ソース間のインピーダンスが変化する出力ＭＯＳトランジスタ１５を有する出力部１６と、第１電極が出力ＭＯＳトランジスタ１５のゲートに接続され、第２電極が抵抗を介して受光素子１３のカソードに接続され、制御電極がカソードに接続された制御トランジスタ１８と、第１電極が出力ＭＯＳトランジスタ１５のゲートに接続され、第２電極が絶縁ゲート出力ＭＯＳトランジスタ１５のソースに接続され、制御電極が制御トランジスタ１８の第２電極に接続されたトランジスタ１９と、制御トランジスタ１８の第２電極と、放電トランジスタ１９の第２電極との間に接続されたダイオード２０と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】光検出器をマトリックス状（３次元状）に配置することのできる光検出器、およびこの光検出器をマトリックス状（３次元状）に配置して成る光検出装置を提供すること。
【解決手段】光検出素子で受光した光の強度に基づいて、電気信号を出力する光検出器であって、前記光検出器は、少なくとも、光検出素子実装用フレキシブル配線基板と、前記光検出素子実装用フレキシブル配線基板上に電気的に接続された光検出素子と、から構成されている。 （もっと読む）

【課題】素子を形成するウエハサイズなどの制約に影響されない構造、および、検出面を大面積化しても静電容量を増大させない構造、をそれぞれ採用して大型の検出対象に適用可能な低消費電力・簡易構造の半導体型の放射線検出センサを提供する。さらに、このような放射線検出センサを複数用いてさらなる大型の検出対象に適用可能な半導体型の放射線検出センサユニットを提供する。
【解決手段】回路基板２の検出素子設置面の配線部２１とワイヤ配線部３との接続位置と、回路基板２の信号処理部設置面の配線部２１と信号処理部４との接続位置と、が回路基板２の表裏でそれぞれが略一致することで信号経路を短縮した放射線検出センサ１００とした。また、このような放射線検出センサ１００を搭載した放射線検出センサユニットとした。 （もっと読む）

【課題】ホトダイオードアレイを備える放射線検出器の製造方法において、実装時における光検出部のダメージによるノイズの発生を防止する。
【解決手段】第１導電型の半導体からなる半導体基板３に、該半導体基板の両側表面を貫通する貫通配線８を形成する第１工程と、半導体基板の片側表面について、所定の領域に不純物を添加して複数の第２導電型の不純物拡散層を形成し、複数のホトダイオード４をアレイ状に配列して設ける第２工程と、半導体基板の片側表面側に、少なくともホトダイオード４が形成された領域を保護する膜厚１〜５０μｍの透明樹脂膜６を設ける第３工程とにより、ホトダイオードアレイを製造した後、ホトダイオードアレイを実装配線基板に実装する工程と、透明樹脂膜６上に、シンチレータパネル３１を、シンチレータパネルから出射された光を透過する光学樹脂３５を介して取り付ける工程とによって製造する。 （もっと読む）

【課題】放射線計測時に電気的導通が良好な半導体放射線検出器の放射線計測回路と、この放射線計測回路を用いた核医学診断装置を提供する。
【解決手段】半導体素子Ｓの表面に形成した導電性薄膜の電極Ａ，Ｃと、導電部材２２，２３と、を導電性接着材２４により接着して、半導体放射線検出器２１を構成する。放射線計測回路１００は、半導体放射線検出器２１、抵抗器４１、コンデンサ４３、前置増幅器４５、高電圧電源２７、制御手段３０、電圧調整手段３１、メカニカルリレー３３、保護ダイオード４８等を備える。メカニカルリレー３３は、導電性接着材２４の導通回復作業用の第１の高電圧以下の所定の第２の高電圧の状態のときに、オン・オフ動作をして、半導体放射線検出器２１の導電性接着材２４の導通回復作業を行なうが、保護ダイオード４８があるために、オン・オフ動作に伴って発生する高電圧のために前置増幅器４５が破損することはない。 （もっと読む）

【課題】取得される画像のＳ／Ｎ比を向上させることができる放射線撮像装置を提供することを課題とする。
【解決手段】放射線を放射線に応じた電荷に変換するための変換素子（Ｓ１−１）と電荷に基づく電気信号を転送するためのスイッチ素子（Ｔ１−１）を有する画素が２次元状に複数配列された変換部と、前記スイッチ素子を導通するための電圧を有する駆動信号を前記スイッチ素子に出力するための駆動回路部（１０６）と、前記画素からの電気信号を読み出すための読み出し回路部（Ａ１，ＣＬ１，１００，１０１）と、前記読み出し回路部で読み出される電気信号のＳ／Ｎ比を算出するための算出部（１０３）と、前記算出されたＳ／Ｎ比に応じて前記駆動回路部から出力される駆動信号の電圧を切り替え可能とする切り替え部（１０４，１０５，ＬＵＴ）とを有することを特徴とする放射線撮像装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】測定光の検出精度を高めることが可能な光検出装置を提供すること。
【解決手段】光検出装置ＰＤ１は、入射した光の光量に応じた電気信号をそれぞれ出力する複数の受光素子１と、各受光素子１に対向して配置されると共に、導電性バンプ１５を介して接続され、各受光素子１から出力された電気信号が入力される信号処理素子１０と、電気絶縁性及び遮光性を有し、少なくとも受光素子１と信号処理素子１０との間の空隙に充填された樹脂２０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】迷光が発生して受光素子に入射することを防ぎ、測定光の検出精度を高めることが可能な光検出装置を提供すること。
【解決手段】光検出装置ＰＤ１は、入射した光の光量に応じた電気信号をそれぞれ出力する複数の受光素子１と、各受光素子１に対向して配置されると共に、導電性バンプ１５を介して接続され、各受光素子１から出力された電気信号が入力される信号処理素子１０と、電気絶縁性を有し、少なくとも受光素子１と信号処理素子１０との間の空隙に充填された樹脂２０と、樹脂２０における受光素子１及び信号処理素子１０から露出する表面を覆うように配置された遮光部材３０と、を備えている。 （もっと読む）

【課題】電子受容性有機物層及び／又は電子供与性有機物層を製造する方法を提供する。
【解決手段】電子受容性有機物層用インク及び／又は電子供与性有機物層用インクを被印刷基板上に転写し固定化することによって光センサー用光起電力素子を構成する電子受容性有機物層及び／又は電子供与性有機物層を製造する方法であって、下記式（１）及び／又は式（２）で表される繰り返し単位からなり、両末端基が水酸基であり、かつ平均分子量が３００〜５０，０００であるポリカーボネートジオールから製造されるポリマー（ａ）を含有する樹脂組成物を硬化して得られるフレキソ印刷版を用いてインクを転写する製造方法。


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【課題】イオンポンプを備えたペルチェ冷却型半導体Ｘ線検出器において、真空容器内の圧力がイオンポンプ起動圧力より上昇してしまっても、イオンポンプを容易に起動可能にする。
【解決手段】イオンポンプ（８）と共に液体窒素トラップ（９）および吸着剤（１０）を備える。長期間の不使用により、真空容器（７）内の圧力がイオンポンプ起動圧力より上昇してしまった時は、液体窒素トラップ（９）に液体窒素（N）を入れる方法、あるいは外部から冷凍機をつなぎこみ、真空容器（７）内のガスを吸着させ、真空容器（７）内の圧力をイオンポンプ起動圧力以下にする。
【効果】真空容器内の圧力がイオンポンプ起動圧力より上昇してしまっても、イオンポンプを容易に起動することが出来る。 （もっと読む）

【課題】ＰＮ接合容量を増やさずに画素間隔を狭める。
【解決手段】光電変換領域を構成する第一導電型の第一不純物領域１０２と、第一不純物領域に配された、信号取り出し領域を構成する第二導電型の第二不純物領域１０５とを含む画素を複数配置してなる光電変換装置において、各画素を分離するために各画素の周囲に、第一導電型の第三不純物領域１０３と、第一導電型の第四不純物領域１０４とが配置され、第四不純物領域は隣接する画素間にあり、第四不純物領域の不純物濃度は第三不純物領域の不純物濃度より低い。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の表面から半導体基板の裏面側の半導体領域へ基板バイアスを供給することができる光電変換装置及び撮像システムを提供する。
【解決手段】光電変換装置１は、画素領域１３０と前記画素領域の周辺に位置する周辺領域１３１とを有する半導体基板と、基板バイアスを供給するための電源ラインと、前記周辺領域に配された、前記半導体基板と前記電源ラインとを接続するコンタクトプラグ１５０とを備え、前記半導体基板は、前記基板バイアスが前記電源ラインから前記コンタクトプラグを介して前記半導体領域へ供給される。 （もっと読む）