【課題】素子の亀裂、ヒビ、カケなど外観上の不良を低減された信頼性の高い半導体装置を提供することを課題の一とする。基板を薄くし、作製される素子を搭載する装置の容積が縮小された半導体装置を歩留まりよく作製することを課題の一とする。
【解決手段】基板の第１の面に半導体素子が設けられ、基板の第１の面とは反対の第２の面と、基板の側面の一部と、に樹脂層を有し、基板の側面に段差を有し、基板の幅寸法は、段差よりも先の部分が小さい。よって、基板の断面は、凸字形状ともいえる。 （もっと読む）

【課題】 Ｘ線撮像表示装置等に用いられるフォトセンサーの製造において、フォトダイオードの不良チェックを行う必要があるため、フォトセンサー用アレイ基板に対して、暗状態と光照射状態の２つの状況下でテストを実施する必要がある。ガード抵抗として逆スタガ型のＴＦＴを用いる場合、光照射状況下ではバックチャネル側に光が照射されるのでＴＦＴのＯＮ抵抗が減少する。サイズの小型化で改善されうるが、静電気対策のために最低限必要なサイズ以下にはできない。
【解決手段】 ガード抵抗４００はＴＦＴ２０１、２０２で形成されて、かつ、バックチャネル上部に形成された遮光膜２１ａにより遮光されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】放射線の検出感度を維持しつつ、電線と電極部との剥離を抑制できる。
【解決手段】検出可能領域上に充填される第１充填材444は、原子番号９以下の元素で構成されているので、原子番号９を超える元素で構成される場合に比して、放射線の透過性がよい。このため、検出可能領域において、放射線の検出感度が維持できる。また、バイアス電極401と電線とが接続される接続部は、弾性を有する第２充填材445が充填されているため、硬化性を有する充填材に比して、延長電極部431と高電圧線432との密着性が保て、高電圧線432と延長電極部431との剥離を抑制できる。このように、本実施形態では、延長電極部431と高電圧線432とが接続される接続部と検出可能領域とで充填材を使い分けることにより、放射線の検出感度を維持しつつ、高電圧線432と電極部との剥離を抑制する。 （もっと読む）

【課題】アモルファスシリコンとの密着性を考慮した上で、ソース電極及びドレイン電極の断線を防止する。
【解決手段】本発明に係るフォトセンサーは、薄膜トランジスタ１０１をアレイ状に配置した素子領域１０２を有するＴＦＴアレイ基板を備えたフォトセンサーであって、薄膜トランジスタ１０１の上部に設けられ、コンタクトホールＣＨ１が形成されたパッシベーション膜８と、コンタクトホールＣＨ１を介して薄膜トランジスタ１０１のドレイン電極７と接続するフォトダイオード１００とを備え、ＴＦＴアレイ基板の素子領域の外側の周辺領域１０３では、パッシベーション膜８及びゲート絶縁膜３が除去され、周辺領域１０３のパッシベーション膜８のエッヂは、基板周辺のゲート絶縁膜３のエッヂと同じ位置、又はゲート絶縁膜３のエッヂより外側に形成されている。 （もっと読む）

【課題】ディジタルＸ線イメージング・システムの生産に伴うコスト及びサイクル時間の両方を低減するディジタルＸ線検出器用撮像パネルを提供する。
【解決手段】フラット・パネル検出器のピクセル構造の構築において、ダイオード・シリコン及びＦＥＴシリコンを同時に蝕刻して、分離した構造（アレイ・フォトダイオード及び入出力素子等）を形成し、このときダイオード・シリコン構造の端辺又は外周が直下のＦＥＴＳｉ構造に自動整列される。堆積時全厚分のＦＥＴゲート誘電層（６１）、及びＦＥＴシリコン層（６３）の（少なくとも）一部は、フラット・パネル検出器の全体にわたってダイオード・シリコンの直下に残存する。 （もっと読む）

【課題】放射線検出器の電気特性（暗電流、欠陥）を長期に亘って維持する。
【解決手段】画像情報を担持した記録用の電磁波を透過するバイアス電極８と、バイアス電極８を透過した記録用の電磁波の照射により電荷を発生するａ−Ｓｅを主成分とする記録用光導電層５と、発生電荷を蓄積する蓄電部と、複数の基準電極２と、基板１とをこの順に積層してなる放射線画像検出器において、バイアス電極８と記録用光導電層５との間に、硫化アンチモンからなる第一の中間層７と、特定物質として、アルカリ金属フッ化物、アルカリ土類金属フッ化物、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、ＳｉＯ_x、ＧｅＯ_x（ｘはともに０．５≦ｘ≦１．５）のうち少なくとも１種を含有するａ−Ｓｅ層からなる第二の中間層６とを、第二の中間層６を記録用光導電層５側に向けて積層して設け、第二の中間層６の特定物質平均濃度を０．０００３モル％以上０．００３モル％以下とする。 （もっと読む）

【課題】タルボ干渉計を利用した放射線位相画像撮影装置において、より製造を容易化するとともに、装置を簡略化してコストの削減を図る。
【解決手段】放射線源１１と、回折格子３０と、放射線の照射を受けて電荷を発生する電荷発生層とその電荷を収集する電荷収集電極とを備えた放射線画像検出器あって、電荷収集電極が、一定の周期で配列された線状電極を互いに電気的に接続した線状電極群が互いに位相が異なるように配置されたものである放射線画像検出器４０とから放射線位相画像撮影装置を構成し、従来の振幅型回折格子を設けないようにする。 （もっと読む）

【課題】電圧が印加される電圧印加電極と、放射線の照射を受けて電荷を発生する半導体層とが積層された放射線画像検出器において、半導体層の結晶化や特性の劣化を招くことなく放電破壊を防止する。
【解決手段】電圧が印加される電圧印加電極１と、放射線の照射を受けて電荷を発生する半導体層２と、放射線量に応じた電気信号を検出するための電極８,９が設けられた基板７とが積層された放射線画像検出器において、電圧印加電極１の端部に対向する位置に設けられた電極８,９の上面に電荷注入阻止層１５を設ける。 （もっと読む）

【課題】 軽量な放射線検出装置を実現する。
【解決手段】 放射線検出装置の製造方法は、基板と、前記基板上に配置された絶縁層と、前記絶縁層上に配置された、入射した放射線又は光を電気信号に変換する変換素子を有する複数の画素と、を有するマトリクスアレイを準備する工程と、前記マトリクスアレイの前記基板側とは反対側に、前記複数の画素を覆う可撓性支持体を固定する工程と、前記マトリクスアレイから前記基板を剥離する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】大きな帯電が生じてもＴＦＴの破壊や動作電圧の変動の発生を回避でき、切断された場合にリーク電流等の発生を確実に防止可能な保護回路を備えるガラス基板を提供する。
【解決手段】電磁波検出装置４０に用いられるガラス基板１であって、一方の面２ａ上に、互いに交差する複数の走査線３および複数の信号線４と、走査線３と信号線４とにより区画された各領域Ｒに設けられた光電変換素子５と、各領域Ｒにそれぞれ設けられ信号線４や走査線５とドレイン電極６２やゲート電極６３が接続された薄膜トランジスタ６と、光電変換素子５が形成された各領域Ｒよりなる検出部Ｄの外側の、複数の走査線３上および複数の信号線４上にそれぞれ形成された入出力端子８と、各入出力端子８のさらに外側にそれぞれ延出された導線９と各導線９を各入出力端子８の外側でそれぞれ連結するコモン線１０とからなる保護回路１１とを備える。 （もっと読む）

【課題】暗電流を従来例に比較して低減し、かつ光電変換効率を従来の有機光電変換膜と同様、あるいは向上させることが可能な光電変換素子を提供する。
【解決手段】本発明の有機光電変換素子は、陽極と、陰極と、これら電極間に介挿された有機半導体層からなる有機光電変換膜であり、有機半導体層が、光電変換層と、この光電変換層の間に形成された注入電荷輸送抑制層とから構成され、注入電荷輸送抑制層のＨＯＭＯ準位・ＬＵＭＯ準位が、光電変換層に用いられている有機材料のＨＯＭＯ準位・ＬＵＭＯ準位に比較し、いずれも大きい、またはいずれも小さい有機材料にて形成されている。 （もっと読む）

【課題】アクティブマトリクス基板とそのアクティブマトリクス基板に絶縁性接着部材によって接着された保護基板を備えた画像検出器において、絶縁性接着部材のアクティブマトリクス基板からの剥がれを防止する。
【解決手段】半導体層６周縁の領域に配置された無機絶縁膜１９を介して絶縁性接着部材２５とアクティブマトリクス基板１０とを接着する。 （もっと読む）

【課題】微細化や製造が容易で、かつ、良好なＳ／Ｎ比を得ることができる光電変換素子及び撮像素子を提供する。
【解決手段】本発明の光電変換素子は、絶縁層と、絶縁層に形成されたゲート電極と、ゲート電極上に設けられたゲート絶縁膜と、ゲート絶縁膜上に形成された光電変換膜と、光電変換膜と少なくとも一部が接触するように形成されたソース電極とドレイン電極とを備えた光電変換素子であって、光電変換膜に光が照射することで、ゲート電極との閾値電圧が変調するトランジスタ構造を有する。 （もっと読む）

【課題】有機層の形成範囲を規定して放射線検出器の耐久性を向上させる。
【解決手段】正孔注入阻止層402の外縁部が、取出電極470から１ｍｍ画像情報取得領域Ｇ側に位置しており、画像情報が取得される画像情報取得領域Ｇの領域端Ｇ１と取出電極470との間に位置する。これにより、光導電層404の画像情報取得領域Ｇを正孔注入阻止層402が覆うことになり、光導電層404の画像情報取得領域Ｇにおける結晶化等の劣化を抑制でき、放射線検出器400としての耐久性が向上する。また、正孔注入阻止層402は、取出電極470を覆わないので、取出電極470の導通不良を防止できる。 （もっと読む）

【課題】シンチレータ層への水分侵入を防止してシンチレータ層の劣化を抑制することが可能な放射線検出器を提供する。
【解決手段】可視光を電気信号に変換する複数の光電変換素子を有する電極基板と、前記電極基板上に形成され、放射線を可視光に変換するシンチレータ層と、少なくとも前記シンチレータ層上に乾燥剤膜および防湿膜をこの順序で積層して形成される保護膜とを備えたことを特徴とする放射線検出器。 （もっと読む）

【課題】ノイズを効果的に抑制するとともに、高い画質を得ることができる放射線撮像素子を提供する。
【解決手段】被写体を透過した放射線を吸収することにより発光する蛍光体膜と、上部電極、下部電極、及び該上下の電極間に配置された光電変換膜を有し、該光電変換膜が、光電変換部と、非晶質酸化物により形成された活性層を有する電界効果型薄膜トランジスタを有し、前記電界効果型トランジスタが、少なくともゲート電極、ゲート絶縁膜、活性層、ソース電極及びドレイン電極を有し、前記活性層と前記ソース電極及び前記ドレイン電極の少なくとも一方との間に抵抗層が電気的に接続して配されていることを特徴とする放射線撮像素子。 （もっと読む）

【課題】電圧が印加される電圧印加電極と、放射線の照射を受けて電荷を発生する半導体層とが積層された放射線画像検出器において、画像領域を狭くすることなく、電圧印加電極から半導体層への電荷の注入を抑制するとともに、電圧印加電極の端部における放電破壊を防止する。
【解決手段】電圧印加電極１の少なくとも端部を覆うように電荷注入阻止層１１を設け、電荷注入阻止層１１の上面に、電圧印加電極１の端部１ａの側端面１ｂよりも外側に一方の側端面１２ａが位置するとともに、他方の側端面１２ｂが電圧印加電極１の端部１ａの側端面１ｂの位置またはその側端面１ｂの位置よりも内側に位置するように張出電極１２を設ける。 （もっと読む）

【課題】光導電層に到達するまでの放射線の減衰を低減すると共に、充填材を充填する際に生じる気泡の排出性に優れる。
【解決手段】光導電層404の表面を凸面で形成して、充填材444の厚みを薄くしているので、充填材444を透過する放射線の透過性が向上する。このため、光導電層404に到達するまでの放射線の減衰が低減する。また、光導電層404の表面が凸面で形成されているので、充填材444に気泡が混入した場合でも、光導電層404の表面が凹面や平面で形成されている構成に比べ、気泡は凸面に沿って凸面の頂から外側へ排出されやすいので、気泡の排出性に優れる。 （もっと読む）

【課題】電子受容性有機物層及び／又は電子供与性有機物層を製造する方法を提供する。
【解決手段】電子受容性有機物層用インク及び／又は電子供与性有機物層用インクを被印刷基板上に転写し固定化することによって光センサー用光起電力素子を構成する電子受容性有機物層及び／又は電子供与性有機物層を製造する方法であって、下記式（１）及び／又は式（２）で表される繰り返し単位からなり、両末端基が水酸基であり、かつ平均分子量が３００〜５０，０００であるポリカーボネートジオールから製造されるポリマー（ａ）を含有する樹脂組成物を硬化して得られるフレキソ印刷版を用いてインクを転写する製造方法。


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【課題】画像特性に優れ、且つ、低コストで生産可能な光学デバイスを提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、半導体基板１１の主面上に形成された撮像領域１２と、電極部１４ｂを有する周辺回路領域１４ａと、撮像領域１２上に形成された複数のマイクロレンズ１３とを有する固体撮像素子１０と、電極部１４ｂの各々に接続する複数の貫通電極１７と、複数の貫通電極１７の各々に接続する複数の金属配線１８と、固体撮像素子１０の表面に形成された接着部材１５と、接着部材１５を介して固体撮像素子１０に接続された透明基板１６とを備える。透明基板１６の平面形状の大きさは、固体撮像素子１０の平面形状の大きさよりも大きい。 （もっと読む）