【課題】光エネルギー変換装置における窒化物半導体を用いた半導体光電極の劣化防止を図る。
【解決手段】互いに電気的に接続された半導体光電極１５と対向電極１６を有し、半導体光電極１５が表面に酸化チタン膜１９を成膜した窒化物半導体１８で形成され、対向電極１６及び半導体光電極１５が溶液１３中に配置されて成る。 （もっと読む）

【課題】組み立て精度が向上し、製造が容易で、小型化された光無線通信装置を提供する。
【解決手段】光を透過する透明基板１の一方の面上に送信用発光素子２を設置し、他方の面上に位置検出用受光素子４を設置する。送信用発光素子２と位置検出用受光素子４とは、同一光軸上に配置する。 （もっと読む）

【課題】 光のクロストークを抑制する機構を備えた光検出装置を提供する。
【解決手段】 共通の半導体基板５１に形成された受光層３を含む受光素子１０が、複数個、半導体基板上に配置され、受光素子ごとに、その受光素子のエピタキシャル層側の電極であって、該エピタキシャル層表面においてその受光素子を囲むように位置するリング状のエピ側電極７、および、受光層３よりも光入射側の位置において、入射光をその受光素子へ向かうものに限定して集光する入射側限定集光部である凹部２２、のうちの少なくとも一方を備える。 （もっと読む）

【課題】高いバイアス電圧を印加することなく、応答速度の低下を回避しつつ光感度の向上が図れる光検出素子を提供することを目的とする。
【解決手段】表面Ｓ１ａと入射光を検出する光検出領域１４ａとを有しており光検出領域１４ａが平面視で光入射方向からみて表面Ｓ１ａの中央部に設けられたフォトダイオード１ａと、表面Ｓ１ｂと入射光を検出する光検出領域１４ｂとを有しており光検出領域１４ｂが平面視で光入射方向からみて表面Ｓ１ｂの中央部に設けられたフォトダイオード１ｂと、光を反射する反射面３９ａを有する反射部３９とを備え、フォトダイオード１ａ、フォトダイオード１ｂ及び反射部３９は、光検出領域１４ａ、光検出領域１４ｂ及び反射面３９ａが所定の光入射方向に対し重なるように順に配置され、フォトダイオード１ａとフォトダイオード１ｂとは、電気的に並列接続されている。 （もっと読む）

【目的】 簡単な構成で被写体の移動によらず常に安定で良質な画像をサンプリング可能なことを課題とする。
【構成】 ２次元配列された複数のフォトダイードＰＤと、該各フォトダイードの受光部に蓄積された光電変換電荷を外部に読み出す複数の読出ゲート回路とを備えるイメージセンサであって、前記各受光部に隣接してそれぞれ第１，第２の電位井戸を形成するための第１，第２のゲート電極Ａ，Ｓを絶縁層を介してそれぞれに設け、所定時間Ｔに渡って各受光部に蓄積された電荷を各一斉に第１，第２の電位井戸に順次転送して後、該第１の電位井戸を消滅させて前記受光部と第２の電位井戸との間に電荷の移動を妨げるための電位障壁を形成すると共に、該第２の電位井戸に蓄積された電荷を時分割で外部に読み出すように構成したものである。 （もっと読む）

【課題】従来の固体撮像装置においては、感度の面で向上の余地がある。
【解決手段】固体撮像装置１は、半導体基板１０と受光部２０とを備えている。受光部２０は、半導体基板１０の表面Ｓ１（第１面）側の表層に設けられている。この受光部２０の表面２０ａは、シリサイド化されている。固体撮像装置１は、半導体基板１０の裏面Ｓ２（第２面）に入射した被撮像体からの光を半導体基板１０の内部で光電変換し、その光電変換により発生した電荷を受光部２０で受けて上記被撮像体を撮像するものである。 （もっと読む）

【課題】量子効率の高い光電面及びこれを用いた光検出器を提供する。
【解決手段】光電面１０は、紫外線Ｌの入射に応じて光電子を生成する第１のIII族窒化物半導体層８と、III族窒化物半導体層８に隣接して設けられており、III族窒化物半導体層８のＡｌ組成よりも高いＡｌ組成を有すると共に、厚み方向にｃ軸配向性を有する薄膜結晶からなる第２のIII族窒化物半導体層６とを備える。 （もっと読む）

【課題】光センサおよびその形成方法を提供すること。
【解決手段】この光センサ構造は、（ａ）半導体基板と、（ｂ）第１、第２、第３、第４、第５および第６の電極と、（ｃ）第１、第２および第３の半導体領域とを含む。第１および第４の電極は第１の深さにある。第２および第５の電極は第２の深さにある。第３および第６の電極は第３の深さにある。第１の深さは第２の深さよりも深く、第２の深さは第３の深さよりも深い。第１、第２および第３の半導体領域はそれぞれ、第１の電極と第４の電極の間、第２の電極と第５の電極の間、および第３の電極と第６の電極の間に配置され、それぞれ、第１および第４の電極、第２および第５の電極、ならびに第３および第６の電極と接触している。第１、第２および第３の半導体領域は互いに接触している。 （もっと読む）

【課題】ＣｄＴｅ系材料を用いた放射線検出器の安定性および信頼性を向上させる。
【解決手段】Ｂｅが添加されたＣｄＴｅ系結晶を検出層に有する構造とする。或いは、Ｂｅが添加されたＣｄＴｅ系結晶、またはＢｅを含むII−VI族材料でＣｄＴｅ系結晶からなるＸ線検出層表面が保護された構造とする。 （もっと読む）

【課題】 半導体装置及びその製造方法において、簡易な電極構造によって平面化・小型化が容易であると共に、より簡便な構造で低コストなセンサ構造を得ること。
【解決手段】 半導体基板１と、半導体基板１の表面に形成され溝部２で少なくとも２つに分離された誘電体層３と、分離された各誘電体層３上に形成された電極４と、を備えている。この簡易な構成により、入射光の強度、ガス濃度、温度及び湿度のいずれの変動に対しても電極４間で電気的特性の変化を得ることができ、低コストなセンサとして対応することができる。 （もっと読む）

放射線検出器（100）は、少なくとも第1（202）および第2（204）のシンチレータを有し、これらのシンチレータは、放射線を吸収して、それぞれ、第1（212）および第2（214）の波長の光を発生する。また検出器は、少なくとも第1（206）および第2（208）の光検出器を有する。第1の光検出器（206）は、第2のシンチレータ（204）により生じた波長（212）の光に対して実質的に非応答性である。3以上のシンチレータと光検出器とを有する検出器を使用しても良い。
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【課題】 有機光電変換素子において、光電変換効率向上や応答速度向上のために外部から電圧を印加する場合に、暗電流が増大することなく、しかもキャリアの読み出し効率を下げることもない、有機光電変換素子を提供すること。
【解決手段】 電極と有機光電変換層との間に、イオン化ポテンシャルが隣接する電極の仕事関数より１．３ｅＶ以上大きく、かつ、電子親和力が隣接する有機光電変換層の電子親和力と同等かそれより大きい、有機化合物からなる正孔ブロッキング層を設ける。もう一方の電極と有機光電変換層との間に、電子親和力が、隣接する電極の仕事関数より１．３ｅＶ以上小さく、かつ、イオン化ポテンシャルが、隣接する有機光電変換層のイオン化ポテンシャルと同等か、それより小さい電子ブロッキング層を設けても良い。 （もっと読む）

【課題】 特別な冷却装置を必要とせず、人体の発する赤外線を高感度に効率良く検出すること。
【解決手段】 所定の開口率を得るための単一センサを構成する非検出部の面積に対する検出部の面積の比率が所定の値となるように、単一センサを構成する検出部および非検出部の平面形状を、直角以下の角度を持たない五角形以上の多角形状に形成すると共に、支持基板上の同一行での互いに隣接する２つの単一センサ間の接続においては、該上流側の単一センサの非検出部と該下流側の単一センサの検出部とが直列接続されるように配線し、支持基板上の同一列での互いに隣接する２つの単一センサ間に配置においては、一方の行の単一センサを構成する検出部と、他方の行の単一センサを構成する非検出部とを交互に配置する。 （もっと読む）

【課題】 金属酸化物系等の光透過性が高い透明電極を用いても、暗電流の小さい有機光電変換素子を得ること。また、そのような特性を有する有機光電変換素子の層を別の有機光電変換素子層や他の光電変換素子層と積層することで、低ノイズ・高感度で色分離に優れ、偽色やシェーディングの少ない積層型カラー光電変換素子を提供すること。
【解決手段】 下部電極、有機層、上部電極を順に積層することで構成されている有機光電変換素子において、電子を捕集する側の電極が透明電極でありその仕事関数が４．５ｅＶ以下であること。 （もっと読む）

【課題】 ｐｎ接合部の空乏層がパンチスルーして流れる漏れ電流を低減することができ、これによってエネルギー成分の小さな放射線を適正に検出すること。
【解決手段】 結晶シリコン基板１１１の上面にアモルファスシリコン膜１１０が形成され、このアモルファスシリコン膜１１０の上面の中心領域にカソード電極となる中心電極１００が形成され、この中心電極１００から所定間隔離れた（環状領域１２１）周辺に第１のアノード電極となる周辺電極１０１が形成され、結晶シリコン基板１１１の下面に第２のアノード電極となる裏面電極１１６が形成されて成る放射線検出デバイス１２０において、アモルファスシリコン膜１１０を、中心電極１００と周辺電極１０１との下のみに形成する。 （もっと読む）

【課題】 遮光膜の開口部周辺の端縁部で反射されていた斜め光を光電変換領域側に入射させて集光率を向上させ、受光感度を向上させる。
【解決手段】 光電変換領域３および、電荷転送領域４上の遮光膜１１を覆うバリア層の第１絶縁膜１２Ａの屈折率を、その上の平坦化層である第２絶縁膜１３Ａの屈折率よりも低く設定している。これらの二つの層の界面での光の屈折を利用して、遮光膜１１の開口部周辺の端縁部付近に斜めに入射してきた光Ａ１が、バリア層と平坦化層との界面で屈折により内側の光電変換領域３側に曲げられて、従来、遮光膜１１の端縁部で反射していた光も光電変換領域３側に入射させてその入射光の光電変換領域３への集光率を向上させる。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線検出用の変換装置を提供する。
【解決手段】Ｘ線を光に変換する蛍光体６０３０と、光を電荷に変換する光電変換素子と電荷に基づく電気信号を転送するスイッチ素子とを有する画素が絶縁基板上に二次元に複数配置されたセンサ基板６０１１と、スイッチ素子を駆動するためのシフトレジスタＳＲ１が実装され、センサ基板に接続された第１フレキシブル回路基板と、画素からの信号を検出するための集積回路（ＩＣ群）が実装され、センサ基板に接続された第２フレキシブル回路基板と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 基板掃き出し電圧を上昇させることなく受光領域の必要な面積を確保し、画素間ブルーミングを効果的に低減し、長波長感度も良好な、微細化された個体撮像素子を効率的に製造すること。
【解決手段】 オーバーフローバリア層（１２，１３）は斜めイオン注入により形成し、所定の画素間分離領域（２０）は垂直方向からのイオン注入により形成するというふうに、形成する不純物層（１２，１３，２０）の性質や役割に応じて、イオン注入の方向を使い分ける。特に、長波長の光に感度をもつフォトダイオード間を分離するためには、画素分離領域（２０）は深さ方向に十分な厚みをもつ必要があるため、意図的に、チャネリングが生じ易い方向からのイオン注入により形成し、低い打ち込みエネルギーで所望の濃度プロファイルをもつ画素間分離用の不純物領域を効率的に形成する。 （もっと読む）

【課題】長又は短波長光子に対し透過性であり、シリコンウェハ（６）又はチップのようなシリコンの光子感知層の裏側に取り付けられた、低抵抗率即ち電気伝導性のシリコン層の組み合わせを提供する。
【解決手段】ウィンドウがフォトダイオード、電荷結合素子、活性ピクセルセンサー、低エネルギーＸ線センサー、及び他の放射検出器のような光子感知シリコンデバイスに設けられる。シリコンウィンドウは、光子が、前側にプリントされた回路から妨害されることなく、裏側からデバイスを照射できるように、感光シリコンウェハ又はチップの裏側（１０）に設けられる。電荷キャリアの高抵抗率感光シリコン容積を完全に空乏化するに十分な電圧が、低抵抗率裏側ウィンドウと、デバイスのパターン付けされた前側との間に掛けられる。 （もっと読む）

【課題】 歩留りの向上を図ることができ、信頼性及び特性が高い光電変換装置及びその製造方法、並びに光情報処理装置を提供すること。
【解決手段】 光電変換素子２と、光電変換素子２が設けられ、その出射光又は入射光を透過する素子基体１と、光電変換素子２とは反対の面側において、素子基体１自体に光電変換素子２に対応して設けられたレンズ部４とを有し、素子基体１のレンズ部４が形成された面側に、レンズ部４を埋設し、前記出射光又は入射光を透過する保護層５が配され、レンズ部４とは反対側の保護層５の表面が平坦になっている、光電変換装置６及びその製造方法。本発明の光電変換装置と、光導波部と、前記光電変換素子を駆動する駆動素子とからなる、光情報処理装置。 （もっと読む）