【課題】迷光をカットして有効受光領域外への入射を低減させる双方向光モジュールを提供する。
【解決手段】本発明の双方向光モジュール１００は、光ファイバ７３に光を出射し、光ファイバ７３から戻り光が入射されるモジュールであって、光ファイバ７３に入射する光を発する発光素子１１０、１３０と、光ファイバ７３から出射された光を受光する受光素子１９０と、光ファイバ７３から出射された光を受光素子１９０に導く合分岐素子１６０と、を備える。そして、受光素子１９０は、光が入射する境界面１９１ａと光を受光する受光部１９７との間に高屈折率媒体である基板１９１が介在されていることを特徴とする。これにより、基板１９１を進行した戻り光が結合する位置と迷光が結合する位置との距離ｄ’は真空中を進行した場合の距離ｄと比較して大きくなり、受光部１９７に結合する迷光を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】効率的に歩留まりよく形成でき、受光効率が良好なワンチップ高電圧光電池を提供する。
【解決手段】複数のフォトダイオード素子１を形成して成るシリコン基板２をプリント基板１１にハンダ付け接合した状態で、フォトダイオード素子１の形成領域の境界線に沿って設定切り込み量だけ切断し、複数のフォトダイオード素子１をプリント基板１１上に分離配置する。シリコン基板２とプリント基板１１とのハンダ接合による一体化物の温度がハンダ付け接合時よりもシリコン基板２の切断時に下がることによりシリコン基板２とプリント基板１１との熱膨張差によって生じるシリコン基板２の各切断位置における仮想平坦底面からの浮き上がり湾曲量の最大値と最小値との差がプリント基板１１の厚みより小となるようにする。 （もっと読む）

【課題】 本発明は、可視域から遠赤外域の画像をリアルタイムで同時取得する場合において、同一光軸で可視画像と赤外画像を撮像し、かつ、高感度の赤外画像を取得できる撮像素子を提供する目的とする。
【解決手段】 可視光検出器と熱型赤外線検出器を同一基板上に配列配置し、可視光検出器は、フォトダイオードを光検出部とし、熱型赤外線検出器は、可視域から近赤外域の光を透過する赤外線吸収部と温度検出部と支持脚とを含む構成であって、赤外線吸収部は温度検出部と離間されて支持され、さらに温度検出部は前記支持脚のみによって半導体基板と接続される構造であり、赤外線吸収部が可視光検出器の上部を覆う構造を特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】従来よりも入射光を安定した電圧に効率よく変換することが可能な半導体受光素子を提供する。
【解決手段】光を電圧に変換する機能を備えた受光部１０２と、受光部に並列に接続され、受光部と同一基板上に設けられたキャパシタ１０３とを有する構成である。 （もっと読む）

【課題】ＳＯＩ基板を用いず、通常の半導体基板に、受光感度の低下を抑制した固体撮像装置を作製することで、コストの低減を可能とする。
【解決手段】入射光量を電気信号に変換する光電変換部２２を有する複数の画素部２１と、前記画素部２１が形成された半導体基板１１の一面側に配線層２３を備え、前記配線層２３が形成されている面とは反対側より入射される光を前記光電変換部２２で受光する固体撮像装置１であって、前記画素部２１の周囲の一部に、前記半導体基板１１の１面側を除去する際にその除去加工が停止される除去加工停止層３１が形成されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】可視光及び赤外光に対応した画素を備える固体撮像装置の赤外光に関する感度及び飽和出力を向上し且つ混色を抑制する。
【解決手段】固体撮像装置は、第１導電型の半導体基板１０１に、第１導電型の第１不純物層（１０５又は１５５）及び第１不純物層の下方に位置する第２導電型の第２不純物層（１０９又は１５９）を有する光電変換部（１０３又は１５３）をそれぞれ備えた複数の画素が配列され、複数の画素は、可視光に対応する可視光用画素Ｂ及び赤外光に対応する赤外光用画素Ａを含む。赤外光用画素Ａにおける第２不純物層１０９は、可視光用画素Ｂにおける第２不純物層１５９よりも深い位置に設けられている。赤外光用画素Ａにおいて、第１不純物層１０５と第２不純物層１０９との間に、第１導電型の第３不純物層１０６を更に備える。 （もっと読む）

【課題】有機光電変換素子を備え、高解像度化を図り易い光電変換デバイスを提供すること。
【解決手段】互いに対向する一対の主面を有する基板２における一方の主面上に複数の有機光電変換素子８が配置され、個々の有機光電変換素子は、基板２上に配置された第１電極５と、各第１電極を覆うようにして配置された有機光電変換層６の一領域からなる有機光電変換部６ａと、該有機光電変換部６ａ上に配置された第２電極７ａとを有する光電変換デバイス２０を構成するにあたり、複数の有機光電変換素子８全体を平面視上取り囲むようにして、有機光電変換層６への光の入射を制限する遮光層９を設ける。 （もっと読む）

【課題】ＣＭＯＳイメージセンサ装置のチップスケールパッケージの絶縁構造とその製造方法を提供する。
【解決手段】ＣＭＯＳイメージセンサのチップスケールパッケージは、パッケージの支持構造となる透明基板１１０からなる。透明基板１１０は、第一切断端面１０５ａと第二切断端面１０５ｂを有する。ダイ回路を有するＣＭＯＳイメージセンサダイ１２０が透明基板１１０上に装着される。封止材料１３０は基板上に設置され、ＣＭＯＳイメージセンサダイ１２０を封止する。接続配線は、ダイ回路から、封止材料１３０上のチップスケールパッケージの複数のコンタクト端子に延伸し、接続配線は、第一切断端面１０５ａにより露出される。絶縁体が、第一切断端面１０５ａ上に設置されて露出した接続配線を保護し、第二切断端面１０５ｂと同一平面を形成する。 （もっと読む）

【課題】Ｘ線検出器の歩留まりや性能の低下を防止し、信頼性の高い安価なＸ線検出器を提供する。
【解決手段】回路基板17上に酸化インジウムを主成分とするアモルファス状態の導電性物質にてエッチングストッパ層35を形成する。エッチングストッパ層35上でフォトダイオード素子18のアモルファスシリコン層をエッチングする際、エッチングストッパ層35で回路基板17を保護する。エッチング後には、余分なエッチングストッパ層35を回路基板17に影響のない蓚酸を用いて容易に除去できる。 （もっと読む）

【課題】 誘電体多層膜による光フィルムの出射面側に受光素子を配置した光学系において、光フィルムに斜め入射した光と受光素子の受光部との光結合を防止する。
【解決手段】 受光素子１自体に遮光膜層７を形成する。すなわち、受光素子１の入射面側に遮光膜層７を形成し、この遮光膜層７のｐ領域４に相当する位置に開口部８を設ける。この開口部８の大きさは、入射面から受光部領域のｐ領域４に至るまでの距離に基づいて、ｐ領域４に平方光かそれに近い光のみが結合するように設定する。 （もっと読む）

【課題】作製プロセスが簡易であり、十分に暗電流を抑えることができ、しかも高感度の光検出を実現する光半導体装置を提供する。
【解決手段】量子ドット層１００は、並設された複数の量子ドット１０１を中間層１０２で覆うように構成される。そして、中間層１０２内の所定部位、ここでは光吸収層にバイアスを印加した状態で量子ドット１０１より高バイアスとなる側の中間層１０２内の所定部位に、Ｎ型不純物が導入されてなる不純物層１０３が形成されている。 （もっと読む）

本願が記載するのは、集積回路の設計、及び、その集積回路を製造するための方法である。この集積回路は、効率が高く、雑音が低く、位置に敏感な、Ｘ線検出器のための、集積回路である。このＸ線検出器を、とりわけ医療で応用する。Ｘ線検出集積回路素子３５０は、深い凹部３５４に基づく。深い凹部３５４を、Ｘ線を検出するシンチレーター材料で満たす。浅い第１の電極３６０を、基板３５２の側壁の面に形成する。側壁は、２つの隣り合う凹部３５４を分離する。この側壁の電極３６０を、ウエハーの表面の特定の電極３６３の構造と組み合わせる。この組み合わせにより、素子３５０の側壁を完全に空乏化することになる。これにより、信号の電荷が、低容量の読み出し電極３６３に向けて移動することになる。記載の集積回路素子３５０は、効率が高い光の収集及び深さに依存しない光の収集を、確実にする。
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【課題】光記録媒体で反射した光を受光する受光素子に関し、安価かつ簡便な方法で製造することができ、短波長レーザー光源（波長４０２μｍ〜４１３μｍ）に対する受光素子を提供することを目的にする。
【解決手段】受光素子１は、受光部１１が形成されたシリコン基板９と、シリコン基板９を実装する回路基板７と、シリコン基板９と回路基板７とを電気的に接続し、少なくとも１つ以上の配線１５と、配線１５を覆うカバー層３、受光部１１が露出する露出部４を備えている。 （もっと読む）

【課題】有機光電変換素子間でのクロストークを抑え易い有機光電変換素子アレイおよびこれを用いたイメージセンサを提供すること。
【解決手段】基板１と、該基板１上に配置された複数の有機光電変換素子６とを備えた有機光電変換素子アレイＡ₁を作製するにあたり、複数の有機光電変換素子６の各々は、基板１上に配置された第一電極２と、該第一電極２上に配置された光電変換層３と、該光電変換層３上に配置された第二電極４と、光電変換層３と第一電極２または第二電極４との間に配置されたバッファ層５とを有する構成とし、かつ個々の有機光電変換素子６におけるバッファ層５および光電変換層３のうちの少なくとも一方を有機光電変換素子６毎に分離する。 （もっと読む）

【課題】 光学素子を安価に、また容易に精度良く製造することのできる光学素子の製造方法、およびそれに用いるエッチング方法を提供する。
【解決手段】 受光基板１１を準備し、受光基板１１の受光面１２および、受光基板１１の一表面のうちで受光面１２以外の部分の少なくとも一部分を覆うように透光部１３を形成する。透光部１３のうちで受光基板１１の受光面１２以外の部分を覆う部分、たとえば電極被覆部１３ａにレーザ光を照射し、孔部２４に孔を形成する。この孔部２４の孔にエッチング液を充填して透光部１３をエッチングする。これによって、ドライエッチング法を用いることなく透光部１３を精度良くエッチングすることができるので、光学素子を安価に、また容易に精度良く製造することができる。 （もっと読む）

【課題】センサのリーク電流を減らし、信号強度を上げるためのバリア層の膜厚に関して、信号出力強度への影響と、より最適な範囲を明らかにし、従来よりも出力信号が大きい赤外線センサ構造を提供すること。
【解決手段】GaAs基板１０上に形成された、ｎ型ドーピングされたInSb層１１と、該InSb層１１上に形成された、ｐ型ドーピングされたInSb層（π層）１２と、該InSb層１２上に形成された、InSb層１２よりも高濃度にｐ型ドーピングされ、かつInSb層１１、及びInSb層１２よりも大きなバンドギャップを有する材料であるAl_xIn_1-xSb層１３（０＜ｘ＜１）とを備え、Al_xIn_1-xSb層１３の膜厚が、２ｎｍ以上５０ｎｍ以下である。 （もっと読む）

放射線検出器（４６）は、基板（１４）上に形成された半導体層（１２）と、半導体層（１２）上に形成されたシンチレータ（３０）とを含む。半導体層（１２）は、基板（１４）に隣接するように配置されたｎ型ドープト領域（１６）と、ｎ型ドープト領域（１６）に隣接するように配置されたｐ型ドープト領域（１８）とを含む。半導体層（１２）内にはトレンチ（２０）が形成され、トレンチ（２０）は、ｐ型ドープト領域（１８）を囲み、且つｐｎ接合の端部において該ｐｎ接合の曲率を低減し、それにより該端部での降伏を抑制する材料（２２）で充填される。シンチレータ（３０）は、ｐ型ドープト領域（１８）上に、該領域（１８）に光学的に結合されるように配置される。放射線検出器（４６）は更に、ｎ型ドープト領域（１６）に電気的に接触する少なくとも１つの導電性電極（２４）を含む。
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【課題】発光素子、受光素子等の活性領域がメサ型形状の光素子において、メサ型構造の高さが高く、誘電体膜の厚みが厚い場合に、配線の断線の回避が困難、配線の引き出し方向の制約、容量の低減が不十分等の問題がある。
【解決手段】メサ構造１３１を有する光素子１００の周囲に高抵抗の再成長層１１０を配置する。これによって、円形の主要構造のエッチング時に現れる面方位を持ったメサ部１３１が再成長層１１０で被覆される。この被覆によって、この部位での容量も低減されるとともに全ての配線引き出し方向に対して断線の危険性も回避することが出来る。さらに、再成長層の厚さは主要構造部の厚みと同等に設定できる。特に導電性基板を用いた際に誘電体膜１１１、１１２との組み合わせにより大きな寄生容量の低減効果が期待できる。 （もっと読む）

【課題】高速で光を伝送することが可能でありかつ安価な光伝送システムを提供する。
【解決手段】光伝送システム２は、光を伝送する大口径のプラスチック光ファイバ１、およびラテラルpin構造を有する光受信器８から構成され、光受信器８は光ファイバ１から伝送され放出される光を受信する。 （もっと読む）

【課題】紫外領域に受光領域を有し、機能層の転位が低減されてなるとともに、受光効率に優れた受光素子を作製する方法を提供する。
【解決手段】サファイア単結晶基材１ａの上にＡｌＮ層１ｂを有するテンプレート基板１上に、III族窒化物によって下地層２と機能層３とをＭＯＣＶＤにて形成することで受光素子１０を得る。上端層２ｃと機能層３とは３００ｎｍ以下の波長の光を透過させるＡｌＧａＮにて形成する。下端層２ａは、これよりもＡｌリッチなＡｌＧａＮにて形成する。傾斜組成層２ｂは、傾斜組成を有し、上下端の組成が上端層２ｃと下端層２ａとに一致するように形成する。下端層２ａは、９００℃〜１１００℃の第１形成温度にて形成し、残りの層は、これに連続して、第１形成温度よりも高い１１００℃〜１２８０℃の第２形成温度にて形成する。Ａｌ混晶比が高い機能層３ほど、優れた転位低減効果が得られる。 （もっと読む）