本発明は、電離放射線を検出する検出器において、前記検出器からの信号の読出しと評価とを行う読出し装置に接続するように配置された少なくも１つの検出器を含み、前記少なくも１つの検出器はキャリア材料とキャリア材料に適用される活性検出器材料を含む１つの層（４）とを含み、前記活性検出器材料は、前記層（４）に入射する電離放射線（３）を受信する場合、前記層（４）内の前記活性検出器材料に電離を引起すように配置され、前記層（４）に電界を印加し、それにより前記電離は電流を生じ、前記読出し装置は、前記入射電離放射線（３）をこの方式で検出することができるように配置される検出器である。本発明の検出器は、前記層内の前記活性検出器材料には電離放射線が検出可能な電流を生ずる程度までＺｎＯを含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】画像モアレを防止できるＸ線検出器を提供する。
【解決手段】光導電層41に画素電極６の周縁に沿うような形で溝部44を形成する。溝部44にＸ線吸収体45を充填する。光導電層41内に入射したＸ線の散乱Ｘ線をＸ線吸収体45で吸収できる。散乱Ｘ線の影響を抑制できる。Ｘ線吸収体45がＸ線グリッド43の役割を果たす。Ｘ線吸収体45を光導電層41内に一体的に設けた。Ｘ線吸収体45にて構成したＸ線グリッド43が光導電層41と一体型の構造になる。光導電層41に入射したＸ線を正確に信号電荷に変換できる。Ｘ線グリッド43と画素電極６とのずれにより生じる画像モアレを簡単な構成で確実に抑制できる。Ｘ線検出器１の解像度特性を改善できる。
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【課題】 蛍光体端部における封止及びフレキシブル回路基板端部における封止での欠陥の発生をなくし、封止の工程時間を短縮するとともに、画素領域を拡大し画像欠陥をなくし耐久性を高めることを目的とする。
【解決手段】 基板１０１上に配置される複数の光電変換素子を有する光電変換素子部１０２と、基板１０１の外周部に電極取り出し部１０４が配置されるセンサーパネル１００と、電極取り出し部１０４と電気的に接続されるフレキシブル回路基板と、光電変換素子部１０２上に配置され、放射線を光電変換素子が感知可能な光に変換する蛍光体２と、を有する放射線検出装置において、蛍光体２の下地となる層１がプラズマ重合法で形成された有機膜であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】
光ファイバの取付スペースを縮小すると共に光ファイバの取り付けを容易にすることができる光ファイバ伝送機を提供することにある。
【解決手段】
光素子モジュール２４は、回路基板３４に対して略垂直方向に発光又は受光するように設定されている。ハウジング２６は、光素子モジュール２４に適合する凹部２６ｂを有し、この凹部２６ｂを光素子モジュール２４に被せるように光素子モジュールの上方から光素子モジュール２４に取り付けられる。ハウジング２６には、凹部２６ｂと光ファイバの取付孔２６ｃとの間の導光を行う導光部２６ｅが設けられている。光素子モジュール２４とハウジング２６とを分けると共に導光部２６ｅを設けているので、光ファイバ３６の取り付けが容易になり、また光素子モジュール２４の発光又は受光方向と光ファイバの取付方向とを一致させなくても光通信が可能であり、設計の自由度が高まり、高さ方向の寸法削減が可能となる。 （もっと読む）

【課題】放射線検出装置においてセンサーパネルの静電破壊による欠陥の発生をなくして、画像欠陥の無くい高品位な放射線検出装置を提供する。
【解決手段】放射線検出装置は、２次元状に配置される光電変換素子部１０２およびその外周部に配置される電極取り出し部１０４を有するセンサーパネル１００と、光電変換素子部１０２上に形成される感光性樹脂保護層から成る蛍光体下地層１、蛍光体層２、蛍光体層２上に設けけられた感光性樹脂保護層から成る蛍光体保護層３を有する。パッシベーション膜１を成す感光性樹脂保護層によって電極取り出し部１０４を保護して蛍光体層２を形成することによりセンサーパネル１００の静電破壊の発生を防止する。また、蛍光体保護層３を感光性樹脂保護層で形成し、電極取り出し部１０４上の感光性樹脂保護層を加熱現像によって除去することにより、蛍光体保護層３の形成時の静電破壊の発生を防止する。 （もっと読む）

【課題】 素子特性の劣化を招くことなく有機材料を機能膜として用いた機能素子を形成する。
【解決手段】 信号読出回路３、５、７が形成された基板１の上に有機材料を含む光電変換膜１４、１９、２４を積層し該光電変換膜の上に電極膜１５、２０、２５及び絶縁膜１６、２１、２６を積層する光電変換膜積層型固体撮像素子の製造方法であって、絶縁膜１６、２１、２６を積層するときの基板１の基板温度を、電極膜１５、２０、２５の材料によって変化する前記有機材料の結晶化温度より低くなるように制御する。これにより、光電変換特性を劣化させることなく、絶縁膜を成膜することができる。 （もっと読む）

【課題】 放射線検出装置の有効画素領域を広くし、製造途中での静電気による素子への不具合の発生を防止する。
【解決手段】 複数の光電変換素子１０２が形成されている光電変換パネル１０１と、光電変換パネル上に形成された蛍光体層１１１を含む波長変換体と、により形成されている放射線検出装置であって、光電変換パネル１０１のボンディングパット部上に第一の保護物質１０４と第二の保護物質１０５がこの順で積層され、ボンディングパット部を露出するための第一の保護物質１０４の開口部が、第二の保護物質１０５をマスクとしてエッチングによって形成されている。 （もっと読む）

【課題】 高感度である光電変換層を有する撮像装置において、当該光電変換層の劣化を防止し、特に高輝度のスポット光を含む撮像を可能とする。
【解決手段】 Ｓｅを主体とし且つアバランシェ増倍機能を持つ非晶質半導体層と、ＳｅとＴｅを含み且つ入射光の大部分を吸収して電荷に変換し得る機能を持つ非晶質光電変換層とを少なくとも有する光電変換膜と、前記光電変換膜の第１の面に形成された第１のバリア層と、前記第１のバリア層上に形成された透光性電極と、前記光電変換膜の第２の面に形成された第２のバリア層と、前記光電変換膜の第２の面の側に設けられた、前記光電変換膜で生成される信号電荷を読み出す電荷読み出し手段と、を有する撮像装置であって、前記光電変換膜の温度を、前記非晶質光電変換層のガラス転移温度以上であって前記非晶質半導体層のガラス転移温度＋３０℃以下に制御する温度制御手段と、前記光電変換層の電界が０．８×１０⁸〜１．１×１０⁸Ｖ／ｍとなるように、前記透光性電極を介して電圧を印加する電圧印加手段と、を有することを特徴とする撮像装置。 （もっと読む）

【課題】 薄膜トランジスタのフォトセンサは、光量は非常に微小なものであり、フィードバックが困難である。
【解決手段】 薄膜トランジスタのフォトセンサに、出力電流を電圧に変換する検出回路を付加する。これにより微小な電流をフィードバックが可能な所望の範囲の電圧に変換できる。また、回路は３つのＴＦＴおよび１つの容量、または２つのＴＦＴと１つの容量、１つの抵抗で構成されるので部品点数が削減できる。また動作もＨレベルのパルスの入力のみでよく、簡易な光量検出回路を実現できる。 （もっと読む）

【課題】 ＣｓＩの結晶性を向上させるとともに、デバイス特性を安定化させる。
【解決手段】 光電変換素子とスイッチ素子とからなる画素が複数配置されたセンサー基板上と、複数の画素を被覆してセンサー基板上に配置された保護層１４と、複数の前記画素上において保護層の表面に配置された表面が平坦な平坦化層１５と、平坦化層の表面上に蒸着により配置された、入射した放射線を光電変換素子が検知可能な光に変換する柱状結晶からなるシンチレーター層１６と、少なくともシンチレーター層と平坦化層とを被覆してセンサー基板及びシンチレーター層上に配置された光反射膜１７と、を有する。 （もっと読む）

【課題】 ランプと被照射対象物との距離が短い場合でも、安定して紫外線を検知することができるダイヤモンドセンサ及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 1対の金属配線２１ａ及び２１ｂが形成された絶縁性基材２０上に、基板３０上に検出層となる絶縁性ダイヤモンド層３１が形成され、この絶縁性ダイヤモンド層３１の表面上に、１対の櫛形電極３２ａ及び３２ｂが形成されているダイヤモンド素子３を搭載し、ダイヤモンド素子３の櫛形電極３２ａ及び３２ｂと、絶縁性基材２０上のる金属配線２１ａ及び２１ｂとを、夫々ワイヤ６ａ及び６ｂにより相互に接続する。 （もっと読む）

【課題】シリコン・オン・インシュレータ技術を使用して形成した放射線検出器を提供すること。
【解決手段】この放射線検出器は、絶縁基板上に形成され、ＰＮＰＮ構造を有するシリコン層と、このＰＮＰＮ構造上に形成され、ＰＮゲートを有するゲート層とを備える。放射線検出器内の入射放射線に応答してのみ、ラッチアップが生じる。第２の態様は、シリコン・オン・インシュレータＰＮＰＮダイオード構造を備えており、放射線検出器内で入射放射線に応答してのみラッチアップが生じる、放射線検出器である。第３の態様は、絶縁基板上に形成されたシリコン層を備えており、このシリコン層が、ＰＮＰＮ構造とＰＮＰＮ構造の上に形成されたゲート層とを備え、このゲート層がＰＮゲートを備えており、放射線検出器内で入射放射線に応答してのみラッチアップが生じる、シリコン・オン・インシュレータ放射線検出器である。 （もっと読む）

【課題】
従来、増幅素子を備えた光センサを作製するには、薄膜トランジスタの形成を待って、光電変換層を形成しなければならならず、スループットが悪かった。そこで、本発明では、薄膜トランジスタを形成する工程と光電変換層を形成する工程を平行して行うことにより短時間で作製した半導体装置及びその作製プロセスを提供することを目的とする。
【解決手段】
本発明は、第１の基板上に薄膜トランジスタを形成し、第２の基板上に光電変換素子を形成し、薄膜トランジスタと光電変換素子とが内側になるように相対した第１の基板と第２の基板との間に導電膜を狭持させることで、薄膜トランジスタと光電変換素子を電気的に接続させて半導体装置を作製する。これにより、工程数の増加を抑え、スループットの高い半導体装置の作製方法を提供することができる。 （もっと読む）

（ｉ）層状粘土鉱物及び／又は有機化層状粘土鉱物並びに（ｉｉ）イオン性液体を含んでなる光電変換素子用電解質並びにそれを電解質層として用いた、透明導電膜と金属酸化物半導体多孔質膜を含む光電極と、この光電極に対向して配置される対向電極と、前記光電極と対向電極との間に配された電解質層とを含む光電変換素子並びにその光電交換素子の金属酸化物半導体多孔質膜に、光増感色素を担持させた色素増感太陽電池。また前記導電基板が、（Ａ）アニリン又はアニリン誘導体を重合させて得られるポリアニリン、（Ｂ）スルホン酸及び／又は（Ｃ）プロトン酸基を有する有機重合体、（Ｄ）分子量調整剤並びに（Ｅ）スルホン酸（Ｂ）、プロトン酸基を有する有機重合体（Ｃ）並びに分子量調整剤（Ｄ）を溶解する有機溶媒を含んでなる、有機溶媒（Ｅ）に安定的に分散した導電性ポリアニリン分散液を、導電基板上に塗布したものである光電交換素子並びに色素増感太陽電池。
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Ｘ線などの放射線を検出する放射線検出器である。放射線検出器は、複数のピクセルを具備した検出器を含んでおり、ピクセルのそれぞれを使用して放射線を検出する。放射線検出器は、第１面上に形成された複数のはんだボールと第２面上に形成された複数の接点を具備したボールグリッドアレイ（ＢＧＡ）パッケージをも含んでいる。ＢＧＡパッケージは、空洞をも具備しており、この空洞内に、少なくとも１つの集積回路（ＩＣ）チップが取り付けられている。ＩＣチップは、複数の読み出しチャネルを具備しており、読み出しチャネルのそれぞれは、ピクセルの中の対応したものによって検出された放射線に対応した電気信号を受信するべく、対応するはんだボールを介して対応するピクセルに結合されている。
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例えばガラスまたは石英製の透明な機械的支持体（１０）と、単結晶半導体材料の膜または薄層（１４）と、当該薄層または半導体膜と当該支持体との間に位置する反射防止中間層（１２）とを有する複合基板。当該反射防止中間層の組成は、屈折率が変化するように、当該支持体（１０）と当該半導体膜（１４）との間において変化する。 （もっと読む）

光検出用装置パッケージおよびこのような装置をパッケージングする方法が提供される。前記パッケージは、所定範囲の波長内の光をほぼ通す材料から成る基板を持つアセンブリ部、光を前記所定範囲の波長に光電子的に変換する少なくとも１つの光検出用ダイを含む検出部、および、前記検出部とアセンブリ部とを結合させる複数の第１のソルダージョイントを含む。前記アセンブリ部は、基板の上部の表面領域に周りの基板上に配置された少なくとも１つの第１の金属層、および、前記第１の金属層上に延長されるように形成された少なくとも１つのパッシベーション層から構成される。このパッケージは、安く、コンパクトであり、簡単に組み立てられる。 （もっと読む）

【課題】 従来のＰＬＣプラットフォームをもちいた光モジュールではキガビット級の高速化を実現するためにはシリコン基板加工と複雑な光導波路作製工程が必要なためコスト面に課題を有していた。
【解決手段】 高周波での損失が少ないガラス基板１７に光導波路用溝１１と、基板厚み方向に接続配線又は放熱のためのビアホール１２を設ける。 （もっと読む）

集積回路ダイ（３２２）を含む一体状にパッケージ実装された光電子工学的集積回路デバイス（３１０）であって、前記ダイは、放射エミッタと放射レシーバの少なくとも一方を含み、かつ、電気絶縁性の物理的保護材料で形成された上部表面と下部表面とを有し、この上部表面と下部表面との少なくとも一方（３１７）は放射に対して透過性であり、電気絶縁性の端縁表面（３１４）がパッドを有する。 （もっと読む）