【課題】同時収集方式のマルチスライスＣＴ用のＸ線検出器において、その空間分解能を向上させる。
【解決手段】互いに隣接してマトリックス状に配置されてなる、Ｘ線を可視光線に変換する複数のシンチレーターと、前記複数のシンチレーターの側面に設けられ、前記複数のシンチレーターそれぞれを離隔する複数のリフレクターと、前記複数のシンチレーターの、前記Ｘ線の入射面と相対向する側において、前記複数のシンチレーターそれぞれに対して設けられてなる、前記可視光線を電気信号に変換する複数の光電変換素子とを具え、各シンチレーターに対して設けられた前記光電変換素子からの前記電気信号を、前記各シンチレーターの前記側面に設けられた前記複数のリフレクターの少なくとも一つを介して外部に取り出すようにして、Ｘ線検出器を構成する。 （もっと読む）

【課題】暗電流を低減でき、かつ、高速応答が可能な光検出器を提供する。
【解決手段】ｎ^＋型ｃ−Ｇｅ層２、ｉ型ｃ−Ｇｅ層３およびｐ^＋型ｃ−Ｇｅ層４が光導波路３０に近接してシリコン基板１上に積層される。光導波路３０は、クラッド２０に接してクラッド２０上に形成されている。ｎ^＋型ｃ−Ｇｅ層２の膜厚（０．６μｍ）がクラッド２０の厚み（１．４μｍ）よりも薄く、かつ、ｎ^＋型ｃ−Ｇｅ層２の膜厚とｉ型ｃ−Ｇｅ層３の膜厚との合計（２．０μｍ）がクラッド２０の厚みと光導波路３０の厚みとの合計（１．７μｍ）よりも大きい。その結果、光導波路３０中を伝搬する光は、光検出器１０のｉ型ｃ−Ｇｅ層３へ入射され、ｎ^＋型ｃ−Ｇｅ層２およびｐ^＋型ｃ−Ｇｅ層４へ入射されない。 （もっと読む）

半導体受光素子が特定される。本半導体受光素子は、シリコンで形成され、光入射エリア（１ａ）を有する半導体ボディ（１）であって、前記光入射エリア（１ａ）を通過して前記半導体ボディ（１）内に入射する電磁波（１０）が吸収される厚さ（ｄ）が最大１０μｍである吸収ゾーン（２）を更に有する半導体ボディ（１）と、誘電材料から形成され、前記半導体ボディ（１）の前記光入射エリア（１ａ）を被覆するフィルター層（３）と、少なくとも前記光入射エリア（１ａ）において前記半導体ボディ（１）を被覆する、光吸収材（５）を含有するポッティングボディ（４）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】画像の画質を向上させかつ放射線の検出素子の実装及び組み立てを容易にする放射線検出モジュール、並びに放射線撮像装置を提供する。
【解決手段】放射線検出モジュール２０は、複数の画素Ｐｎを含む半導体部材１と、第１電極３１ｎが半導体部材１の一方側に複数配列されるとともに、他方側に複数の画素Ｐｎにまたがって一つの第２電極３２ｍが設けられ、検出画素Ｐｎに放射線が入射すると検出信号を出力する放射線検出素子３０と、放射線の入射方向に沿って立設するとともに複数の放射線検出素子３０を支持する支持基板２１と、を備える。支持基板２１は、外部の連結部と着脱自在に連結する接続部２１ａを有する。支持基板２１において各放射線検出素子３０を接続することで擬似的に直行する信号読み出し回路を形成し、検出信号の同時判定により放射線の入射位置を特定することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】クロストークを抑制しつつ、改質領域を形成することによる半導体基板の機械強度の低下を抑制することが可能なフォトダイオードアレイを提供する。
【解決手段】フォトダイオードアレイ１ａは、半導体基板３と、半導体基板３の裏面側に並んで配置されていると共に、それぞれが半導体基板３とのｐｎ接合によりフォトダイオードを構成する複数のｐ型半導体領域５と、を備え、隣接するｐ型半導体領域５間の領域３７には、領域３７の所定位置に集光点を合わせてレーザ光を照射することによって、隣接するｐ型半導体領域５の配置方向に交差する方向に延びて改質領域５０が形成され、隣接する４つのｐ型半導体領域５に囲まれる領域３８には、改質領域５０が形成されていない。 （もっと読む）

【課題】改質領域を形成することによるノイズの発生を抑制すると共に、クロストークの抑制効果を向上させることが可能な裏面入射型フォトダイオードアレイを提供する。
【解決手段】フォトダイオードアレイ１は、互いに対向する表面３ａ及び裏面３ｂを有するｎ型の半導体基板３と、半導体基板３の裏面３ｂ側に並んで配置されていると共に、それぞれが半導体基板３とのｐｎ接合１１によりフォトダイオード１３を構成する複数のｐ型半導体領域５と、裏面３ｂ側において、隣接するｐ型半導体領域５間に配置されていると共に、半導体基板３よりも不純物濃度が高く設定されているｎ型半導体領域７と、を備え、半導体基板３には、表面３ａとｎ型半導体領域７との間の所定位置に集光点を合わせてレーザ光を照射することによって、表面３ａに達すると共に、ｎ型半導体領域７に達することなく改質領域５０が形成されている。 （もっと読む）

感光デバイスは、それぞれが仕事関数を有する第１のコンタクトおよび第２のコンタクトと、第１のコンタクトと第２のコンタクトとの間の感光物質とを備えるデバイスを含む。感光物質はｐ型半導体またはｎ型半導体を含み、感光物質は仕事関数を有する。回路が第１のコンタクトと第２のコンタクトとの間にバイアス電圧を印加する。バイアスが第１のコンタクトと第２のコンタクトとの間に印加されたとき、感光物質は、第１のコンタクトから第２のコンタクトまでの電子走行時間より長い電子寿命を有する。第１のコンタクトは電子の注入を提供し、正孔の抽出を阻止する。第１のコンタクトと感光物質間の界面は、１ｃｍ／ｓ未満の表面再結合速度を提供する。
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【課題】 経済性に優れ、かつ不良画素率を低くしながら高い接合歩留りを可能にする、検出装置、およびその製造方法を提供する。
【解決手段】 本発明の検出装置の製造方法は、受光素子アレイ５０および読み出し回路のマルチプレクサ７０の、少なくとも一方に、接合のためのバンプ９ｂ，９２ｂを設ける工程と、バンプが設けられた、受光素子アレイおよび／または読み出し回路に、バンプ高さを調整するためのバンプ高さ調整部材２１を固定する工程と、平坦板４１を、バンプの先端から押し当て、該平坦板がバンプ高さ調整部材の先端に当るまで該バンプを変形させる工程とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】感度を向上し、撮像画像の画像品質を向上する。
【解決手段】第１の光導波部材１３１ａよりも屈折率が低い光学材料にて発散レンズ１２１が形成し、集光レンズ１１１を介して入射された光を、発散レンズ１２１によって第２の光導波部材１３１ｂへ発散させる。そして、その発散レンズ１２１によって発散された光を、第２の光導波部材１３１ｂがフォトダイオード２１の受光面ＪＳへ導くように構成する。 （もっと読む）

【課題】多接合型光起電力発生装置においては、積層数が増加するので、光の結合損失からエネルギー変換効率が小さく、製造コストが高く、かつ製造が困難であった。
【解決手段】サファイア基板１上に横方向に異なるバンドギャップを有する複数のセル２−１、２−２、…、２−７が形成される。各セルは、各バンドギャップに対応する傾斜角の山型傾斜の凹凸面を有するｎ型GaN層２１、ｎ型GaNバッファ層２１上に形成されたｎ型InAlGaN層２２及びｐ型InAlGaN層２３よりなる。InAlGaN層２２、２３の組成はその傾斜角に応じたバンドギャップを有するように決定される。各セル２−１、２−２、…、２−７は出力端子OUT₁、OUT₂間にボンディングワイヤ３−０、３−１、…、３−７によって直列に接続されて太陽電池として作用する。 （もっと読む）

【課題】伝送品質の高い高速通信が可能な可視光通信システムを提供すること。
【解決手段】異なる色の光を発光する複数の発光部を有し、送信データを色度座標上の色度点に対応付け、送信データに対応する色度点の色光が放射されるように各発光部の発光量を算出し、チャネル行列の推定に用いるプリアンブル信号を生成し、プリアンブル信号、及び上記算出した発光量に基づいて各発光部を発光させる送信装置と、異なる色の光信号を受信する複数の受光部を有し、プリアンブル信号に対応する光信号が各受光部で受信されると当該光信号に基づいてチャネル行列を推定し、上記推定したチャネル行列に基づいて上記色度点に対応する光信号に伝搬路補償を施し、伝搬路補償後の信号に基づいて色度座標上の色度点を検出して送信データを復調する受信装置と、を含む可視光通信システムが提供される。 （もっと読む）

【課題】 冷却機構なしで暗電流を減らし、受光感度を波長１．８μｍ以上に拡大したＩｎＰ系フォトダイオードを用いて、食品の品質を高感度で検査することができる食品品質検査装置等を提供する。
【解決手段】 受光層３がＩＩＩ−Ｖ族半導体の多重量子井戸構造を有し、ｐｎ接合１５は、不純物元素を受光層内に選択拡散して形成したものであり、受光層における不純物濃度が、５×１０^１６／ｃｍ^３以下であり、食品品質検査装置は、波長３μｍ以下の水の吸収帯に含まれる、少なくとも１つの波長の光を受光して、検査をすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】位置ズレを生じることなく１回のＸ線の照射で異なるエネルギーのＸ線による放射線画像を得ることができるＸ線検出素子を提供する。
【解決手段】基板１にＸ線の照射方向にＸ線検出部２２ＡとＸ線検出部２２Ｂとを積層して設け、照射されたＸ線をＸ線検出部２２Ａで検出すると共に、Ｘ線検出部２２Ａを透過したＸ線をＸ線検出部２２Ｂで検出する。 （もっと読む）

【課題】位置ズレを生じることなく１回のＸ線の照射で異なるエネルギーのＸ線による放射線画像を得ることができるＸ線検出素子を提供する。
【解決手段】シンチレータ３１を基板１の一方の面側のセンサ部２６及びセンサ部２９の外側に設け、シンチレータ３０を基板１の他方の面側に設けて、基板１の一方の面側又は他方の面側から照射されたＸ線をシンチレータ３０、３１で光に変換し、センサ部２９が、一方の面側のシンチレータ３１から照射された光を検出し、センサ部２６が、基板１の他方の面側のシンチレータ３０から照射された光を検出する。 （もっと読む）

【課題】簡便な構造で紫外光を選択的に検出できるようにし、装置コストの低減及び装置の小型化を可能にし、最も簡素化した場合には、携帯することもできる紫外検出装置を提供する。
【解決手段】紫外検出装置は、４００ｎｍを超える光波長域では受光感度が略０であり、４００ｎｍ以下の光波長域で受光感度を有する半導体光電変換層を有する光電変換素子を備えている。半導体光電変換層は、光を電流に変換する作用を持つ半導体層である。このように、半導体ベースの光電変換素子で紫外検出装置を構成できるので、軽量で携帯性に優れた検出装置とすることができる。 （もっと読む）

【課題】積層膜の剥離の発生を防止ししつつ所望の中空構造を容易に形成することができる赤外線センサ素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
ＳＯＩ基板準備工程と、ＳＯＩ基板に熱検出部及びこれ電気的に接続される配線を形成する熱検出構造形成工程と、少なくとも窒化シリコン膜を含む絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、絶縁層上にガス流入開口を含む赤外線受光部形成する受光部形成工程と、ＳＯＩ基板に到達する貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、貫通孔を介してエッチングを施すことによって半導体基板に空隙を形成する空隙形成工程と、を有し、貫通孔形成工程において窒化シリコン膜を露出することなく貫通孔を形成する。 （もっと読む）

【課題】残像の発生を抑制することができる検出素子を提供する。
【解決手段】センサ部１０３は、光が照射されることにより電荷が発生する半導体層６、半導体層６に対してバイアス電圧を印加する上部電極７、及び半導体層６に発生した電荷を収集する下部電極１４を備え、下部電極１４によって半導体層６に発生した電荷が収集して蓄積しており、半導体層６に発生した電荷が収集されて下部電極１４の電圧レベルが飽和防止電圧レベルＶｓとなると蓄積された電荷が流れ出す飽和防止回路（ダイオード５Ａ、第２バイアス配線１０９）を設ける。 （もっと読む）

【課題】従来の半導体装置では、接着用樹脂と絶縁層との界面が剥離し、その剥離に起因して接着用樹脂へクラックが発生するという問題があった。
【解決手段】本発明の半導体装置では、３層目の配線層３１には、フォトダイオード７の形成領域よりも広い領域に渡り開口領域３２が形成される。３層目の配線層３１上を被覆する第４の絶縁層３３及びパッシベーション膜３５にも、第３の絶縁層３０及び配線層３１に対応する段差が形成される。この構造により、シリコーン樹脂３７の膜厚の厚い領域は、開口領域３２の形成領域と同様に広く形成され、熱応力がシリコーン樹脂３７の一部に集中することを緩和する。 （もっと読む）

【課題】不純物層を特性よく形成し、更に合わせ位置を正確に形成し、更にノイズ低減が可能な固体撮像装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１主面４ａと第１主面４ａと相対向する第２主面４ｂを有し、かつ撮像素子領域１００ａと周辺領域２００とを有する第１導電型の半導体層４と、撮像素子領域１００ａにおける半導体層４の第１主面に形成され、光電変換により電荷を蓄積する受光部１０と、受光部１０を囲んで、半導体層４の第１主面４ａから半導体層４の途中にまで延びる素子分離領域用の第２導電型の第１不純物層１２と、半導体層４の第２主面４ｂから第１不純物層１２の底部に達する素子分離用の第２導電型の第２不純物層１３とを具備する。 （もっと読む）

【課題】赤外領域の光を十分に吸収でき、感度が高く、かつ、暗電流を低減することができる光電変換材料、光電変換素子及び撮像素子を提供する。
【解決手段】入射した光に応じた電荷を生成する光電変換膜に含まれる光電変換材料が、下記式（左）で示されるスクアリリウム化合物と、下記式（右）で示されるナフタロシアニン化合物とを含む。


（Ａ，Ｂはそれぞれ独立に、結合位がｓｐ²炭素である置換基で、Ｍは金属原子を表し、Ｒ₄〜Ｒ₂₇はそれぞれ独立に水素原子または置換基を表す。） （もっと読む）