【課題】電荷変換層が周囲から受ける圧力を低減し、電荷変換層の劣化を抑制する。
【解決手段】カバーガラス440と保護部材442との接合部分が、光導電層404の外側に配置されているため、カバーガラス440と保護部材442との接合部分で発生するストレスが硬化性樹脂444を介して光導電層404に伝わるのを抑制する。これにより、光導電層404が受ける圧力を低減し、光導電層404の劣化を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】外部電極が設けられた面と反対側の面に受光面を備えており、小型化が可能である半導体装置を提供する。
【解決手段】ガラス基板４１上に内部電極４Ａとダミー電極４４とを形成する。光検出半導体素子２Ａをガラス基板４１の内部電極４Ａ上にフリップチップ接続する。ワイヤ７Ａのループ高さを半導体素子２Ａより高くなるように内部電極４Ａとダミー電極４４との間をワイヤボンディングする。樹脂封止した後、樹脂封止体６２の上面を研磨して、ワイヤ７Ａを内部電極４Ａに接続したワイヤ７Ａと、ダミー電極４４に接続したワイヤ６４とに分割する。ワイヤ７Ａとを接続する外部電極を研磨面６５に形成する。樹脂封止体６２を分割する。その際、ダミー電極４４とワイヤ６４とを、光検出半導体装置１Ａから切り離す。 （もっと読む）

【課題】放射線画像を担持した記録用の電磁波の照射を受けて電荷を発生し、該電荷を蓄積することにより放射線画像を記録する放射線画像検出器において、耐電圧性、耐透湿性を確保する。
【解決手段】放射線画像を担持した記録用の電磁波の照射を受けて電荷を発生する光導電層１３と、光導電層に電界を形成する電圧が印加される上部電極１４と、耐電圧性を有する耐電圧層１６と、耐透湿性を有する耐透湿層１７とをこの順に積層して構成する。 （もっと読む）

【課題】カルコゲン薄膜トランジスタアレイを備えた電子医療映像装置を提供する。
【解決手段】外部から照射される光エネルギーを吸収して電子−正孔対が形成される信号生成部と、電子−正孔対を分離し、その極性によって信号生成部内の互いに反対側に密集されるように、信号生成部の一面に接触して電気信号を印加する電源と、信号生成部に接触し、分離された電荷のうち一種を流入して保存する信号保存部と、信号保存部に接触し、信号保存部に制御信号を印加して信号保存部に保存された電荷による電気信号を伝達されて映像信号に変換する信号変換部とを備えている。信号生成部は、カルコゲン素材のうち一つである非晶質セレンを使用するか、又はカルコゲンを利用した化合物素材であるＣｄＴｅ又はＣｄＺｎＴｅを使用できる。また、信号保存部は、ＧＳＴを含む薄膜トランジスタアレイ、あるいはＣＩＳを利用した薄膜トランジスタアレイを備えて構成できる。 （もっと読む）

【課題】光導電層の劣化を抑制するとともに、光導電層下に設けられた電荷収集電極に対する絶縁性を確保する。
【解決手段】延長電極部431が、ガラス基板408上の光導電層404の無い領域で、高電圧線432と電気的に接続されているため、光導電層404へ付与される圧力が軽減され、光導電層404の劣化を抑制できる。また、正孔注入阻止層402が、延長電極部431とガラス基板408との間から光導電層404の側面と延長電極部431との間を通って、光導電層404上へ形成されているので、光導電層404とガラス基板408との間にギャップがあっても、延長電極部431から電荷収集電極407aへ沿面放電を抑制でき、光導電層404下に設けられた電荷収集電極407aに対する絶縁性を確保できる。 （もっと読む）

【課題】 Ｘ線撮像表示装置等に用いられるフォトセンサーに備えられるＴＦＴアレイ基板において、フォトダイオード上の透明電極をパターニング加工する際に、エッチング残渣が生じていた。このエッチング残渣により配線やフォトダオード間に短絡が生じ、歩留まりの低下や表示欠陥を引き起こしていた。
【解決手段】 この発明にかかるフラットパネルのフォトセンサーにおいては、フォトダイオード上に形成される透明電極をＩＺＯ、ＩＴＺＯ、ＩＳＯのいずれかで形成したので、エッチング残渣の生成を抑制でき、欠陥の少ないフォトセンサーを形成することができる。 （もっと読む）

【課題】基板ホルダ内における温度の均一性を保持しつつ、基板ホルダ表面への成膜材料の付着（蒸着）を実質的に防止可能とする真空蒸着装置を提供すること。
【解決手段】基板に成膜材料を真空蒸着させて膜を形成する真空蒸着装置であって、前記基板を保持する基板ホルダを、基板保持部と蒸着領域規制部材（マスク）とから構成し、前記基板保持部と蒸着領域規制部材（マスク）とを異なる材料から構成するとともに、前記基板保持部を熱伝導率１００Ｗ／ｍ・Ｋ以上、かつ比重４．０×１０^３ｋｇ／ｍ^３以下の材料で、前記蒸着領域規制部材（マスク）を融点１３００℃以上の材料でそれぞれ構成してなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】放射線検出器の記録用光導電層の結晶化を抑制するとともに、放射線検出器を剥離に対する安定性と整流特性に優れたものとする。
【解決手段】記録用の放射線に対して透過性を有する第１の電極層１、記録用の放射線を受けることにより導電性を呈する記録用光導電層２、第１の電極層１で発生した潜像極性電荷を蓄積する蓄電部、読取用電磁波の照射を受けることにより光導電性を呈する読取用光導電層４、読取用電磁波に対して透過性を有する第２の電極層５をこの順に積層してなる放射線画像情報を静電潜像として記録する放射線検出装置１０において、記録用光導電層２と第１の電極層１の間、または読取用光導電層４と第２の電極層５との間に電子輸送性材料を含有した電荷輸送層６を有し、電子輸送性材料の電子親和力をＥａ１、記録用光導電層２または読取用光導電層４の電子親和力をＥａ２としたときに、Ｅａ１−Ｅａ２＜０．４ｅＶとする。 （もっと読む）

【課題】放射線検出器を、放射線光電変換膜と電極との間の剥がれを抑制することが可能であって、暗電流、残像等の電気特性に優れたものとする。
【解決手段】放射線光電変換膜１２と、この放射線光電変換膜１２の一方の面側に設けられた第１の電極１１と、放射線光電変換膜１２の他方の面側に設けられた第２の電極１４と、放射線光電変換膜１２と第２の電極１４との間に位置する電荷ブロック層１３とを有する放射線検出器において、電荷ブロック層１３の微小な領域において表面粗さＲａを０．８ｎｍ以上１．８ｎｍ以下とする。 （もっと読む）

【課題】画像検出装置におけるリーク電流を軽減する。
【解決手段】画像検出装置を、基板と、基板上に形成された、方形のコンタクトホールであって該コンタクトホールの全てのコーナー部の曲率半径が２μｍ以上であるコンタクトホールを有する平坦化膜と、平坦化膜の前記ホール部に形成された収集電極と、収集電極が形成された平坦化膜上に堆積形成された非晶質の光電変換層と、コンタクトホールを介して収集電極に接続された信号取出電極とを備えてなるものとする。 （もっと読む）

【課題】放射線画像検出器において、環境の温度変化による変形や破壊を防止する。
【解決手段】放射線の照射を受けて電荷を発生する光導電層と、その光導電層の熱膨張係数ａ１より小さい熱膨張係数を有する基板とがこの順に積層された放射線画像検出器において、基板の光導電層が設けられた側とは反対側に、基板の熱膨張係数より大きい熱膨張係数ａ２を有する変形抑制層を基板に固定して備え、光導電層の膜厚がｄ１であり、変形抑制層の膜厚がｄ２であるとき、下記式（１）を充足するように構成する。
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【課題】全体の大きさを小型にでき、特に略矩形のパッケージの４辺のうち対向する一対の２辺の長さを小さくできる半導体デバイスを効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】平板状の底板６１の上に複数のリブ前駆体８０を互いに平行に設置する。隣り合うリブ前駆体８０の間である溝５５に複数の半導体素子１０を搭載し、半導体素子１０の上に透明部材９４を貼り合わせる。半導体素子１０の電極パッド２０と接続電極７５とをワイヤボンディングし、溝５５の中に封止樹脂９６を充填する。それからダイシングソー４０によってリブ前駆体８０の長手方向中央部を切断し、さらに隣り合う半導体素子１０間を切断して半導体デバイス１が出来上がる。 （もっと読む）

【課題】Ｓｂ₂Ｓ₃に代表されるカルコゲニド化合物を含有する電荷輸送層の結晶化を抑制して、電荷輸送層の剥離や亀裂を抑制する。
【解決手段】絶縁性基板１上に少なくとも、キャリア収集電極層２と、放射線感応型半導体層３と、少なくとも１つの電荷輸送層４と、電圧印加電極層５とが形成された放射線検出装置１０において、電荷輸送層４の少なくとも１つが、化学量論組成に対してカルコゲニド元素の含量が３％以上多い組成を持つカルコゲニド化合物を含有するもの、あるいは、電荷輸送層４に含有されるカルコゲニド化合物の組成が、界面４ａまたは４ｂから層中央に向かって、化学量論組成に対してカルコゲニド元素の含量が３％以上多い組成から化学量論組成に漸近しているものとする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、複数の受光素子と、受光素子の検出信号を増幅させる増幅回路素子と、受光素子と増幅回路素子とを電気的に接続するか否かの切り替えを行う切り替えスイッチ素子と、増幅回路素子と電気的に接続された受動素子とを備えた照度検出装置及びセンサモジュールに関し、小型化を図ることのできる照度検出装置及びセンサモジュールを提供することを課題とする。
【解決手段】配線基板１１の基板本体３１としてシリコン基板を用いると共に、配線基板１１に、外部から照射された光を受光した際に光の照度に応じた検出信号を出力する複数の受光素子１３と、受光素子１３が出力した検出信号を増幅させる増幅回路素子１４と、受光素子１３と増幅回路素子１４とを電気的に接続するか否かの切り替えを行う切り替えスイッチ素子１５と、増幅回路素子１４と電気的に接続された抵抗体１７及びキャパシタ１８とを設けた。 （もっと読む）

【課題】極微量のアルカリ金属がドーピングされたアモルファスセレンを歩留まりよく、かつ均質に製造する。
【解決手段】密閉系で所定濃度よりも高い濃度のアルカリ金属をドープした母セレン合金を作製した後、前記母セレン合金と純セレン合金を混合してアルカリ金属が所定濃度ドーピングされたアモルファスセレンを製造する。 （もっと読む）

【課題】蒸着材料蒸発装置による複数の蒸着材料からなる化合物の層の成膜において、均一な成分比を有する蒸着膜を形成する。
【解決手段】蒸着材料を加熱して蒸発させる蒸着材料蒸発装置において、異なる蒸着材料14、15をそれぞれ収容する複数の蒸着容器11a、11bと、これらの蒸着容器11a、11bに収容された蒸着材料14、15を加熱する加熱手段16と、この複数の蒸着容器11a、11b内で蒸発した蒸着材料14、15が共に通過して出て行く共通開口13とを備える。 （もっと読む）

【課題】誤動作のない光電変換装置を提供すること。
【解決手段】第１センサＴＦＴ１００−１のスリット１０４より出射されたバックライト光は透明な対向基板２２を透過して指で反射され、反射光として前記第１センサＴＦＴ１００−１で光電変換されて、該第１センサＴＦＴ１００−１は光電変換状態となるが、スリット１０４を持たない第２センサＴＦＴ１００−２では、センサ間領域１０２から出射されたバックライト光の反射光しか光電変換されないので、該第２センサＴＦＴ１００−２はほぼ非光電変換状態となる。輝度の高い外光が入射した時は、前記第１及び第２センサＴＦＴ１００−１，１００−２とも光電変換する。従って、前記第１センサＴＦＴ１００−１のみ光電変換状態となった場合、指が存在すると判別する。 （もっと読む）

【課題】電荷情報の残留を除去することができる放射線検出器を提供することを目的とする。
【解決手段】光源２１の光量を操作する操作量として光源２１の発光ダイオードに与える電圧値を設定する設定部２３と、読み出し部２１によって読み出された非照射状態のキャリアに応じて操作量（電圧値）を変更する制御を行う制御部２４とを備える。光源２１の光量を操作する操作量（電圧値）を設定部２３によって設定する際に、フラットパネル型Ｘ線検出器（ＦＰＤ）１の特性の１つであるキャリアに応じて制御部２４がＦＰＤ１ごとに操作量（電圧値）を変更することが可能になる。したがってＦＰＤ１の特性が異なっても、ＦＰＤ１ごとに電荷情報であるキャリアの残留を除去することができる。 （もっと読む）

【課題】製造が簡単で、かつ、安価な紫外線検出センサー及びその製造方法を提供する。
また、紫外線検出センサーを使った紫外線の検出方法及び太陽電池を提供する。
【解決手段】紫外線検出センサー１は、ガラス基板２を有し、そのガラス基板２の上面に
焼結ＩＴＯ膜３が形成されているとともに、焼結ＩＴＯ膜３の両端部に電気的に接続され
た外部端子４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】高温ポストアニールのステップを必要とせず、従来の低温ポリシリコン薄膜トランジスタと集積可能な、高効率の発光素子とその製造プロセスを提供する。
【解決手段】太陽電池素子の光起電素子層、又は光検出器の感光層を構成するシリコンナノドットを含むシリコンリッチ誘電体層を備える多層構造体の製造に低温下で高効率のレーザーアニールプロセスを用い、シリコンリッチ誘電体層内にレーザー誘起凝集シリコンナノドットを形成する。この、レーザー誘起凝集シリコンナノドットは、高密度で均一に分布しており、直径のバラツキも小さい。このプロセスを採用すれば、従来の低温ポリシリコン薄膜トランジスタを集積した構造で製造することができる。 （もっと読む）