【課題】放射線吸収半導体ウェハーの製造方法を提供する。
【解決手段】本発明の放射線吸収半導体ウェハーの製造方法は、複数の一時的な短いレーザーパルス、例えば、フェムト秒パルス、で、シリコン基板、例えば、ｎドープされた結晶シリコン、の少なくとも一つの表面の位置を照射し、同時に、電子供与性の成分を有する、例えば、ＳＦ₆のような物質にその位置を露出させて、所定の濃度の電子供与性の成分、例えば、硫黄、を組み込んだ実質的に不規則な表面層（すなわち、ミクロ構造化された層）を生み出す。基板は、表面層内の電荷担体密度を増強するように選択された高温で、所定の期間に亘って、焼き鈍しされる。例えば、基板は、ほぼ５００Ｋからほぼ１０００Ｋまでの範囲内の温度で焼き鈍しされてよい。 （もっと読む）

【課題】放射線の入射角による感度変動をなくし、正確な被ばく量管理を可能にする。
【解決手段】球状のシリコン７上に電極３を取り付けてベース４，５上に配置し、このベース４，５の上には、外部へ信号を取り出すための端子１，２を設けて構成する。このシリコン７は球型に加工されたＰ型半導体にＮ型半導体をドーピングしたもので、ダイオード構造となっており、端子１にプラス側電極を接続し、端子２側にはマイナス側電極を接続して、放射線検出部とする。従来の平型のものは指向性をもつが、球型とすることで指向性による影響をなくすことが可能となる。 （もっと読む）

光検出装置は、Ｍ×Ｎ個のホトダイオード及びスイッチが表面に設けられた第１基板と、ホトダイオードそれぞれの出力信号を処理する信号処理部が表面上に設けられた第２基板と、これら第１及び第２基板の間に配置された第３基板を備える。第３基板は、第１基板に対面した第１面と、第２基板に対面した第２面を有する。第３基板において、第１面上には、ホトダイオードと信号処理部を電気的に接続するためのＭ本の共通配線が配置される一方、第２面上には、共通配線それぞれに接続されたボンディングパッドが配置されている。そして、第１基板上の各ホトダイオードは、第３基板の各共通配線に第１バンプを介して電気的に接続され、第２基板上の各信号処理部は第３基板の各ボンディングパッドに第２バンプを介して電気的に接続される。
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【課題】 撮影対象の輝度が低い場合でも視覚的な色解像度の低下を抑えつつ画素信号のＳ／Ｎを高め、各色相の光電変換部の感度バランスを向上して高画質化、高感度化を図る。また、撮影条件等に応じて色解像度を重視するかＳ／Ｎを重視するかを自由に選定可能にする。
【解決手段】 緑色の波長域の光を吸収して信号電荷を発生するＧ感光層１７と、緑色の波長域とは異なる波長域の光を主に吸収して信号電荷を発生するＢ感光層１９，Ｒ感光層２１と、Ｇ感光層１７とＢ感光層１９，Ｒ感光層２１からの信号電荷に応じて画素信号を生成するときに、Ｇ感光層１７の１画素に対して、この１画素に対応する位置のＢ感光層１９，Ｒ感光層２１の対応画素及び該対応画素に隣接する周辺画素の各信号電荷の処理（合算）に応じた値と、Ｇ感光層１７の１画素の信号電荷に応じた値とに基づいて、上記１画素の位置に対する画素信号を生成するようにした。 （もっと読む）

【課題】非晶質酸化物を用いたセンサおよＸ線非平面イメージャ。
【解決手段】センサは透明基板上に下部電極、非晶質酸化物半導体層、上部電極で構成される。イメージャは前期センサとＴＦＴを組み合わせて構成する。Ｘ線検出にはシンチレータと組み合わせてもよい。上記膜によりＴＦＴを作製することもできる。非晶質酸化物層の作製にはパルスレーザ蒸着法を用いた。上記膜の電子キャリア濃度は１０＾１８／ｃｍ３未満であることを特徴とする。上記膜は伝導電子数の増加に伴い電子移動度が増大することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 不要な波長域の光に対応する光キャリヤの発生をおさえ、混色の発生を抑える。
【解決手段】 複数のフォトダイオードＰＤと、フォトダイオードＰＤの受光部を画する遮光層１１１と、少なくともフォトダイオードＰＤの受光部上に設けられたカラーフィルタとを基板上に有する光電変換装置であって、基板端部１１３側に配置された一のフォトダイオードの受光部上に設けられたカラーフィルタ１１２を、一のフォトダイオードの受光部を画する遮光層１１１から基板端部１１３側へ延び、且つ遮光層１１１と基板端部１１３との間の少なくとも一部を覆うように、配置した。 （もっと読む）

【課題】 有機薄膜を用いた光電変換技術に関し、高効率の発電特性を発揮する光電素子及び太陽電池に関する。
【解決手段】 光電素子(31)を構成する複合層(11)が、光エネルギーを捕集して励起する光増感基を含む第1光捕集膜(A1)と、この光増感基に電子を供与する電子供与基を含む第1正孔輸送膜(P1)と、第ｎ−１光捕集膜(An-1)を通過した光エネルギーを捕集して励起する光増感基を含む第ｎ光捕集膜(An)と、第ｎ光捕集膜(An)及び第ｎ−１光捕集膜(An-1)に挟持され、励起した前記光増感基に電子を供与する電子供与基を含む第ｎ正孔輸送膜(Pn)と、第ｎ−1光捕集膜(An-1)及び第ｎ光捕集膜(An)を連結する光捕集膜連結子(41)と、第ｎ−1正孔輸送膜(Pn-1)及び第ｎ正孔輸送膜(Pn)を連結する正孔輸送膜連結子(42)と、を備える。 （もっと読む）

ホトダイオードアレイおよびその製造方法並びに放射線検出器において、実装時における光検出部のダメージによるノイズの発生を防止することを課題とする。ｎ型シリコン基板（３）の被検出光の入射面側に、複数のホトダイオード（４）がアレイ状に形成され、かつ入射面側とその裏面側とを貫通する貫通配線（８）がホトダイオード（４）について形成されたホトダイオードアレイにおいて、その入射面側のホトダイオード（４）の形成されない非形成領域に、所定の平面パターンを有するスペーサ（６）を設けてホトダイオードアレイ（１）とする。
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【課題】光素子の高度なアライメント精度を必要とすることなく、比較的効率よく光信号の授受ができる光導波路回路である。
【解決手段】光導波路回路において、突起部102を有する基板100の突起部102の表面の少なくとも一部に、受光素子などとして機能するp-nないしはp-i-n構造を形成する様に半導体層104が形成されている。基板100の突起部102を含む部分上に、光を伝播する二次元光導波路層などの光導波路層106が形成されていて、発光素子と受光素子との間で、光信号の授受が行われる。 （もっと読む）

【課題】 蛍光体あるいは光電変換素子の応答特性に起因するアーチファクトすなわち残像による画質の劣化を防ぎ、透視やアンギオグラフィのように、高速の動画撮影に好適な放射線画像撮影装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 上記課題を解決するために、本発明の放射線画像撮影装置は、動作状態検出手段と残像補正手段を有することを特徴とする。さらに撮影条件検出手段は耐久時間、環境温度、Ｘ線エネルギー、センサバイアスなどの動作状態を検出し、検出された動作状態に応じて、予め定められたＬＵＴなどから最適な残像補正パラメータを決定し、画像出力を補正することを特徴とする。 （もっと読む）

デジタル家庭用電子機器間の通信のためのデジタル光ケーブル。デジタル光ケーブルは、光ファイバと、光ファイバの第１の端部にデジタルソースデバイスを接続するように構成された第１のインタフェースとを含み、第１のインタフェースはデジタルソースデバイスから電子ビデオ信号を受信して、電子ビデオ信号を光信号に変換し、光ファイバの第１の端部に光信号を送信するための光送信機を備える。第２のインタフェースは、光ファイバの第２の端部にデジタルシンクデバイスを接続するように構成されている。第２のインタフェースは、光送信機によって送信された光信号を光ファイバの第２の端部から受信し、該光信号を電子ビデオ信号に変換し、デジタルシンクデバイスに電子信号を送信するための光受信機を備える。
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【課題】遠赤外〜赤外領域の画像処理を行う高感度イメージセンサの構造およびその形成方法を提供する。
【解決手段】 ストイキオメトリ制御されたＩＶ−ＶＩ族化合物半導体を材料とするｐｎ接合、ショットキー接合によるフォトダイオードをアレイ化し、該フォトダイオードアレイをシリコン系もしくはＧａＡｓ系信号処理用回路チップに接合し、高感度に遠赤外〜赤外領域の画像処理を行うイメージセンサを提供する。 （もっと読む）

【課題】シャープな分光特性を有する光電変換素子、及び撮像素子（好ましくはカラーイメージセンサー）を提供し、さらに、光電変換効率が高く耐久性にも優れた光電変換素子、及び撮像素子を提供する。
【解決手段】少なくとも２つの電極に挟まれた有機光電変換膜を有する光電変換素子であって、該光電変換膜が正孔輸送性光電変換膜または電子輸送性光電変換膜を含んでなり、該光電変換膜で生じた正孔または電子を輸送する少なくとも１つの電荷輸送層を有し、該有機光電変換膜の最も長波長側の極大を有する膜吸収スペクトルの半値幅が５０ｎｍ以上、１５０ｎｍ以下である、光電変換素子、及び撮像素子、並びに、これらに電場を印加する方法。 （もっと読む）

【課題】吸収の半値幅が狭く色再現に優れた光導電膜、光電変換素子、及び撮像素子（好ましくはカラーイメージセンサー）を提供し、さらに、光電変換効率が高く耐久性にも優れた光導電膜、光電変換素子、及び撮像素子を提供する。
【解決手段】１対の電極間にｐ型半導体の層とｎ型半導体の層が積層構造を持つ光電変換膜を有する撮像素子において、ｐ型半導体及びｎ型半導体のうちの少なくとも１方に配向制御された有機化合物を含む撮像素子、又は、少なくとも一つの有機色素化合物を有する光電変換膜において、該有機色素化合物がＪ会合体を形成しているか、該有機色素化合物の分光吸収遷移双極子モーメントと光電変換素子の電極平面とのなす角が４０°以下である光電変換膜、光電変換素子、及び撮像素子、並びに、これらに電場を印加する方法。 （もっと読む）

【課題】吸収の半値幅が狭く色再現に優れ、さらに、光電変換効率が高い光導電膜、光電変換素子、及び撮像素子（好ましくはカラーイメージセンサー）等を提供する。
【解決手段】少なくとも一つのオキソノール色素を含む光電変換膜、光電変換素子、及び撮像素子、並びに、これらに電場を印加する方法。 （もっと読む）

第１導電型の半導体からなる半導体基板３を備え、当該半導体基板３における被検出光Ｌの入射面の反対面側に複数のホトダイオードが形成された裏面入射型ホトダイオードアレイ１であって、半導体基板３の反対面側には、複数の凹部４がアレイ状に配列して形成されており、複数の凹部４の底部４ａに第２導電型の半導体からなる第２導電型の半導体層５が形成されることにより、ホトダイオードがアレイ状に配列している。
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本発明は、放射線変換器（５）すなわちシンチレータと結合された感光センサ（１）を含む固体Ｘ線検出器に関する。放射線検出器には、シンチレータ（５）の上流のＸ線が通過する入射窓（８、９）と、入射窓（８、９）と感光センサ（１）との間で電圧を印加するための手段とが含まれる。
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ダイヤモンドイド含有材料に基づく新規な光デバイスを開示する。ダイヤモンドイドから作り出すことのできる材料には、ダイヤモンドイドが核となるＣＶＤ膜、ダイヤモンドイド含有ＣＶＤ膜、分子結晶、及び重合材料が包含される。本明細書に開示される、ダイヤモンドイド含有材料から作り出すことのできるデバイスには、固体色素レーザー、半導体レーザー、発光ダイオード、受光素子、フォトレジスタ、フォトトランジスタ、光電池、太陽電池、反射防止コーティング、レンズ、ミラー、圧力窓、光導波路、並びに粒子検知器及び放射線検知器が包含される。
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【課題】化合物半導体を用いる放射線検出器において、検出素子を複数配列する際の検出素子間の電気的分離を改善する。
【解決手段】図４左に示すように、基板(１)にｐ−型半導体を用い、ｎ＋層(３)のドーピングを行う。隣接する検出素子間ではｎ−ｐ−ｎ接合となり、電流が流れない。また、図４中で示すように、ｎ層をドーピングする前にｐ層を作成することも考えられる。これは、検出素子間に選択的に作成した例である。上面全体にｐ層を作成し、その上からｎ＋層を島状(スポット状)に形成するものであってもよい。ｎ＋層には信号を取り出すための電極を設ける。また基板の反対側には共通電極を設けるものとする。共通電極側にはｐ＋層をドーピングなどにより作成しておいてもよい。さらにレーザ加工により、分離溝(６)を作成する。ここではｐのドーピングを行っていない例を示している。分離溝(６)の形成はカッター切り込みによることも可能である。
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【課題】撮像装置において、高解像度でありかつ十分な色再現性を得ることができるようにする。
【解決手段】分光イメージセンサ１０の受光面側に、散乱体３とスリット５と散乱体７の順に各散乱体を配した回折格子１を設ける。散乱体で電磁波が散乱されることで発生する回折波同士での干渉縞のパターンが、波長によって変化することを利用して、フォトダイオード群１２内の各光電変換素子１２Ｂ，１２Ｇ，１２Ｒで波長別に信号を検知する。 （もっと読む）