半導体デバイスの製造方法、光ピックアップモジュール、および半導体デバイス
【課題】全体の大きさを小型にでき、特に略矩形のパッケージの４辺のうち対向する一対の２辺の長さを小さくできる半導体デバイスを効率よく製造する方法を提供する。
【解決手段】平板状の底板６１の上に複数のリブ前駆体８０を互いに平行に設置する。隣り合うリブ前駆体８０の間である溝５５に複数の半導体素子１０を搭載し、半導体素子１０の上に透明部材９４を貼り合わせる。半導体素子１０の電極パッド２０と接続電極７５とをワイヤボンディングし、溝５５の中に封止樹脂９６を充填する。それからダイシングソー４０によってリブ前駆体８０の長手方向中央部を切断し、さらに隣り合う半導体素子１０間を切断して半導体デバイス１が出来上がる。
【解決手段】平板状の底板６１の上に複数のリブ前駆体８０を互いに平行に設置する。隣り合うリブ前駆体８０の間である溝５５に複数の半導体素子１０を搭載し、半導体素子１０の上に透明部材９４を貼り合わせる。半導体素子１０の電極パッド２０と接続電極７５とをワイヤボンディングし、溝５５の中に封止樹脂９６を充填する。それからダイシングソー４０によってリブ前駆体８０の長手方向中央部を切断し、さらに隣り合う半導体素子１０間を切断して半導体デバイス１が出来上がる。
【発明の詳細な説明】
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイスの製造方法、光ピックアップモジュール、および半導体デバイスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来よりＤＶＤ等の光ディスクの信号を読み取る光ディスクドライブ装置には、読み取り用の光を出射する半導体レーザ素子と、光ディスクからの反射戻り光を受光する光検出器とが同一の基台上に配置された光ピックアップモジュールが搭載されている。
【０００３】
特許文献１に開示されているように、光ピックアップモジュールは、光ディスクの光学記録面の下に置かれて光ディスクの半径方向に移動するように光ディスクドライブ装置において構成されているため、光ディスクドライブ装置を小型にするためには光ピックアップモジュールを小型にすることが必須となっており、そのためには光検出器を小型にする必要がある。
【０００４】
例えば特許文献２には、固体撮像素子を納める筐体を小型にして光検出器を小型にするための固体撮像装置の製造方法が開示されている。具体的には、基板部および矩形枠状のリブにより形成される筐体を、複数本の金属リード片とともに一体的に樹脂成形して、各金属リード片により内部端子部および外部端子部を形成し、筐体の内部空間内の基板部上に撮像素子を固定し、撮像素子の電極と各金属リード片の内部端子部とを各々接続し、リブの上端面に透光板を接合する。このとき、透光板の位置決めのため、リブの上端面に、内周に沿って低くなった低段部を設けて段差部を形成し、透光板を、リブの段差部に形成された内壁の内側領域内で低段部の上面に載置可能な大きさとし、リブの上端面に透光板を接合する際に、低段部上面に接着材を充填した後、透光板を段差部の内壁により位置規制しながら低段部上面の接着材上に載置し接合した後、リブの段差部の外側に位置する部分を削除する、という方法である。
【特許文献１】特開２００１−５６９５０号公報
【特許文献２】特開２００５−６４２９２号公報
【特許文献３】特開２００５−７９５３７号公報
【特許文献４】特開２００２−１６４５２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、図１８に示すように特許文献２に開示された固体撮像装置では、撮像素子２０５が載せられた基板部２０２の外縁部分に矩形枠状のリブ２０３が設けられているが、リブ２０３は矩形状の４辺のいずれも同じ幅であり、このため小型化には限界があった。特許文献３に開示されている固体撮像装置にも同様の問題があった。そして、製造方法は、リードフレームを下に置き一体的に樹脂成形して複数個の筐体が繋がった原板を作成した後に固体撮像素子を搭載するというものであるが、高価な封止金型を作りリードフレームと一体的に樹脂成形でリブを形成しなければならず、また、金型でリブを樹脂成形する場合、金型内で樹脂成形した後に製品を取り出すためにリブ側面に５〜１５°の微小な抜き勾配を付ける必要があるので、リブを垂直に形成することは不可能であった。さらに樹脂成形を金型で行うため、リブの形状を安易に設計変更できないという課題があった。
【０００６】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、全体の大きさを小型にでき、特に略矩形のパッケージの４辺のうち対向する一対の２辺の長さを小さくできる半導体デバイスを効率よく製造する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するために、本発明の第１の製造方法は、半導体素子と、該半導体素子を搭載するパッケージとを備えた半導体デバイスの製造方法であって、平板状の底板の上面の上に、上方に突き出して互いに平行に該上面上を延びる複数のリブを設けて、複数のパッケージが連結した形状のパッケージ集合基板を形成する工程と、隣り合う２つの前記リブの間に複数の半導体素子を該リブの延びる方向に沿って搭載する搭載工程と、前記リブの延びる方向に沿って該リブの中央部を切断してパッケージ集合基板を分割する工程とを含む構成とした。
【０００８】
ある好適な実施形態において、前記リブには、該リブの延びる方向に沿って該リブの上面から前記底板に向かってスリットが設けられている。
【０００９】
本発明の第２の製造方法は、半導体素子と、該半導体素子を搭載するパッケージとを備えた半導体デバイスの製造方法であって、平板状の底板の上面の上に、上方に突き出して互いに平行に該上面上を延びる複数のリブを、隣り合う該リブ間の距離が第１の距離ａとａよりも小さい第２の距離ｂとの２つに交互になるように設けて、複数のパッケージが連結した形状のパッケージ集合基板を形成する工程と、リブ間の距離がａである隣り合う２つの前記リブの間に複数の半導体素子を該リブの延びる方向に沿って搭載する搭載工程と、リブ間の距離がｂである隣り合う２つの前記リブの間を該リブの延びる方向に沿って切断してパッケージ集合基板を分割する工程とを含む構成とした。
【００１０】
前記リブには延びる方向に沿って、他の部分よりも幅あるいは高さが小さい窪み部が複数設けられており、前記搭載工程において、前記半導体素子は、隣り合う前記リブの間であって且つ該リブが延びる方向において隣り合う前記窪み部の間の領域に搭載される構成であってもよい。
【００１１】
前記パッケージ集合基板は、前記リブに沿って並ぶ複数の接続電極を前記底板の上面に有しており、前記搭載工程では前記半導体素子と前記接続電極とを金属細線で接続する構成であってもよい。
【００１２】
さらに、前記半導体素子の上に板状である透明部材を置く載置工程と、前記金属細線と前記透明部材の側壁とを封止樹脂で封止する工程とを含む構成であってもよい。
【００１３】
前記載置工程では、１つの前記透明部材を複数の前記半導体素子の上に置く構成であってもよい。
【００１４】
本発明の光ピックアップモジュールは、上記の製造方法により製造された半導体デバイスと、レーザモジュールとビームスプリッタとを備え、前記半導体デバイスに搭載された半導体素子は受光素子である構成とした。
【００１５】
さらにミラーと対物レンズとを備えていてもよい。
【００１６】
光ディスクの情報記録面の下側に置かれ、前記リブの延びる方向が該情報記録面に対して実質的に垂直である構成であってもよい。
【００１７】
前記レーザモジュールは、出射光のピーク波長が３８５ｎｍ以上４２５ｎｍ以下である青紫レーザ装置と、出射光のピーク波長が６３０ｎｍ以上６７０ｎｍ以下および７６０ｎｍ以上８００ｎｍ以下である２波長レーザ装置とを備えている構成であってもよい。
【００１８】
本発明の半導体デバイスは、半導体素子と、該半導体素子を搭載するパッケージとを備えた半導体デバイスであって、略直方体であり、その下面および対向する一対の側面は前記パッケージからなり、前記パッケージは、実質的に矩形であって前記半導体素子を搭載する搭載面を備えた基板部と、該搭載面の一対の対向する外縁に沿って延びかつ該外縁上にそれぞれ設けられたリブとを有し、前記半導体素子は封止樹脂によって封止されており、前記リブのうち、該リブ同士が相対する面は封止樹脂によって覆われており、前記対向する一対の側面とは別の一対の側面には、前記基板部と前記リブと前記封止樹脂とが露出しており、前記封止樹脂によって覆われている前記リブの部分には、前記リブの下面であって延びる方向に対して垂直な方向の幅が前記別の一対の側面に露出している部分よりも大きい幅広部が存する構成とした。ここでリブの下面とは、前記搭載面に接している部分（面）のことである。
【００１９】
前記リブの下面と前記搭載面とは接着剤により接着されており、前記幅広部の側壁と前記搭載面との接着部分には、前記接着剤によるフィレットが形成されている構成であっても良い。ここでフィレットというのは、幅広部の側壁と搭載面との双方に接着した隅肉部のことである。
【００２０】
前記リブの側面であって該リブ同士が相対する面とは反対側の面の表面粗さは、前記別の一対の側面に露出した前記封止樹脂が成す面の法面粗さよりも小さい構成であってもよい。
【００２１】
前記リブの側面は、前記搭載面に対して実質的に垂直である構成であってもよい。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の半導体デバイスの製造方法は、平板状の底板の上面に平行な複数なリブを設けてパッケージ集合基板を形成し、これらのリブ間に半導体素子を搭載するので、半導体デバイスの前記リブの延びる方向の長さは半導体素子の大きさにほぼ等しい大きさにまで小さくすることができ、小型の半導体デバイスを効率よく製造できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。以下の図面においては、説明の簡潔化のため、実質的に同一の機能を有する構成要素を同一の参照符号で示す。
【００２４】
（実施形態１）
−半導体デバイス−
実施形態１に係る製造方法により製造される半導体デバイスは、半導体素子として集積化受光素子を用いた光検出器である。なお半導体素子としては、フォトダイオード、フォトトランジスタ、フォトＩＣなどの受光素子や、ＬＥＤ、半導体レーザなどの発光素子を用いてもよい。
【００２５】
図１、図２に示すように、本実施形態の半導体デバイス１は、断面Ｕ字型である溝形状のパッケージ５０の溝の中に半導体素子１０が収納され、半導体素子１０の受光面を覆うように板状の透明部材９４が半導体素子１０の上に透明な接着剤を介して載せられている。さらにパッケージ５０の中に封止樹脂９６が充填されている。透明部材９４は上面が矩形であってガラスからなる板状部材であり、半導体素子１０に接着されている。また、図２（ａ）では説明を行いやすいように封止樹脂９６を省略している。
【００２６】
本実施形態のパッケージ５０は、矩形の基板部６０と、基板部６０の上方に突き出し且つこの矩形の対向する一対の辺に沿ってそれぞれ延びる２つのリブ７０，７０とを有している。リブ７０，７０は、基板部６０のうち半導体素子１０が搭載される矩形の搭載面６２の対向する一対の外縁上にのみそれぞれ設けられており、搭載面６２の外縁に沿って延びる直方体の形状を有している。なお、搭載面６２の対向する一対の外縁上にのみリブ７０，７０が設けられているというのは、前記一対の外縁上にはリブ７０，７０がそれぞれ設けられているが、該一対の外縁とは別の一対の外縁上にはリブ７０，７０は設けられておらず、搭載面６２の中央部とその近辺にも設けられていないということである。
【００２７】
搭載面６２には、搭載された半導体素子１０とリブ７０との間の部分に複数の接続電極７５，７５，…が１列に並んでおり、各接続電極７５はリブ７０の下の部分にまで延びて一部がリブ７０の下に隠れている。そして、接続電極７５は基板部６０内に設けられた埋め込み電極７６，７６，…に接続している。また、基板部６０の搭載面６２とは反対面である非搭載面６４には、複数の外部接続部７７，７７，…が設けられていて、これらが埋め込み電極７６、７６，…に接続している。即ち、接続電極７５，７５，…は埋め込み電極７６，７６，…を介して外部接続部７７，７７，…に電気的に接続されている。
【００２８】
半導体素子１０は矩形であって、一方の面に複数の電極パッド２０，２０，…が対向する一対の２辺のそれぞれに沿って１列ずつ並んでいる。電極パッド２０，２０，…が設けられた面の反対側の面がパッケージ５０の搭載面６２に載せられて接着剤によって固定されている。このとき電極パッド２０，２０，…が並んだ列が伸びている方向とリブ７０，７０が延びる方向とが略平行になるように半導体素子１０はパッケージ５０に搭載される。そして、電極パッド２０，２０，…と接続電極７５，７５，…とが金属細線２２，２２，…によって接続されている。
【００２９】
透明部材９４の側面と金属細線２２，２２，…とが埋め込まれるようにパッケージの溝の中に封止樹脂９６を入れている。これにより、透明部材９４の上面とリブ上面７０ｂとを除いてパッケージ５０の溝（凹部）内のものは封止樹脂９６によって封止されていることになる。すなわち、透明部材９４の側面やリブ７０，７０上面、金属細線２２等が封止樹脂９６に埋め込まれている。
【００３０】
本実施形態の半導体デバイス１を上から見ると透明部材９４の上面とリブ上面７０ｂとが露出しているのみで、残りは封止樹脂９６に覆われている。従って、半導体素子１０の受光面や電極パッド２０、接続電極７５や金属細線２２にゴミや埃が付着することはなく、ゴミや埃に由来する受光できない部分の発生やショートなどの不具合も生じることはない。封止樹脂９６としては、熱硬化型エポキシ樹脂、ＳｉＯ２等を含有させたフィラー入りの樹脂、染料を含有させ遮光性を付与した樹脂などを好ましく使用することができる。
【００３１】
また、半導体デバイス１の側壁部において、リブ外側側壁７０ａと基板部６０の側壁とは面一になっており、これによって半導体デバイス１の両リブ７０，７０間側の長さを小さくでき小型化に寄与している。ここで外側側壁というのは、リブ７０，７０の側壁のうち、半導体素子１０の方を向いている側壁に対向する側壁のことである。
【００３２】
リブ外側側壁７０ａおよびその対向側壁は、搭載面６２に対して垂直になっている。これにより、金型を使用した樹脂成型でリブ７０を作製する場合に比べて、リブ７０幅や２つのリブ７０，７０間の距離をより自由に設定することができる。また、リブ外側側壁７０ａの表面粗さは封止樹脂９６の側壁側露出部分の表面粗さよりも小さい。これは、光ピックアップモジュールに搭載する際にリブ外側側壁７０ａを位置合わせに用いるためである。
【００３３】
封止樹脂９６はパッケージ５０の溝内に充填される際には粘度の高い液体であり、その後固まって固体になる。半導体デバイス１の側壁のうち、リブ外側側壁７０ａ以外の側壁は、封止樹脂９６とリブ７０，７０の端面とが面一になっているものである。ここで、金属細線２２は全て封止樹脂９６中に埋め込まれており、金属細線２２と電極パッド２０および接続電極７５との接続部分が固定されて接続信頼性が向上する。また、透明部材９４の上面は露出しており側面は封止樹脂９６中に埋め込まれているので、半導体素子１０の受光面には透明部材９４の上面を通過してくる光のみが到達し、透明部材９４の側面部分から光が入射しようとしても、そのような不要な光は受光面には到達せず、迷光（光の乱反射）が無くなり、光学特性が向上する。
【００３４】
本実施形態では基板部６０の外縁のうち、リブ７０，７０が設けられた一対の外縁とは別の一対の対向する外縁部にはリブが設けられていないので、この別の一対の外縁部間の距離は半導体素子１０の大きさや接続電極７５，７５，…の配置に必要なスペースによって決まる。即ち上記別の一対の外縁部間の距離は、半導体素子１０を搭載するパッケージとしては最も小さくすることができる。
【００３５】
また、基板部６０の搭載面６２を基準とした高さ（距離）において、透明部材９４の上面の高さの方をリブ上面７０ｂおよび封止樹脂９６の上面の高さよりも大きくしているので、半導体デバイス１を光ピックアップモジュールに搭載する際に半導体素子１０の受光面に平行であって且つ面積の広い透明部材９４の上面を搭載作業の基準面として容易に用いることができ、光ピックアップモジュールへの搭載精度を容易に向上させることができるとともに、搭載作業も容易に短時間で行うことができる。
【００３６】
−半導体デバイスの製造方法−
本実施形態に係る半導体デバイス１の製造方法について、図３を参照して以下に説明する。
【００３７】
まず、図３（ａ）に示すように底板６１を用意する。この底板６１は公知の方法により作製できる。例えば、平板状の絶縁性基板に複数の貫通孔を一列に並べて形成し、この列を平行に複数列設ける。そして、その貫通孔に導電体を埋め込んで埋め込み電極７６，７６，…とし、これら埋め込み電極７６，７６，…と接続する接続電極７５，７５，…を絶縁性基板の上面に、外部接続部７７，７７，…を絶縁性基板の下面に形成すれば底板６１が出来上がる。
【００３８】
次に図３（ｂ）に示すように、底板６１の上に四角柱状のリブ前駆体８０，８０，…を接続電極７５，７５，…の列間に、該列間の一つおきに載せて接着剤で固定すると、パッケージ集合基板１００が出来上がる。このとき、隣り合うリブ前駆体８０，８０に挟まれたところが溝５５となる。また、リブ前駆体８０，８０，…は接続電極７５，７５，…のそれぞれの一部に載った状態になっている。なお、これらリブ前駆体８０，８０，…は請求項でいうリブに含まれるものである。
【００３９】
リブ前駆体８０は、図４に示す（接続電極は省略）ように、延びる方向に沿って幅が狭くなっている窪み部８１，８１，…が複数設けられている。リブ前駆体８０が延びる方向に対して垂直な方向において、各リブ前駆体８０の窪み部８１，８１，…は一列に並んでおり、後の工程においてこの部分で切り離される。８２という符号で示されているのが、そのカットラインである。
【００４０】
パッケージ集合基板１００は、上述のパッケージ５０が複数並んで隣り合うパッケージ５０のリブ外側側壁７０ａ同士が一体となっている形状を有している。また、リブ７０が延びる方向にも複数のパッケージ５０が並んで一体となっている形状である。
【００４１】
次に、複数の溝５５，５５，５５のそれぞれの底面に複数の半導体素子１０を、溝５５，５５，５５の延びる方向に沿って搭載して固定し、さらに半導体素子１０の受光面の上に透明部材９４を載せて透明接着剤によって固定する。このとき透明部材９４の上面には保護シート９２ａが設置されている。こうして図３（ｃ）に示す状態となる。このとき、半導体素子１０は、溝５５内であって且つ隣り合うカットライン８２，８２の間、即ちリブ前駆体８０が延びる方向において隣り合う窪み部８１，８１の間の領域に搭載される。
【００４２】
その後、半導体素子１０の電極パッド２０と接続電極７５とをワイヤボンディングによって接続を行う。このようにして図３（ｄ）に示すように、電極パッド２０と接続電極７５とが金属細線２２によって接続された状態となる。
【００４３】
それから溝５５内に封止樹脂９６を充填する。充填はポッティングで行ってもよいし、射出成形で行ってもよい。この時透明部材９４の上面の全面に保護シート９２ａが被せられているので、透明部材９４の上面が確実に封止樹脂９６に覆われず、露出することになる。図３（ｅ）は封止樹脂９６が充填され固化した状態である。リブ前駆体８０の側壁は封止樹脂９６により封止され、上面は封止樹脂９６から露出している状態となっている。
【００４４】
次に、ダイシングソー４０によって、リブ前駆体８０の延びる方向にリブ前駆体８０の中央部分を切断して分割する。こうして側壁部分が面一になる。さらに溝５５の延びる方向に対して垂直に、隣り合う半導体素子１０間であるカットライン８２，８２において切断を行い、保護シート９２ａを取り去る。このように切り離した状態が図３（ｆ）に示す状態である。こうして個々の半導体デバイス１が出来上がる。ここで個々の半導体デバイス１に切断する際に、リブ前駆体８０は窪み部８１で切断されるため、切断抵抗が小さくパッケージ５０に掛かる応力も小さくなる。
【００４５】
なお、上述の半導体デバイス１の製造方法は、一つの例であり、本実施形態の製造方法はこの例に限定されない。例えば図５に示すように、リブ前駆体８５の中央部にリブ前駆体が延びる方向に沿って上面から底板６１にまでスリット８８を有しているパッケージ集合基板１０１を用いても良い。このようなパッケージ集合基板１０１を用いると、パッケージ集合基板１０１が大きくなっても（面積が広くなっても）反ったり変形したりすることが抑制されるとともに、ダイシングソー４０による切り離しが非常に容易にかつ短時間でできるので、加工が容易になる。
【００４６】
なお、スリット８８はリブ前駆体８５の上面から下面まで渡っていなくても、例えばリブ前駆体８５の厚みの半分程度まで形成されていれば上記効果が生じる。さらに底板６１にもリブ前駆体８５のスリット８８と同じ位置にスリットを設けておいてもよい。また、リブ前駆体の形状は横断面が矩形の四角柱に限られず、台形柱やかまぼこ型であったり三角柱であっても構わない。また、ダイシングソー４０の幅はスリット８８の幅に比べて大きくても小さくても良いが、ダイシングソー４０の幅をスリット８８の幅よりも小さくしておくと、リブ外側側壁７０ａの表面粗さは予め設定したスリット８８内壁の表面粗さに等しくなるので、リブ外側側壁７０ａの表面粗さを封止樹脂９６の側壁側露出部分の表面粗さよりも確実に小さくしておくことができる。
【００４７】
−光ピックアップモジュール−
図１６は本実施形態に係る光ピックアップモジュールが、光ディスク４７の下に置かれた状態での模式的な斜視図であり、図１７はその状態を横から見た図である。なお、図１７の右端の半導体デバイス１は、その左側にある台座４８に設置された半導体デバイス１（光検出器）を上下方向の軸の周りに９０°回転させて受光面の側を参考として示したものであり、光ピックアップモジュールに２つの半導体デバイス１が搭載されているわけではない。
【００４８】
この光ピックアップモジュールは、上述の半導体デバイス１（光検出器）と第１及び第２レーザ装置４１，４２と、ビームスプリッタ４３と、ミラー４５と対物レンズ４６とを備えている。第１および第２レーザ装置とがレーザモジュール４９を構成している。第１及び第２のレーザ装置４１，４２から出射した光４４はビームスプリッタ４３を通過し、ミラー４５で反射されて、対物レンズ４６を通って光ディスク４７の情報記録面に入射する。光４４は情報記録面で反射をし、対物レンズ４６，ミラー４５、ビームスプリッタ４３を経由して半導体デバイス１に入射する。
【００４９】
ここで第１レーザ装置４１はピーク波長が４０５ｎｍのレーザ光を出射する青紫レーザ装置であり、第２レーザ装置４２はピーク波長が６５０ｎｍの赤のレーザ光とピーク波長が７８０ｎｍの赤外レーザ光との２つの波長のレーザ光を出射する２波長レーザ装置である。
【００５０】
光ピックアップモジュールを構成する各部材は、台座４８の上に置かれて光ディスク４７の情報記録面の下側に置かれる。そして、回転する光ディスク４７の下で光ディスク４７の径方向に光ピックアップモジュールは移動を行う。各部材が置かれる台座４８の面は、光ディスク４７の情報記録面と平行になっている。
【００５１】
ここで配線の都合上半導体デバイス１は、リブ７０，７０が延びる方向が台座４８に対して垂直に、すなわち光ディスク４７の情報記録面に対して垂直に配置されている。このように配置されると、半導体デバイス１の複数の外部接続部７７，７７，…が台座４８の設置面に対して垂直に２列に並び、従って外部接続部７７，７７，…から引き出される外部との接続用の配線を半導体デバイス１の台座４８の設置面からの高さＨの範囲内に納められ、光ピックアップモジュール全体の高さを小さくできる。
【００５２】
また、上述のように半導体デバイス１のリブ７０，７０は台座４８に対して垂直に延びるものであって、台座４８に水平に延びるリブは存していない。従って、半導体デバイス１の高さＨは搭載している半導体素子１０の１辺の長さとほぼ同じ長さにまで近づけることが可能であり、これにより光ピックアップモジュール全体を薄く、小型にすることができる。
【００５３】
（実施形態２）
実施形態２に係る半導体デバイスの製造方法は、リブ前駆体が実施形態１とは異なっているが他の点は実施形態１とは同じであるので、実施形態１と異なっている点を説明する。
【００５４】
図６に示すように本実施形態のリブ前駆体８６は、窪み部８３が他の部分よりも厚みが小さい部分である。これにより、隣り合う半導体素子１０の間を切断する場合にリブ前駆体８６を切断する際の抵抗が小さくなり、切断しやすくなる。なお、封止樹脂９６を充填する工程において、窪み部８３の上面上にも封止樹脂９６が載る。本実施形態においては、実施形態１と同様の効果を奏する。
【００５５】
（実施形態３）
実施形態３に係る半導体デバイスは、透明部材の形状が実施形態１とは異なっているが他の点は実施形態１とは同じであるので、実施形態１と異なっている点を説明する。
【００５６】
図７に示すように本実施形態の半導体デバイス２，３は、上面の外縁部に段差を有する透明部材９４ａを用いている。この透明部材９４ａは、上面部分に段差が設けられており、その上面部分の中央部に設けられていて半導体素子１０の光学機能面の形状・大きさに対応する上面部９８と、上面部９８よりも一段低い段差面部１９９を有している。
【００５７】
図７（ａ）に示す半導体デバイス２においては、封止樹脂９６は段差面部１９９の上まで覆っているが上面部９８には載っていない。このように段差面部９９を設けることにより、封止樹脂９６が上面部９８に載ることを確実に抑制でき、半導体素子１０の光学機能面に必要な光を確実に届けられ、あるいは光学機能面から発する光を無駄なく出射することができる。その他の効果は実施形態１と同じである。
【００５８】
また図７（ｂ）に示すように、透明部材９４ａにおいて段差部９９、上面９８共に封止樹脂１９６に覆われない半導体デバイス３としても構わない。
【００５９】
（実施形態４）
実施形態４に係る半導体デバイスは、透明部材が実施形態１とは異なっているが他の点は実施形態１と同じであるので、実施形態１と違っている点について説明する。
【００６０】
図８，９に示すように、本実施形態の半導体デバイス４の透明部材９４’は、半導体素子１０の上面からはみ出して延びており、半導体デバイス４の側面のうち、リブ７０，７０が延びる方向に垂直な一対の側面にも、基板部６０とリブ７０，７０と封止樹脂９６と共に露出している。
【００６１】
実施形態１の半導体デバイス１の製造工程では、各透明部材９４を各半導体素子１０の上面に接着させていたが、本実施形態においては、長尺の１本の透明部材９４’を複数の半導体素子１０上面に載せる。即ち、図３（ｂ）の状態から図３（ｃ）の状態に至る際に、各溝５５に対して溝５５とほぼ同じ長さの透明部材９４’を用意し、各溝５５の底面に固定された複数の半導体素子１０，１０，…の上にその透明部材９４’を載せるのである。なお、製造工程における断面図は実施形態１に係る図３と同じとなる。そして最後に一つ一つの半導体デバイスに切り離す際には、基板部６０やリブ７０，７０、封止樹脂９６と共に透明部材９４’も切断されて切断面に露出する。
【００６２】
本実施形態では、実施形態１の効果に加えて、透明部材９４’を半導体素子１０の上に載せる工程を簡略化できるので、製造が容易になる。
【００６３】
（実施形態５）
実施形態５に係る半導体デバイスは、パッケージ５０の凹部に封止樹脂を充填していないことが実施形態１とは異なっているが他の点は実施形態１と同じであるので、実施形態１と違っている点について説明する。
【００６４】
図１０に示すように、本実施形態の半導体デバイス５は半導体素子１０が封止されていない。即ち、本実施形態の半導体デバイス５は実施形態１の半導体デバイス１から封止樹脂９６を取り除いた形態となっている。
【００６５】
本実施形態の半導体デバイス５は、実施形態１の半導体デバイス１の製造工程において、図３（ｄ）から図３（ｅ）へ移る工程を除いた製造方法によって製造される。
【００６６】
本実施形態の半導体デバイス５は、実施形態１の半導体デバイス１よりも製造工程が少なく安価に早く製造できる。また、半導体素子１０の受光面は透明部材９４により保護されているので、受光面にゴミなどが付着することはないが、電極パッド２０や接続電極７５，金属細線２２にゴミなどが付着するおそれがあり、この点が実施形態１よりも劣っているがこれ以外は実施形態１と同じ効果を奏する。
【００６７】
（実施形態６）
実施形態６に係る半導体デバイスは、パッケージ集合基板が実施形態１とは異なっているが他の点は実施形態１と同じであるので、実施形態１と違っている点について説明する。
【００６８】
図１１に示すように、本実施形態では隣り合うリブ前駆体８４，８４の間の距離が相対的に大きい第１の距離ａと、ａよりも小さい第２の距離ｂとの２種類ある。第１の距離ａだけ離れている隣り合う２つのリブ前駆体８４，８４の間には、半導体素子１０が搭載される。一方半導体素子１０の搭載後、第２の距離ｂだけ離れている隣り合う２つのリブ前駆体８４，８４の間は、ダイシングソー４０によって切断される。第２の距離ｂがダイシングソー４０の幅よりも広ければ、切断されるのは底板６１のみであるので、切断が容易に行えると共に、切断によりパッケージ集合基板１０３に掛かる応力が小さくなり、またリブ外側側壁の表面粗さがリブ前駆体８４の側壁粗さと同じになり封止樹脂９６の側壁側露出部分の表面粗さよりも確実に小さくできるので好ましい。
【００６９】
本実施形態は、実施形態１と同じ効果を奏する。また、リブ前駆体８４には図４や図６に示すような窪み部を形成してもよい。
【００７０】
（実施形態７）
実施形態７に係る半導体デバイスは、リブが実施形態１とは異なっているが他の点は実施形態１と同じであるので、実施形態１と違っている点について説明する。
【００７１】
図１２に示すように本実施形態の半導体デバイス６は、幅広部７１ｃを有するリブ７１を用いたパッケージ５１を備えている。幅広部７１ｃというのは、リブ７１の延びる方向に対して垂直な方向であって搭載面６２の中央部の方向に突き出している部分のことであり、ここでの幅というのはリブ外側側壁７１ａとそれに対向するリブ内側側壁との間の距離のことである。すなわち、リブ７１は、その延びる方向の端部は幅が狭く中央部は幅が広い構造を有している。このような構造を有していることにより、リブ７１と封止樹脂９６との接着が２つの方向（リブ外側側壁７１ａと平行な方向と垂直な方向）で行われ、接着面積も増えるので、リブ７１ａが基板部６０に対してより強固に固定されることになる。また、リブ外側側壁７１ａおよびリブ７１の内側側壁は搭載面６２に対して垂直になっているので、リブ７１幅や２つのリブ７１，７１間の距離をより自由に設定することができる。
【００７２】
本実施形態の半導体デバイス６の製造方法は、実施形態１の製造法とほぼ同じである。異なっている点は、リブ前駆体の形状である。例えば図４において、窪み部８１のリブ前駆体８０長手方向の長さをより大きくしたリブ前駆体を用いれば本実施形態の半導体デバイス６を製造できる。あるいは、実施形態１の製造方法において、カットライン８２において隣り合う半導体素子１０，１０の間を切断する際に刃の幅が小さいダイシングソーを用い、半導体デバイスに窪み部８１を一部残すようにしても本実施形態の半導体デバイス６を製造できる。
【００７３】
本実施形態の半導体デバイス６を用いて実施形態１と同様に光ピックアップモジュールを構成することもできる。なお、本実施形態の半導体デバイス６，その製造方法および光ピックアップモジュールでは、実施形態１と同様の効果を奏する。
【００７４】
（実施形態８）
実施形態８に係る半導体デバイスは、リブが実施形態７とは異なっているが他の点は実施形態７と同じであるので、実施形態７と違っている点について説明する。
【００７５】
図１３に示すように本実施形態の半導体デバイス７は、一つのリブ７２に２つの幅広部７２ｃ，７２ｃが存している。このパッケージ５２では、実施形態７のパッケージ５１よりも、リブ７２の封止樹脂９６と接触する面積が大きくなっており、基板部６０に対してリブ７２がさらに強固に固定されている。それ以外の効果は実施形態７と同じである。なお、リブ外側側壁７２ａおよびリブ７２の内側側壁は搭載面６２に対して垂直になっている。
【００７６】
本実施形態の半導体デバイス７を用いた光ピックアップモジュールは実施形態１と同様の効果を奏する。
【００７７】
（実施形態９）
実施形態９に係る半導体デバイスは、リブが実施形態７とは異なっているが他の点は実施形態７と同じであるので、実施形態７と違っている点について説明する。
【００７８】
図１４に示すように本実施形態の半導体デバイスに用いるリブ７３は、幅広部７３ｃがリブ７３の下部にのみ設けられている。即ち、本実施形態のリブ７３は、実施形態７のリブ７１において幅広部７１ｃを上と下とに分けて、下を残して上を取り去った形状を有している。このような形状の幅広部７３ｃを有しているので、本実施形態では封止樹脂９６が幅広部７３ｃを基板部６０に押さえつけることになり、リブ７３と基板部６０との固定がより強固となる。また、リブ７３の下面と基板部６０とは接着剤で固定されているが、接着剤は幅広部７３ｃの下面からはみ出して幅広部７３ｃの側壁と搭載面６２との接着部分（側壁と搭載面６２とが接する境界部分）に接着剤によるフィレット６８が形成されている。これによりリブ７３と基板部６０との接着固定がさらに強固になる。それ以外の効果は実施形態７と同じである。
【００７９】
また、幅広部の形状は任意である。例えば図１５に変形例として示すように、変形例のリブ７４の幅広部７４ｃは、上記の幅広部７３ｃの突き出した先端側を半円柱状に３箇所削り取った形状としている。変形例のリブ７４の方が上記リブ７３よりもさらに基板部６０に強固に固定される。このリブ７４にも幅広部７４ｃと搭載部６２との接着部分に接着剤によるフィレット６８が形成されており、リブ７４と基板部６０とがさらに強固に固定されている。
【００８０】
本実施形態の半導体デバイスを用いた光ピックアップモジュールは実施形態１と同様の効果を奏する。
【００８１】
（その他の実施形態）
これまで述べてきた実施形態は本発明の例示であり、本発明はこれらの例に限定されない。
【００８２】
外部接続部は基板部の非搭載面以外に設けられていても構わない。例えば、リブの外側側壁に設けられていても良いし、非搭載面からリブの外側側壁にまで連続的に設けられていてもよい。また、外部接続部と接続電極とを結ぶ配線もリブ内に設けられた貫通電極に限られず、リブの側壁に沿って設けられていても構わない。
【００８３】
半導体素子として、固体撮像素子以外のフォトカプラなどの受光素子を用いても構わないし、ＬＥＤやレーザ素子などの発光素子を用いてもよい。また、光学素子以外の半導体素子、例えばＳＡＷデバイス、振動子、圧力センサ、加速度センサ、音センサなどを用いても構わない。この場合は蓋体は透明である必要は無い。さらにＭＥＭＳにより作製された素子を半導体素子として用いてもよい。
【００８４】
上記の実施形態の特徴部分同士を組み合わせても構わない。例えば、実施形態２〜５において、実施形態６のパッケージ集合基板１０３を用いてもよい。
【００８５】
実施形態７，８の幅広部を、実施形態９の変形例のような形状としてもよい。実施形態７−９における幅広部の形状は特に限定されない。
【産業上の利用可能性】
【００８６】
以上説明したように、本発明に係る半導体デバイスの製造方法は、小型の半導体デバイスを効率よく製造でき、光ピックアップの光検出器等を製造する方法として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】（ａ）は実施形態１に係る半導体デバイスの斜視図であり、（ｂ）は（ａ）の裏から見た図
【図２】（ａ）は実施形態１に係る半導体デバイスの封止樹脂を取り去った上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線断面図であり、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ’線断面図
【図３】実施形態１に係る半導体デバイスの製造に関して時系列に沿って説明した図
【図４】パッケージ集合基板の一態様を示す斜視図
【図５】パッケージ集合基板の別の一態様を示す斜視図
【図６】実施形態２に係るパッケージ集合基板を示す斜視図
【図７】（ａ）は実施形態３に係る半導体デバイスの断面図、（ｂ）は実施形態４に係る別の半導体デバイスの断面図
【図８】（ａ）は実施形態４に係る半導体デバイスの斜視図であり、（ｂ）は（ａ）の裏から見た図
【図９】（ａ）は実施形態４に係る半導体デバイスの封止樹脂を取り去った上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線断面図であり、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ’線断面図
【図１０】（ａ）は実施形態５に係る半導体デバイスの上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線断面図であり、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ’線断面図
【図１１】実施形態６に係るパッケージ集合基板を示す斜視図
【図１２】（ａ）は実施形態７に係る半導体デバイスの斜視図であり、（ｂ）はリブの斜視図
【図１３】（ａ）は実施形態８に係る半導体デバイスの斜視図であり、（ｂ）はリブの斜視図
【図１４】実施形態９に係るリブの斜視図
【図１５】実施形態９に係る変形例のリブの斜視図
【図１６】実施形態１に係る光ピックアップモジュールの模式的な斜視図
【図１７】実施形態１に係る光ピックアップモジュールの模式的な正面図
【図１８】受光素子を備えた従来の半導体装置の上面図
【符号の説明】
【００８８】
１，２，３，４，５ 半導体デバイス
６，７ 半導体デバイス
１０ 半導体素子
２２ 金属細線
３０ 板状側壁部
４１ 第１レーザ装置
４２ 第２レーザ装置
４３ ビームスプリッタ
４５ ミラー
４６ 対物レンズ
４７ 光ディスク
４９ レーザモジュール
５０、５１，５２ パッケージ
６０ 基板部
６１ 底板
６２ 搭載面
６４ 非搭載面
６８ フィレット
７０ リブ
７０ａ リブ外側側壁
７０ｂ リブ上面
７１，７２，７３，７４ リブ
７１ａ，７２ａ リブ外側側壁
７１ｃ，７２ｃ 幅広部
７３ｃ，７４ｃ 幅広部
７５ 接続電極
７６ 内部配線
７７ 外部接続部
８０，８４，８５，８６ リブ前駆体
９４，９４ａ，９４’ 透明部材
９６ 封止樹脂
１００，１０１，１０２ パッケージ集合基板
【技術分野】
【０００１】
本発明は、半導体デバイスの製造方法、光ピックアップモジュール、および半導体デバイスに関するものである。
【背景技術】
【０００２】
従来よりＤＶＤ等の光ディスクの信号を読み取る光ディスクドライブ装置には、読み取り用の光を出射する半導体レーザ素子と、光ディスクからの反射戻り光を受光する光検出器とが同一の基台上に配置された光ピックアップモジュールが搭載されている。
【０００３】
特許文献１に開示されているように、光ピックアップモジュールは、光ディスクの光学記録面の下に置かれて光ディスクの半径方向に移動するように光ディスクドライブ装置において構成されているため、光ディスクドライブ装置を小型にするためには光ピックアップモジュールを小型にすることが必須となっており、そのためには光検出器を小型にする必要がある。
【０００４】
例えば特許文献２には、固体撮像素子を納める筐体を小型にして光検出器を小型にするための固体撮像装置の製造方法が開示されている。具体的には、基板部および矩形枠状のリブにより形成される筐体を、複数本の金属リード片とともに一体的に樹脂成形して、各金属リード片により内部端子部および外部端子部を形成し、筐体の内部空間内の基板部上に撮像素子を固定し、撮像素子の電極と各金属リード片の内部端子部とを各々接続し、リブの上端面に透光板を接合する。このとき、透光板の位置決めのため、リブの上端面に、内周に沿って低くなった低段部を設けて段差部を形成し、透光板を、リブの段差部に形成された内壁の内側領域内で低段部の上面に載置可能な大きさとし、リブの上端面に透光板を接合する際に、低段部上面に接着材を充填した後、透光板を段差部の内壁により位置規制しながら低段部上面の接着材上に載置し接合した後、リブの段差部の外側に位置する部分を削除する、という方法である。
【特許文献１】特開２００１−５６９５０号公報
【特許文献２】特開２００５−６４２９２号公報
【特許文献３】特開２００５−７９５３７号公報
【特許文献４】特開２００２−１６４５２４号公報
【発明の開示】
【発明が解決しようとする課題】
【０００５】
しかしながら、図１８に示すように特許文献２に開示された固体撮像装置では、撮像素子２０５が載せられた基板部２０２の外縁部分に矩形枠状のリブ２０３が設けられているが、リブ２０３は矩形状の４辺のいずれも同じ幅であり、このため小型化には限界があった。特許文献３に開示されている固体撮像装置にも同様の問題があった。そして、製造方法は、リードフレームを下に置き一体的に樹脂成形して複数個の筐体が繋がった原板を作成した後に固体撮像素子を搭載するというものであるが、高価な封止金型を作りリードフレームと一体的に樹脂成形でリブを形成しなければならず、また、金型でリブを樹脂成形する場合、金型内で樹脂成形した後に製品を取り出すためにリブ側面に５〜１５°の微小な抜き勾配を付ける必要があるので、リブを垂直に形成することは不可能であった。さらに樹脂成形を金型で行うため、リブの形状を安易に設計変更できないという課題があった。
【０００６】
本発明は、かかる点に鑑みてなされたものであり、その目的とするところは、全体の大きさを小型にでき、特に略矩形のパッケージの４辺のうち対向する一対の２辺の長さを小さくできる半導体デバイスを効率よく製造する方法を提供することにある。
【課題を解決するための手段】
【０００７】
上記の課題を解決するために、本発明の第１の製造方法は、半導体素子と、該半導体素子を搭載するパッケージとを備えた半導体デバイスの製造方法であって、平板状の底板の上面の上に、上方に突き出して互いに平行に該上面上を延びる複数のリブを設けて、複数のパッケージが連結した形状のパッケージ集合基板を形成する工程と、隣り合う２つの前記リブの間に複数の半導体素子を該リブの延びる方向に沿って搭載する搭載工程と、前記リブの延びる方向に沿って該リブの中央部を切断してパッケージ集合基板を分割する工程とを含む構成とした。
【０００８】
ある好適な実施形態において、前記リブには、該リブの延びる方向に沿って該リブの上面から前記底板に向かってスリットが設けられている。
【０００９】
本発明の第２の製造方法は、半導体素子と、該半導体素子を搭載するパッケージとを備えた半導体デバイスの製造方法であって、平板状の底板の上面の上に、上方に突き出して互いに平行に該上面上を延びる複数のリブを、隣り合う該リブ間の距離が第１の距離ａとａよりも小さい第２の距離ｂとの２つに交互になるように設けて、複数のパッケージが連結した形状のパッケージ集合基板を形成する工程と、リブ間の距離がａである隣り合う２つの前記リブの間に複数の半導体素子を該リブの延びる方向に沿って搭載する搭載工程と、リブ間の距離がｂである隣り合う２つの前記リブの間を該リブの延びる方向に沿って切断してパッケージ集合基板を分割する工程とを含む構成とした。
【００１０】
前記リブには延びる方向に沿って、他の部分よりも幅あるいは高さが小さい窪み部が複数設けられており、前記搭載工程において、前記半導体素子は、隣り合う前記リブの間であって且つ該リブが延びる方向において隣り合う前記窪み部の間の領域に搭載される構成であってもよい。
【００１１】
前記パッケージ集合基板は、前記リブに沿って並ぶ複数の接続電極を前記底板の上面に有しており、前記搭載工程では前記半導体素子と前記接続電極とを金属細線で接続する構成であってもよい。
【００１２】
さらに、前記半導体素子の上に板状である透明部材を置く載置工程と、前記金属細線と前記透明部材の側壁とを封止樹脂で封止する工程とを含む構成であってもよい。
【００１３】
前記載置工程では、１つの前記透明部材を複数の前記半導体素子の上に置く構成であってもよい。
【００１４】
本発明の光ピックアップモジュールは、上記の製造方法により製造された半導体デバイスと、レーザモジュールとビームスプリッタとを備え、前記半導体デバイスに搭載された半導体素子は受光素子である構成とした。
【００１５】
さらにミラーと対物レンズとを備えていてもよい。
【００１６】
光ディスクの情報記録面の下側に置かれ、前記リブの延びる方向が該情報記録面に対して実質的に垂直である構成であってもよい。
【００１７】
前記レーザモジュールは、出射光のピーク波長が３８５ｎｍ以上４２５ｎｍ以下である青紫レーザ装置と、出射光のピーク波長が６３０ｎｍ以上６７０ｎｍ以下および７６０ｎｍ以上８００ｎｍ以下である２波長レーザ装置とを備えている構成であってもよい。
【００１８】
本発明の半導体デバイスは、半導体素子と、該半導体素子を搭載するパッケージとを備えた半導体デバイスであって、略直方体であり、その下面および対向する一対の側面は前記パッケージからなり、前記パッケージは、実質的に矩形であって前記半導体素子を搭載する搭載面を備えた基板部と、該搭載面の一対の対向する外縁に沿って延びかつ該外縁上にそれぞれ設けられたリブとを有し、前記半導体素子は封止樹脂によって封止されており、前記リブのうち、該リブ同士が相対する面は封止樹脂によって覆われており、前記対向する一対の側面とは別の一対の側面には、前記基板部と前記リブと前記封止樹脂とが露出しており、前記封止樹脂によって覆われている前記リブの部分には、前記リブの下面であって延びる方向に対して垂直な方向の幅が前記別の一対の側面に露出している部分よりも大きい幅広部が存する構成とした。ここでリブの下面とは、前記搭載面に接している部分（面）のことである。
【００１９】
前記リブの下面と前記搭載面とは接着剤により接着されており、前記幅広部の側壁と前記搭載面との接着部分には、前記接着剤によるフィレットが形成されている構成であっても良い。ここでフィレットというのは、幅広部の側壁と搭載面との双方に接着した隅肉部のことである。
【００２０】
前記リブの側面であって該リブ同士が相対する面とは反対側の面の表面粗さは、前記別の一対の側面に露出した前記封止樹脂が成す面の法面粗さよりも小さい構成であってもよい。
【００２１】
前記リブの側面は、前記搭載面に対して実質的に垂直である構成であってもよい。
【発明の効果】
【００２２】
本発明の半導体デバイスの製造方法は、平板状の底板の上面に平行な複数なリブを設けてパッケージ集合基板を形成し、これらのリブ間に半導体素子を搭載するので、半導体デバイスの前記リブの延びる方向の長さは半導体素子の大きさにほぼ等しい大きさにまで小さくすることができ、小型の半導体デバイスを効率よく製造できる。
【発明を実施するための最良の形態】
【００２３】
以下、本発明の実施形態を図面に基づいて詳細に説明する。以下の図面においては、説明の簡潔化のため、実質的に同一の機能を有する構成要素を同一の参照符号で示す。
【００２４】
（実施形態１）
−半導体デバイス−
実施形態１に係る製造方法により製造される半導体デバイスは、半導体素子として集積化受光素子を用いた光検出器である。なお半導体素子としては、フォトダイオード、フォトトランジスタ、フォトＩＣなどの受光素子や、ＬＥＤ、半導体レーザなどの発光素子を用いてもよい。
【００２５】
図１、図２に示すように、本実施形態の半導体デバイス１は、断面Ｕ字型である溝形状のパッケージ５０の溝の中に半導体素子１０が収納され、半導体素子１０の受光面を覆うように板状の透明部材９４が半導体素子１０の上に透明な接着剤を介して載せられている。さらにパッケージ５０の中に封止樹脂９６が充填されている。透明部材９４は上面が矩形であってガラスからなる板状部材であり、半導体素子１０に接着されている。また、図２（ａ）では説明を行いやすいように封止樹脂９６を省略している。
【００２６】
本実施形態のパッケージ５０は、矩形の基板部６０と、基板部６０の上方に突き出し且つこの矩形の対向する一対の辺に沿ってそれぞれ延びる２つのリブ７０，７０とを有している。リブ７０，７０は、基板部６０のうち半導体素子１０が搭載される矩形の搭載面６２の対向する一対の外縁上にのみそれぞれ設けられており、搭載面６２の外縁に沿って延びる直方体の形状を有している。なお、搭載面６２の対向する一対の外縁上にのみリブ７０，７０が設けられているというのは、前記一対の外縁上にはリブ７０，７０がそれぞれ設けられているが、該一対の外縁とは別の一対の外縁上にはリブ７０，７０は設けられておらず、搭載面６２の中央部とその近辺にも設けられていないということである。
【００２７】
搭載面６２には、搭載された半導体素子１０とリブ７０との間の部分に複数の接続電極７５，７５，…が１列に並んでおり、各接続電極７５はリブ７０の下の部分にまで延びて一部がリブ７０の下に隠れている。そして、接続電極７５は基板部６０内に設けられた埋め込み電極７６，７６，…に接続している。また、基板部６０の搭載面６２とは反対面である非搭載面６４には、複数の外部接続部７７，７７，…が設けられていて、これらが埋め込み電極７６、７６，…に接続している。即ち、接続電極７５，７５，…は埋め込み電極７６，７６，…を介して外部接続部７７，７７，…に電気的に接続されている。
【００２８】
半導体素子１０は矩形であって、一方の面に複数の電極パッド２０，２０，…が対向する一対の２辺のそれぞれに沿って１列ずつ並んでいる。電極パッド２０，２０，…が設けられた面の反対側の面がパッケージ５０の搭載面６２に載せられて接着剤によって固定されている。このとき電極パッド２０，２０，…が並んだ列が伸びている方向とリブ７０，７０が延びる方向とが略平行になるように半導体素子１０はパッケージ５０に搭載される。そして、電極パッド２０，２０，…と接続電極７５，７５，…とが金属細線２２，２２，…によって接続されている。
【００２９】
透明部材９４の側面と金属細線２２，２２，…とが埋め込まれるようにパッケージの溝の中に封止樹脂９６を入れている。これにより、透明部材９４の上面とリブ上面７０ｂとを除いてパッケージ５０の溝（凹部）内のものは封止樹脂９６によって封止されていることになる。すなわち、透明部材９４の側面やリブ７０，７０上面、金属細線２２等が封止樹脂９６に埋め込まれている。
【００３０】
本実施形態の半導体デバイス１を上から見ると透明部材９４の上面とリブ上面７０ｂとが露出しているのみで、残りは封止樹脂９６に覆われている。従って、半導体素子１０の受光面や電極パッド２０、接続電極７５や金属細線２２にゴミや埃が付着することはなく、ゴミや埃に由来する受光できない部分の発生やショートなどの不具合も生じることはない。封止樹脂９６としては、熱硬化型エポキシ樹脂、ＳｉＯ２等を含有させたフィラー入りの樹脂、染料を含有させ遮光性を付与した樹脂などを好ましく使用することができる。
【００３１】
また、半導体デバイス１の側壁部において、リブ外側側壁７０ａと基板部６０の側壁とは面一になっており、これによって半導体デバイス１の両リブ７０，７０間側の長さを小さくでき小型化に寄与している。ここで外側側壁というのは、リブ７０，７０の側壁のうち、半導体素子１０の方を向いている側壁に対向する側壁のことである。
【００３２】
リブ外側側壁７０ａおよびその対向側壁は、搭載面６２に対して垂直になっている。これにより、金型を使用した樹脂成型でリブ７０を作製する場合に比べて、リブ７０幅や２つのリブ７０，７０間の距離をより自由に設定することができる。また、リブ外側側壁７０ａの表面粗さは封止樹脂９６の側壁側露出部分の表面粗さよりも小さい。これは、光ピックアップモジュールに搭載する際にリブ外側側壁７０ａを位置合わせに用いるためである。
【００３３】
封止樹脂９６はパッケージ５０の溝内に充填される際には粘度の高い液体であり、その後固まって固体になる。半導体デバイス１の側壁のうち、リブ外側側壁７０ａ以外の側壁は、封止樹脂９６とリブ７０，７０の端面とが面一になっているものである。ここで、金属細線２２は全て封止樹脂９６中に埋め込まれており、金属細線２２と電極パッド２０および接続電極７５との接続部分が固定されて接続信頼性が向上する。また、透明部材９４の上面は露出しており側面は封止樹脂９６中に埋め込まれているので、半導体素子１０の受光面には透明部材９４の上面を通過してくる光のみが到達し、透明部材９４の側面部分から光が入射しようとしても、そのような不要な光は受光面には到達せず、迷光（光の乱反射）が無くなり、光学特性が向上する。
【００３４】
本実施形態では基板部６０の外縁のうち、リブ７０，７０が設けられた一対の外縁とは別の一対の対向する外縁部にはリブが設けられていないので、この別の一対の外縁部間の距離は半導体素子１０の大きさや接続電極７５，７５，…の配置に必要なスペースによって決まる。即ち上記別の一対の外縁部間の距離は、半導体素子１０を搭載するパッケージとしては最も小さくすることができる。
【００３５】
また、基板部６０の搭載面６２を基準とした高さ（距離）において、透明部材９４の上面の高さの方をリブ上面７０ｂおよび封止樹脂９６の上面の高さよりも大きくしているので、半導体デバイス１を光ピックアップモジュールに搭載する際に半導体素子１０の受光面に平行であって且つ面積の広い透明部材９４の上面を搭載作業の基準面として容易に用いることができ、光ピックアップモジュールへの搭載精度を容易に向上させることができるとともに、搭載作業も容易に短時間で行うことができる。
【００３６】
−半導体デバイスの製造方法−
本実施形態に係る半導体デバイス１の製造方法について、図３を参照して以下に説明する。
【００３７】
まず、図３（ａ）に示すように底板６１を用意する。この底板６１は公知の方法により作製できる。例えば、平板状の絶縁性基板に複数の貫通孔を一列に並べて形成し、この列を平行に複数列設ける。そして、その貫通孔に導電体を埋め込んで埋め込み電極７６，７６，…とし、これら埋め込み電極７６，７６，…と接続する接続電極７５，７５，…を絶縁性基板の上面に、外部接続部７７，７７，…を絶縁性基板の下面に形成すれば底板６１が出来上がる。
【００３８】
次に図３（ｂ）に示すように、底板６１の上に四角柱状のリブ前駆体８０，８０，…を接続電極７５，７５，…の列間に、該列間の一つおきに載せて接着剤で固定すると、パッケージ集合基板１００が出来上がる。このとき、隣り合うリブ前駆体８０，８０に挟まれたところが溝５５となる。また、リブ前駆体８０，８０，…は接続電極７５，７５，…のそれぞれの一部に載った状態になっている。なお、これらリブ前駆体８０，８０，…は請求項でいうリブに含まれるものである。
【００３９】
リブ前駆体８０は、図４に示す（接続電極は省略）ように、延びる方向に沿って幅が狭くなっている窪み部８１，８１，…が複数設けられている。リブ前駆体８０が延びる方向に対して垂直な方向において、各リブ前駆体８０の窪み部８１，８１，…は一列に並んでおり、後の工程においてこの部分で切り離される。８２という符号で示されているのが、そのカットラインである。
【００４０】
パッケージ集合基板１００は、上述のパッケージ５０が複数並んで隣り合うパッケージ５０のリブ外側側壁７０ａ同士が一体となっている形状を有している。また、リブ７０が延びる方向にも複数のパッケージ５０が並んで一体となっている形状である。
【００４１】
次に、複数の溝５５，５５，５５のそれぞれの底面に複数の半導体素子１０を、溝５５，５５，５５の延びる方向に沿って搭載して固定し、さらに半導体素子１０の受光面の上に透明部材９４を載せて透明接着剤によって固定する。このとき透明部材９４の上面には保護シート９２ａが設置されている。こうして図３（ｃ）に示す状態となる。このとき、半導体素子１０は、溝５５内であって且つ隣り合うカットライン８２，８２の間、即ちリブ前駆体８０が延びる方向において隣り合う窪み部８１，８１の間の領域に搭載される。
【００４２】
その後、半導体素子１０の電極パッド２０と接続電極７５とをワイヤボンディングによって接続を行う。このようにして図３（ｄ）に示すように、電極パッド２０と接続電極７５とが金属細線２２によって接続された状態となる。
【００４３】
それから溝５５内に封止樹脂９６を充填する。充填はポッティングで行ってもよいし、射出成形で行ってもよい。この時透明部材９４の上面の全面に保護シート９２ａが被せられているので、透明部材９４の上面が確実に封止樹脂９６に覆われず、露出することになる。図３（ｅ）は封止樹脂９６が充填され固化した状態である。リブ前駆体８０の側壁は封止樹脂９６により封止され、上面は封止樹脂９６から露出している状態となっている。
【００４４】
次に、ダイシングソー４０によって、リブ前駆体８０の延びる方向にリブ前駆体８０の中央部分を切断して分割する。こうして側壁部分が面一になる。さらに溝５５の延びる方向に対して垂直に、隣り合う半導体素子１０間であるカットライン８２，８２において切断を行い、保護シート９２ａを取り去る。このように切り離した状態が図３（ｆ）に示す状態である。こうして個々の半導体デバイス１が出来上がる。ここで個々の半導体デバイス１に切断する際に、リブ前駆体８０は窪み部８１で切断されるため、切断抵抗が小さくパッケージ５０に掛かる応力も小さくなる。
【００４５】
なお、上述の半導体デバイス１の製造方法は、一つの例であり、本実施形態の製造方法はこの例に限定されない。例えば図５に示すように、リブ前駆体８５の中央部にリブ前駆体が延びる方向に沿って上面から底板６１にまでスリット８８を有しているパッケージ集合基板１０１を用いても良い。このようなパッケージ集合基板１０１を用いると、パッケージ集合基板１０１が大きくなっても（面積が広くなっても）反ったり変形したりすることが抑制されるとともに、ダイシングソー４０による切り離しが非常に容易にかつ短時間でできるので、加工が容易になる。
【００４６】
なお、スリット８８はリブ前駆体８５の上面から下面まで渡っていなくても、例えばリブ前駆体８５の厚みの半分程度まで形成されていれば上記効果が生じる。さらに底板６１にもリブ前駆体８５のスリット８８と同じ位置にスリットを設けておいてもよい。また、リブ前駆体の形状は横断面が矩形の四角柱に限られず、台形柱やかまぼこ型であったり三角柱であっても構わない。また、ダイシングソー４０の幅はスリット８８の幅に比べて大きくても小さくても良いが、ダイシングソー４０の幅をスリット８８の幅よりも小さくしておくと、リブ外側側壁７０ａの表面粗さは予め設定したスリット８８内壁の表面粗さに等しくなるので、リブ外側側壁７０ａの表面粗さを封止樹脂９６の側壁側露出部分の表面粗さよりも確実に小さくしておくことができる。
【００４７】
−光ピックアップモジュール−
図１６は本実施形態に係る光ピックアップモジュールが、光ディスク４７の下に置かれた状態での模式的な斜視図であり、図１７はその状態を横から見た図である。なお、図１７の右端の半導体デバイス１は、その左側にある台座４８に設置された半導体デバイス１（光検出器）を上下方向の軸の周りに９０°回転させて受光面の側を参考として示したものであり、光ピックアップモジュールに２つの半導体デバイス１が搭載されているわけではない。
【００４８】
この光ピックアップモジュールは、上述の半導体デバイス１（光検出器）と第１及び第２レーザ装置４１，４２と、ビームスプリッタ４３と、ミラー４５と対物レンズ４６とを備えている。第１および第２レーザ装置とがレーザモジュール４９を構成している。第１及び第２のレーザ装置４１，４２から出射した光４４はビームスプリッタ４３を通過し、ミラー４５で反射されて、対物レンズ４６を通って光ディスク４７の情報記録面に入射する。光４４は情報記録面で反射をし、対物レンズ４６，ミラー４５、ビームスプリッタ４３を経由して半導体デバイス１に入射する。
【００４９】
ここで第１レーザ装置４１はピーク波長が４０５ｎｍのレーザ光を出射する青紫レーザ装置であり、第２レーザ装置４２はピーク波長が６５０ｎｍの赤のレーザ光とピーク波長が７８０ｎｍの赤外レーザ光との２つの波長のレーザ光を出射する２波長レーザ装置である。
【００５０】
光ピックアップモジュールを構成する各部材は、台座４８の上に置かれて光ディスク４７の情報記録面の下側に置かれる。そして、回転する光ディスク４７の下で光ディスク４７の径方向に光ピックアップモジュールは移動を行う。各部材が置かれる台座４８の面は、光ディスク４７の情報記録面と平行になっている。
【００５１】
ここで配線の都合上半導体デバイス１は、リブ７０，７０が延びる方向が台座４８に対して垂直に、すなわち光ディスク４７の情報記録面に対して垂直に配置されている。このように配置されると、半導体デバイス１の複数の外部接続部７７，７７，…が台座４８の設置面に対して垂直に２列に並び、従って外部接続部７７，７７，…から引き出される外部との接続用の配線を半導体デバイス１の台座４８の設置面からの高さＨの範囲内に納められ、光ピックアップモジュール全体の高さを小さくできる。
【００５２】
また、上述のように半導体デバイス１のリブ７０，７０は台座４８に対して垂直に延びるものであって、台座４８に水平に延びるリブは存していない。従って、半導体デバイス１の高さＨは搭載している半導体素子１０の１辺の長さとほぼ同じ長さにまで近づけることが可能であり、これにより光ピックアップモジュール全体を薄く、小型にすることができる。
【００５３】
（実施形態２）
実施形態２に係る半導体デバイスの製造方法は、リブ前駆体が実施形態１とは異なっているが他の点は実施形態１とは同じであるので、実施形態１と異なっている点を説明する。
【００５４】
図６に示すように本実施形態のリブ前駆体８６は、窪み部８３が他の部分よりも厚みが小さい部分である。これにより、隣り合う半導体素子１０の間を切断する場合にリブ前駆体８６を切断する際の抵抗が小さくなり、切断しやすくなる。なお、封止樹脂９６を充填する工程において、窪み部８３の上面上にも封止樹脂９６が載る。本実施形態においては、実施形態１と同様の効果を奏する。
【００５５】
（実施形態３）
実施形態３に係る半導体デバイスは、透明部材の形状が実施形態１とは異なっているが他の点は実施形態１とは同じであるので、実施形態１と異なっている点を説明する。
【００５６】
図７に示すように本実施形態の半導体デバイス２，３は、上面の外縁部に段差を有する透明部材９４ａを用いている。この透明部材９４ａは、上面部分に段差が設けられており、その上面部分の中央部に設けられていて半導体素子１０の光学機能面の形状・大きさに対応する上面部９８と、上面部９８よりも一段低い段差面部１９９を有している。
【００５７】
図７（ａ）に示す半導体デバイス２においては、封止樹脂９６は段差面部１９９の上まで覆っているが上面部９８には載っていない。このように段差面部９９を設けることにより、封止樹脂９６が上面部９８に載ることを確実に抑制でき、半導体素子１０の光学機能面に必要な光を確実に届けられ、あるいは光学機能面から発する光を無駄なく出射することができる。その他の効果は実施形態１と同じである。
【００５８】
また図７（ｂ）に示すように、透明部材９４ａにおいて段差部９９、上面９８共に封止樹脂１９６に覆われない半導体デバイス３としても構わない。
【００５９】
（実施形態４）
実施形態４に係る半導体デバイスは、透明部材が実施形態１とは異なっているが他の点は実施形態１と同じであるので、実施形態１と違っている点について説明する。
【００６０】
図８，９に示すように、本実施形態の半導体デバイス４の透明部材９４’は、半導体素子１０の上面からはみ出して延びており、半導体デバイス４の側面のうち、リブ７０，７０が延びる方向に垂直な一対の側面にも、基板部６０とリブ７０，７０と封止樹脂９６と共に露出している。
【００６１】
実施形態１の半導体デバイス１の製造工程では、各透明部材９４を各半導体素子１０の上面に接着させていたが、本実施形態においては、長尺の１本の透明部材９４’を複数の半導体素子１０上面に載せる。即ち、図３（ｂ）の状態から図３（ｃ）の状態に至る際に、各溝５５に対して溝５５とほぼ同じ長さの透明部材９４’を用意し、各溝５５の底面に固定された複数の半導体素子１０，１０，…の上にその透明部材９４’を載せるのである。なお、製造工程における断面図は実施形態１に係る図３と同じとなる。そして最後に一つ一つの半導体デバイスに切り離す際には、基板部６０やリブ７０，７０、封止樹脂９６と共に透明部材９４’も切断されて切断面に露出する。
【００６２】
本実施形態では、実施形態１の効果に加えて、透明部材９４’を半導体素子１０の上に載せる工程を簡略化できるので、製造が容易になる。
【００６３】
（実施形態５）
実施形態５に係る半導体デバイスは、パッケージ５０の凹部に封止樹脂を充填していないことが実施形態１とは異なっているが他の点は実施形態１と同じであるので、実施形態１と違っている点について説明する。
【００６４】
図１０に示すように、本実施形態の半導体デバイス５は半導体素子１０が封止されていない。即ち、本実施形態の半導体デバイス５は実施形態１の半導体デバイス１から封止樹脂９６を取り除いた形態となっている。
【００６５】
本実施形態の半導体デバイス５は、実施形態１の半導体デバイス１の製造工程において、図３（ｄ）から図３（ｅ）へ移る工程を除いた製造方法によって製造される。
【００６６】
本実施形態の半導体デバイス５は、実施形態１の半導体デバイス１よりも製造工程が少なく安価に早く製造できる。また、半導体素子１０の受光面は透明部材９４により保護されているので、受光面にゴミなどが付着することはないが、電極パッド２０や接続電極７５，金属細線２２にゴミなどが付着するおそれがあり、この点が実施形態１よりも劣っているがこれ以外は実施形態１と同じ効果を奏する。
【００６７】
（実施形態６）
実施形態６に係る半導体デバイスは、パッケージ集合基板が実施形態１とは異なっているが他の点は実施形態１と同じであるので、実施形態１と違っている点について説明する。
【００６８】
図１１に示すように、本実施形態では隣り合うリブ前駆体８４，８４の間の距離が相対的に大きい第１の距離ａと、ａよりも小さい第２の距離ｂとの２種類ある。第１の距離ａだけ離れている隣り合う２つのリブ前駆体８４，８４の間には、半導体素子１０が搭載される。一方半導体素子１０の搭載後、第２の距離ｂだけ離れている隣り合う２つのリブ前駆体８４，８４の間は、ダイシングソー４０によって切断される。第２の距離ｂがダイシングソー４０の幅よりも広ければ、切断されるのは底板６１のみであるので、切断が容易に行えると共に、切断によりパッケージ集合基板１０３に掛かる応力が小さくなり、またリブ外側側壁の表面粗さがリブ前駆体８４の側壁粗さと同じになり封止樹脂９６の側壁側露出部分の表面粗さよりも確実に小さくできるので好ましい。
【００６９】
本実施形態は、実施形態１と同じ効果を奏する。また、リブ前駆体８４には図４や図６に示すような窪み部を形成してもよい。
【００７０】
（実施形態７）
実施形態７に係る半導体デバイスは、リブが実施形態１とは異なっているが他の点は実施形態１と同じであるので、実施形態１と違っている点について説明する。
【００７１】
図１２に示すように本実施形態の半導体デバイス６は、幅広部７１ｃを有するリブ７１を用いたパッケージ５１を備えている。幅広部７１ｃというのは、リブ７１の延びる方向に対して垂直な方向であって搭載面６２の中央部の方向に突き出している部分のことであり、ここでの幅というのはリブ外側側壁７１ａとそれに対向するリブ内側側壁との間の距離のことである。すなわち、リブ７１は、その延びる方向の端部は幅が狭く中央部は幅が広い構造を有している。このような構造を有していることにより、リブ７１と封止樹脂９６との接着が２つの方向（リブ外側側壁７１ａと平行な方向と垂直な方向）で行われ、接着面積も増えるので、リブ７１ａが基板部６０に対してより強固に固定されることになる。また、リブ外側側壁７１ａおよびリブ７１の内側側壁は搭載面６２に対して垂直になっているので、リブ７１幅や２つのリブ７１，７１間の距離をより自由に設定することができる。
【００７２】
本実施形態の半導体デバイス６の製造方法は、実施形態１の製造法とほぼ同じである。異なっている点は、リブ前駆体の形状である。例えば図４において、窪み部８１のリブ前駆体８０長手方向の長さをより大きくしたリブ前駆体を用いれば本実施形態の半導体デバイス６を製造できる。あるいは、実施形態１の製造方法において、カットライン８２において隣り合う半導体素子１０，１０の間を切断する際に刃の幅が小さいダイシングソーを用い、半導体デバイスに窪み部８１を一部残すようにしても本実施形態の半導体デバイス６を製造できる。
【００７３】
本実施形態の半導体デバイス６を用いて実施形態１と同様に光ピックアップモジュールを構成することもできる。なお、本実施形態の半導体デバイス６，その製造方法および光ピックアップモジュールでは、実施形態１と同様の効果を奏する。
【００７４】
（実施形態８）
実施形態８に係る半導体デバイスは、リブが実施形態７とは異なっているが他の点は実施形態７と同じであるので、実施形態７と違っている点について説明する。
【００７５】
図１３に示すように本実施形態の半導体デバイス７は、一つのリブ７２に２つの幅広部７２ｃ，７２ｃが存している。このパッケージ５２では、実施形態７のパッケージ５１よりも、リブ７２の封止樹脂９６と接触する面積が大きくなっており、基板部６０に対してリブ７２がさらに強固に固定されている。それ以外の効果は実施形態７と同じである。なお、リブ外側側壁７２ａおよびリブ７２の内側側壁は搭載面６２に対して垂直になっている。
【００７６】
本実施形態の半導体デバイス７を用いた光ピックアップモジュールは実施形態１と同様の効果を奏する。
【００７７】
（実施形態９）
実施形態９に係る半導体デバイスは、リブが実施形態７とは異なっているが他の点は実施形態７と同じであるので、実施形態７と違っている点について説明する。
【００７８】
図１４に示すように本実施形態の半導体デバイスに用いるリブ７３は、幅広部７３ｃがリブ７３の下部にのみ設けられている。即ち、本実施形態のリブ７３は、実施形態７のリブ７１において幅広部７１ｃを上と下とに分けて、下を残して上を取り去った形状を有している。このような形状の幅広部７３ｃを有しているので、本実施形態では封止樹脂９６が幅広部７３ｃを基板部６０に押さえつけることになり、リブ７３と基板部６０との固定がより強固となる。また、リブ７３の下面と基板部６０とは接着剤で固定されているが、接着剤は幅広部７３ｃの下面からはみ出して幅広部７３ｃの側壁と搭載面６２との接着部分（側壁と搭載面６２とが接する境界部分）に接着剤によるフィレット６８が形成されている。これによりリブ７３と基板部６０との接着固定がさらに強固になる。それ以外の効果は実施形態７と同じである。
【００７９】
また、幅広部の形状は任意である。例えば図１５に変形例として示すように、変形例のリブ７４の幅広部７４ｃは、上記の幅広部７３ｃの突き出した先端側を半円柱状に３箇所削り取った形状としている。変形例のリブ７４の方が上記リブ７３よりもさらに基板部６０に強固に固定される。このリブ７４にも幅広部７４ｃと搭載部６２との接着部分に接着剤によるフィレット６８が形成されており、リブ７４と基板部６０とがさらに強固に固定されている。
【００８０】
本実施形態の半導体デバイスを用いた光ピックアップモジュールは実施形態１と同様の効果を奏する。
【００８１】
（その他の実施形態）
これまで述べてきた実施形態は本発明の例示であり、本発明はこれらの例に限定されない。
【００８２】
外部接続部は基板部の非搭載面以外に設けられていても構わない。例えば、リブの外側側壁に設けられていても良いし、非搭載面からリブの外側側壁にまで連続的に設けられていてもよい。また、外部接続部と接続電極とを結ぶ配線もリブ内に設けられた貫通電極に限られず、リブの側壁に沿って設けられていても構わない。
【００８３】
半導体素子として、固体撮像素子以外のフォトカプラなどの受光素子を用いても構わないし、ＬＥＤやレーザ素子などの発光素子を用いてもよい。また、光学素子以外の半導体素子、例えばＳＡＷデバイス、振動子、圧力センサ、加速度センサ、音センサなどを用いても構わない。この場合は蓋体は透明である必要は無い。さらにＭＥＭＳにより作製された素子を半導体素子として用いてもよい。
【００８４】
上記の実施形態の特徴部分同士を組み合わせても構わない。例えば、実施形態２〜５において、実施形態６のパッケージ集合基板１０３を用いてもよい。
【００８５】
実施形態７，８の幅広部を、実施形態９の変形例のような形状としてもよい。実施形態７−９における幅広部の形状は特に限定されない。
【産業上の利用可能性】
【００８６】
以上説明したように、本発明に係る半導体デバイスの製造方法は、小型の半導体デバイスを効率よく製造でき、光ピックアップの光検出器等を製造する方法として有用である。
【図面の簡単な説明】
【００８７】
【図１】（ａ）は実施形態１に係る半導体デバイスの斜視図であり、（ｂ）は（ａ）の裏から見た図
【図２】（ａ）は実施形態１に係る半導体デバイスの封止樹脂を取り去った上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線断面図であり、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ’線断面図
【図３】実施形態１に係る半導体デバイスの製造に関して時系列に沿って説明した図
【図４】パッケージ集合基板の一態様を示す斜視図
【図５】パッケージ集合基板の別の一態様を示す斜視図
【図６】実施形態２に係るパッケージ集合基板を示す斜視図
【図７】（ａ）は実施形態３に係る半導体デバイスの断面図、（ｂ）は実施形態４に係る別の半導体デバイスの断面図
【図８】（ａ）は実施形態４に係る半導体デバイスの斜視図であり、（ｂ）は（ａ）の裏から見た図
【図９】（ａ）は実施形態４に係る半導体デバイスの封止樹脂を取り去った上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線断面図であり、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ’線断面図
【図１０】（ａ）は実施形態５に係る半導体デバイスの上面図であり、（ｂ）は（ａ）のＡ−Ａ’線断面図であり、（ｃ）は（ａ）のＢ−Ｂ’線断面図
【図１１】実施形態６に係るパッケージ集合基板を示す斜視図
【図１２】（ａ）は実施形態７に係る半導体デバイスの斜視図であり、（ｂ）はリブの斜視図
【図１３】（ａ）は実施形態８に係る半導体デバイスの斜視図であり、（ｂ）はリブの斜視図
【図１４】実施形態９に係るリブの斜視図
【図１５】実施形態９に係る変形例のリブの斜視図
【図１６】実施形態１に係る光ピックアップモジュールの模式的な斜視図
【図１７】実施形態１に係る光ピックアップモジュールの模式的な正面図
【図１８】受光素子を備えた従来の半導体装置の上面図
【符号の説明】
【００８８】
１，２，３，４，５ 半導体デバイス
６，７ 半導体デバイス
１０ 半導体素子
２２ 金属細線
３０ 板状側壁部
４１ 第１レーザ装置
４２ 第２レーザ装置
４３ ビームスプリッタ
４５ ミラー
４６ 対物レンズ
４７ 光ディスク
４９ レーザモジュール
５０、５１，５２ パッケージ
６０ 基板部
６１ 底板
６２ 搭載面
６４ 非搭載面
６８ フィレット
７０ リブ
７０ａ リブ外側側壁
７０ｂ リブ上面
７１，７２，７３，７４ リブ
７１ａ，７２ａ リブ外側側壁
７１ｃ，７２ｃ 幅広部
７３ｃ，７４ｃ 幅広部
７５ 接続電極
７６ 内部配線
７７ 外部接続部
８０，８４，８５，８６ リブ前駆体
９４，９４ａ，９４’ 透明部材
９６ 封止樹脂
１００，１０１，１０２ パッケージ集合基板
【特許請求の範囲】
【請求項１】
半導体素子と、該半導体素子を搭載するパッケージとを備えた半導体デバイスの製造方法であって、
平板状の底板の上面の上に、上方に突き出して互いに平行に該上面上を延びる複数のリブを設けて、複数のパッケージが連結した形状のパッケージ集合基板を形成する工程と、
隣り合う２つの前記リブの間に複数の半導体素子を該リブの延びる方向に沿って搭載する搭載工程と、
前記リブの延びる方向に沿って該リブの中央部を切断してパッケージ集合基板を分割する工程と
を含む、半導体デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記リブには、該リブの延びる方向に沿って該リブの上面から前記底板に向かってスリットが設けられている、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
半導体素子と、該半導体素子を搭載するパッケージとを備えた半導体デバイスの製造方法であって、
平板状の底板の上面の上に、上方に突き出して互いに平行に該上面上を延びる複数のリブを、隣り合う該リブ間の距離が第１の距離ａとａよりも小さい第２の距離ｂとの２つに交互になるように設けて、複数のパッケージが連結した形状のパッケージ集合基板を形成する工程と、
リブ間の距離がａである隣り合う２つの前記リブの間に複数の半導体素子を該リブの延びる方向に沿って搭載する搭載工程と、
リブ間の距離がｂである隣り合う２つの前記リブの間を該リブの延びる方向に沿って切断してパッケージ集合基板を分割する工程と
を含む、半導体デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記リブには延びる方向に沿って、他の部分よりも幅あるいは高さが小さい窪み部が複数設けられており、
前記搭載工程において、前記半導体素子は、隣り合う前記リブの間であって且つ該リブが延びる方向において隣り合う前記窪み部の間の領域に搭載される、請求項１から３のいずれか一つに記載の半導体デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記パッケージ集合基板は、前記リブに沿って並ぶ複数の接続電極を前記底板の上面に有しており、
前記搭載工程では前記半導体素子と前記接続電極とを金属細線で接続する、請求項１から４のいずれか一つに記載の半導体デバイスの製造方法。
【請求項６】
さらに、前記半導体素子の上に板状である透明部材を置く載置工程と、
前記金属細線と前記透明部材の側壁とを封止樹脂で封止する工程と
を含む、請求項５に記載の半導体デバイスの製造方法。
【請求項７】
前記載置工程では、１つの前記透明部材を複数の前記半導体素子の上に置く、請求項６に記載の半導体デバイスの製造方法。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか一つに記載の製造方法により製造された半導体デバイスと、レーザモジュールとビームスプリッタとを備え、
前記半導体デバイスに搭載された半導体素子は受光素子である、光ピックアップモジュール。
【請求項９】
さらにミラーと対物レンズとを備えている、請求項８に記載の光ピックアップモジュール。
【請求項１０】
光ディスクの情報記録面の下側に置かれ、前記リブの延びる方向が該情報記録面に対して実質的に垂直である、請求項８または９に記載の光ピックアップモジュール。
【請求項１１】
前記レーザモジュールは、出射光のピーク波長が３８５ｎｍ以上４２５ｎｍ以下である青紫レーザ装置と、出射光のピーク波長が６３０ｎｍ以上６７０ｎｍ以下および７６０ｎｍ以上８００ｎｍ以下である２波長レーザ装置とを備えている、請求項８から１０のいずれか一つに記載の光ピックアップモジュール。
【請求項１２】
半導体素子と、該半導体素子を搭載するパッケージとを備えた半導体デバイスであって、
略直方体であり、その下面および対向する一対の側面は前記パッケージからなり、
前記パッケージは、実質的に矩形であって前記半導体素子を搭載する搭載面を備えた基板部と、該搭載面の一対の対向する外縁に沿って延びかつ該外縁上にそれぞれ設けられたリブとを有し、
前記半導体素子は封止樹脂によって封止されており、
前記リブのうち、該リブ同士が相対する面は封止樹脂によって覆われており、
前記対向する一対の側面とは別の一対の側面には、前記基板部と前記リブと前記封止樹脂とが露出しており、
前記封止樹脂によって覆われている前記リブの部分には、前記リブの下面であって延びる方向に対して垂直な方向の幅が前記別の一対の側面に露出している部分よりも大きい幅広部が存する、半導体デバイス。
【請求項１３】
前記リブの下面と前記搭載面とは接着剤により接着されており、
前記幅広部の側壁と前記搭載面との接着部分には、前記接着剤によるフィレットが形成されている、請求項１２に記載の半導体デバイス。
【請求項１４】
前記リブの側面であって該リブ同士が相対する面とは反対側の面の表面粗さは、前記別の一対の側面に露出した前記封止樹脂が成す面の法面粗さよりも小さい、請求項１２または１３に記載の半導体デバイス。
【請求項１５】
前記リブの側面は、前記搭載面に対して実質的に垂直である、請求項１２から１４のいずれか一つに記載の半導体デバイス。
【請求項１６】
請求項１２から１５のいずれか一つに記載の半導体デバイスと、レーザモジュールとビームスプリッタとを備え、
前記半導体デバイスに搭載された半導体素子は受光素子である、光ピックアップモジュール。
【請求項１７】
さらにミラーと対物レンズとを備えている、請求項１６に記載の光ピックアップモジュール。
【請求項１８】
光ディスクの情報記録面の下側に置かれ、前記リブの延びる方向が該情報記録面に対して実質的に垂直である、請求項１６または１７に記載の光ピックアップモジュール。
【請求項１９】
前記レーザモジュールは、出射光のピーク波長が３８５ｎｍ以上４２５ｎｍ以下である青紫レーザ装置と、出射光のピーク波長が６３０ｎｍ以上６７０ｎｍ以下および７６０ｎｍ以上８００ｎｍ以下である２波長レーザ装置とを備えている、請求項１６から１８のいずれか一つに記載の光ピックアップモジュール。
【請求項１】
半導体素子と、該半導体素子を搭載するパッケージとを備えた半導体デバイスの製造方法であって、
平板状の底板の上面の上に、上方に突き出して互いに平行に該上面上を延びる複数のリブを設けて、複数のパッケージが連結した形状のパッケージ集合基板を形成する工程と、
隣り合う２つの前記リブの間に複数の半導体素子を該リブの延びる方向に沿って搭載する搭載工程と、
前記リブの延びる方向に沿って該リブの中央部を切断してパッケージ集合基板を分割する工程と
を含む、半導体デバイスの製造方法。
【請求項２】
前記リブには、該リブの延びる方向に沿って該リブの上面から前記底板に向かってスリットが設けられている、請求項１に記載の半導体装置の製造方法。
【請求項３】
半導体素子と、該半導体素子を搭載するパッケージとを備えた半導体デバイスの製造方法であって、
平板状の底板の上面の上に、上方に突き出して互いに平行に該上面上を延びる複数のリブを、隣り合う該リブ間の距離が第１の距離ａとａよりも小さい第２の距離ｂとの２つに交互になるように設けて、複数のパッケージが連結した形状のパッケージ集合基板を形成する工程と、
リブ間の距離がａである隣り合う２つの前記リブの間に複数の半導体素子を該リブの延びる方向に沿って搭載する搭載工程と、
リブ間の距離がｂである隣り合う２つの前記リブの間を該リブの延びる方向に沿って切断してパッケージ集合基板を分割する工程と
を含む、半導体デバイスの製造方法。
【請求項４】
前記リブには延びる方向に沿って、他の部分よりも幅あるいは高さが小さい窪み部が複数設けられており、
前記搭載工程において、前記半導体素子は、隣り合う前記リブの間であって且つ該リブが延びる方向において隣り合う前記窪み部の間の領域に搭載される、請求項１から３のいずれか一つに記載の半導体デバイスの製造方法。
【請求項５】
前記パッケージ集合基板は、前記リブに沿って並ぶ複数の接続電極を前記底板の上面に有しており、
前記搭載工程では前記半導体素子と前記接続電極とを金属細線で接続する、請求項１から４のいずれか一つに記載の半導体デバイスの製造方法。
【請求項６】
さらに、前記半導体素子の上に板状である透明部材を置く載置工程と、
前記金属細線と前記透明部材の側壁とを封止樹脂で封止する工程と
を含む、請求項５に記載の半導体デバイスの製造方法。
【請求項７】
前記載置工程では、１つの前記透明部材を複数の前記半導体素子の上に置く、請求項６に記載の半導体デバイスの製造方法。
【請求項８】
請求項１から７のいずれか一つに記載の製造方法により製造された半導体デバイスと、レーザモジュールとビームスプリッタとを備え、
前記半導体デバイスに搭載された半導体素子は受光素子である、光ピックアップモジュール。
【請求項９】
さらにミラーと対物レンズとを備えている、請求項８に記載の光ピックアップモジュール。
【請求項１０】
光ディスクの情報記録面の下側に置かれ、前記リブの延びる方向が該情報記録面に対して実質的に垂直である、請求項８または９に記載の光ピックアップモジュール。
【請求項１１】
前記レーザモジュールは、出射光のピーク波長が３８５ｎｍ以上４２５ｎｍ以下である青紫レーザ装置と、出射光のピーク波長が６３０ｎｍ以上６７０ｎｍ以下および７６０ｎｍ以上８００ｎｍ以下である２波長レーザ装置とを備えている、請求項８から１０のいずれか一つに記載の光ピックアップモジュール。
【請求項１２】
半導体素子と、該半導体素子を搭載するパッケージとを備えた半導体デバイスであって、
略直方体であり、その下面および対向する一対の側面は前記パッケージからなり、
前記パッケージは、実質的に矩形であって前記半導体素子を搭載する搭載面を備えた基板部と、該搭載面の一対の対向する外縁に沿って延びかつ該外縁上にそれぞれ設けられたリブとを有し、
前記半導体素子は封止樹脂によって封止されており、
前記リブのうち、該リブ同士が相対する面は封止樹脂によって覆われており、
前記対向する一対の側面とは別の一対の側面には、前記基板部と前記リブと前記封止樹脂とが露出しており、
前記封止樹脂によって覆われている前記リブの部分には、前記リブの下面であって延びる方向に対して垂直な方向の幅が前記別の一対の側面に露出している部分よりも大きい幅広部が存する、半導体デバイス。
【請求項１３】
前記リブの下面と前記搭載面とは接着剤により接着されており、
前記幅広部の側壁と前記搭載面との接着部分には、前記接着剤によるフィレットが形成されている、請求項１２に記載の半導体デバイス。
【請求項１４】
前記リブの側面であって該リブ同士が相対する面とは反対側の面の表面粗さは、前記別の一対の側面に露出した前記封止樹脂が成す面の法面粗さよりも小さい、請求項１２または１３に記載の半導体デバイス。
【請求項１５】
前記リブの側面は、前記搭載面に対して実質的に垂直である、請求項１２から１４のいずれか一つに記載の半導体デバイス。
【請求項１６】
請求項１２から１５のいずれか一つに記載の半導体デバイスと、レーザモジュールとビームスプリッタとを備え、
前記半導体デバイスに搭載された半導体素子は受光素子である、光ピックアップモジュール。
【請求項１７】
さらにミラーと対物レンズとを備えている、請求項１６に記載の光ピックアップモジュール。
【請求項１８】
光ディスクの情報記録面の下側に置かれ、前記リブの延びる方向が該情報記録面に対して実質的に垂直である、請求項１６または１７に記載の光ピックアップモジュール。
【請求項１９】
前記レーザモジュールは、出射光のピーク波長が３８５ｎｍ以上４２５ｎｍ以下である青紫レーザ装置と、出射光のピーク波長が６３０ｎｍ以上６７０ｎｍ以下および７６０ｎｍ以上８００ｎｍ以下である２波長レーザ装置とを備えている、請求項１６から１８のいずれか一つに記載の光ピックアップモジュール。
【図１】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【図２】
【図３】
【図４】
【図５】
【図６】
【図７】
【図８】
【図９】
【図１０】
【図１１】
【図１２】
【図１３】
【図１４】
【図１５】
【図１６】
【図１７】
【図１８】
【公開番号】特開２００８−２２７２３３（Ｐ２００８−２２７２３３Ａ）
【公開日】平成２０年９月２５日（２００８．９．２５）
【国際特許分類】
【出願番号】特願２００７−６４８２７（Ｐ２００７−６４８２７）
【出願日】平成１９年３月１４日（２００７．３．１４）
【出願人】（０００００５８２１）松下電器産業株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
【公開日】平成２０年９月２５日（２００８．９．２５）
【国際特許分類】
【出願日】平成１９年３月１４日（２００７．３．１４）
【出願人】（０００００５８２１）松下電器産業株式会社 (73,050)
【Ｆターム（参考）】
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