【課題】複数のレーザ素子から出射されるレーザ光を受光してその電流値をモニタする際に、複数のレーザ素子が実装されたサブマウントの表面状態によるモニタ電流値のバラツキを低減することができるマルチビーム半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】サブマウント５２の表面には、半導体レーザチップ５０が実装されている。サブマウント５２の実装面には、拡張共通電極３０ｂが形成されている。拡張共通電極３０ｂは、半導体レーザチップ５０に設けられた共通電極３０と接続されて連続的に一体的に形成されている。拡張共通電極３０ｂは、半導体レーザチップ５０の後方側に開口部３０ａを有する。また、半導体レーザチップ５０の後方側には、半導体レーザチップ５０の一端から放射される光を検出するための受光素子５５が配置されている。 （もっと読む）

【課題】多波長半導体レーザ装置の小型化を図ると共に、光ピックアップ装置の小型化及び低コスト化を図りながら、出射光のＳ／Ｎ比を向上させる。
【解決手段】本発明に係る多波長半導体レーザ装置１は、搭載基板２と、第１の基板１１、第１の半導体レーザ素子部２０、及び第１の半導体レーザ素子部２０とＸ方向に隣り合う第２の半導体レーザ素子部３０を有する第１の半導体レーザ素子１０と、第２の半導体レーザ素子部３０とＸ方向に隣り合う第２の半導体レーザ素子４０とを備えている。第１の半導体レーザ素子部２０は、第１の発光部Ａを含む第１の半導体層２２を有している。第２の半導体レーザ素子部３０は、第２の発光部Ｂを含む第２の半導体層３２を有している。第２の半導体レーザ素子４０は、第２の基板４１と、第３の発光部Ｃを含む第３の半導体層４２とを有している。第２の発光部Ｂは、搭載基板２のＸ方向の中央部Ｃ２の上に位置している。 （もっと読む）

【課題】光出射層表面に堆積物が生じることを抑制し、信頼性の改善が可能な半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】活性層を含む積層体と、前記積層体により構成された光共振器の光出射端面に接触して設けられ、前記光出射端面側とは反対側の面を構成する光触媒膜を有する誘電体層と、前記光触媒膜の一部が露出するように前記光触媒膜の上に設けられた導電体部と、を有する光出射層と、を備え、前記活性層から放出される光ビームは、前記導電体部を透過して放出されることを特徴とする半導体レーザ装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】 赤色レーザダイオードと赤外レーザダイオードからなる２波長レーザと青紫レーザダイオードを横に並べて３波長半導体レーザ装置を構成する場合、２波長レーザの２つのレーザの発光点間の距離には制約があるためチップサイズが大きくなる。また、２波長レーザと青紫レーザを縦に積層した場合には、アセンブリプロセスが複雑になり、製造コストが高くなる。
【解決手段】 複数のブロック上にそれぞれレーザダイオードを載置し、各レーザ光の出射方向が所定の同一方向となるようにステム上にブロックを配置して多波長半導体レーザ装置を構成する。複数のレーザダイオードの発光点間の光学設計を容易にし、且つ製造が容易な多波長半導体レーザ装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】 光ディスクに記録されている信号の読み出し動作を行う光ピックアップ装置に組み込まれるレーザー装置として適した半導体レーザー装置を提供する。
【解決手段】 レーザー光を外部に放射する開口部１８がカバー硝子１９によって封止されるように構成されたキャップ１７をレーザー光を生成するレーザーチップ１６が搭載されているステム１３に溶接固定することによって組み立てられる半導体レーザー装置であり、前記カバー硝子１９を波長板にて構成したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スペックルノイズ及びキンクの双方を効果的に抑制することが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】半導体レーザ素子１Ａは、主面１０ａを有する半導体基板１０と、半導体基板１０の主面１０ａ上において主面１０ａに沿った方向Ａ１に並んで設けられ、シングルモードのレーザ光を出射する半導体レーザ構造２０Ａ，２０Ｂとを備える。半導体レーザ構造２０Ａ，２０Ｂの各々は、方向Ａ１と交差し主面１０ａに沿った方向Ａ２に延びる光導波路構造２１と、方向Ａ２における光導波路構造２１の両端に形成された一対の共振端面２２ａ，２２ｂと、光導波路構造２１に電流を供給する為の電極２３とを有する。半導体レーザ構造２０Ａ，２０Ｂの電極２３は互いに短絡されている。半導体レーザ構造２０Ａ，２０Ｂの各々から出射されるレーザ光は、互いに重なってマルチモードのレーザ光となる。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ素子の高出力化を行っても、小型化することができると共に、小型化しても、半導体レーザ素子の出力ダウンを回避できる半導体レーザ装置およびその製造方法を提供する。
【解決手段】搭載部１ａの横方向側の端面には、横方向に向かって突出し、且つ、タイバーの一部からなる左側突起部６ａ・右側突起部６ｂと、半導体レーザ素子５の横方向に沿った位置を決めるために左側突起部６ａ・右側突起部６ｂをそれぞれ挟んで配置された前方向左側側面１ｄ・後方向左側側面７ａ、及び前方向右側側面１ｇ・後方向右側側面７ｂが形成されている。 （もっと読む）

【課題】 赤色レーザダイオードと赤外レーザダイオードからなる２波長レーザと青紫レーザダイオードを横に並べて３波長半導体レーザ装置を構成する場合、２波長レーザの２つのレーザの発光点間の距離には制約があるためチップサイズが大きくなる。また、２波長レーザと青紫レーザを縦に積層した場合には、アセンブリプロセスが複雑になり、製造コストが高くなる。
【解決手段】 発光点がチップ端近傍に形成された青紫レーザダイオードと２波長レーザダイオードを並べて実装して３波長半導体レーザ装置を構成する。３つの発光点間を近づけることが出来、且つ製造が容易な３波長半導体レーザ装置を提供することができる。 （もっと読む）

【課題】半導体レーザ素子部に割れや欠けが発生することを抑制することが可能な半導体レーザ素子を提供する。
【解決手段】この青紫色半導体レーザ素子１００（半導体レーザ素子）は、略平坦な表面１０ｂと、表面１０ｂの反対側に形成された表面１０ａと、表面１０ｂと表面１０ａとの間に形成された活性層１２とを含む半導体レーザ素子部１０と、半導体レーザ素子部１０の略平坦な表面１０ｂ上に形成されたｎ側電極３０とを備える。そして、ｎ側電極３０は、表面１０ｂと対向する領域の略全域に亘って略平坦な下面３０ｂと、下面３０ｂの反対側に形成された上面３０ａと、上面３０ａに形成されるとともに下面３０ｂに向かって窪む凹部３５とを含む。 （もっと読む）

【課題】ＭＬＬＤ（モードロックレーザ）部とＳＯＡ（半導体光増幅器）を備えたＭＯＰＡ（Master Oscillator Power Amplifier）光源装置について、その出射ビームを単峰化し、且つそのピーク位置の変動を抑制する。
【解決手段】ＳＯＡ１４の入射側導波路の横方向幅を当該ＳＯＡの入射側導波路の水平横モードがマルチモード（ＭＬＬＤ部の出射側導波路の横方向幅よりも大）となるように設定し、且つＳＯＡの入射側光結合において基本モード（シングルモード）が選択励起されるようにＭＬＬＤ部１０からＳＯＡへの入射光の倍率変換を行い、ＳＯＡの入射側導波路幅で規定される基本モードの光閉じ込めをより大とし、ＳＯＡ出射光の光強度分布が単峰特性とする。ＭＬＬＤ部からの入射光の倍率を変換（ＳＯＡへの入射光のスポットサイズを拡大）し、ＳＯＡの導波路における光密度を低減し、出射ビームのピークの揺らぎを抑制する。 （もっと読む）

【課題】ストライプ形状の複数の半導体レーザ素子が配列された半導体チップとサブマウントとを接合する場合に、半導体レーザ素子の電極とサブマウント側の対応する配線層の位置合せの許容度を高めて、生産効率を高めることができるマルチビーム半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】サブマウント３０には、配線層３１ａ〜３１ｄが形成されている。半導体チップ４０には、ストライプ状のリッジ部Ｒ１〜Ｒ４が形成されている。リッジ部Ｒ１〜Ｒ４上には、接続電極部４１ａ〜４１ｄが形成されている。ストライプ状のリッジ部の全体を含む範囲を、ストライプ方向を横切る方向で２つのブロックに分割し、かつ、ストライプ方向に沿って２分割して、合計４つの分割領域を生成している。１つの分割領域内に１つの接続電極部を形成し、各接続電極の配置位置を、ストライプ方向を横切る方向に対してすべて異なるように形成する。 （もっと読む）

【課題】温度変動による共振波長の変動を低減したレーザ素子を提供する。
【解決手段】基板と、内部光を共振させてレーザ光を出力する共振部と、基板の表面と垂直な方向に順次形成され、内部光の少なくとも一部を反射させることで内部光を共振させる下部反射層および上部反射層とを備え、共振部は、下部反射層および上部反射層の間に形成され、光を生成する活性層、活性層に正孔を注入するｐ型クラッド層、および、活性層に電子を注入するｎ型クラッド層を含む半導体層と、下部反射層および上部反射層の間に、共振方向において半導体層と直列に設けられ、半導体層とは熱光学係数の符号が異なる調整層とを有するレーザ素子を提供する。 （もっと読む）

【課題】接合済みの半導体レーザ素子が本来の接合位置からずれるのを抑制しつつ、熱履歴に起因する半導体レーザ素子の発光特性などの劣化を抑制することが可能な半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】この３波長半導体レーザ装置１００（半導体レーザ装置）は、ステム１と、位置合わせ部６０を有し、ステム１の表面上に接合された基台４と、基台４の表面上に接合された青紫色半導体レーザ素子２０とを含む青紫色半導体レーザ素子部２と、位置合わせ部６０に対応するように形成された位置合わせ部７０を有し、ステム１の表面上に接合された基台５と、基台５の表面上に接合された２波長半導体レーザ素子３０とを含む２波長半導体レーザ素子部３とを備える。 （もっと読む）

【課題】
半導体レーザ素子のサージ電流からの保護と高い応答特性を両立する半導体レーザ駆動装置の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
半導体レーザ素子と保護素子とを備える半導体レーザ装置をレーザ駆動回路に電気的に接続する工程と、
前記保護素子を電気的に絶縁する保護素子絶縁工程とを順に備える半導体レーザ駆動装置の製造方法。 （もっと読む）

【課題】導波路および半導体レーザ素子を高精度に位置決めする必要のない熱アシスト磁気ヘッドを提供する。
【解決手段】熱アシスト磁気ヘッド２１は、スライダ２２と光源ユニット２３とを備えている。光源ユニット２３は、半導体レーザダイオード４０を備えている。半導体レーザダイオード４０は、ｎ型（Ａｌ_ｘ１Ｇａ_{（１−ｘ１）}）_０．５１Ｉｎ_０．４９Ｐクラッド層およびｐ型（Ａｌ_ｘ１Ｇａ_{（１−ｘ１）}）_０．５１Ｉｎ_０．４９Ｐクラッド層と、これらのクラッド層に挟まれたｎ側Ａｌ_ｘ２Ｇａ_{（１−ｘ２）}Ａｓガイド層およびｐ側Ａｌ_ｘ２Ｇａ_{（１−ｘ２）}Ａｓガイド層と、これらのガイド層に挟まれた活性層とを含む。 （もっと読む）

【課題】電子部品の隣り合うリード端子の間隔が小さい場合でも、配線基板への電子部品の取付作業性を向上させることが可能な配線基板への電子部品取付構造を提供する。
【解決手段】このフレームレーザ取付構造（配線基板への電子部品取付構造）は、リード端子２１〜２４を含むフレームレーザ２と、フレームレーザ２のリード端子２１〜２４を挿入するためのスルーホール１１ａ〜１４ａを有してＸ方向に沿って間隔を隔てて配列された複数のランド１１〜１４を含むＦＰＣ１とを備え、フレームレーザ２のリード端子２１〜２４が挿入されていない状態において、ランド１１〜１４のスルーホール１１ａ〜１４ａは、Ｘ方向と直交するＹ方向に延びる細長形状を有するとともに、挿入されるリード端子２１〜２４のＸ方向の幅以下のＸ方向の幅を有する。 （もっと読む）

【課題】フレームレーザからレーザホルダへの熱伝導性を向上させることができ、また、フレームレーザのレーザホルダに対する位置決め精度を向上させることができるレーザユニットを提供する。
【解決手段】レーザユニット１は、基板２１の表面２１ａに半導体レーザチップ２２が搭載され、半導体レーザチップ２２を囲むように基板２１にフレーム部２４が一体成形されたフレームレーザ２と、フレームレーザ２が載置される設置面３１ａが設けられたレーザホルダ３とを備える。フレームレーザ２は、基板２１の裏面２１ｂと設置面３１ａとが接するように載置され、レーザホルダ３は、設置面３１ａに凹部３１ｂが形成されており、凹部３１ｂには、充填された樹脂で樹脂部４が形成されている。 （もっと読む）

【課題】光学系の複雑化を抑制しつつ、記録媒体からのホログラム情報の読み出し効率の高いレーザ装置を提供する。
【解決手段】広帯域化した基本波光Ｌ１を出射する光源１０と、基本波光Ｌ１が入射され、単一周波数に固定された基本波光Ｌ１を波長変換して得られる第２高調波、又は広帯域化したままの基本波光Ｌ１のいずれかを選択的に出力する出力装置２０とを備える。 （もっと読む）

【課題】複数の半導体レーザ素子が搭載される場合に小型化を図ることが可能な半導体レーザ装置を提供する。
【解決手段】この３波長半導体レーザ装置１００（半導体レーザ装置）は、放熱基台４０と、放熱基台４０の上面４０ａ上にＢ２方向に沿って配置されるパッド電極４１、４２および４３と、パッド電極４１、４２および４３の各々の上面に接合されるとともに、Ｂ２方向と交差するＡ１方向にレーザ光を出射する青紫色半導体レーザ素子１０、赤色半導体レーザ素子２０および赤外半導体レーザ素子３０と、青紫色半導体レーザ素子１０、赤色半導体レーザ素子２０および赤外半導体レーザ素子３０に対して後方側（Ａ２側）に受光面６０ａが配置されるＰＤ６０とを備える。そして、パッド電極４２は、ＰＤ６０の受光面６０ａ上に配置される引き出し用配線部分４２ｂを含む。 （もっと読む）