【課題】クロストークを防止でき、部品点数の増加を回避でき、小型化を図れ、光の結合効率の低下を回避できる安価な光通信装置および光通信システムを提供する。
【解決手段】この光通信システムが備える第１の光通信装置１１は、受光素子としてＳｉ製のＰＩＮフォトダイオード２２を有し、このＳｉ製ＰＩＮフォトダイオード２２は電極間方向のＰ領域５２の厚さＬ１とＩ領域５３の厚さＬ２との和Ｌを薄くして、赤外領域以上の長波長光では動作しないものとなっている。よって、第１の光通信装置１１では、レーザダイオード２１からの光信号を赤外領域以上の長波長光とすることで、この長波長光が光ファイバ１３の端部で反射してＳｉ製ＰＩＮフォトダイオード２２に入射してもＳｉ製ＰＩＮフォトダイオード２２が動作しないので、クロストークの問題を回避することが可能となる。 （もっと読む）

【課題】ＣｄＴｅと代替可能であって環境負荷の小さい物質を特定し、それを用いた半導体放射線検出器を提供すること。
【解決手段】酸化亜鉛単結晶基板を利用して構成されるダイオードを備えた放射線検出器を用いる。厚さ２ｍｍのｎ型酸化亜鉛で構成される基板２１０上に、膜厚０．１μｍのＰｔ薄膜からなるショットキー電極２２０を形成する。続いて、基板２１０の下面に膜厚０．１μｍのＣｒ薄膜２３１を形成し、更に、Ｃｒ薄膜２３１の下面に膜厚０．１μｍのＡｕ薄膜２３２を形成する。Ｃｒ薄膜２３１及びＡｕ薄膜２３２はオーミック電極２３０として機能する。基板２１０に対して放射線が入射されるとショットキーダイオードに電流が流れるため、放射線を検出することができる。 （もっと読む）

【課題】外部ストレスによる亀裂、ヒビ、カケなど外観上の不良を低減された半導体装置を提供することを課題の一とする。また、薄型化された半導体装置の製造歩留まりを向上させることを課題の一とする。
【解決手段】インターポーザ上に実装された複数の半導体集積回路を有する。複数の半導体集積回路はそれぞれ、光電変換素子と、側面に段差を有し幅寸法は段差よりも一方の面に向かう先の部分が小さい透光性基板と、透光性基板の他方の面に設けられた半導体素子層と、透光性基板の一方の面及び側面の一部を覆う有彩色の透光性樹脂層とを含む。複数の半導体集積回路において、有彩色の透光性樹脂層の色が異なる。 （もっと読む）

【課題】何れかの読出用配線または行選択用配線が断線している場合にも解像度が高い画像を得ることができる固体撮像装置を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、入射光強度に応じた量の電荷を発生するフォトダイオードＰＤと、このフォトダイオードと接続された読出用スイッチＳＷ_１と、を各々含むＭ×Ｎ個の画素部Ｐ_１,１〜Ｐ_Ｍ,ＮがＭ行Ｎ列に２次元配列された受光部を備える。各画素部Ｐ_ｍ,ｎは略正方形の領域を占めていて、その領域の殆どの部分がフォトダイオードＰＤの領域であり、その領域の一つの角部に読出用スイッチＳＷ_１としての電界効果トランジスタが形成されている。画素部間の領域にチャネルストッパＣＳが連続して形成されている。任意の互いに隣接する２×２個の画素部により囲まれる領域において、チャネルストッパＣＳにより囲まれてダミー用フォトダイオードＰＤ１が形成されている。 （もっと読む）

【課題】感度強度のばらつきや、感度波長のばらつきを抑えることが可能な照度センサを提供する。
【解決手段】所定のピーク感度波長を有する第１受光部ＰＤ１と、第１受光部ＰＤ１と比較して長いピーク感度波長を有する第２受光部ＰＤ２とを備え、第１受光部ＰＤ１と第２受光部ＰＤ２とが直列接続された接続点を出力端とし、第１受光部ＰＤ１と第２受光部ＰＤ２とのそれぞれが２以上にほぼ同じ面積で分割された状態で並列接続され、分割された第１受光部ＰＤ１と第２受光部ＰＤ２とが、受光領域Ｓで平面的に均等に分布するように、交互に配置されている。そして、第１受光部と第２受光部とを封止する樹脂封止部４を備え、この樹脂封止部４には、受光領域Ｓに集光するレンズ部４１が設けられると共に、レンズ部４１の光入射面を除く上面が、粗面に形成されている。 （もっと読む）

【課題】素子の亀裂、ヒビ、カケなど外観上の不良を低減された信頼性の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。基板を薄くし、作製される素子を搭載する装置の容積が縮小された半導体装置を歩留まりよく作製することを課題の一とする。
【解決手段】基板の第１の面に半導体素子が設けられ、基板の第１の面とは反対の第２の面と、基板の側面の一部と、に樹脂層を有し、基板の側面に段差を有し、基板の幅寸法は、段差よりも先の部分が小さい。よって、基板の断面は、凸字形状ともいえる。 （もっと読む）

【課題】 Ｘ線撮像表示装置等に用いられるフォトセンサーの製造において、フォトダイオードの不良チェックを行う必要があるため、フォトセンサー用アレイ基板に対して、暗状態と光照射状態の２つの状況下でテストを実施する必要がある。ガード抵抗として逆スタガ型のＴＦＴを用いる場合、光照射状況下ではバックチャネル側に光が照射されるのでＴＦＴのＯＮ抵抗が減少する。サイズの小型化で改善されうるが、静電気対策のために最低限必要なサイズ以下にはできない。
【解決手段】 ガード抵抗４００はＴＦＴ２０１、２０２で形成されて、かつ、バックチャネル上部に形成された遮光膜２１ａにより遮光されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ディジタルＸ線イメージング・システムの生産に伴うコスト及びサイクル時間の両方を低減するディジタルＸ線検出器用撮像パネルを提供する。
【解決手段】フラット・パネル検出器のピクセル構造の構築において、ダイオード・シリコン及びＦＥＴシリコンを同時に蝕刻して、分離した構造（アレイ・フォトダイオード及び入出力素子等）を形成し、このときダイオード・シリコン構造の端辺又は外周が直下のＦＥＴＳｉ構造に自動整列される。堆積時全厚分のＦＥＴゲート誘電層（６１）、及びＦＥＴシリコン層（６３）の（少なくとも）一部は、フラット・パネル検出器の全体にわたってダイオード・シリコンの直下に残存する。 （もっと読む）

【課題】ホトダイオードアレイを備える放射線検出器の製造方法において、実装時における光検出部のダメージによるノイズの発生を防止する。
【解決手段】第１導電型の半導体からなる半導体基板３に、該半導体基板の両側表面を貫通する貫通配線８を形成する第１工程と、半導体基板の片側表面について、所定の領域に不純物を添加して複数の第２導電型の不純物拡散層を形成し、複数のホトダイオード４をアレイ状に配列して設ける第２工程と、半導体基板の片側表面側に、少なくともホトダイオード４が形成された領域を保護する膜厚１〜５０μｍの透明樹脂膜６を設ける第３工程とにより、ホトダイオードアレイを製造した後、ホトダイオードアレイを実装配線基板に実装する工程と、透明樹脂膜６上に、シンチレータパネル３１を、シンチレータパネルから出射された光を透過する光学樹脂３５を介して取り付ける工程とによって製造する。 （もっと読む）

【課題】大きな帯電が生じてもＴＦＴの破壊や動作電圧の変動の発生を回避でき、切断された場合にリーク電流等の発生を確実に防止可能な保護回路を備えるガラス基板を提供する。
【解決手段】電磁波検出装置４０に用いられるガラス基板１であって、一方の面２ａ上に、互いに交差する複数の走査線３および複数の信号線４と、走査線３と信号線４とにより区画された各領域Ｒに設けられた光電変換素子５と、各領域Ｒにそれぞれ設けられ信号線４や走査線５とドレイン電極６２やゲート電極６３が接続された薄膜トランジスタ６と、光電変換素子５が形成された各領域Ｒよりなる検出部Ｄの外側の、複数の走査線３上および複数の信号線４上にそれぞれ形成された入出力端子８と、各入出力端子８のさらに外側にそれぞれ延出された導線９と各導線９を各入出力端子８の外側でそれぞれ連結するコモン線１０とからなる保護回路１１とを備える。 （もっと読む）

【課題】微細化や製造が容易で、かつ、良好なＳ／Ｎ比を得ることができる光電変換素子及び撮像素子を提供する。
【解決手段】本発明の光電変換素子は、絶縁層と、絶縁層に形成されたゲート電極と、ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された光電変換膜と、光電変換膜と少なくとも一部が接触するように形成されたソース電極とドレイン電極とを備えた光電変換素子であって、光電変換膜に光が照射することで、ゲート電極との閾値電圧が変調するトランジスタ構造を有する。 （もっと読む）

【課題】ＰＮ接合容量を増やさずに画素間隔を狭める。
【解決手段】光電変換領域を構成する第一導電型の第一不純物領域１０２と、第一不純物領域に配された、信号取り出し領域を構成する第二導電型の第二不純物領域１０５とを含む画素を複数配置してなる光電変換装置において、各画素を分離するために各画素の周囲に、第一導電型の第三不純物領域１０３と、第一導電型の第四不純物領域１０４とが配置され、第四不純物領域は隣接する画素間にあり、第四不純物領域の不純物濃度は第三不純物領域の不純物濃度より低い。 （もっと読む）

【課題】半導体基板の表面から半導体基板の裏面側の半導体領域へ基板バイアスを供給することができる光電変換装置及び撮像システムを提供する。
【解決手段】光電変換装置１は、画素領域１３０と前記画素領域の周辺に位置する周辺領域１３１とを有する半導体基板と、基板バイアスを供給するための電源ラインと、前記周辺領域に配された、前記半導体基板と前記電源ラインとを接続するコンタクトプラグ１５０とを備え、前記半導体基板は、前記基板バイアスが前記電源ラインから前記コンタクトプラグを介して前記半導体領域へ供給される。 （もっと読む）

【課題】本発明は、装置構成を簡略化でき、小型の光受信装置を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明に係る光受信装置は、信号光を受信するフォトダイオードと、給電光を受光するフォトセルと、キャパシタと、を備える光受信装置であって、前記フォトダイオード及び前記フォトセルは、いずれか一方のアノードと他方のカソードとを接続することで直列に接続されて同一の半導体チップに形成されており、前記キャパシタは、一端が前記フォトダイオードと前記フォトセルとの接続点に接続され、前記フォトダイオードからの電気信号をグランドに結合することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】光電変換部で取得した放射線画像にて光電変換基板間の継ぎ目が目立たない放射線検出器を提供する。
【解決手段】画素単位の光電変換素子14を配列した複数の光電変換基板12を、光電変換素子14が隣接するように貼り合わせて光電変換部13を形成する。光電変換部13は、画素単位間距離を一定として光電変換素子14を配設し、隣接する光電変換基板12に近づくほど光電変換素子14の面積を小さくする。光電変換基板12の継ぎ目に近づくほど感度を低下させ、光電変換基板12の継ぎ目部分の感度の差を小さくすることで、光電変換部13で取得する放射線画像にて、光電変換基板12の間の継ぎ目を目立たなくできる。 （もっと読む）

【課題】高速且つ高密度の光配線を低コストで構築するため、簡易な光結合系でも大きな実装余裕と動作余裕が得られる半導体受光素子およびその製造方法の提供。
【解決手段】基板上に設けられた半導体からなる受光部と、基板上に設けられた樹脂層と、樹脂層に周囲を囲まれて受光部の上に位置し、開口径が、受光部近傍で受光部より小さく、基板から離れるに従って連続的に広くなり、樹脂層の表面側で受光部より大きい逆錐体型開口と、逆錐体型開口の斜面に設けられ、且つ受光部の電極とは電気絶縁された金属からなる光反射膜とを備え、基板上の受光部以外の部分が遮光されている。 （もっと読む）

【課題】半導体の基板（Ｉ層）を厚くし得ると共に、高抵抗率の半導体を用いることができ、高エネルギーＸ線を検出でき、かつ、長い部分や広い面積についてＸ線検出が可能なＳＤＤを提供する。
【解決手段】Ｉ層１１の第１の面にＰ層１０が設けられ、Ｉ層１１の第２の面に島状のＮ層１２が設けられると共にＮ層１２を中心として環状のＰリング１３が形成され、放射線の入射によりＩ層１１で発生した電荷をＰ層１０およびＰリング１３に印加した電圧により生じた電位勾配によってＮ層１２に集める放射線検出器に関する。Ｐ層１０に電圧印加用の第１電極端子２１を設け、Ｐ層１０の外周部分に対峙する位置に設けた１本のＰリング１３に電圧印加用の第２電極端子１４を設けると共に、第２の面におけるＰリング１３とＮ層１２との間には、電圧印加用の端子が設けられていない。 （もっと読む）

【課題】Ａ／Ｄ変換器がもつ分解能よりも高い分解能の放射線画像データを得ることができる放射線画像検出装置の提供。
【解決手段】フォトダイオード６０１に蓄積された電荷をＴＦＴ６０２のスイッチングで読み出すにあたり、一度で全て読み出すのはなく、時分割して複数回に分けて読み出す。 （もっと読む）

【課題】 半導体素子と配線基板での対応する導電路とが良好に接続される半導体装置を提供する。
【解決手段】 入力面２０ａ側で開口面積が大きくなるテーパ部２０ｄを有する貫通孔２０ｃが設けられたガラス基板、及び貫通孔２０ｃの内壁に形成された導電性部材２１からなる配線基板２０を用いる。この配線基板２０の入力面２０ａ上に形成された導電性部材２１の入力部２１ａに対し、ＰＤアレイ１５の出力面１５ｂ上に導電性部材２１に対応して設けられたバンプ電極１７を接続して、半導体装置５とする。そして、ＰＤアレイ１５の光入射面１５ａに光学接着剤１１を介してシンチレータ１０を接続し、配線基板２０の出力面２０ｂにバンプ電極３１を介して信号処理素子３０を接続して、半導体検出器を構成する。 （もっと読む）

【課題】暗電流を抑制させるとともに素子温度の変化に対してシステムの動作を安定させることができる。
【解決手段】障壁層１２ａ上に形成された量子ドット１１と、量子ドット１１の上面を覆うように形成された障壁層１２ｂとを有する量子ドット層１３と、動作時に、量子ドット層１３に対して垂直方向に流れる電流の量子ドット層１３下流側に向かって、第１の導電型の不純物がドープされた不純物層１６と、アンドープまたは第２の導電型の不純物がドープされた低濃度不純物層１５と、第２の導電型と同型であって、低濃度不純物層１５よりも高濃度の不純物がドープされた導電層１４と、を順に有する導電構造１７と、で構成されて、導電層１４と障壁層１２ｂとの電位障壁の高さが温度に依存するようになる。 （もっと読む）