【課題】接続信頼性を高めた光電変換装置を提供する。
【解決手段】本発明の光電変換装置は、複数の層２０、２４４、２９１〜２９４からなる素子層と、素子層内に設けられた光電変換素子と、素子層内に設けられて光電変換素子から信号を読出す読出回路と、素子層の表層２９４に設けられて読出回路を外部に接続する外部接続端子２１１と、を備える。素子層は、読出回路の一部を構成する配線２１２の下地となる配線下地層２０と、表層２９４と配線下地層２０との間に配置された中間層２９１〜２９３と、を含む。中間層２９１〜２９３上に接続導電部２８２〜２８４が設けられている。配線２１２が接続導電部２８２〜２８４と導通接続されているとともに外部接続端子２１１が接続導電部２８２〜２８４と導通接続されている。 （もっと読む）

【課題】接続信頼性を高めた光電変換装置を提供する。
【解決手段】本発明の光電変換装置は、複数の層からなる素子層と、素子層内に設けられた光電変換素子と、前記素子層内に設けられた読出回路と、素子層の表層２９４に設けられて読出回路を外部に接続する外部接続端子２１１と、を備える。素子層には、読出回路の一部を構成する配線２１２上に、表層２９４を貫通して配線２１２の一部に通じるコンタクトホールＨ２が形成されている。外部接続端子２１１は、コンタクトホール内Ｈ２と表層２９４上とにわたって設けられて配線２１２と導通接続された導電膜を含む。導電膜において外部４１に導通接続される接続領域Ａ３が、コンタクトホールＨ２の開口と重ならない領域になっている。 （もっと読む）

【課題】容量結合が低減された光電変換装置を提供する。
【解決手段】本発明の光電変換装置は、第１電極２５１と第２電極２５２との間に配置された光電変換層を有する光電変換素子２５と、第１電極２５１と導通するソース領域２４３を有するＴＦＴ２４と、ＴＦＴ２４のドレイン領域２４２と導通する第１配線２２２と、ＴＦＴ２４のゲート電極２４１と導通する第２配線２１２と、第２電極２５２と導通し、第１配線２２２と第２配線２１２とのうちの一方の配線２２２と略平行に延設された第３配線２３とを備える。第２電極２５２が、透明導電材料からなり、光電変換層に対する光入射側に配置されている。第３配線２３が、透明電極材料よりも導電性が高いメタル材料からなり、面方向における第３配線２３と一方の配線２２２との間隔ｄ１、ｄ２が、面方向に垂直な厚み方向における第３配線２３と一方の配線２２２との間の間隔よりも長い。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置において、画素が微細化されても混色抑制する。
【解決手段】各画素に対応して形成された各色フィルタ成分３６から成るオンチップカラーフィルタ３８と、隣接する各色フィルタ成分３６の境界に形成された遮光体３７を有する。さらに、各色フィルタ成分３６の直下に、セルフアラインにより形成された下凸レンズ３９を有する。 （もっと読む）

【課題】光透過性基板を用いても、光リーク電流の発生による特性低下を確実に防止するとともに、安価で容易に大型化が可能な光電変換装置を提供する。
【解決手段】下電極４１（第一電極）、ソース配線１６、ゲート配線２１は、それぞれ遮光性を有する導電性材料から形成される。これによって、下電極４１（第一電極）、ソース配線１６、及びゲート配線２１は、本発明における遮光層を形成する。下電極４１（第一電極）、ソース配線１６、及びゲート配線２１は、イメージセンサー１の厚み方向Ｔにおいて、互いに異なる２以上の位置（レベル）で広がるように形成されている。しかも、その一部は厚み方向Ｔにおいて互いに重なり合うように形成されている。 （もっと読む）

【課題】暗電流を低減でき、かつ、高速応答が可能な光検出器を提供する。
【解決手段】ｎ^＋型ｃ−Ｇｅ層２、ｉ型ｃ−Ｇｅ層３およびｐ^＋型ｃ−Ｇｅ層４が光導波路３０に近接してシリコン基板１上に積層される。光導波路３０は、クラッド２０に接してクラッド２０上に形成されている。ｎ^＋型ｃ−Ｇｅ層２の膜厚（０．６μｍ）がクラッド２０の厚み（１．４μｍ）よりも薄く、かつ、ｎ^＋型ｃ−Ｇｅ層２の膜厚とｉ型ｃ−Ｇｅ層３の膜厚との合計（２．０μｍ）がクラッド２０の厚みと光導波路３０の厚みとの合計（１．７μｍ）よりも大きい。その結果、光導波路３０中を伝搬する光は、光検出器１０のｉ型ｃ−Ｇｅ層３へ入射され、ｎ^＋型ｃ−Ｇｅ層２およびｐ^＋型ｃ−Ｇｅ層４へ入射されない。 （もっと読む）

半導体受光素子が特定される。本半導体受光素子は、シリコンで形成され、光入射エリア（１ａ）を有する半導体ボディ（１）であって、前記光入射エリア（１ａ）を通過して前記半導体ボディ（１）内に入射する電磁波（１０）が吸収される厚さ（ｄ）が最大１０μｍである吸収ゾーン（２）を更に有する半導体ボディ（１）と、誘電材料から形成され、前記半導体ボディ（１）の前記光入射エリア（１ａ）を被覆するフィルター層（３）と、少なくとも前記光入射エリア（１ａ）において前記半導体ボディ（１）を被覆する、光吸収材（５）を含有するポッティングボディ（４）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】クロストークを抑制しつつ、改質領域を形成することによる半導体基板の機械強度の低下を抑制することが可能なフォトダイオードアレイを提供する。
【解決手段】フォトダイオードアレイ１ａは、半導体基板３と、半導体基板３の裏面側に並んで配置されていると共に、それぞれが半導体基板３とのｐｎ接合によりフォトダイオードを構成する複数のｐ型半導体領域５と、を備え、隣接するｐ型半導体領域５間の領域３７には、領域３７の所定位置に集光点を合わせてレーザ光を照射することによって、隣接するｐ型半導体領域５の配置方向に交差する方向に延びて改質領域５０が形成され、隣接する４つのｐ型半導体領域５に囲まれる領域３８には、改質領域５０が形成されていない。 （もっと読む）

【課題】改質領域を形成することによるノイズの発生を抑制すると共に、クロストークの抑制効果を向上させることが可能な裏面入射型フォトダイオードアレイを提供する。
【解決手段】フォトダイオードアレイ１は、互いに対向する表面３ａ及び裏面３ｂを有するｎ型の半導体基板３と、半導体基板３の裏面３ｂ側に並んで配置されていると共に、それぞれが半導体基板３とのｐｎ接合１１によりフォトダイオード１３を構成する複数のｐ型半導体領域５と、裏面３ｂ側において、隣接するｐ型半導体領域５間に配置されていると共に、半導体基板３よりも不純物濃度が高く設定されているｎ型半導体領域７と、を備え、半導体基板３には、表面３ａとｎ型半導体領域７との間の所定位置に集光点を合わせてレーザ光を照射することによって、表面３ａに達すると共に、ｎ型半導体領域７に達することなく改質領域５０が形成されている。 （もっと読む）

一実施形態において、読み出し集積チップ等の集積チップとの酸化物結合に適した検出器の作製方法は、バンプを有する複数の検出素子を備える基板を準備する。前記バンプの上部を取り囲むフローティング酸化物層が形成される。前記フローティング酸化物層と前記集積チップの酸化物層との間に酸化物−酸化物結合が形成される。前記集積チップの酸化物層は、前記集積チップの対応バンプに備えられる。前記酸化物−酸化物結合によって、前記検出素子の前記バンプと前記集積チップの前記対応バンプとが互いに密接に接触でき、前記バンプへの機械的応力及び前記バンプ間の機械的応力を本質的に全て除去できる。他の実施形態においては、装置が相互接続インタフェースを有し、この相互接続インタフェースが、前記酸化物−酸化物結合、及び、前記検出素子の前記バンプと前記集積チップの前記対応バンプとの間の電気的接触を含む。
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【課題】多接合型光起電力発生装置においては、積層数が増加するので、光の結合損失からエネルギー変換効率が小さく、製造コストが高く、かつ製造が困難であった。
【解決手段】サファイア基板１上に横方向に異なるバンドギャップを有する複数のセル２−１、２−２、…、２−７が形成される。各セルは、各バンドギャップに対応する傾斜角の山型傾斜の凹凸面を有するｎ型GaN層２１、ｎ型GaNバッファ層２１上に形成されたｎ型InAlGaN層２２及びｐ型InAlGaN層２３よりなる。InAlGaN層２２、２３の組成はその傾斜角に応じたバンドギャップを有するように決定される。各セル２−１、２−２、…、２−７は出力端子OUT₁、OUT₂間にボンディングワイヤ３−０、３−１、…、３−７によって直列に接続されて太陽電池として作用する。 （もっと読む）

【課題】 冷却機構なしで暗電流を減らし、受光感度を波長１．８μｍ以上に拡大したＩｎＰ系フォトダイオードを用いて、食品の品質を高感度で検査することができる食品品質検査装置等を提供する。
【解決手段】 受光層３がＩＩＩ−Ｖ族半導体の多重量子井戸構造を有し、ｐｎ接合１５は、不純物元素を受光層内に選択拡散して形成したものであり、受光層における不純物濃度が、５×１０^１６／ｃｍ^３以下であり、食品品質検査装置は、波長３μｍ以下の水の吸収帯に含まれる、少なくとも１つの波長の光を受光して、検査をすることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】位置ズレを生じることなく１回のＸ線の照射で異なるエネルギーのＸ線による放射線画像を得ることができるＸ線検出素子を提供する。
【解決手段】シンチレータ３１を基板１の一方の面側のセンサ部２６及びセンサ部２９の外側に設け、シンチレータ３０を基板１の他方の面側に設けて、基板１の一方の面側又は他方の面側から照射されたＸ線をシンチレータ３０、３１で光に変換し、センサ部２９が、一方の面側のシンチレータ３１から照射された光を検出し、センサ部２６が、基板１の他方の面側のシンチレータ３０から照射された光を検出する。 （もっと読む）

【課題】位置ズレを生じることなく１回のＸ線の照射で異なるエネルギーのＸ線による放射線画像を得ることができるＸ線検出素子を提供する。
【解決手段】基板１にＸ線の照射方向にＸ線検出部２２ＡとＸ線検出部２２Ｂとを積層して設け、照射されたＸ線をＸ線検出部２２Ａで検出すると共に、Ｘ線検出部２２Ａを透過したＸ線をＸ線検出部２２Ｂで検出する。 （もっと読む）

【課題】光子及び／又は荷電粒子の位置及び／又はエネルギーを測定するための検出器を提供すること。
【解決手段】上記検出器は半導体材料でできている複数のダイオードとｎ−接点（１）とｐ−接点（４）を有し、上記ｎ−接点はｎ−層を個々のセグメントに細分化することにより得られる。ｎ−層の上記セグメントは幅が２０〜５００μｍである。上記検出器は半導体材料の一面にイオンを分散してｎ−層を作ることによって作られる。金属層はその上に蒸着される。リソグラフィーによってセグメント化されたセグメント間をエッチングして溝を形成する。本発明の検出器は高性能でとりわけ高い位置分解能と高い計測速度を可能にする。 （もっと読む）

【課題】残像の発生を抑制することができる検出素子を提供する。
【解決手段】センサ部１０３は、光が照射されることにより電荷が発生する半導体層６、半導体層６に対してバイアス電圧を印加する上部電極７、及び半導体層６に発生した電荷を収集する下部電極１４を備え、下部電極１４によって半導体層６に発生した電荷が収集して蓄積しており、半導体層６に発生した電荷が収集されて下部電極１４の電圧レベルが飽和防止電圧レベルＶｓとなると蓄積された電荷が流れ出す飽和防止回路（ダイオード５Ａ、第２バイアス配線１０９）を設ける。 （もっと読む）

【課題】不純物層を特性よく形成し、更に合わせ位置を正確に形成し、更にノイズ低減が可能な固体撮像装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】第１主面４ａと第１主面４ａと相対向する第２主面４ｂを有し、かつ撮像素子領域１００ａと周辺領域２００とを有する第１導電型の半導体層４と、撮像素子領域１００ａにおける半導体層４の第１主面に形成され、光電変換により電荷を蓄積する受光部１０と、受光部１０を囲んで、半導体層４の第１主面４ａから半導体層４の途中にまで延びる素子分離領域用の第２導電型の第１不純物層１２と、半導体層４の第２主面４ｂから第１不純物層１２の底部に達する素子分離用の第２導電型の第２不純物層１３とを具備する。 （もっと読む）

【課題】光バリア性能を確保しながら平坦化を図ることができる光電変換装置及び放射線検出装置を提供する。
【解決手段】複数の画素２０を備え、前記複数の画素２０の各々が基板１１上に形成された光電変換素子２３を備えた光電変換装置において、前記光電変換素子２３は光入射側に受光面を備え、前記複数の画素２０間の領域には受光面を露出させて光バリア層４６が配置されており、前記受光面は、前記光バリア層４６から露出しており、前記光バリア層４６は、前記光電変換素子２３と前記基板１１とで形成される段差に配置されている。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で外部からの電磁波ノイズの入射によって信号配線に発生する外部ノイズを低減させた電磁波検出素子を提供する。
【解決手段】基板１の裏面のセンサ部１０３が設けられた領域に対応する対応領域一面に金属膜３５を設け、スルーホール３０を介して金属膜３５とセンサ部１０３とを接続する。 （もっと読む）

【課題】クロストークを防止でき、部品点数の増加を回避でき、小型化を図れ、光の結合効率の低下を回避できる安価な光通信装置および光通信システムを提供する。
【解決手段】この光通信システムが備える第１の光通信装置１１は、受光素子としてＳｉ製のＰＩＮフォトダイオード２２を有し、このＳｉ製ＰＩＮフォトダイオード２２は電極間方向のＰ領域５２の厚さＬ１とＩ領域５３の厚さＬ２との和Ｌを薄くして、赤外領域以上の長波長光では動作しないものとなっている。よって、第１の光通信装置１１では、レーザダイオード２１からの光信号を赤外領域以上の長波長光とすることで、この長波長光が光ファイバ１３の端部で反射してＳｉ製ＰＩＮフォトダイオード２２に入射してもＳｉ製ＰＩＮフォトダイオード２２が動作しないので、クロストークの問題を回避することが可能となる。 （もっと読む）