【課題】互いに直交する方向に電界成分を持つ波長の光に対して、共に電界成分の大きさを変えることなく、総じて光検知効率を大幅に向上させることのできる信頼性の高い光検知素子を実現する。
【解決手段】障壁層１２内に量子ドット１１が埋め込まれた層が積層されてなる第１の量子ドット層１と、第１の量子ドット層１を挟み込む一対の電極層２，３と、障壁層１４内に量子ドット１３が埋め込まれた層が積層されてなる第２の量子ドット層４と、第２の量子ドット層４を透過した赤外線を反射させる赤外線反射層５とを有するように、赤外線検知素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】混色の発生等を防止し、撮像画像の画像品質が低下するなどの不具合の発生を抑制する。
【解決手段】複数の画素Ｐに対応して形成されたカルコパイライト光電変換膜１３の間においてポテンシャル障壁になるように、画素分離部ＰＢを、ドーピングの濃度制御または組成制御がされた化合物半導体によって形成する。 （もっと読む）

【課題】各種放射線の高効率および高感度の検出が可能なエピタキシャルダイヤモンド放射線検出器を安価かつ大量に製造することができる放射線検出器およびその製造方法を提供する。
【解決手段】エピタキシャルダイヤモンドを用いた放射線検出器において、ダイヤモンド以外の基板を用いて作製したエピタキシャルダイヤモンド薄膜および自立したエピタキシャルダイヤモンドにおける成長初期に存在する欠陥層を少なくとも２０μｍ以上除去する構成とする。 （もっと読む）

【課題】光検知器において、輸送効率を低下させずに、量子ドットの束縛準位へのキャリア供給を十分に行なえるようにして、十分に高い検知効率が得られるようにする。
【解決手段】光検知器を、量子ドット１と、量子ドット１を挟む障壁層２，３とを備える複数の量子ドット層４を含む光検知素子５と、光検知素子５を駆動する駆動回路６とを備えるものとし、駆動回路６を、入射する光に応じて光検知素子５に流れる電流を検知する検知期間以外の期間に、電流とは異なる電流を光検知素子５に流すためのキャリア供給回路を含むものとする。 （もっと読む）

【課題】収集電荷を向上させることが可能な放射線光導電体を製造するのに好適なＢｉ₁₂ＸＯ₂₀粉子（ただし、ＸはＳｉ，Ｇｅ，Ｔｉからなる群より選ばれる少なくとも１種である）を提供する。
【解決手段】Ｂｉ₁₂ＸＯ₂₀粒子を製造する際に、Ｆｅを実質的に含まない原料、反応装置を用いることにより、Ｆｅ含有量を５ｐｐｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】量子ドット層によって光電変換層が形成された量子ドット型赤外線検知素子の量子効率を大きくすること。
【解決手段】半導体基板と、同一平面上に形成された複数の量子ドットと前記量子ドットを覆う中間層を有する複数の量子ドット層が、前記半導体基板上に積層された複数の光電変換層と、前記半導体基板に整合した、ｐ型半導体層とｎ型半導体層が積層された歪緩衝層を具備し、前記歪緩衝層を介して複数の前記光電変換層が積層されていること。 （もっと読む）

【課題】ＣｄＴｅと代替可能であって環境負荷の小さい物質を特定し、それを用いた半導体放射線検出器を提供すること。
【解決手段】酸化亜鉛単結晶基板を利用して構成されるダイオードを備えた放射線検出器を用いる。厚さ２ｍｍのｎ型酸化亜鉛で構成される基板２１０上に、膜厚０．１μｍのＰｔ薄膜からなるショットキー電極２２０を形成する。続いて、基板２１０の下面に膜厚０．１μｍのＣｒ薄膜２３１を形成し、更に、Ｃｒ薄膜２３１の下面に膜厚０．１μｍのＡｕ薄膜２３２を形成する。Ｃｒ薄膜２３１及びＡｕ薄膜２３２はオーミック電極２３０として機能する。基板２１０に対して放射線が入射されるとショットキーダイオードに電流が流れるため、放射線を検出することができる。 （もっと読む）

【課題】赤外線を検出する検出感度をより向上させた量子ドット型赤外線検知器を提供する。
【解決手段】中間層１と、中間層１に挟まれ、且つ、キャリアに対するエネルギーポテンシャルが低い量子ドット４を含む量子ドット層２により形成される量子ドット構造７を有する量子ドット型赤外線検出器である。中間層１と量子ドット４が、Ｖ族元素がＡｓであるIII-Ｖ族化合物半導体からなり、中間層１と量子ドット４を含む量子ドット層２との界面の一方で、且つ、少なくとも量子ドットを覆うようにＡｌＡｓ層５が設けられている。量子ドット３と中間層１を構成する元素の相互拡散を防止して量子ドット／中間層界面を急峻にし、それによって検出感度を向上する。 （もっと読む）

【課題】複数の波長の光に感度を有する光検知器として機能する光半導体装置において、構造が単純で製造工程が煩雑でなく、容易に小型化を実現することができる光半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体基板２４上に形成された下部電極層２６と、下部電極層２６上に形成された赤外線吸収層３６と、赤外線吸収層３６上に形成された上部電極層３８とを有し、赤外線吸収層３６は、方向によって寸法の異なる量子ドット３０が積層されてなり、偏光方向に応じて赤外線に対する感度を有する波長が異なっている。 （もっと読む）

【課題】挿入光源の永久磁石列に接触する電子ビームのハロー部の強度を高い応答速度で高感度に検出することができる電子ビーム検出器を備えた挿入光源装置を提供する。
【解決手段】本発明の挿入光源装置は、ギャップ空間を介して対向配置された一対の永久磁石列を備え前記永久磁石列間に挿入された電子ビームに蛇行運動させることによってシンクロトロン光を発生させる挿入光源と、前記電子ビームの強度を検出する電子ビーム検出器を備え、前記電子ビーム検出器は、半導体板と、前記半導体板を挟んで配置され且つ前記電子ビームの入射側から見て互いに重なる重なり部分を有する第１及び第２電極を備え、前記重なり部分は、前記永久磁石列の前記ギャップ空間側の面を含む平面の近傍に配置されることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 ゲルマニウムは、半導体プロセスを用いて光電気混載ＬＳＩに搭載される長波長帯光デバイスに用いる場合、吸収の長波長化又は長波長帯での吸収が実用化されていない。
【解決手段】 ゲルマニウム原子を主成分とする四面体結合される半導体を光電変換層に用いる光デバイスであり、光電変換層を構成する四面体結合される半導体の格子点サイトのゲルマニウム原子を置換するｎ型ドーパントＤまたはｐ型ドーパントＡと、前記ドーパントに最近接の格子間サイトに挿入される異種原子Ｚを含み、異種原子Ｚはドーパントとの電荷補償により電子配置が閉殻構造となる光デバイスである。 （もっと読む）

【課題】バンドギャップの大きい物質の薄膜を安価な手段で作製し、小型・簡便な固体素子型の火炎センサとして利用可能な紫外線センサを提供する。
【解決手段】酸化ガリウム単結晶を基板して当該基板上にゾル‐ゲル法で酸化ガリウム薄膜を形成し、この酸化ガリウム薄膜上に少なくとも１対の表面電極を備えるか、或いは酸化ガリウム単結晶基板とこの基板上に形成された酸化ガリウム薄膜とにそれぞれ第１の電極と第２の電極とを形成する。
酸化ガリウム薄膜は、１５０〜５００ｎｍの厚さを有するものが好ましい。 （もっと読む）

予め定められた波長領域について光導電性を有する半導体層（６４）をバンドギャップがこの光導電性半導体層（６４）よりも大きい２つの半導体境界層（６２）間に備えた積層（７２）を、基板（６０）上に有する光導電体。半導体境界層（６２）は、光導電性半導体層（６４）からの自由電荷キャリアを捕捉し、再結合するための深い不純物と、２つの電極とを有し、この電極は、光導電性半導体層（６４）に接続され、光導電性半導体層（６４）を通した電極間の横方向の電流を提供する。
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【課題】赤外感知部分に量子ドットを用いた量子ドット型赤外線検知器に関し、低電流領域における感度低下が少なく感度特性の良好な赤外線検出器を提供する。
【解決手段】半導体基板１０上に形成されたコンタクト層１２と、コンタクト層１２上に形成され、中間層と量子ドットとが交互に繰り返して積層されてなる量子ドット層２４と、量子ドット層２４上に形成されたコンタクト層２６とを有し、複数の中間層のうちコンタクト層に接する中間層は、コンタクト層１２との間の界面側にＮ型不純物が導入された不純物導入領域１６を有する。 （もっと読む）

【課題】高感度・低ノイズの光センサ素子と多結晶シリコンＴＦＴとを、絶縁膜基板上にプレナプロセスを用いて同時に形成した光センサ内蔵画像表示装置
【解決手段】光センサ素子の第一の電極１１と第二の電極１２を多結晶シリコン膜で形成した後、その上層に光センサ素子の受光層１３を非晶質シリコン膜で形成する。その際、多結晶シリコンＴＦＴを同時に形成する。 （もっと読む）

【課題】波長可変カーボンナノチューブ素子に関し、一本のカーボンナノチューブに対して純粋な引っ張り応力の印加が可能な数ｍｍ以下のサイズの小型デバイスを実現する。
【解決手段】少なくとも一方の端部が開放された間隙４を介して対向するとともに、間隙４を架橋する孤立したカーボンナノチューブ６を設けた１対の支持要素部材２からなる支持部材１を圧電素子１０の伸縮方向に沿った面に支持する。 （もっと読む）

【課題】放射線撮像パネルを構成する光導電体を、感度低下に起因する、ゴーストやコントラスト変化が実質上ないものとする。
【解決手段】放射線画像情報を記録する放射線撮像パネルを構成するＢｉ₁₂ＭＯ₂₀（ただし、Ｍ はＧｅ，Ｓｉ，Ｔｉ中の少なくとも１種である）からなる多結晶の光導電体を、基板６上にＢｉ₁₂ＭＯ₂₀（ただし、Ｍ はＧｅ，Ｓｉ，Ｔｉ中の少なくとも１種である）の多結晶体からなるシード層７を成膜し、水熱合成によりシード層上にＢｉ₁₂ＭＯ₂₀（ただし、Ｍ はＧｅ，Ｓｉ，Ｔｉ中の少なくとも１種である）の多結晶体を成長させる。 （もっと読む）

放射線検出器が、ダイヤモンド材料の基板と、基板の表面に形成された少なくとも１つの電極とを備える。電極は、電極の材料の少なくとも一部が基板の表面の下方にあるように、基板の表面内の空洞内に堆積された導電性材料を含む。空洞は、通常、ホウ素ドープ・ダイヤモンドなどの導電性材料が堆積される細長いトレンチ又はチャネルである。いくつかの実施例では、少なくとも２つの電極が、基板の表面に互いに隣接して位置する。他の実施例では、デバイスは複数の電極を備え、複数の電極のうちの少なくとも１つは第１の表面に位置し、複数の電極のうちの少なくとも１つは基板の対向する第２の表面に位置する。後者の場合、基板の一方の表面にある電極は、基板の対向する表面にある電極に導電性ビアによって接続することができ、導電性ビアは、導電性材料で充填又はコーティングされた貫通孔からなる。典型的には、電極は相互にかみ合わされた構成で配置され、各電極は複数の細長い電極要素を有する。かかる電極要素はそれぞれ、別の電極の少なくとも１つの隣接する電極要素と平行に延びる。
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【課題】 結晶成長方法及び結晶成長装置に関し、基板とエピタキシャル層との格子定数の差を、用いられる物質により一義的決定されることなく一定程度の範囲で任意に設定する。
【解決手段】 湾曲させた基板１上にエピタキシャル成長をさせる。 （もっと読む）

【課題】 量子ドット光半導体素子に関し、光吸収用量子ドットのサイズを変更することなく、キャリアの捕獲効率を高める。
【解決手段】 第１の量子ドット１による層から中間層３を隔てて、第１の量子ドット１より横幅が大きく第１の量子ドット１のキャリアに対するエネルギーポテンシャルよりも高いエネルギーポテンシャルを持つ第２の量子ドット２による層を配置し、第１の量子ドット１による層と第２の量子ドット２による層の間隔が第１の量子ドット１の歪みの影響により中間層３の格子間隔が変化している範囲以内とする。 （もっと読む）