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Fターム[5F088GA02]の内容

受光素子−共通事項、放射線検出 (20,668) | 基板(その上に素子本体が形成されるもの) (729) | 材料 (664) | 絶縁性基板(ガラス等) (299)

Fターム[5F088GA02]に分類される特許

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【課題】広帯域に亘って紫外線を検知できる感度領域の広い紫外線センサを提供すること。
【解決手段】本発明の紫外線センサは、紫外線感知部を備えた紫外線センサであって、前記紫外線感知部は、酸化亜鉛と、前記酸化亜鉛のバンドギャップよりも広いバンドギャップを持つ感知波長域拡張材料と、を含有する混合物で構成されていることを特徴とする。これにより、広帯域に亘って紫外線を検知できる感度領域の広い紫外線センサを実現することができる。 (もっと読む)


【課題】積層膜の剥離の発生を防止ししつつ所望の中空構造を容易に形成することができる赤外線センサ素子の製造方法を提供することを目的とする。
【解決手段】
SOI基板準備工程と、SOI基板に熱検出部及びこれ電気的に接続される配線を形成する熱検出構造形成工程と、少なくとも窒化シリコン膜を含む絶縁層を形成する絶縁層形成工程と、絶縁層上にガス流入開口を含む赤外線受光部形成する受光部形成工程と、SOI基板に到達する貫通孔を形成する貫通孔形成工程と、貫通孔を介してエッチングを施すことによって半導体基板に空隙を形成する空隙形成工程と、を有し、貫通孔形成工程において窒化シリコン膜を露出することなく貫通孔を形成する。 (もっと読む)


【課題】フィルファクタの低下を抑えつつ、信号配線の電子ノイズをより低減させた電磁波検出素子を提供する。
【解決手段】走査配線101、信号配線3、及び蓄積容量配線102をセンサ部103よりも下層に各々絶縁膜を介して設けられた異なる金属層により形成しており、信号配線3を下層に形成する。 (もっと読む)


【課題】光バリア性能を確保しながら平坦化を図ることができる光電変換装置及び放射線検出装置を提供する。
【解決手段】複数の画素20を備え、前記複数の画素20の各々が基板11上に形成された光電変換素子23を備えた光電変換装置において、前記光電変換素子23は光入射側に受光面を備え、前記複数の画素20間の領域には受光面を露出させて光バリア層46が配置されており、前記受光面は、前記光バリア層46から露出しており、前記光バリア層46は、前記光電変換素子23と前記基板11とで形成される段差に配置されている。 (もっと読む)


本発明はX線を電荷に変換するX線用の光検出器に関する。光検出器の活性有機層内にナノ粒子が加えられる。 (もっと読む)


【課題】塗布液の主成分と基板との接触角が大きい場合でも、塗布膜を均一に形成する。
【解決手段】被塗布物Wの被塗布面WAに対して塗布液を供給する際に、被塗布面WAに対して補助溶媒の供給を開始した後に、既に被塗布物Wの被塗布面WAに供給されている補助溶媒の上に重なるように塗布液を供給する。これにより、塗布液及び塗布液の主成分である溶媒を被塗布面WAに供給する構成に比して、被塗布物Wの被塗布面WAにおいて塗布液が広がりやすくなり、被塗布物Wの表面状態や塗布液の粘度等に関わらず塗布液を被塗布面WAに均一に広げることができる。その結果、被塗布面WAに塗布膜を均一に形成することができる。 (もっと読む)


【課題】アノード基板と外部支持体間にハンダ付けを行うことにより真空セルの気密封止を製造歩留りよく実現する。
【解決手段】カソード基板10と、カソード基板10上に配置された電子放出源部14と、電子放出源部14を取り囲みカソード基板10上の外周部に配置された外部支持体20と、カソード基板10に対向して配置され、外径が外部支持体20の外径よりも小さいアノード基板12と、アノード基板12上に、電子放出源部14に対向して配置される光電変換膜22と、アノード基板12の外周部に配置される第1ハンダ42と、外部支持体20上に配置される第2ハンダ40と、第1ハンダ42と第2ハンダ40間に配置される第3ハンダ36とを備え、第3ハンダ36を介して第1ハンダ42と第2ハンダ40間にハンダ付けを行うことにより、アノード基板12とカソード基板10間を真空に保持するFEDセンサおよびその製造方法。 (もっと読む)


【課題】空間解像度を維持しつつ、バンド数の増大と小型化を実現した撮像素子を提供することを課題とする。
【解決手段】撮像素子は、一対の第1透明電極と、前記一対の第1透明電極の間にマトリクス状に配列され、有機膜で構成される複数の第1光電変換部とを有し、前記第1光電変換部に結像する画像を読み出す第1撮像部と、一対の第2透明電極と、前記一対の第2透明電極の間にマトリクス状に配列され、有機膜で構成される複数の第2光電変換部とを有し、前記第2光電変換部に結像する画像を読み出す第2撮像部とを含み、前記第1撮像部と前記第2撮像部は積層されており、前記第1光電変換部及び前記第2光電変換部には、光感度が異なる4種類以上の光電変換膜が含まれる。 (もっと読む)


【課題】暗電流の増加を抑制しながら、高解像度化を図ることが可能であり、かつ、特性のばらつきを低減することが可能な光電変換デバイスを提供する。
【解決手段】この光電変換デバイス100は、ガラス基板1上に、光電変換膜11を含む光電変換部10とスイッチング素子として機能するトランジスタ部20とを備えた画素がアレイ状に配置された画素アレイにおいて、トランジスタ部20が有機半導体層25を含む有機TFT20から構成されており、光電変換部10とトランジスタ部20との間の領域には、光電変換部10の光電変換膜11と有機TFT20の有機半導体層25とを分離する絶縁性の障壁部35a(バンク35)が形成されている。 (もっと読む)


【課題】外部から浸入する水分を抑え、耐湿性、接着性、貯蔵安定性、低温硬化性にすぐれたシール剤を提供し、X線検出用シンチレータ膜の劣化を防止して長期安定性の高いX線検出器を提供することを目的とする。
【解決手段】本発明にかかるエポキシ樹脂シール剤は、液状ビスフェノール型エポキシ樹脂と、下記化学式で示されるジシクロペンタジエンエポキシ樹脂と、からなる混合物と、
【化1】


(上記化学式中、R1はそれぞれ水素原子又は炭素原子数1〜12のアルキル基を示し、nはそれぞれ0〜10の整数を示す。)
カチオン重合触媒と、無機質充填剤と、を含むことを特徴とする。 (もっと読む)


【課題】放射線照射角度に起因する本質的な解像度低下の問題を改善し、全域において優れた解像度特性を有する放射線検出装置12を提供する。
【解決手段】放射線検出パネル23は、複数の光電変換素子33を形成した光検出器22と、光検出器22の表面にシンチレータ材36を形成した蛍光体膜部21とを備える。シンチレータ材36には、光検出器22の面方向に複数の柱状結晶体38が形成する。柱状結晶体38の方向が、放射線検出パネル23の中心では放射線検出パネル23の表面に対して法線方向で、放射線検出パネル23の中心から周辺に向かうに従い法線方向から放射線検出パネル23の中心側に向けて傾きを有する。光検出器22の周辺部41においても、シンチレータ材36によるX線14の吸収と蛍光39の発光は同一または近接の柱状結晶体38内で発生し、解像度低下や画像歪を抑える。 (もっと読む)


【課題】重畳塗布によっても膜厚ムラを低減するようにしたインクジェットヘッド、塗布装置および塗布方法、ならびに放射線検出器の製造方法を提供する。
【解決手段】インクジェットヘッド604は、前記溶液を吐出するノズル609を副走査方向に並んで複数有し、前記複数のノズル609は、副走査方向の両端部604a、604cで粗、中央部604bで密に配設されている。このインクジェットヘッド604を、これらのノズル609から溶液を吐出させながら、基材601に対して主走査方向に相対移動させる主走査工程と、前記インクジェットヘッドを前記基材に対して副走査方向に相対移動させる副走査工程と、を交互に繰り返して基材表面に溶液を塗布する。そして、主走査工程において、副走査工程を挟んだ直前の主走査工程でインクジェットヘッド604の一方の端部604cにより溶液が塗布された基材表面の領域にインクジェットヘッド604の他方の端部604aの少なくとも一部を重ねて溶液を塗布する。 (もっと読む)


【課題】外部ストレスによる亀裂、ヒビ、カケなど外観上の不良を低減された半導体装置を提供することを課題の一とする。また、薄型化された半導体装置の製造歩留まりを向上させることを課題の一とする。
【解決手段】基板と、基板の一方の面に設けられた半導体集積回路部と、基板の他方の面、側面、及び半導体集積回路部の側面を連続的に覆う樹脂層とを有する。複数の半導体集積回路部が形成された基板の半導体集積回路部形成面と、固定基板とをワックスにより固定し、半導体集積回路部ごとに基板を分断する。個々に分断された半導体集積回路部が形成された基板を覆うように樹脂層を形成する。 (もっと読む)


【課題】信号配線の寄生容量の増加を抑制しつつ、薄膜トランジスタからのリーク電流の発生を抑制することができる電磁波検出素子を提供する。
【解決手段】電磁波に対して遮光性を有する導電性部材により形成され、半導体層6で発生した電荷を収集する下部電極14を延伸させて、信号配線3のTFTスイッチ4との接続部を含む一部分の電磁波の照射面側に遮光部を形成する。 (もっと読む)


【課題】ガラス基板20と配線パターンとの間に反射防止膜を介在させることによる配線パターンの剥がれ落ちを回避しつつ、反射防止膜によってガラス基板20表面での光反射を抑えることができるVCSELモジュール1を提供する。
【解決手段】一方の面における全領域のうち、VCCEL10の受光部との非対向領域に配線パターンが形成されたガラス基板20におけるその一方の面側にて、配線パターンをガラス基板20の無垢の表面に直接固着させて形成し、且つ、その一方の面側にて、ガラス基板20の配線パターン非形成領域のうち、少なくともVCSEL10の受光部に対向する領域に反射防止膜21を形成した。 (もっと読む)


【課題】放射線検出器を繰り返して使用する場合においても、バイアス電極の端部での放電破壊を抑制する。
【解決手段】上部電荷選択透過層402の外周端は、配線440が配置された領域において、バイアス電極401の外周端の内側に位置するのでバイアス電極401の外周端が上部電荷選択透過層402を介することなく、直接、光導電層404に接触する。これにより、バイアス電極401の外周端部での電荷蓄積とこれによる電場強度の増加が抑制され、バイアス電極401の端部での放電破壊を抑制できる。 (もっと読む)


【課題】製造コストを低減しながら、画素サイズの縮小化を図ることが可能であり、かつ、製造工程が複雑化するのを抑制することが可能な光電変換デバイスを提供する。
【解決手段】この光電変換デバイス100は、光電変換膜11を含む光電変換部10とトランジスタ部(有機TFT)20とを備えた画素がガラス基板1上に複数配置された画素アレイにおいて、トランジスタ部(有機TFT)20と光電変換部10とが、ガラス基板1上に並置されて形成されており、光電変換膜11は、溶媒に溶解可能な有機半導体材料からなる有機半導体膜を含むとともに、隣り合う画素の光電変換部10に渡って連続的に形成されている。 (もっと読む)


【課題】外部ストレスによる亀裂、ヒビ、カケなど外観上の不良を低減された半導体装置を提供することを課題の一とする。また、薄型化された半導体装置の製造歩留まりを向上させることを課題の一とする。
【解決手段】インターポーザ上に実装された複数の半導体集積回路を有する。複数の半導体集積回路はそれぞれ、光電変換素子と、側面に段差を有し幅寸法は段差よりも一方の面に向かう先の部分が小さい透光性基板と、透光性基板の他方の面に設けられた半導体素子層と、透光性基板の一方の面及び側面の一部を覆う有彩色の透光性樹脂層とを含む。複数の半導体集積回路において、有彩色の透光性樹脂層の色が異なる。 (もっと読む)


【課題】電荷読出時の出力信号のS/N比を向上させる。
【解決手段】電荷を蓄積する蓄積容量44及び蓄積容量44の一端に接続されたTFT46を備えた複数の画素部48がマトリクス状に配置されたTFT基板42の全面に、照射された放射線を電荷へ変換する電荷変換層が設けられた構成の放射線検出パネルにおいて、ゲート線52と交差する矢印B方向に沿って並ぶ画素部から各々構成される個々の画素部列に対応して、TFT46がオンした画素部48の蓄積容量44の一端を、オペアンプ98,コンデンサ100,102から成る複数のチャージアンプのうちの互いに異なるチャージアンプの入力端と導通させるデータ線54を矢印B方向に沿って複数設けると共に、電気的に互いに分離され、蓄積容量44の他端を個々の画素部列毎に異なるチャージアンプの入力端に接続する蓄積容量配線56を矢印B方向に沿って複数設ける。 (もっと読む)


【課題】 ホログラムなどの光学的変化パターンが被照射物に圧着や印刷されている領域で、反射された光を受光することにより、被照射物に対する真偽判別可能なイメージセンサを提供する。
【解決手段】 照射部に光を照射する複数の光学波長を有する一方の導光体光源と、一方の導光体光源と異なる照射角度から照射部に光を照射する他方の導光体光源と、他方の導光体光源の照射角度領域に沿って設けられ、他方の導光体光源を介して照射部に光を照射するアレイ状にLEDチップを搭載したLEDアレイ光源とを具備し、一方の導光体光源、他方の導光体光源及びLEDアレイ光源を選択的に点灯制御することにより、異なる角度から照射した光を受光し、被照射物のホログラム領域の電気信号を検出する。 (もっと読む)


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