【課題】センサ部での光の利用効率の低下を防止することができる電磁波検出素子を提供する。
【解決手段】互いに交差して配設された複数の走査配線及び複数の信号配線の各交差部と、２次元状に配列された複数のセンサ部であって、各々が、検出対象とする画像を示す電磁波が照射されることにより電荷が発生する半導体層、半導体層の電磁波が照射される照射面側に電磁波に対して透過性を有する導電性部材により形成され、半導体層に対してバイアス電圧を印加する第１電極、及び半導体層の電磁波に対する非照射面側に形成され、半導体層に発生した電荷を収集する第２電極を備えた複数のセンサ部と、センサ部よりも電磁波の下流側に形成され、各々コンタクトホールを介して第１電極に接続されてバイアス電圧を供給する共通電極配線と、走査配線と、信号配線及び共通電極配線との間に形成されている第１の絶縁膜と、を備え、信号配線及び共通電極配線は同層に形成。 （もっと読む）

【課題】製造工程の複雑化を防止すると共に、光照射で発生した励起キャリアを効率良くテラヘルツ電磁波の発生または検出に用いることができる光伝導基板等を提供する。
【解決手段】基板３と、基板３上に積層され、基板３のバンドギャップよりも大きなバンドギャップを有するキャリア移動防止層５１とキャリア移動防止層５１上に積層され、基板３のバンドギャップ以上のバンドギャップを有すると共に、キャリア移動防止層５１のバンドギャップよりも小さなバンドギャップを有する半導体層５２と、を備え、半導体層５２が、ＧａＡｓを低温でエピタキシャル成長させた層である。 （もっと読む）

【課題】
読み出し回路を備えた第一基板と受光素子を備えた第二基板をバンプ接続した量子型赤外線熱感知デバイスにおいて、HgCdTe等で構成された第二基板に影響を与えることなくシリコン基板等で構成された第一基板と、第二基板の熱膨張係数の違いに起因する隣接バンプ間の接触を防止する。
【解決手段】
量子型撮像素子は、読み出し回路を備えた第一基板と、前記第一基板とフリップチップボンディング（FCB）によって電気的に接続された、受光素子を備えた第二基板と、前記第一基板と前記第二基板をFCBによって電気的に接続する導体バンプ群と、各バンプの周囲を囲むように存在し、前記第一基板側にのみ固定され、前記第二基板との間に空隙を設けた絶縁壁とを有する。 （もっと読む）

【課題】シリコンフォトダイオードであって、近赤外の波長帯域に十分な分光感度特性を有しているフォトダイオードの製造方法及びフォトダイオードを提供すること。
【解決手段】フォトダイオードＰＤ５は、第１半導体基板２１と、第１半導体基板２１に比較してｎ型の不純物濃度が高い第２半導体基板２３と、を備え、裏面入射型である。第１半導体基板２１と第２半導体基板２３とは、表面２１ｂ及び表面２３ｂが貼着面とされて、貼着されている。第１半導体基板２１は、表面２１ａ側にＰ^＋型半導体領域３が形成されている。第２半導体基板２３の表面２３ａにおける少なくともＰ^＋型半導体領域３に対向する領域には、不規則な凹凸１０が形成されている。 （もっと読む）

【課題】
放射線を測定するための容量センサデバイスを提供する。
【解決手段】
デバイスは２つのセンサ領域および上部プレート構造を含む。センサ領域は、放射線がその材料に当たると電子−正孔対を生成する材料から成る。２つのセンサ領域の間に分離領域が配置される。センサ領域と上部プレートとの間のキャパシタンスはセンサ領域に当たる放射線に応じて決まる。遮断構造が、放射線の選択された入射角において他方のセンサ領域内の電子−正孔対生成に対してとは異なるように一方のセンサ領域の電子−正孔対生成に影響を与えるように、或る範囲内のパラメータ値を有する放射線をセンサ領域から選択的にかつ異なって遮断する。 （もっと読む）

【課題】受光器に入射する光量の損失を低減する光学モジュールを提供する。
【解決手段】複数の波長を含む光が入射する可動基板５０と、可動基板５０に対向し選択された波長帯域の光を透過する固定基板６０と、可動基板５０の固定基板６０と対向する面に配置され、光の光路上に形成された第１反射膜５３と、固定基板６０に設けられ、第１反射膜とギャップを介して対向する第２反射膜６３と、固定基板６０の可動基板５０と対向する面と反対の面に配置され、固定基板６０を透過する光のうちの一部を透過させる開口部７４が形成された遮光膜７３と、遮光膜７３の開口部を埋める透光性を有する中間膜７５と、遮光膜７３の開口部７４に対向して配置され、固定基板６０を透過した光を受光する受光面３１ａを有する受光器３１と、を備え、受光器３１の受光面３１ａが中間膜７５に密着している。 （もっと読む）

【課題】 入射光に対する光検出感度が向上された量子カスケード検出器を提供する。
【解決手段】 半導体基板と、吸収井戸層を含むｎ個の井戸層、及びｎ個の障壁層からなる単位積層体１６が多段に積層された活性層１５とを備えて量子カスケード検出器を構成する。単位積層体１６は、そのサブバンド準位構造において、検出下準位Ｌ_１ａ、検出上準位Ｌ_１ｂと、第２準位Ｌ_２〜第ｎ準位Ｌ_ｎとを有し、検出下準位、上準位の間でのサブバンド間吸収によって光を検出するとともに、上準位に励起された電子は共鳴トンネル効果によって第２準位に移動し、第２〜第ｎ準位を含む抽出準位構造を介して後段の単位積層体へと抽出される。また、第２、第３準位のエネルギー間隔をＥ_ＬＯ≦ΔＥ_２３≦２×Ｅ_ＬＯに設定し、第３、第４準位のエネルギー間隔をΔＥ_３４＜Ｅ_ＬＯに設定する。 （もっと読む）

【課題】２波長赤外線イメージセンサにおいて、同じ画素ピッチにおける画素面積を広くする。
【解決手段】共通コンタクト層の一方の面に積層形成された第１の赤外光吸収層及び第１のコンタクト層と、前記共通コンタクト層の他方の面に積層形成された第２の赤外光吸収層及び第２のコンタクト層と、前記第２の赤外光吸収層及び前記第２のコンタクト層を分離する上側画素分離溝と、前記共通コンタクト層を介し、前記上側画素分離溝に対応する位置に形成された前記第１の赤外光吸収層及び前記第１のコンタクト層を分離する下側画素分離溝と、前記上側画素分離溝及び前記下側画素分離溝により分離された各々の画素ごとに、前記第２のコンタクト層、前記第２の赤外光吸収層、前記共通コンタクト層、前記第１の赤外光吸収層を除去することにより形成されたコンタクト穴と、を有することを特徴とする赤外線検知器により上記課題を解決する。 （もっと読む）

【課題】テラヘルツ波の発生効率を最大にするテラヘルツ波発生器の調整方法。
【解決手段】アレイ型光導波路１１からの光学ビームを受光するアレイ型フォトダイオードＰＤ１〜ＰＤ４と、アレイ型フォトダイオードのアレイ両端それぞれに設置された２個の調整用フォトダイオードｍＰＤ１，ｍＰＤ２と、２個の調整用フォトダイオードそれぞれの調整用光学ビームｍＢｅａｍ１，ｍＢｅａｍ２それぞれに連結された２個の調整用光導波路ｍ１１，ｍ１２とを備えたテラヘルツ波発生器を用いて、一方のｍＰＤ１の出力が最大となるようにアレイ型フォトダイオードに対して水平及び垂直方向にアレイ型光導波路１１を移動し、ｍＰＤ１の最大出力を維持しつつ、他方のｍＰＤ２の出力が一方の調整用フォトダイオードの出力と同等になるように、一方のｍＰＤ１を軸としてアレイ型光導波路若しくはアレイ型フォトダイオードのアレイを回転させて調整する方法。 （もっと読む）

【課題】光励起によりテラヘルツ波を発生、検出する素子において低温成長半導体の歪みや欠陥がテラヘルツ波発生効率などを制限していた点を解決した光伝導素子等を提供する。
【解決手段】光伝導素子は、半導体低温成長層１４を有し、半導体低温成長層１４と半導体基板１０との間に位置し且つ半導体低温成長層１４よりも薄い半導体層１１、１２、１３を有する。半導体低温成長層１４は、半導体層１１、１２、１３と格子整合し半導体基板１０と格子整合しない半導体を含む。 （もっと読む）

【課題】 誤検知を招きにくい光学装置を提供すること、もしくは、小型化を図るのに適する光学装置を提供すること。
【解決手段】 基材１と、基材１に配置された受光素子３と、受光素子３を覆う透光樹脂４と、透光樹脂４を覆い且つ第１開口部６１が形成された遮光樹脂６と、を備え、透光樹脂４は、第１開口部６１から露出する光入射面４１を有し、遮光樹脂６は、凹凸面たる面６０３を有し、面６０３は、方向ｚ１を向き、且つ、第１開口部６１よりも方向ｘ１側に位置する。 （もっと読む）

【課題】 光検知素子の検知効率を高めることが望まれている。
【解決手段】 基板の上に、複数の量子ドットを含む量子ドット層が配置されている。量子ドット層の上に、再入射構造物が配置されている。再入射構造物は、量子ドット層を通過した光を反射して量子ドット層に再入射させると共に、第１の方向の偏光成分を、第１の方向とは異なる第２の方向の偏光成分に変換して量子ドット層に再入射させる。 （もっと読む）

【課題】励起光とショットキー接合部との相互作用の領域を拡大して、テラヘルツ波の発生効率またはテラヘルツ波の検出のＳＮを向上することができるテラヘルツ波素子を提供する。
【解決手段】テラヘルツ波発生素子は、テラヘルツ波発生層２と、テラヘルツ波発生層２に接して配置された電極３を備え、励起光４の照射と電極３への電圧印加によりテラヘルツ波５を発生する。テラヘルツ波発生層２の少なくとも一部は、励起光４が入射してくる側とその反対側とのテラヘルツ波発生層２の面と交わる面において電極３とショットキー接合部を形成し、ショットキー接合部に励起光４が照射される。 （もっと読む）

【課題】画素毎のバンプが増加してもフリップチップボンディングを適切に行うことができる赤外線撮像装置を提供する。
【解決手段】複数の画素が配列した赤外線イメージセンサ１００と、赤外線イメージセンサ１００から信号を読み出す読み出し回路３００と、赤外線イメージセンサ１００と読み出し回路３００との間に設けられた中継部材２００と、が設けられている。複数の画素の各々には、互いに相違する波長の赤外線を吸収する複数の吸収層１０６、１１０と、複数の吸収層にバイアスを印加するバイアスバンプ１５９と、複数の吸収層毎に設けられた出力バンプ１５７、１５８と、が設けられている。出力バンプは、読み出し回路に設けられた入力バンプ３０２、３０３に接続され、バイアスバンプは、読み出し回路に設けられたバイアス供給バンプ３０４に、中継部材に設けられた中継配線２０７を介して接続されている。 （もっと読む）

【課題】積層された2つの光吸収層を有し、光吸収層の面積が大きい光センサを提供する。
【解決手段】光センサ10は、支持層11と第１電極層12aと第１光吸収層13aと第2電極層12bと第2光吸収層13bとが順番に積層されており、第1光吸収層13a及び第2電極層12b及び第2光吸収層13bを第1領域R1及び第2領域R2に分離する分離層14と、第1領域R1の第2電極層12bと接続する第１電極20aと、第2領域R2の第2電極層12bと接続する第2電極20bと、第1領域R1及び第2領域R2の第2光吸収層13bそれぞれと接続する第3電極20cと、を備える。 （もっと読む）

【課題】信頼性に優れた赤外線素子実装構造体および赤外線素子実装用基板を提供する。
【解決手段】赤外線素子３と、上面に赤外線素子３が実装される凹部Ｐを有するセラミック基体４と、凹部Ｐ内に設けられた、赤外線素子３が電気的に接続される電極層とを備えた赤外線素子実装構造体１であって、赤外線素子３は、平面視して凹部Ｐ内に収まらない大きさであって、赤外線素子３の下面の一部に電極層と導電体を介して接続されている。 （もっと読む）

【課題】封止部材をエッチングすることなく、光センサ装置の受光面を封止部材から露出できるようにした光センサ装置の製造方法及び光センサ装置を提供する。
【解決手段】粘着テープの粘着性を有する面であって、リードフレーム３０´から露出している領域にＩＲ素子１０の受光面１６を貼付する工程と、リードフレーム３０´の表面にＩＣ素子２０を取り付ける工程と、リードフレーム３０´とＩＣ素子２０とをワイヤー４５で電気的に接続する工程と、ＩＲ素子１０とＩＣ素子２０とをワイヤー４６で電気的に接続する工程と、ＩＲ素子１０とＩＣ素子２０とワイヤー４５、４６をモールド樹脂４９で覆う工程と、モールド樹脂４９及びリードフレーム３０´から粘着テープを除去する工程と、ダイシングストリート３６に沿ってモールド樹脂４９及びリードフレーム３０´を切断して、パッケージを形成する工程と、を含む。 （もっと読む）

【課題】所望の角度・方向から入射してくる光のみを受光面に到達させて検出することを可能とした光センサ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】赤外線を検出するＩＲ素子１０と、ＩＲ素子１０を覆うモールド樹脂４９と、モールド樹脂４９を覆う蓋体６０と、を備え、ＩＲ素子１０の受光面１６は、モールド樹脂４９の表面と同一平面に配置された状態でモールド樹脂４９から露出しており、蓋体６０には、受光面１６の視野角を制限する貫通した開口部６５が設けられている。また、リードフレーム３０をさらに備えると共に、蓋体６０には鉤状の係止部が設けられていてもよい。この場合は、蓋体６０の係止部にリードフレーム３０の外周部が嵌合することによって、蓋体６０をリードフレーム３０に固定することが可能である。 （もっと読む）

【課題】リードフレームの開口部のアスペクト比を高めることができ、装置の小型化を実現できるようにした光センサ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】赤外線を検出するＩＲ素子１０と、ＩＲ素子１０に積層された光学フィルタ２０と、貫通した第１の開口部を有する第１のリードフレーム３１と、貫通した第２の開口部を有する第２のリードフレーム３６と、ＩＲ素子１０及び光学フィルタ２０を覆うモールド樹脂５０と、を備え、第２のリードフレーム３６上に第１のリードフレーム３１が配置されて、第１の開口部と第２の開口部とが平面視で重なり、第１の開口部と第２の開口部とが平面視で重なる領域（即ち、開口部５１）に、ＩＲ素子１０及び光学フィルタ２０が配置され、光学フィルタ２０の受光面２１はモールド樹脂から露出している。 （もっと読む）