【課題】 絶縁基板の凹部と蓋体とで構成される、赤外線センサ素子を封止する容器内の真空度の確保に有効な赤外線センサ素子用パッケージおよび赤外線センサを提供する。
【解決手段】 上面に凹部１ａを有し、凹部１ａの底面に赤外線センサ素子３が接着剤５を介して接合される接合部を有する絶縁基板１と、凹部１ａの内側における絶縁基板１の露出表面に被着された接続パッド２とを備え、絶縁基板１の上面の外周部に蓋体４が接合される赤外線センサ素子用パッケージ９であって、絶縁基板１は、凹部１ａの内側における露出表面のうち接合部および接続パッド２が被着された部分以外の部分に開口部７ａを有する空隙７が設けられている赤外線センサ素子用パッケージ９である。空隙７により赤外線センサ素子３を封止する容器の容積を大きくして、接着剤５の成分の気化による容器内の真空度の低下を抑制できる。 （もっと読む）

【課題】ソース電極及びドレイン電極と有機半導体材料層との間の接触抵抗を低下させることができ、これを簡便な製造プロセスで実現できる半導体装置、光学装置及びセンサ装置を提供すること。
【解決手段】ソース電極５と、ドレイン電極６と、少なくともこれらの電極間に設けられた有機半導体材料層７とを有し、有機半導体材料層７を介してソース電極５とドレイン電極６との間で電荷を移動させるように構成された有機電界効果トランジスタにおいて、ソース電極５及びドレイン電極６が、導電性高分子材料と電荷移動錯体との混合物からなる、有機電界効果トランジスタ１ａ。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子として機能し、低い暗電流を示し、かつ素子を加熱処理した場合にも暗電流の増加幅を小さくすることが可能な光電変換素子及びそのような光電変換素子を備えた撮像素子を提供する。
【解決手段】透明導電性膜、光電変換膜、及び導電性膜をこの順で有する光電変換素子であって、前記光電変換膜は、光電変換層、及び電子ブロッキング層を含み、前記電子ブロッキング層が下記一般式（Ｙ１）で表される化合物を含有する、光電変換素子。一般式（Ｙ１）


（式中、Ｒ_１〜Ｒ_８、Ｒ’_１〜Ｒ’_８、及びＲ’’_１〜Ｒ’’_８は、それぞれ独立に、水素原子、ハロゲン原子、アルキル基、アリール基、複素環基、水酸基、アミノ基、又はメルカプト基を表し、これらは更に置換基を有してもよい。） （もっと読む）

【課題】光電変換素子に適用した場合に高い光電変換効率を有する光電変換素子として機能し、かつ、暗電流の絶対値が小さく、かつ室温〜６０℃の温度下において、良好な特性を示す、有機光電変換素子を用いた固体撮像素子を提供する。さらに性能の温度依存性が十分小さい有機光電変換素子を提供する。
【解決手段】一対の電極と、前記一対の電極の間に挟持された光電変換層を含む光電変換素子であって、前記光電変換層がフラーレン又はフラーレン誘導体とｐ型有機半導体材料が混合されたバルクへテロ層であり、前記光電変換層のイオン化ポテンシャルが５．２ｅＶ以上５．６ｅＶ以下であり、前記一対の電極の少なくとも一方の電極と、前記光電変換層との間に、少なくとも一層の電子ブロッキング層を備え、光電変換層と隣接する前記電子ブロッキング層のイオン化ポテンシャルが前記光電変換層のイオン化ポテンシャルよりも大きいことを特徴とする光電変換素子。 （もっと読む）

【課題】放射線検出器の製造方法を工夫することによって欠損画素の発生が抑制された放射線検出器を提供する。
【解決手段】本発明のＸ線検出器１０は、常温硬化型エポキシ樹脂が硬化したエポキシ樹脂層５を備えている。常温硬化型エポキシ樹脂の注入作業と脱泡作業を行うには、樹脂の粘度は低い方がよい。しかしながら、粘度の低い樹脂は、硬化するのに時間がかかりすぎてしまい、これがアモルファスセレン層１の変質を招く。そこで、本発明の構成は、エポキシ樹脂を速やかに硬化させる目的で、エポキシ樹脂を硬化させる温度を限定している。 （もっと読む）

【課題】撮影前の待機タイミングと連動しないタイミングで撮像用の電磁波を照射しても、安定した電磁波情報が得られるようにする。
【解決手段】第１の電極３４６と複数の第２の電極３３６と光電変換層３４０とを有する複数の光電変換器３０４と、複数の第２の電極に接続された複数のノーマリーオントランジスタ３２０と、複数のトランジスタのゲート電圧を制御するゲート電圧制御手段２４２と、第１の電極に所定の電位を供与する電位供与手段２４６と、ゲート電圧制御手段と電位供与手段を制御する制御手段２１０と、電磁波を検知して電磁波検知信号を送信する電磁波検知手段２８０を備え、第１の電極に撮像用の電位を供与すると共に複数のトランジスタのゲート電圧を０Ｖとし、電磁波検知信号を受信すると、第１の電極に撮像用の電位を供与すると共に複数のトランジスタのゲートにオフ電圧を供給するように制御する。 （もっと読む）

【課題】電荷輸送性、安定性に優れた有機半導体材料として有用な芳香族化合物の提供。
【解決手段】式（１）


［式中、Ａｒ^１１は、芳香環を含む基を示し、Ｘ^１１及びＸ^１２は、式（１ａ）又は式（１ｂ）で表される基を示す。］で表される芳香族化合物。 （もっと読む）

【課題】高い感度及びＳ／Ｎ比を有する光電変換材料層を備えた新規の光電変換装置を提供する。
【解決手段】本発明の光電変換装置は、（ａ−１）離間して設けられた第１電極２１及び第２電極２２、及び、（ａ−２）第１電極２１と第２電極２２との間に設けられた光電変換材料層３０を備え、第１電極２１と第２電極２２との間に電圧を印加した状態で、光電変換材料層３０に一定の光量の光を照射したとき、光電変換材料層３０にて生成する電流が、照射開始からの照射時間の経過に従って増加する光電変換素子１１、並びに、（ｂ）該電流を検出する電流検出回路４０を備えている。 （もっと読む）

【課題】高温熱処理後における性能劣化を防止し、かつ、高い性能を得ることのできる光電変換素子を提供する。
【解決手段】一対の電極（画素電極６、対向電極１０）と、画素電極６及び対向電極１０の間に設けられた有機化合物を含む光電変換層９と、光電変換層９と画素電極６との間に設けられた電荷ブロッキング層７とを有する有機光電変換素子Ｐであって、光電変換層９と電荷ブロッキング層７との間に設けられ、ガラス転移温度が２００℃以上の有機化合物で構成された中間層８を備える。 （もっと読む）

【課題】 信号端子から回路基板までのインピーダンスの不整合を小さくして25ＧＨｚ以上の高周波信号であっても良好に伝送させることができる電子部品搭載用パッケージを提供することにある。
【解決手段】 貫通孔１ａを有する金属からなる基体１と、貫通孔１ａに充填された封止材２を貫通して固定された信号端子３と、基体１の上面に搭載された、絶縁基板４ａの上面から側面の途中にかけて信号線路導体４ｂが形成された回路基板４とを具備しており、絶縁基板４ａの側面に位置する信号線路導体４ｂと信号端子３の基体１の上面から突出した部分の側面とが当接して接続されている電子部品搭載用パッケージである。信号端子３が基体１から突出した部分から絶縁基板４ａの上面の信号線路導体４ｂまでの平均のインピーダンスが所定の値に近いものとなって伝送損失も小さくなり、高周波信号を良好に伝送させることができる。 （もっと読む）

【課題】構成を簡略化し、製造工程の簡略化を達成しながら、光電変換装置及び実装端子
の電気的接続の信頼性を高めた光電変換装置を提供すること。
【解決手段】本発明の光電変換装置は、フォトダイオード２５及びＴＦＴ２４がマトリク
ス状に配置され、周辺部に複数の外部接続端子が形成され、フォトダイオードは、光入射
面を除いて表面が平坦化膜２９３によって直接被覆されており、一方の型の半導体層２５
３が第１電極２５１を介してＴＦＴ２４に接続され、他方の型の半導体層２５５がバイア
ス線２３に直接接続され、バイアス線２３がバイアス線用の外部接続端子に電気的に接続
されており、バイアス線２３は、透明導電性金属酸化物で形成され、光電変換装置の光の
入射面の全面にわたって形成されていると共に、バイアス線用の外部接続端子まで延在さ
れて前記バイアス線用の外部接続端子の最上部に配置されている。 （もっと読む）

【課題】外部接続端子の接続信頼性を向上させることができると共に、簡単な工程で製造
できるようにした光電変換装置を提供すること。
【解決手段】本発明の光電変換装置は、フォトダイオード２５及びＴＦＴ２４がマトリク
ス状に配置され、周辺部に複数の外部接続端子が形成され、フォトダイオードは、第１電
極２５１がＴＦＴ２４に接続され、第２電極２５２がバイアス線２３に接続され、バイア
ス線２３がバイアス線用の外部接続端子に電気的に接続されており、バイアス線２３は、
透明導電性金属酸化物で形成され、光電変換装置の光の入射面の全面に亘って形成されて
いると共に、バイアス線用の外部接続端子まで延在されて前記バイアス線用の外部接続端
子の最上部側に配置されている。 （もっと読む）

【課題】ガラスを適正な温度に加熱して亀裂を安定して形成し、大版基板から所定サイズの光電変換基板を適正に切り出すこと。
【解決手段】大版基板Ｇ上において、光電変換素子と薄膜トランジスタが配列される側に、所定サイズの光電変換基板を切り出すためのカット溝を形成し、カット溝に対して光電変換素子と薄膜トランジスタが配列される側からレーザーを照射して大版基板Ｇをカットし、所定サイズの光電変換基板を切り出す。 （もっと読む）

【課題】可変抵抗素子の抵抗値を簡易に制御する。
【課題を解決するための手段】抵抗制御装置は、ＤＸセンタを形成可能な不純物を含む可変抵抗素子と、可変抵抗素子の温度を制御する温度制御装置と、可変抵抗素子に光を照射する光源と、光源以外からの可変抵抗素子への光の照射を遮蔽する遮蔽体と、を備え、不純物がＤＸセンタを形成可能となる温度以下に可変抵抗素子を冷却するとともに、可変抵抗素子に光を照射してＤＸセンタをイオン化させることにより可変抵抗素子の抵抗値を制御する。 （もっと読む）

【課題】テラヘルツ波の発生及び検出のために使用される光伝導スイッチングアンテナ素材を提供する。
【解決手段】本発明による光伝導体素子は、光伝導体基板と、光伝導体基板の上に積層された光伝導体薄膜と、光伝導体薄膜の上に形成された光伝導アンテナ電極とを含み、光伝導体薄膜は、多結晶ＧａＡｓを含む。 （もっと読む）

【課題】製造時に用いた仮支持体を分離する際に、薄膜素子への損傷を防止しつつ、且つ分離に掛かる手間とコストを低減する。
【解決手段】仮支持体２００に分離層２０２を形成する工程と、前記分離層２０２上に薄膜素子を含む素子層３００を形成する工程と、前記素子層３００上に、前記仮支持体２００よりも熱収縮率が大きい基板３０を接合する工程と、前記基板３０を接合した後加熱して、前記基板３０を熱収縮させることにより、前記分離層２０２を介して前記仮支持体２００と前記素子層３００とを分離する工程と、を有する。 （もっと読む）

【課題】可撓性を有する有機光電変換層を含む放射線センサおよびそれを使用した放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線センサは、入射する放射線を、少なくとも該放射線とは異なる波長域の電磁波に変換する蛍光体層５０が設けられた第一の可撓性基板１８と、電荷発生剤および５５質量％〜７５質量％のポリマーバインダを含有する電荷発生層４４並びに電荷輸送層４２を含み、前記電磁波を光電変換する有機光電変換層４０と、前記有機光電変換層４０で発生した電荷を読み出すための、蓄積容量３０および薄膜トランジスタ２０を含む電荷検出層６０が設けられた第二の可撓性基板１０と、前記有機光電変換層４０と前記電荷検出層６０との間に配置された高分子下引き層１２と、を有する。 （もっと読む）

【課題】欠陥画素を分離してリペアしつつ、欠陥画素を分離するための切断箇所を保護した放射線検出素子を提供する。
【解決手段】欠陥画素７ＡのＴＦＴスイッチ４に接続された走査配線１０１と信号配線３の少なくとも一方を検出領域Ｓ外でかつ保護部３２で覆われた部分で切断する。 （もっと読む）

【課題】光応答速度が極めて速く、しかも製造が容易な多層透明受光素子およびこの多層透明受光素子を用いた高性能の電子機器を提供する。
【解決手段】電子伝達タンパク質を用いたタンパク質透明受光素子１を複数積層して多層透明受光素子を構成する。タンパク質透明受光素子１は、透明基板、透明電極、電子伝達タンパク質層、電解質層および透明対極を順次積層した構造を有する。この多層透明受光素子をカメラ、光ディスクシステムなどの受光素子として用いる。 （もっと読む）

【課題】イメージセンサに加えて、受動素子部品や能動素子部品を内部に収容しつつ、小型化を図ることのできるセラミックパッケージを提供すること。
【解決手段】セラミックパッケージ１は、セラミック基板２と、セラミック基板上に搭載されたカバー部６とにより内部空間が封止されたセラミックパッケージであって、内部空間内のセラミック基板上に搭載されたイメージセンサ４と、内部空間内のセラミック基板上に搭載された素子部８と、内部空間内のセラミック基板上に形成されて、ボンディングワイヤによってイメージセンサと電気的に接続されるリード電極１０と、を有し、リード電極が形成される面と、カバー部が搭載される面とが同一面である。 （もっと読む）