半導体受光素子が特定される。本半導体受光素子は、シリコンで形成され、光入射エリア（１ａ）を有する半導体ボディ（１）であって、前記光入射エリア（１ａ）を通過して前記半導体ボディ（１）内に入射する電磁波（１０）が吸収される厚さ（ｄ）が最大１０μｍである吸収ゾーン（２）を更に有する半導体ボディ（１）と、誘電材料から形成され、前記半導体ボディ（１）の前記光入射エリア（１ａ）を被覆するフィルター層（３）と、少なくとも前記光入射エリア（１ａ）において前記半導体ボディ（１）を被覆する、光吸収材（５）を含有するポッティングボディ（４）と、を有する。 （もっと読む）

【課題】放射線検出器を、放射線光導電層で発生した電荷を効率よく電極へ移動させることが可能なものとする。
【解決手段】放射線光導電層１の両側に電極４，５が設けられ、この電極４，５間に所定のバイアス電圧を印加した状態で、放射線の照射を受けることにより放射線光導電層１の内部に発生した電荷を電気信号として検出する放射線検出器１０であって、放射線光導電層１が無機半導体粒子とフラーレンまたはその誘導体とからなるものとする。 （もっと読む）

【課題】短時間化、低コスト化が可能な一次元ナノ構造体の製造方法、一次元ナノ構造体の製造装置及び電子デバイスの製造方法並びにこの方法によって製造された電子デバイスを提供すること。
【解決手段】厚さが５００ｎｍ以下のアモルファス酸化バナジウム薄膜を基板上に形成し、酸素、窒素、希ガスの単独又は混合ガスを用い、減圧又は常圧の雰囲気において、室温で薄膜にエネルギー密度が１Ｊ／ｃｍ²以下のパルスレーザを照射して二酸化バナジウムを母材とし単斜晶型又はルチル型の結晶構造を有する一次元ナノ構造体としてナノワイヤを形成し、基板をエッチング処理して基板にナノワイヤを残存させる。一次元ナノ構造体の製造方法は、二酸化バナジウムの金属−絶縁体相転移を利用した各種の電子デバイスの製造に適用される。 （もっと読む）

【課題】導電ペーストが有する抵抗の低減を図ることができる、光通信モジュールを提供する。
【解決手段】光送信モジュール１では、ガラスエポキシ基板２の一方面と発光素子１５との間隔Ｄが、ガラスエポキシ基板２の表面に対するソルダレジスト１０の高さＨよりも小さくなっている。ガラスエポキシ基板２の一方面と光学素子との間隔Ｄが小さいので、導電ペースト１７の厚さが小さくてよい。したがって、導電ペースト１７が有する抵抗を低減することができる。 （もっと読む）

【課題】反射層14の形成によるシンチレータ層13の膜剥がれや基板の反りの発生を低減し、高輝度、高解像度のＸ線検出器を提供する。
【解決手段】ディスペンサにより、バインダ材中に光散乱性粒子を含有したペースト材料をシンチレータ層13上に塗布し、反射層14を形成する。ディスペンサが、塗布ラインに沿った方向への移動と、この塗布ラインに沿った方向の端部で塗布ラインを１ライン分ずらして塗布ラインに沿った反対方向への移動とを繰り返すことで、反射層14の形成領域の端部形状が波状形状となる。反射層14の形成領域の端部形状が波状形状とすることで、ペースト材料の乾燥時における体積収縮による応力を分散させる。 （もっと読む）

【課題】十分なキャリア輸送能を有する有機薄膜太陽電池材料を提供する。
【解決手段】対極と透明電極の間の、少なくとも１つ以上の光学活性中心を有する有機化合物が、下記一般式（１）で表されるフラーレン誘導体を有する。
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【課題】半導体層において発生した電荷信号を読み出すための線状電極が多数配列された電極層を備えた放射線画像検出器において、ショート不良や結晶化などによる画像欠陥を生じることなく線状電極の断線不良を修復する。
【解決手段】線状電極５ａの長さ方向に伸びる側端部に沿って隔壁部材６を設け、隔壁部材６に挟まれた線状電極５ａの断線箇所に導電性部材を分散させた溶剤２０を滴下し、硬化させて断線箇所の修復をし、断線箇所の修復の後、半導体層を形成する。 （もっと読む）

【課題】多接合型光起電力発生装置においては、積層数が増加するので、光の結合損失からエネルギー変換効率が小さく、製造コストが高く、かつ製造が困難であった。
【解決手段】サファイア基板１上に横方向に異なるバンドギャップを有する複数のセル２−１、２−２、…、２−７が形成される。各セルは、各バンドギャップに対応する傾斜角の山型傾斜の凹凸面を有するｎ型GaN層２１、ｎ型GaNバッファ層２１上に形成されたｎ型InAlGaN層２２及びｐ型InAlGaN層２３よりなる。InAlGaN層２２、２３の組成はその傾斜角に応じたバンドギャップを有するように決定される。各セル２−１、２−２、…、２−７は出力端子OUT₁、OUT₂間にボンディングワイヤ３−０、３−１、…、３−７によって直列に接続されて太陽電池として作用する。 （もっと読む）

【課題】位置ズレを生じることなく１回のＸ線の照射で異なるエネルギーのＸ線による放射線画像を得ることができるＸ線検出素子を提供する。
【解決手段】基板１の表面及び裏面に、照射されたＸ線に応じた電荷を発生するＸ線検出部２２Ａ、２２Ｂを設けて、Ｘ線の照射方向に対して各画素２０毎にＸ線検出部２２Ａ、２２Ｂを積層配置する。 （もっと読む）

【課題】低い印加電圧で高い増倍率があげられる光電流倍増素子を得る。
【解決手段】対向する一対の電極２，５と、一対の電極２，５間に設けられる光導電性半導体層３と、光導電性半導体層３と一対の電極の少なくとも一方５との間に設けられる、弁作用のある遷移金属の酸化物からなる薄膜層４とを備え、薄膜層４の厚みが２ｎｍ以下であることを特徴としている。 （もっと読む）

【課題】熱膨張による放射線検出器本体430の反りをより効果的に抑制する。
【解決手段】放射線検出器本体430のアクティブマトリックス基板450、光導電層404及び保護部材442よりも線膨張係数が小さい支持体460及び固定部材462で、アクティブマトリックス基板450、光導電層404及び保護部材442を挟んで固定する。これにより、支持体460がアクティブマトリックス基板450下に接合されるのみ構成に比して、放射線検出器本体430の反りをより効果的に抑制できる。 （もっと読む）

【課題】リセット用ＴＦＴのゲート絶縁膜にコンタクトホールを形成せずに２Ｔｒ−１Ｃ回路を製造することができるとともに、高精度に電荷検出を行うことが可能な撮像装置を提供する。
【解決手段】撮像装置は、電荷生成膜６０と、電荷収集用電極５０と、電荷検知用キャパシタ３０と、電荷検出用薄膜トランジスタ２０と、リセット用薄膜トランジスタ４０と、電荷生成膜、電荷収集用電極、電荷検知用キャパシタ、電荷検出用薄膜トランジスタ、及びリセット用薄膜トランジスタを支持する支持基板１０と、を有する。電荷収集用電極の一部５０Ａが、電荷検出用薄膜トランジスタ２０の活性層２８上に絶縁膜１８Ａを介して絶縁した状態で張り出しているとともに、電荷検出用薄膜トランジスタのゲート電極Ｇを兼ねている。好ましくは、電荷収集用電極が、リセット用薄膜トランジスタ上にも絶縁した状態で張り出している。 （もっと読む）

【課題】光導電層及びバイアス電極を封止する封止層上に保護基板を有さない放射線検出器の製造方法において、寸法安定性の良い封止層を形成する。
【解決手段】アクティブマトリックス基板450、スペーサー442及び蓋部材440で囲まれる空間に、硬化型封止材料を充填し、硬化型封止材料を硬化させて封止層444が形成される。このため、封止層444は、アクティブマトリックス基板450、スペーサー442及び蓋部材440により形作られ、封止層444の厚みは、アクティブマトリックス基板450と蓋部材440の間に配置されることになるスペーサー442の厚みにより決定される。このため、厚みにばらつきの少ない寸法安定性の良い封止層444の形成が可能となる。 （もっと読む）

【課題】位置ズレを生じることなく１回のＸ線の照射で異なるエネルギーのＸ線による放射線画像を得ることができるＸ線検出素子を提供する。
【解決手段】シンチレータ３１を基板１の一方の面側のセンサ部２６及びセンサ部２９の外側に設け、シンチレータ３０を基板１の他方の面側に設けて、基板１の一方の面側又は他方の面側から照射されたＸ線をシンチレータ３０、３１で光に変換し、センサ部２９が、一方の面側のシンチレータ３１から照射された光を検出し、センサ部２６が、基板１の他方の面側のシンチレータ３０から照射された光を検出する。 （もっと読む）

【課題】位置ズレを生じることなく１回のＸ線の照射で異なるエネルギーのＸ線による放射線画像を得ることができるＸ線検出素子を提供する。
【解決手段】基板１にＸ線の照射方向にＸ線検出部２２ＡとＸ線検出部２２Ｂとを積層して設け、照射されたＸ線をＸ線検出部２２Ａで検出すると共に、Ｘ線検出部２２Ａを透過したＸ線をＸ線検出部２２Ｂで検出する。 （もっと読む）

【課題】シンチレータの蛍光体の端面と光電変換素子等との距離の均一化を図り、画像全体で鮮鋭性が一様な放射線画像を検出することが可能な放射線検出パネルの製造方法等を提供する。
【解決手段】放射線検出パネル３の製造方法は、基台３１上に、複数の光電変換素子１５が形成された基板４を載置する基板載置工程Ｓ２と、基板４上に、シンチレータ６を支持する支持体５を、当該シンチレータ６が光電変換素子１５に対向するように載置する支持体載置工程Ｓ３と、基板４と支持体５との間隙部分でシンチレータ６の周囲の部分に接着剤２２を配置する接着剤配置工程Ｓ１と、支持体５のシンチレータ６が設けられた面５ａとは反対側の面側から支持体５を被覆するようにフィルム３２を載置するフィルム載置工程Ｓ４と、基台３１とフィルム３２との間の空間Ｒ１を減圧して基板４と支持体５とを貼り合わせる減圧貼り合わせ工程Ｓ５とを有する。 （もっと読む）

【課題】凝集しにくい平均粒子径を有するＢｉ₁₂ＸＯ₂₀粉末を製造ロット間および同一製造ロット内の組成ばらつきを抑制して製造する。
【解決手段】Ｂｉ₁₂ＸＯ₂₀粉末（但し、ＸはＳｉ、Ｇｅ、Ｔｉからなる群より選ばれる少なくとも１種を含む元素である）を、Ｂｉ元素を有する溶液とＸ元素を有する溶液とを用意する工程（Ａ）と、反応容器２１にあらかじめ供給された母液に対して両溶液を添加して混合液を調製する工程（Ｂ）と、混合液の温度を、添加開始時の温度より上昇させる工程（Ｃ）とを有し、工程（Ｂ）において、混合液中のＢｉ元素とＸ元素の双方の物質量が、添加開始時から並行して増加するように両溶液を添加することにより製造する。 （もっと読む）

【課題】高い感度及びＳ／Ｎ比を有する光電変換材料層を備えた新規の光電変換素子を組み込んだ光電変換装置を提供する。
【解決手段】光電変換装置は、（ａ−１）離間して設けられた第１電極２１及び第２電極２２、及び、（ａ−２）第１電極２１と第２電極２２との間に設けられた光電変換材料層３０を備え、第１電極２１と第２電極２２との間に電圧を印加した状態で、光電変換材料層３０に一定の光量の光を照射したとき、光電変換材料層３０にて生成する電流が照射時間の経過に従って変化する光電変換素子１１、並びに、（ｂ）該電流変化を検出する電流検出回路４０を備えている。 （もっと読む）

【課題】光電変換における光の照度に対する分解能を高めることを課題の一つとする。
【解決手段】入射した光の照度に応じて第１の電流を生成する光電変換回路１００と、第１の電流に応じて電気容量が変化する充放電手段を有する充放電回路１０１と、オン状態またはオフ状態になることにより光電変換回路１００と充放電回路１０１との導通を制御する第１のスイッチング素子１１１と、一定の値である第２の電流を生成する電流回路１０２と、オン状態またはオフ状態になることにより充放電回路１０１と電流回路１０２との導通を制御する第２のスイッチング素子１１２と、第１の入力端子及び第２の入力端子を有し、前記第１の入力端子に基準電位である信号が入力され、前記第２の入力端子が充放電回路１０１に電気的に接続されたコンパレータ１０３と、を有する構成とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、高電界の印加によりアバランシェ増倍現象が生じる光導電層への正孔注入阻止の度合いを強化した酸化セリウム製の正孔注入阻止層を用い、高感度・高解像度で高Ｓ／Ｎの高品位画像が得られる光導電型の撮像デバイスを提供することを課題とする。
【解決手段】導電面を有する透光性基板と、前記導電面上に形成される光導電部と、前記光導電部に走査用の電子ビームを発射する電子ビーム源と、前記光導電部に電気的に接続され、前記電子ビームの走査によって得る撮像信号を読み出すための信号読み出し部とを具え、前記光導電部は、前記導電面から前記電子ビーム源に向かう方向に順次積層された、正孔注入阻止層、光導電層、及び電子ビームランディング層を含み、前記正孔注入阻止層は、密度が６．５ｇ／ｃｍ^３以上の酸化セリウムで構成される。 （もっと読む）