【課題】放射線の検出感度を向上させることができる放射線検出素子、及び放射線検出素子の製造方法を提供する。
【解決手段】本発明に係る放射線検出素子１０は、放射線を検出可能な化合物半導体からなる半導体基板１００と、半導体基板１００の表面に設けられ、表面側から半導体基板１００の内部に向けて徐々に幅が狭まる溝１２０と、半導体基板１００の表面の平坦な領域と半導体基板１００の表面の反対側の面とのそれぞれに設けられる電極とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳ等と接続してハイブリッド型検出装置を形成するときオープン不良を生じにくい、受光素子アレイ等を提供する。
【解決手段】化合物半導体の受光素子アレイは、ＣＭＯＳ等との接続のためにバンプが設けられた電極が複数配列されており、電極が配列された領域は、中心から距離に応じて領域Ｓ_１，Ｓ_２，Ｓ_３に分けられており、外側の領域の、領域面積当たりのバンプの占有面積が中心側の領域のそれより大きくなるように、外側の領域のバンプの個数の密度が、中心側の領域のそれより大きいことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】組立て作業性を損なうことなく、周波数特性を向上させ得る、裏面入射型半導体受光素子、それを内蔵する光受信モジュールおよび光トランシーバを提供する。
【解決手段】裏面入射型半導体受光素子１８は、矩形状のＦｅドープＩｎＰ基板１と、基板表面における１辺（上辺）側の中央部に形成された、基板裏面から入射される光を受光するＰＮ接合部を有する受光メサ部２と、受光メサ部２の上面に形成された、ＰＮ接合部の一方側に導通するＰ型電極４と、基板表面における１辺（上辺）側の１隅部に形成されたＮ型電極メサ部９と、Ｎ型電極メサ部９の上面まで引き出された、ＰＮ接合の他方側に導通するＮ型電極５と、基板表面における他の３つの隅部を含む領域に形成されたＰ型電極メサ部８およびダミー電極メサ部１０と、ダミー電極メサ部１０の上面に形成されたダミー電極６と、を含む。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子とシンチレータとの間に設けられる保護層による光電変換素子の量子効率の低下の度合を低減し、かつ、光電変換素子等が腐食することを的確に防止することが可能な放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線画像撮影装置１は、入射した放射線を光に変換するシンチレータ４が一方の面５ａに形成された第一の基板５と、シンチレータ４により変換された光を受けて電気信号に変換する光電変換素子１４が一方の面３ａに形成された第二の基板３とを備え、第二の基板３の、光電変換素子１４が設けられた側の面３ａ上には、第一の基板５の面５ａ上に形成されたシンチレータ１４と接触する保護層２０が形成されており、保護層２０は、光電変換素子１４のシンチレータ４に対向する受光面１４ａ上の部分では、シンチレータ４から離間する状態で凹部２０ａが形成されている。 （もっと読む）

【課題】一層の半導体層から膜厚の異なる半導体層を有する半導体薄膜基板を提供することを目的の一とする。または、半導体薄膜基板を適用した半導体装置を提供することを目的の一とする。
【解決手段】基板上に半導体層を形成し、半導体層を加工して第１の島状半導体層および第２の島状半導体層を形成し、第１の島状半導体層にレーザー照射を行うことにより第１の島状半導体層を溶融させ、第１の島状半導体層から第２の島状半導体層より膜厚が厚い第３の島状半導体層を形成する、半導体薄膜基板の作製方法である。 （もっと読む）

【課題】特定の構造の化合物を光電変換素子に適用した場合に光電変換素子として機能し、かつ、その素子は低い暗電流を示し、かつ該素子を加熱した場合にも暗電流の増加幅を小さくすることが可能な光電変換素子及びそのような光電変換素子を備えた撮像素子を提供すること。
【解決手段】透明導電性膜と導電性膜との間に挟持された、光電変換層及び電子ブロッキング層を含む光電変換膜を有する光電変換素子であって、前記電子ブロッキング層が環構造を３つ以上含む置換アミノ基を置換基に有する化合物を含む事を特徴とする光電変換素子。 （もっと読む）

【課題】大幅な薄型軽量化を実現できるとともに、湾曲形状をなす対象物から画像や文書などを正確に読み取り可能な密着型イメージスキャナを提供する。
【解決手段】密着型イメージスキャナ１は、発光層２０、感光層３０、信号処理層４０が上下方向に積層された構成を有する。発光層２０には、原稿Ｔに向けて光を照射する有機ＥＬ２３と、原稿Ｔから反射される光を下側に透過させる光透過部２４とが、画素ごとにフィルム基板２１に設けられている。感光層３０は、光透過部２４を透過して入射する光量に応じて電荷を蓄積する有機ＰＤ３３が、画素ごとにフィルム基板３１に設けられている。信号処理層４０は、有機ＰＤ３３に蓄積された電荷を読み出す有機ＴＦＴ４３が、画素ごとにフィルム基板４１に設けられている。 （もっと読む）

【課題】混色の発生等を防止し、撮像画像の画像品質が低下するなどの不具合の発生を抑制する。
【解決手段】複数の画素Ｐに対応して形成されたカルコパイライト光電変換膜１３の間においてポテンシャル障壁になるように、画素分離部ＰＢを、ドーピングの濃度制御または組成制御がされた化合物半導体によって形成する。 （もっと読む）

【課題】高温熱処理後における性能劣化を防止し、かつ、高い性能を得ることのできる光電変換素子を提供する。
【解決手段】一対の電極（画素電極６、対向電極１０）と、画素電極６及び対向電極１０の間に設けられた有機化合物を含む光電変換層９と、光電変換層９と画素電極６との間に設けられた電荷ブロッキング層７とを有する有機光電変換素子Ｐであって、光電変換層９と電荷ブロッキング層７との間に設けられ、ガラス転移温度が２００℃以上の有機化合物で構成された中間層８を備える。 （もっと読む）

【課題】 表面プラズモンを伝送するための開口における表面プラズモンの透過光量の低下を招くことなく、高速応答性の向上をはかる。
【解決手段】 入射光を表面プラズモンに変換するための結合周期構造２２が表面に設けられ、該結合周期構造２２中に表裏面を貫通する開口２３が設けられた導電性薄膜２１と、開口２３の結合周期構造２２が設けられた面と反対面の端部に配置された受光部とを有した受光素子であって、開口２３の形状は、２つのスリットを直交交差させた十字形であり、各々のスリットの長辺方向が前記表面プラズモン波長の１／２より長く、短辺方向が前記表面プラズモン波長の１／２より短い。 （もっと読む）

装置は、光送信機；光ファイバから光学信号を受信する光検知器；第１のポートと、光ファイバにより光検知器に連結された第２のポートと、光送信機に連結された第３のポートとを有する光学スプリッタ；並びに光検知器の出力に接続された二段増幅器システムを備える。光検知器の入力表面の直径は、光ファイバの芯の直径に略等しい。このような光検知器の入力表面の直径により、静電容量及び信号歪が低減する。光学スプリッタは、第１のポートで第１の光学信号を受信する。この光学スプリッタは、第１の光学信号を第２のポートに送信し、第３のポートで受信した第２の光学信号を第１のポートに送信するように構成することができる。 （もっと読む）

【課題】信頼性が高く、かつ高性能化、小型化が可能なＸ線平面検出器を提供する。
【解決手段】Ｘ線平面検出器１０は、光電変換素子１が複数配列している受光部２と電極パッド３とを有する固体撮像素子４、表面側に外部接続用電極パッド６が設けられ、裏面側にそのパッド６と電気的に接続されている電極端子７が配された基台８、電極パッド３と外部接続用電極パッド６とを電気的に接続する配線９、外部から入射したＸ線を光に変換するシンチレータ層５、及び保護層２５を具備している。保護層２５は、少なくともシンチレータ層５の表面、裏面、及び側面、受光部２、電極パッド３、外部接続用電極パッド６、及び配線９を一体的に被覆するように連続的に形成されている。 （もっと読む）

【課題】従来技術の光検出器アレイにおける制限を克服し、改善された性能有する光検出器アレイを提供する。
【解決手段】光検出器アレイは、高抵抗低ドーピング濃度第１半導体基材と、低抵抗高ドーピング濃度第２半導体基材とによって形成される複数の光検出器を含む。前記第１及び第２半導体基材は、結合界面においてシリコン−シリコン原子接合によって互いに直接接合され、それによって、第１基材から第２基材へシャープな遷移を提供する。この光検出器アレイの製造方法も提供される。 （もっと読む）

【課題】入射加速粒子および高エネルギ放射線に耐えることのできるモノリシックセンサを提供する。
【解決手段】加速電子検出器はＣＭＯＳ構造のモノリシックセンサのアレイを備え、各センサは基板（１０）と、エピ層（１１）と、ｐ＋ウェル（１２）と、エピ層（１１）によってｐ＋ウェル（１２）から分離されたｎ＋ウェル（１３）とを含む。ｐ＋ウェルには複数のＮＭＯＳトランジスタが集積される。センサはまた、バイアス電圧の印加によりエピ層内に発生する電荷担体がｎ＋ウェル（１３）にドリフトされるように、エピ層内に欠乏層を確立する深いｎ領域（１５）をｐ＋ウェル（１２）の下に含む。検出器は改善された放射線耐性を有し、したがってそれは電子顕微鏡のような加速電子の検出および撮像に適する。 （もっと読む）

【課題】半導体の基板（Ｉ層）を厚くし得ると共に、高抵抗率の半導体を用いることができるＳＳＤを提供することで、エネルギーの高い放射線の検出精度を高める。
【解決手段】Ｉ層の第１の面にＰ層が設けられ、Ｉ層の第２の面に島状のＮ層が設けられると共にＮ層を中心として環状のＰリングが形成され、放射線の入射によりＩ層で発生した電荷をＰ層およびＰリングに印加した電圧により生じた電位勾配によってＮ層に集める放射線検出器に関する。Ｐ層に電圧印加用の第１電極端子を設け、Ｐ層の外周部分に対峙する位置に設けた１本のＰリングに電圧印加用の第２電極端子を設け、第２の面における外周部分に対峙する位置に設けたＰリングとＮ層との間には、絶縁層が設けられ、絶縁層の表面に電圧印加用のリング状の電極端子が設けられていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】暗電流の発生の少ない光電変換素子及び固体撮像素子を提供すること。
【解決手段】 導電性膜と、光電変換膜と、透明導電性膜とを含む光電変換素子であって、前記光電変換膜が、結晶化したフラーレン又はフラーレン誘導体を含み、前記結晶化したフラーレン又はフラーレン誘導体が、前記導電性膜の膜面に対して垂直に（１１１）方向に配向している、電変換素子。 （もっと読む）

【課題】プリアンプに関わるボンディングワイヤ長を短くし、高周波特性の改善を図ることができる構造の光受信モジュールを得ること。
【解決手段】接地電位に保持されるステム２ａの部品搭載面に搭載される部品に、信号光を電流信号へ変換する受光素子１１と、前記受光素子の出力電流信号を増幅するプリアンプ１３とが含まれる光受信モジュール１ａにおいて、前記ステムの部品搭載面に、前記プリアンプの外周囲を取り囲む凸状の囲い１４が該ステムと同じ接地電位を保持して立設され、前記プリアンプの接地端子２１が前記凸状の囲いにボンディングワイヤ２２によりワイヤボンドされている。 （もっと読む）

【課題】
光結合効率が高く、高密度実装された小型の光モジュールを提供する。
【解決手段】
光モジュールにおいて、半導体基板１１の主表面に対して光を垂直方向に出射する発光素子が光出射領域に集積されたレンズ１９と光出射領域を囲むように集積された保持部２２とを有することにより、発光素子と発光素子からの光を導波する光ファイバ３１との水平垂直方向の位置合わせの簡易性が向上し、光結合効率が高く、高密度実装された小型の光モジュールを提供することができる。 （もっと読む）

【課題】容量結合が低減された光電変換装置を提供する。
【解決手段】本発明の光電変換装置は、複数の画素領域に区画された光検出領域と、複数の画素領域の各々に配置され、第１電極２５１と第２電極２５２とに挟持された光電変換層を有する、光電変換素子２５と、第１電極２５１と電気的に接続され、第１方向に延設された第１配線２２２と、第２電極２５２と電気的に接続され、光電変換層の厚み方向において第１配線２５１から離れた位置に配置されており、第１方向と交差する第２方向に延設された第２配線２３と、を備える。第１配線２２２は、第１方向と第２方向とが交差する交差部２６において分断されてなる。第１配線２２２を含んだ通電経路は、交差部２６の厚み方向において第１配線２２２よりも第２配線２３から離れた位置に設けられた接続導電部２６１を含んでいる。 （もっと読む）

【課題】接続信頼性を高めた光電変換装置、エックス線撮像装置を提供する。
【解決手段】本発明の光電変換装置は、光電変換素子及び読出回路が形成された素子層と、素子層表層に設けられた外部接続端子２２１とを備える。素子層は、読出回路の一部を構成する配線２４４の下地となる配線下地層２０と、表層２９４と配線下地層２０との間に配置された中間層２９１〜２９３と、を有する。表層２９４を貫通して配線２４４に至るコンタクトホールＨ３が形成されている。コンタクトホールＨ３の内壁面は、中間層２９１〜２９３又は表層２９４の面方向の一部が保持されてなりコンタクトホールＨ３の外側の表層２９４上と段差Ｄ３を構成する段差面Ｈ３２を含む。外部接続端子２２１は、コンタクトホールＨ３の内壁面と表層２９４上とコンタクトホールＨ３内に露出した部分の配線２４４とにわたって形成された導電膜を含んでいる （もっと読む）