【課題】赤外線を検出する検出感度をより向上させた量子ドット型赤外線検知器を提供する。
【解決手段】中間層１と、中間層１に挟まれ、且つ、キャリアに対するエネルギーポテンシャルが低い量子ドット４を含む量子ドット層２により形成される量子ドット構造７を有する量子ドット型赤外線検出器である。中間層１と量子ドット４が、Ｖ族元素がＡｓであるIII-Ｖ族化合物半導体からなり、中間層１と量子ドット４を含む量子ドット層２との界面の一方で、且つ、少なくとも量子ドットを覆うようにＡｌＡｓ層５が設けられている。量子ドット３と中間層１を構成する元素の相互拡散を防止して量子ドット／中間層界面を急峻にし、それによって検出感度を向上する。 （もっと読む）

【課題】フォトダイオードの下部電極と、データとの間の寄生容量を低減する。
【解決手段】本発明に係るフォトセンサーは、ガラス基板１と、ガラス基板１上に設けられ、ガラス基板１よりも低い誘電率を有する下地絶縁膜１９と、下地絶縁膜１９上にゲート電極２、ゲート絶縁膜３、半導体層４を積層してなり、半導体層４に接続されたドレイン電極７を有するスイッチング素子とを備える。ドレイン電極７は、下地絶縁膜１９表面に直に接する延設部分を有する。そして、ドレイン電極７の延設部分上に設けられたフォトダイオード２０をさらに備える。 （もっと読む）

【課題】表示装置のバックライトの照度制御に特に好適な光センサ及びそれを備えた表示装置を提供すること。
【解決手段】ａ−Ｓｉ ＴＦＴから構成されるトランジスタＴｒ１に光が照射されることによって出力される光電流信号Ｉｄを増幅回路によって増幅する。この増幅回路は、光電流信号Ｉｄを電圧に変換するトランジスタＴｒ２と、電圧増幅を行うトランジスタＴｒ３、Ｔｒ４と電流増幅を行うトランジスタＴｒ５とを有し、何れもａ−Ｓｉ ＴＦＴから構成されている。バックライトの照度制御は増幅回路によって増幅された電流に基づいて行われる。 （もっと読む）

【課題】基板製造時の静電気不良の発生を防ぐ一方で、駆動時のリーク電流による信号値の変動を抑制することができる画像検出装置を提供する。
【解決手段】ＴＦＴアクティブマトリクス基板１０の製造時に各データ配線３に発生する静電気は、双方向ダイオード３０Ａを介して共通配線１１０に放電される。また、双方向ダイオード３０Ａは、第１許容レベルが保護回路１１２の第２許容レベルよりも高くなるように構成しているので、駆動時の各データ配線３に発生するリーク電流は、保護回路１１２を介して共通配線１１１Ａ、１１１Ｂに放電される。 （もっと読む）

【課題】真空プロセスおよび溶液プロセスのいずれによっても成膜可能で、キャリア輸送性が高く、赤外領域において光吸収および高い光電変換特性を示す有機半導体材料、およびこれを用いた電子デバイス（特に有機トランジスタ、有機光電変換素子）を提供する。
【解決手段】下記に示す特定の構造を有するナフタロシアニン誘導体からなる有機半導体材料、およびこれを用いた膜、電子デバイス、有機トランジスタ、有機光電変換素子。
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【課題】アモルファスセレンを備えた放射線画像検出器の焼き付きを防止する放射線画像検出器用収納容器を提供する。
【解決手段】ケース部１０,１１の全面が６００〜７００ｎｍの全波長の光に対して透過率１０％以下となるようにする。 （もっと読む）

【課題】小型・簡便な固体素子型の火炎センサーとして利用可能な紫外線センサーなどに応用される（Ｇａ_1‐xＩｎ_x）₂Ｏ₃（ただし、０＜ｘ＜１）混晶であって、ｘ値を任意に設定することが可能な（Ｇａ_1‐xＩｎ_x）₂Ｏ₃混晶を低コストで製造する。
【解決手段】２‐メトキシエタノールとモノエタノールアミンの混合溶液にガリウムイソプロポキシドとインジウムイソプロポキシドを溶解させたゾルを基板上に塗布し、空気中６００〜１２００℃で３０〜９０分焼成することにより薄膜を得る。ガリウムイソプロポキシドとインジウムイソプロポキシドとは任意の比率で混合される。これにより、（Ｇａ_1‐xＩｎ_x）₂Ｏ₃混晶のｘ値を任意に設定でき、ｘ値に応じて２５０〜２８０ｎｍの紫外光が検出できる。 （もっと読む）

【課題】保護膜を接着する構成であっても、保護膜の変動を防止又は抑制する。
【解決手段】外部の気圧低下や温度上昇により粘着シート１２０と保護フィルム１０８との間の空間１２８の気体が膨張しても、膨張した気体が、バッファ空間１１０に移動し、柔軟な保護フィルム１０８Ａの作用によってバッファ空間１１０の体積が大きくなる。つまり、粘着シート１２０と保護フィルム１０８との間の空間１２８の体積変動がバッファ空間１１０によって吸収される。したがって、保護フィルム１０８の変動が防止又は抑制される。これにより保護フィルム１０８の剥離が防止される。 （もっと読む）

【課題】感度安定性、残像特性を改善した画像検出装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板１上に、Ｘ線が照射されることにより電荷が発生する半導体膜６が形成されると共に、各々対向配置された２つの蓄積容量上部電極１８、蓄積容量下部電極１４を含み、半導体膜６に発生した電荷を画像を構成する画素の情報として蓄積する複数の電荷蓄積容量５が半導体膜６とガラス基板１の間に形成されたＴＦＴアクティブマトリクス基板１０と、ＴＦＴアクティブマトリクス基板１０のガラス基板１側の面に対して光を照射するバックライト４０と、を備え、蓄積容量上部電極１８、蓄積容量下部電極１４は、半導体膜６の当該電荷蓄積容量５が形成された領域に対してバックライト４０から所定強度以上の光が照射されるように形成した。 （もっと読む）

【課題】放射線検出器の基板の端面における保護層の破損を抑制する。
【解決手段】保護層554が、ガラス基板536上に設けられた放射線検出層522の上面に形成された上部電極518上を覆い、保護層554の端部は、ガラス基板536の端面に達している。ガラス基板536の下面から保護層554の表面にかけて形成された補強フィルム566が、保護層554の端部を覆う。これにより、保護層554の端部のガラス基板536の端面への付着性が向上し、時間が経過しても保護層554の端部に捲れが発生しにくく、保護層554の破損を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】光導電性有機半導体を用いながら微弱光を検出する能力が優れた有機薄膜受光素子を提供する。
【解決手段】基板上に、形成された第１の電極１と、前記第１の電極１上に、形成された第２の電極２と、前記第１の電極１と前記第２の電極２との間の挟持された領域に光導電性有機半導体材料から成る光導電性有機半導体層４と、を備え、前記第１の電極１または前記第２の電極２のうち少なくとも一方の電極は、近紫外線領域から近赤外線領域までの任意の波長の光に対して光透過性を有し、前記光導電性有機半導体層４内には、さらに第３の電極３を配する。 （もっと読む）

【課題】解像度を改善できる放射線検出器を提供する。
【解決手段】蛍光変換膜14上に、透明かつ粘着性を有する粘着物質34とこの粘着物質34より屈折率が高い無機物質35の粉末との混合体によって構成された光反射層33を形成する。光反射層33により、水分遮断性を確保して蛍光変換膜14の劣化を防止するとともに、蛍光変換膜14で変換された可視光の利用効率を改善する。光反射層33は蛍光変換膜14の内部へ浸透せず、解像度を改善できる。 （もっと読む）

【課題】多層化しても直径が均一な量子ドットを有する半導体量子ドット素子、およびその製造方法を提供することを可能にする。
【解決手段】III族元素を含む窒化物半導体層１０、１６ａ、１６ｂ、１６ｃ、１６ｄ、１６ｅと、前記窒化物半導体層上に形成されたＳｉがドープされたIII族元素を含む窒化物半導体からなる複数の量子ドットを有する量子ドット層１２ａ、１２ｂ、１２ｃ、１２ｄ、１２ｅとが交互に積層された多層構造を備え、前記Ｓｉのドープ量が前記量子ドット層毎で異なっていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】放射線画像検出器本体の放電破壊を招くことなく、周囲の雰囲気からの水分吸収を阻止する。
【解決手段】密閉空間内に放射線画像検出器本体２０を配置するとともに、放射線画像検出器本体２０および放射線画像検出器本体に電圧を供給する電線２１と放電が起きない程度の距離を空けて乾燥剤５０を配置する。 （もっと読む）

【課題】放射線画像検出器を電極と記録用光導電層との間に結晶化防止層を設けても皺の発生を抑制することが可能なものとする。
【解決手段】基板１上に、複数の基準電極２と、ａ−Ｓｅを主成分とする記録用光導電層５と、Ａｓ，Ｓｂ，Ｂｉからなる群より選ばれる少なくとも一つの元素を含有するａ−Ｓｅからなる結晶化防止層４’と、バイアス電極７をこの順に積層してなる放射線画像検出器１０において、記録用光導電層５と結晶化防止層４’との間に、金属フッ化物、金属酸化物、ＳｉＯ_x、ＧｅＯ_x（ｘはともに０．５≦ｘ≦１．５）からなる群より選ばれる少なくとも一つの特定物質を含有したａ−Ｓｅからなる熱変形防止層６を設ける。
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【課題】機能膜を有する機能性素子の機能膜の特性を向上させながらも、機能性素子全体の特性劣化を低コストで防ぐことが可能な機能性素子の製造方法を提供する。
【解決手段】互いに対向する一対の電極７，９と、電極７，９間に挟まれた光電変換膜８とを有する光電変換素子の製造方法であって、電極７上に光電変換膜８を形成する工程（図２（ａ））と、光電変換膜８上に電極９を形成する工程（図２（ｂ））と、光電変換膜８の特性を向上させるために行うアニール処理による電極９の変質を防ぐための変質防止膜１１を電極９上に形成する工程（図２（ｃ））と、変質防止膜１１形成後にアニール処理を施す工程とを備える。 （もっと読む）

【課題】個々の部品の精度を抑えつつも高精度なパッシブアライメントを実現する光サブアセンブリを提供する。
【解決手段】光サブアセンブリ１０は、光モジュール１とスリーブ部材６を備える。光モジュール１は、光電変換素子を搭載したリードフレーム４と、少なくともリードフレーム４の素子搭載領域を封止する透明樹脂３を有する。リードフレーム４は、嵌合係合部４４ａを未封止領域に有し、樹脂３は、光ファイバの光軸と一致するスリーブ部材６の光軸を挟んで嵌合係合部４４ａに対応する領域に、嵌合係合補助部を有し、スリーブ部材６は、嵌合係合部４４ａ及び嵌合係合補助部にそれぞれ対応する被係合部６２ａと被係合補助部６２ｄを有する。嵌合係合部４４ａと被係合部６２ａ、及び嵌合係合補助部と被係合補助部６２ｄがそれぞれ嵌合することにより、光モジュール１とスリーブ部材６が光学的に調芯される。 （もっと読む）

【課題】半導体装置のスルーホールの配線部を他の回路基板にハンダ付けする場合、ハンダ付け性が良く、ハンダの吸い上がりによるハンダ付け強度を増大し、且つハンダ付けが確実に行われているかどうかの検査を容易に行うことができる半導体装置を提供する。
【解決手段】端面にスルーホールを有し、スルーホール内に形成された配線部と導通する配線パターンを少なくとも一方の面に有する方形の基板の面に半導体素子を搭載固定し、半導体素子の電極を配線パターンに電気的に接続し、半導体素子を有する基板の面を樹脂で被覆した半導体装置において、スルーホールは、基板面に配線部と導通する０．０２ｍｍ以上の幅のスルーホールランドを有し、配線部及びスルーホールランドが露出している。 （もっと読む）

【課題】放射線検出器を長期に亘って電気特性（暗電流、欠陥）を維持することが可能なものとする。
【解決手段】画像情報を担持した記録用の電磁波を透過するバイアス電極７と、バイアス電極７を透過した記録用の電磁波の照射により電荷を発生するａ−Ｓｅを主成分とする記録用光導電層５と、前記発生電荷を蓄積する蓄電部と、複数の基準電極２と、基板１とをこの順に積層してなる放射線画像検出器において、バイアス電極７と記録用光導電層５との間に、特定物質として、アルカリ金属フッ化物、アルカリ土類金属フッ化物、アルカリ金属酸化物、アルカリ土類金属酸化物、ＳｉＯ_x、ＧｅＯ_x（ｘはともに０．５≦ｘ≦１．５）のうち少なくとも１種を含有するａ−Ｓｅ層であって、かつ前記特定物質の濃度が０．００３〜０．０３モル％である中間層６を設ける。 （もっと読む）

【課題】チップサイズパッケージ型の青色レーザ対応受光素子であって、小型化でき、高信頼性を有し、低コストで製造できるものを提供すること。
【解決手段】半導体基板１１Ｓの各受光チップ１１を形成すべきチップ領域毎に、受光領域１９、電極パッド１６を設けてなるウェハを用意する。ウェハに封止部１７を介してガラス板１８を対向させて接着する。ウェハの裏面側から貫通穴２９を形成し、絶縁膜１５および裏面配線１４を設ける。ウェハとガラス板１８とを一括してダイシングする。 （もっと読む）