【課題】色再現性を高レベルで保ち、さらにスミア特性、感度特性の優れたカラー固体撮像装置を提供する。
【解決手段】半導体基板２０には受光部３があり、さらに受光部３に隣接して読み出し領域５および転送領域４が形成されている。第１透明膜８の上には受光部３に対峙するように、上に凸形状の層内レンズ９を設ける。色フィルタ１１の上には第３透明膜２２と、その上には受光部３、層内レンズ９、色フィルタ１１と対峙するようにトップレンズ１３を設ける。入射光は、トップレンズ１３および層内レンズ９より集光して受光部３に到達するが、青用受光部３Ｂ、緑用受光部３Ｇ、赤用受光部３Ｒは基板内の深さ方向に対して、それぞれ異なる位置に形成する。各色の集光位置をずらすために、凸形状からなる層内レンズの曲率を変える。青用トップレンズ１３Ｂ、緑用トップレンズ１３Ｇ、赤用トップレンズ１３Ｒのレンズ形状およびレンズ曲率は同一にする。 （もっと読む）

一実施形態において、X線撮像装置（200）用の画像センサ（290）は、ホトダイオード（223）及び読み出し回路を含む。読み出し回路の下方に形成されている深井戸（232）は、ダイオードとして構成され、寄生電子を流出させ、さもなければ画像内にノイズが誘導される。寄生電子は、電源又は、例えば線量測定を目的とした測定回路に対して流出する。 （もっと読む）

電気的−光学的結合及び検出装置。本発明の実施態様に従った装置は、半導体材料内に定められる反射表面を有する。反射表面は入射ビームを光学目的地に向けて反射する。光検出器が半導体材料の反射表面内に一体的に統合される。半導体材料の反射表面内に配置される光検出器は、入射光ビームを検出する。
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【課題】 Ｘ線検出特性を劣化させることなく、安定して確実に製造することができる、半球体の半導体検出器および半導体検出器製造方法を実現する。
【解決手段】 半球体をなす半導体検出器１０の半球断面に掘削部１８を設け、半球面をなすＰ型半導体領域１１の辺縁部に突起部１４を設けることとしているので、製造工程で必要とされる半導体検出器１０の支持を突起部１４で行い、簡易な構造の半導体検出器１０のＸ線検出特性に影響を与えることなく、安定して確実に製造を行うことを実現させる。 （もっと読む）

【課題】
高純度シリコン結晶を用いたことによる利点を生かしつつ、さらに、漏れ電流を抑制するとともに、放射線検出素子のコンパクト化を図ることをその所期課題とする。
【解決手段】
外部から入射する放射線を吸収し、当該放射線により生成される電荷を、電界をかけることにより取り出す放射線検出素子であって、軸線方向に延びる柱状部及び当該柱状部の一端の外周に設けられた鍔部からなる高純度シリコン部材と、前記高純度シリコン部材の両端面にそれぞれ形成した互いに極性の異なる電極と、を備え、前記鍔部における電極が形成されていない端面に、径方向に内向きの面方向成分を有する、電界が発生しない無電界面を形成している。 （もっと読む）

【課題】放射線の入射角による感度変動をなくし、正確な被ばく量管理を可能にする。
【解決手段】球状のシリコン７上に電極３を取り付けてベース４，５上に配置し、このベース４，５の上には、外部へ信号を取り出すための端子１，２を設けて構成する。このシリコン７は球型に加工されたＰ型半導体にＮ型半導体をドーピングしたもので、ダイオード構造となっており、端子１にプラス側電極を接続し、端子２側にはマイナス側電極を接続して、放射線検出部とする。従来の平型のものは指向性をもつが、球型とすることで指向性による影響をなくすことが可能となる。 （もっと読む）

【課題】 シンチレータによって発生するクロストークを抑制し解像度を向上させることを可能とした放射線検出装置を提供することを目的とする。
【解決手段】 少なくともフォトダイオード６上部領域に積層される保護膜層３−１と比較して、隣接画素との境界領域上部に積層される保護膜層３の透過率を低く設定しておくことで、隣接画素領域に位置するシンチレータ４から放射された可視光が当該画素領域のフォトダイオード６に入射される光量を減少させることができる。 （もっと読む）

【課題】 容易かつ低コストに製造することができ、また安定した光伝送を行うと共に、その速度の向上を図ることができる光導波装置、光導波モジュール及び光・電気複合デバイスを提供すること。
【解決手段】 シリコン基体２に、互いに屈折率の異なるシリコン酸化膜によって形成されたコア３及びクラッド４ａ、４ｂからなる光導波層５が設けられ、前記クラッドとしての前記シリコン酸化膜の屈折率が、コア３としての前記シリコン酸化膜の屈折率より小さい、光導波装置１。光導波層５と、この光導波層５の一部分を除去して設けられた凹部１０内に成膜された受光素子構成層９とがシリコン基体２に設けられている、光導波モジュール８。本発明の光導波モジュール８において、光導波層５及び受光素子９を含むシリコン基体２上に、絶縁膜１６を介して半導体層１７が接合されている、光・電気複合デバイス１４。 （もっと読む）

【課題】 半導体基体に形成された配線層に熱的影響を与えずに支持基板を貼り合わせることができ、また貼り合わせた後の歪の発生を抑制することができる固体撮像素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 半導体基体４内に光電変換素子ＰＤを形成する工程と、半導体基体４の表面側に、絶縁層７中に配線層８を有する配線部を形成する工程と、この配線部のさらに表面側に接着剤層９を形成し、熱処理を行うことにより、接着剤層９を介して支持基板３０を貼り合わせる工程と、半導体基体４を裏面側から薄くする工程とを有し、接着剤層９として、有機ケイ素系材料を原料として用いた炭素添加ＳｉＯ_２膜を形成して固体撮像素子を製造する。 （もっと読む）

【課題】 熱リフロー方式に比較して再現性の向上を図ることができ、簡易かつ安定的にシェーディング補正されたオンチップレンズを得る。
【解決手段】 いわゆるグレートーンマスクを用いて紫外線感光樹脂などのフォトレジストに紫外線露光を行うことにより、露光→現像後のレジスト形状を直接レンズ面形状に形成する。これにより、熱リフローで形成していた従来のオンチップレンズでは必然的に４象限対称的な球面レンズアレイに形成されていたものが、本実施の形態では、個々のレンズはいわゆる自由曲面レンズで形成でき、各レンズの形状も像高に応じて独立に変えることが可能である。 （もっと読む）

【課題】 不要な波長域の光に対応する光キャリヤの発生をおさえ、混色の発生を抑える。
【解決手段】 複数のフォトダイオードＰＤと、フォトダイオードＰＤの受光部を画する遮光層１１１と、少なくともフォトダイオードＰＤの受光部上に設けられたカラーフィルタとを基板上に有する光電変換装置であって、基板端部１１３側に配置された一のフォトダイオードの受光部上に設けられたカラーフィルタ１１２を、一のフォトダイオードの受光部を画する遮光層１１１から基板端部１１３側へ延び、且つ遮光層１１１と基板端部１１３との間の少なくとも一部を覆うように、配置した。 （もっと読む）

【課題】 寄生容量の増大等による出力電圧の低下を抑えることができ、結果としてより高感度、高性能にする。
【解決手段】 絶縁性支持体上に配列された光電変換素子と、光電変換素子に発生した信号電荷に応じた信号を増幅して信号線に読み出すために絶縁性支持体上に準備された非単結晶半導体層を有する読出用電界効果トランジスタを含む読み出し回路と、を少なくとも備えた光電変換装置であって、読み出し回路は、ノイズを有する前記信号を蓄積するための第１の蓄積手段と、前記ノイズを蓄積するための第２の蓄積手段と、第１の蓄積手段からの第１の出力と前記第２の蓄積手段からの第２の出力を用いてノイズを取り除いた信号を得るための処理手段と、を含む。 （もっと読む）

光デバイス（１０）は、コア（４０）とクラッド（４２）とを有する光ファイバ（１５）と、光ファイバ（１５）の上面からガラス基板（１２）にかけて設けられたスリット（１８）と、該スリット（１８）内に挿入されたフィルタ部材（２０）と、分岐光（２４）を検出するＰＤアレイ（２８）とを有する。そして、スリット（１８）内における該スリット（１８）とフィルタ部材（２０）との隙間に第１の高分子ゲル材（５０）が充填されている。光ファイバアレイ（１６）とＰＤアレイ（２８）間であって、かつ、フィルタ部材（２０）にて分岐された光（２４）の光路上に第２の高分子ゲル材（５２）が介在されている。
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【課題】使用中の特性劣化を防止する。
【解決手段】半導体Ｘ線検出素子１０を収容するデュワから出てきたガスがｉ層３やｐ層４に付着するのを防止するための笠状部材８を、ｎ面電極１の周囲に張り出して設ける。
【効果】デュワからに出てきたガスが半導体Ｘ線検出素子１０のｉ層３やｐ層４に到達する前に笠状部材８に付着してしまうので、半導体Ｘ線検出素子１０の汚染が防止されて、特性の劣化を防止することが出来る。 （もっと読む）

光検出器が、基板上面に形成された入口面と反射面とを備えた半導体基板を含む。反射面は基板表面と鋭角を成しており、そして入口面を通って基板内に透過される光ビームが、反射面から半導体上面に向かって内部反射されるように位置決めされている。基板上面上には光検出器活性領域が形成され、そして光検出器活性領域は、反射された光ビームが活性領域上に衝突するように位置決めされている。光検出器を第2基板上に載置することにより、第2基板上に形成されたプレーナー型導波路、又は第2基板上の溝内に載置された光ファイバーから光ビームを受容することができる。
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【課題】遠赤外〜赤外領域の画像処理を行う高感度イメージセンサの構造およびその形成方法を提供する。
【解決手段】 ストイキオメトリ制御されたＩＶ−ＶＩ族化合物半導体を材料とするｐｎ接合、ショットキー接合によるフォトダイオードをアレイ化し、該フォトダイオードアレイをシリコン系もしくはＧａＡｓ系信号処理用回路チップに接合し、高感度に遠赤外〜赤外領域の画像処理を行うイメージセンサを提供する。 （もっと読む）

第１導電型の半導体からなる半導体基板３を備え、当該半導体基板３における被検出光Ｌの入射面の反対面側に複数のホトダイオードが形成された裏面入射型ホトダイオードアレイ１であって、半導体基板３の反対面側には、複数の凹部４がアレイ状に配列して形成されており、複数の凹部４の底部４ａに第２導電型の半導体からなる第２導電型の半導体層５が形成されることにより、ホトダイオードがアレイ状に配列している。
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【課題】複数の半導体が接合された半導体放射線検出器において、半導体同士の接合界面の接合状態を改善して適正な動作を可能とする。
【解決手段】異なる伝導型または異なる不純物濃度を有する複数の半導体を組み合わせて構成され、放射線を直接受けて電荷に変換する放射線吸収部１と、その放射線吸収部によって生成された電荷を検出する検出部２とを備えた半導体放射線検出器において、複数の半導体を組み合わせるのに際し、少なくとも２つの接合される半導体１ｃ、２ａの接合面を真空中において不活性ガスを用いてスパッタエッチングして互いに密着させた後に熱処理を行って接合界面の状態を改善する。 （もっと読む）

半導体放射線検出器デバイスが、第１導電型の導電裏面層（１０２）およびバルク層（１０３）を含む。導電裏面層（１０２）の反対面に、第２導電型の改変内部ゲート層（１０４）、第１導電型のバリア層（１０５）、および第２導電型のピクセル・ドーピング（１１０、１１２、５０６、５１０、５１２）がある。ピクセル・ドーピングは、ピクセル電圧に結合されるように適合され、この電圧は、導電裏面層（１０２）の電位に対する電位差として定義され、信号電荷を捕捉するための検出器材料内部に電位極小点を形成する。 （もっと読む）

光活性ファイバならびにこのようなファイバを製作する方法を提供する。ファイバは、第1電極を含む導電性コアを有する。有機層が第1電極を取り囲み、第1電極に電気的に接続されている。透明な第2電極が有機層を取り囲み、有機層に電気的に接続されている。遮断層またはスムージング層などのその他の層もファイバの中に組み込まれてもよい。ファイバを布地に織ってもよい。
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