【課題】バイアス線の断線を防止し、線欠陥の発生率を低減させることが可能な放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線画像撮影装置１は、上部電極７ａと下部電極７ｂとを備える複数の放射線検出素子７と、各放射線検出素子７の上部電極７ａに接続され、バイアス電源１４から各放射線検出素子７にバイアス電圧を供給し、放射線検出素子７の各列ごとに１本ずつ配線された複数のバイアス線９と、少なくとも信号線６や走査線５を被覆する絶縁層Ｉとを備え、絶縁層Ｉは、各放射線検出素子７の上部電極７ａの表面部分では、上部電極７ａ上に、上部電極７ａからの高さが均一な畝状に形成されており、バイアス線９は、畝状の絶縁層Ｉｒの表面部分に配線されている。 （もっと読む）

【課題】本発明は、カーボンなどの不純物を含まないナノ素子を有するデバイスを提供することを目的とする。
【解決手段】上記課題を解決するために、電子デバイスは、ナノ素子中に炭素が含有されていないこと、また、前記素子がＭｏＯ_ｘであること、および前記ナノ素子は、電子線誘起蒸着法により基板上に形成されたものであることを特徴とする手段を採用した。 （もっと読む）

【課題】半導体層の端面を経由するリーク電流を抑制することができる検出素子を提供する。
【解決手段】光が照射されることにより電荷が発生するｉ層６Ｂと一対の電極７との間にそれぞれ設けたｎ^＋層６Ａ、ｐ^＋層６Ｃのうちｐ^＋層６Ｃの形成面の端部をｉ層６Ｂよりも内側となるように形成した。 （もっと読む）

【課題】光照射に対する安定性が極めて高く、光電変換機能を長期にわたって維持することができる新規なタンパク質およびこれを用いた長期安定利用可能なタンパク質光電変換素子を提供する。
【解決手段】ウマ心筋シトクロムｃのヘムの中心金属の鉄をスズに置換してスズ置換ウマ心筋シトクロムｃを得る。ウシ心筋シトクロムｃのヘムの中心金属の鉄をスズに置換してスズ置換ウシ心筋シトクロムｃを得る。スズ置換ウマ心筋シトクロムｃまたはスズ置換ウシ心筋シトクロムｃからなるタンパク質２２を電極２１上に固定化してタンパク質固定化電極とする。このタンパク質固定化電極を用いてタンパク質光電変換素子を形成する。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、耐衝撃性に優れ、画像欠陥の発生を防止した高画質の放射線画像検出装置を提供することにある。
【解決手段】２次元的に配列された光電変換素子を含むセンサー基板と、前記センサー基板上に配置された保護層と、前記保護層上に配置され表面を平坦化する下引層と、前記下引層上に配置された蛍光体を含むシンチレータ層と、前記シンチレータ層上に配置された耐湿保護層を有し、前記下引層にガラス転移温度が−３０℃〜９０℃の樹脂を含有することを特徴とする放射線画像検出装置。 （もっと読む）

【課題】可視光やＵＶ−Ａの紫外線に感度の持たない安価な紫外線センサを提供すること。
【解決手段】本発明のワイドギャップ酸化物半導体及びそれを用いた紫外線センサは、光吸収層を酸化亜鉛に酸化アルミニウムを添加することにより、禁制帯幅を３．６ｅＶ以上となる構成となっているので、可視光やＵＶ−Ａの紫外線などの長波長の光を吸収せず、ＵＶ−ＢやＵＶ−Ｃの紫外線のみに感度をもつ紫外線センサを安価に得ることができる。 （もっと読む）

【課題】半導体プロセスや材料を使用する場合に比べて安価で、軽量かつ薄いフェイスアップ構造の中空封止型半導体装置を提供する。
【解決手段】ＩＣチップ１４の背面側から表面（受光面／能動面）側に導電性配線パターン１８を引き回す半導体パッケージで、熱可塑性樹脂または熱硬化性樹脂を背面封止材とする。そして、当該背面封止材である樹脂基板１４により、ガラス基板１１上に搭載されるＩＣチップ１４を中空に封止してフェイスアップ構造の中空封止型半導体装置１０とする。樹脂基板１７は、パターン形成された導電性配線パターン１８を有し、当該導電性配線パターン１８とガラス基板１１側との電気的な接続をビア・ホール１９に充填された導電性ペースト２０を通して行う。 （もっと読む）

【課題】本発明のシンチレータパネルを用いることにより、シンチレータパネルとセンサパネルを均一に密着させることが可能となり、画像ムラのない良好な画像を得ることができる。
【解決手段】一方の面に複数の光電変換素子が二次元状に配列されて形成された光電変換基板と、Ｘ線により可視領域で発光するシンチレータパネルの発光面を対向させた構成の放射線検出パネルに用いるシンチレータパネルであって、該シンチレータパネルにおける中央部膜厚が周辺部膜厚より厚い層であることを特徴とするシンチレータパネル。 （もっと読む）

ＴＨｚ周波数範囲において表面プラズモンを示すように構成される表面を持つ半導体膜３を有するＴＨｚ周波数範囲アンテナが提供される。半導体膜３の表面はＴＨｚ周波数範囲において局在表面プラズモン共鳴をサポートするように構成されるアンテナ構造４で構造化される。
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【課題】本発明は、上述した従来技術の問題点に鑑みてなされたものであり、本発明の主な目的は、暗電流を抑制する有機感光性の光電装置を提供することである。
【解決手段】陽極と、前記陽極の上に形成され、アクセプター部とドナー部を含む有機感光層と、前記有機感光層の上に形成され、前記陽極との間に前記有機感光層を介在させる正孔ブロッキング層と、前記正孔ブロッキング層の上に形成され、前記有機感光層との間に前記正孔ブロッキング層を介在させる陰極と、を有する有機感光性の光電装置を提供する。又、必要に応じて、前記正孔ブロッキング層の最高被占有分子軌道（ＨＯＭＯ）は前記ドナー部の最高被占有分子軌道よりも少なくとも０．３ｅＶ大きい。本発明に係る光電装置は暗電流を有効に抑制し、検出器に適用する際の感度を向上できる。 （もっと読む）

【課題】 短時間でその大きさが大きくなる成長性を有する欠損画素を検出することが可能な二次元アレイＸ線検出器における欠損画素の検出方法および欠損画素の検出装置を提供する。
【解決手段】 フラットパネルディテクタに対してＸ線を照射しない状態における各画素の画素値を測定する暗電流値測定と、この暗電流値測定で測定した各画素の暗電流値が、予め記憶部に記憶した正常な画像の画素値の４．５倍以上となる画素を欠陥画素と判定する判定工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】光電変換装置外部と電気的に接続される領域となる端子部は、その製造工程中に、フォトダイオードのドライエッチング雰囲気、パッシベーション層のフッ酸系ウェットエッチング雰囲気に等に晒される。また、各工程におけるレジスト剥離に伴うプラズマアッシング雰囲気にも晒される。そのため、エッチング工程による端子部の表面でダメージが蓄積され、接触抵抗の増加、密着性の低下等の不良が発生する。
【解決手段】製造工程中でのエッチング工程による端子部１０Ｂの表面でのダメージ蓄積を防ぐため、無機平坦化層２０２を、最終のエッチング工程（端子部１０Ｂとコンタクトを取る工程前）まで残した。エッチング工程によるダメージは無機平坦化層２０２により吸収されるため、端子部１０Ｂへの不必要なダメージ蓄積を防ぐことが可能となった。 （もっと読む）

【課題】光子との光カップリング性および光吸収性の両方に優れた超伝導単一光子検出素子を提供する。
【解決手段】超伝導単一光子検出素子１００は、酸化マグネシウムからなる基板１０と、基板１０の表面に形成された窒化ニオブ配線１３と、窒化ニオブ配線１３上に形成されたキャビティ層１２と、キャビティ層１２上に形成された反射層１１と、基板１０の裏面に形成された反射防止層１４と、を備える。窒化ニオブ配線１３は、所定のバイアス電流が流れるよう、伝送線路１５を介してバイアス源に接続されて、超伝導状態において使用される。基板１０の裏面側から窒化ニオブ配線１３に光子Ｐが入射した際の窒化ニオブ配線１３の抵抗変化に基づいて、光子Ｐが１個ずつ検出される。光カップリング効率Ｐｃが飽和する基板１０の厚み範囲Ｌ１opt内に、基板１０の厚みＬ１が設定されている。 （もっと読む）

【課題】接続信頼性を高めた光電変換装置、エックス線撮像装置を提供する。
【解決手段】本発明の光電変換装置は、光電変換素子及び読出回路が形成された素子層と、素子層表層に設けられた外部接続端子２２１とを備える。素子層は、読出回路の一部を構成する配線２４４の下地となる配線下地層２０と、表層２９４と配線下地層２０との間に配置された中間層２９１〜２９３と、を有する。表層２９４を貫通して配線２４４に至るコンタクトホールＨ３が形成されている。コンタクトホールＨ３の内壁面は、中間層２９１〜２９３又は表層２９４の面方向の一部が保持されてなりコンタクトホールＨ３の外側の表層２９４上と段差Ｄ３を構成する段差面Ｈ３２を含む。外部接続端子２２１は、コンタクトホールＨ３の内壁面と表層２９４上とコンタクトホールＨ３内に露出した部分の配線２４４とにわたって形成された導電膜を含んでいる （もっと読む）

【課題】接続信頼性を高めた光電変換装置を提供する。
【解決手段】本発明の光電変換装置は、複数の層からなる素子層と、素子層内に設けられた光電変換素子と、前記素子層内に設けられた読出回路と、素子層の表層２９４に設けられて読出回路を外部に接続する外部接続端子２１１と、を備える。素子層には、読出回路の一部を構成する配線２１２上に、表層２９４を貫通して配線２１２の一部に通じるコンタクトホールＨ２が形成されている。外部接続端子２１１は、コンタクトホール内Ｈ２と表層２９４上とにわたって設けられて配線２１２と導通接続された導電膜を含む。導電膜において外部４１に導通接続される接続領域Ａ３が、コンタクトホールＨ２の開口と重ならない領域になっている。 （もっと読む）

【課題】容量結合が低減された光電変換装置を提供する。
【解決手段】本発明の光電変換装置は、第１電極２５１と第２電極２５２との間に配置された光電変換層を有する光電変換素子２５と、第１電極２５１と導通するソース領域２４３を有するＴＦＴ２４と、ＴＦＴ２４のドレイン領域２４２と導通する第１配線２２２と、ＴＦＴ２４のゲート電極２４１と導通する第２配線２１２と、第２電極２５２と導通し、第１配線２２２と第２配線２１２とのうちの一方の配線２２２と略平行に延設された第３配線２３とを備える。第２電極２５２が、透明導電材料からなり、光電変換層に対する光入射側に配置されている。第３配線２３が、透明電極材料よりも導電性が高いメタル材料からなり、面方向における第３配線２３と一方の配線２２２との間隔ｄ１、ｄ２が、面方向に垂直な厚み方向における第３配線２３と一方の配線２２２との間の間隔よりも長い。 （もっと読む）

【課題】放射線検出装置が減圧下におかれた場合でも、放射線検出装置内の密閉空間に残留する気泡の膨張を抑制する。
【解決手段】放射線変換層５０が収容される密閉空間６０は、外部の気圧が低下しても、体積に変化を生じない。このため、密閉空間６０内に残留する気泡の膨張が抑制される。これにより、気泡膨張による放射線検出への影響が軽減される。 （もっと読む）

【課題】高い感度及びＳ／Ｎ比を有する光電変換材料層を備えた新規の光電変換素子を組み込んだ光電変換装置を提供する。
【解決手段】光電変換装置は、（ａ−１）離間して設けられた第１電極２１及び第２電極２２、及び、（ａ−２）第１電極２１と第２電極２２との間に設けられた光電変換材料層３０を備え、第１電極２１と第２電極２２との間に電圧を印加した状態で、光電変換材料層３０に一定の光量の光を照射したとき、光電変換材料層３０にて生成する電流が照射時間の経過に従って変化する光電変換素子１１、並びに、（ｂ）該電流変化を検出する電流検出回路４０を備えている。 （もっと読む）

【課題】光透過性基板を用いても、光リーク電流の発生による特性低下を確実に防止するとともに、安価で容易に大型化が可能な光電変換装置を提供する。
【解決手段】下電極４１（第一電極）、ソース配線１６、ゲート配線２１は、それぞれ遮光性を有する導電性材料から形成される。これによって、下電極４１（第一電極）、ソース配線１６、及びゲート配線２１は、本発明における遮光層を形成する。下電極４１（第一電極）、ソース配線１６、及びゲート配線２１は、イメージセンサー１の厚み方向Ｔにおいて、互いに異なる２以上の位置（レベル）で広がるように形成されている。しかも、その一部は厚み方向Ｔにおいて互いに重なり合うように形成されている。 （もっと読む）

【課題】高感度でかつ光信号への高い応答性を、有機光電変換材料を用いて実現できる光電変換デバイスを得ることを目的とする。
【解決手段】支持基板上に、第１の電極層と有機光電変換材料を含む光電変換層と第２の電極層とをこの順に配置し、入射する光エネルギーあるいは光信号を電気エネルギーあるいは電気信号に変換する光電変換デバイスであって、前記第１及び第２の電極層の少なくとも一方の電極層の面積は、前記光電変換層における前記第１及び第２の電極層の配置領域と重なる光電変換領域の面積よりも小さいことを特徴とする。 （もっと読む）