【課題】光電変換素子が備える薄膜の平坦性を高くする。
【解決手段】基板２０と、該基板上に設けられた一対の電極３２、３４と、該一対の電極の間に設けられた少なくとも１層の機能層４４、７０とを有する光電変換素子１０の製造方法であって、光電変換素子の部材を形成する材料を含む液滴を該基板、該電極又は該機能層上に噴霧して電極又は機能層を形成する工程を有し、該工程において、第１のキャリアガスと第２のキャリアガスとを用いる光電変換素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】光触媒作用が向上した光触媒体及び光電極を提供する。
【解決手段】第１半導体層１０と、第１半導体層１０の伝導帯最下部のエネルギー準位より真空準位に近いエネルギー準位に伝導帯最下部のエネルギー準位を有する第２半導体１４と、硫化物１２と、を含み、硫化物１２が第１半導体層１０と第２半導体層１４の両方に接触した構成とする。 （もっと読む）

【課題】本発明は、動作電圧を低減させる高感度光電変換膜を用いた撮像デバイス及びこれを用いた撮像管を提供することを目的とする。
【解決手段】透光性基板１０と、
該透光性基板の一方の面に形成された導電膜１１と、
該導電膜側に設けられた光電変換層２２と、
該光電変換層の光電変換作用により生成された信号電荷を読み出す電荷読み出し手段３０と、を有する撮像デバイス４０であって、
前記光電変換層は、塩素を含有することを特徴とする撮像デバイス。 （もっと読む）

【課題】
単板式の積層型の撮像素子に含まれる有機光電変換膜の劣化を抑制することにより、量子効率の改善を図った撮像素子の製造方法、及び、撮像素子を提供することを課題とする。
【解決手段】
撮像素子の製造方法は、基板の上に第１波長の光に感度を有する第１受光部を形成する工程と、前記第１受光部の上に紫外線を吸収する第１紫外線吸収部を形成する工程と、前記第１紫外線吸収部の上に第２波長の光に感度を有する第２受光部を形成する工程と、前記第２受光部の上に紫外線を吸収する第２紫外線吸収部を形成する工程と、前記第２紫外線吸収部の上に第３波長の光に感度を有する第３受光部を形成する工程とを含む。 （もっと読む）

【課題】画素部の周辺回路におけるトランジスタ特性の劣化を抑制することが可能な放射線撮像装置および放射線撮像表示システムを提供する。
【解決手段】放射線撮像装置１は、基板１１上に、フォトダイオードを有する画素部１０Ａと、基板１１上の画素部１０Ａの周辺領域に配設され、画素部１０Ａを駆動する回路部１０Ｂと、画素部１０Ａ上に設けられ、放射線の波長をフォトダイオードの感度域の波長に変換するシンチレータ層２２とを備える。回路部１０Ｂは、シンチレータ層２２の端部２２ａに非対向の領域に設けられている。シンチレータ層２２の端部２２ａから水分が侵入してイオン化が生じた場合であっても、回路部１０Ｂにおけるトランジスタ（特にＤＣ駆動される領域のトランジスタ）において、上記イオン化による固定電荷の蓄積が抑制される。 （もっと読む）

【課題】放射線の検出感度を維持しつつ、電線と電極部との剥離を抑制できる。
【解決手段】検出可能領域上に充填される第１充填材444は、原子番号９以下の元素で構成されているので、原子番号９を超える元素で構成される場合に比して、放射線の透過性がよい。このため、検出可能領域において、放射線の検出感度が維持できる。また、バイアス電極401と電線とが接続される接続部は、弾性を有する第２充填材445が充填されているため、硬化性を有する充填材に比して、延長電極部431と高電圧線432との密着性が保て、高電圧線432と延長電極部431との剥離を抑制できる。このように、本実施形態では、延長電極部431と高電圧線432とが接続される接続部と検出可能領域とで充填材を使い分けることにより、放射線の検出感度を維持しつつ、高電圧線432と電極部との剥離を抑制する。 （もっと読む）

【課題】一方の面に入出射部及び第１電極を有し、他方の面に第２電極を有する光電変換素子が、生産性及びスペース効率に優れた簡単な接続構造にて基板に実装された光電変換モジュールを提供する。
【解決手段】光電変換モジュールは、透光性を有するとともに、実装面に基板側第１電極56及び基板側第２電極64を有する回路基板30と、回路基板30の実装面に実装される光電変換素子38であって、実装面と対向する第１の面にそれぞれ設けられた、入出射部及び基板側第１電極56に接続される素子側第１電極44を有するとともに、第１の面と反対側の第２の面に素子側第２電極62を有する光電変換素子38と、光電変換素子38と回路基板30との間に充填された充填部材40と、素子側第２電極62から基板側第２電極64に渡る膜状の導電部材42とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＣＺＴＳ等の硫化物系化合物半導体を光吸収層に用いた光電素子において、Ｃｄを含む材料を必要とすることなく、更に高い発電効率を得ること。
【解決手段】ｐ型半導体層である光吸収層１６と、バッファ層１８と、窓層２０と、を備える光電素子１０。光吸収層１６が、Ｃｕ、Ｚｎ、Ｓｎ及びＳを含む硫化物系化合物半導体の膜であり、バッファ層１８が、Ｉｎ_２Ｓ_３及びＩｎ（ＯＨ）_３を含む。 （もっと読む）

【課題】白傷欠陥の発生を抑制することができ、数画素に亘る感度低下を抑えることができる撮像素子を提供する。
【解決手段】基板上方で二次元状に配列された複数の下部電極１０４と、各下部電極１０４と対向して配置された上部電極１０８と、複数の下部電極１０４と上部電極１０８との間に配された光電変換層と、上部電極１０８の上方に配置され、該上部電極を覆う封止膜１１０と、上部電極１０８と封止膜１１０との間に配置された封止補助層１０９と、を備える撮像素子であって、封止膜１１０が複数の層で構成され、該封止膜全体の膜応力を緩和する応力緩和層を含み、封止補助層１０９は、真空蒸着法又はＣＶＤで形成された膜であり、厚さが５ｎｍ以上で、内部応力が１００ＭＰａ以下である。 （もっと読む）

【課題】高い曲線因子、開放電圧、および光電変換効率を有し、かつ耐久性を有する有機光電変換素子、それを用いた太陽電池、及び光センサアレイを提供する。
【解決手段】陰極、陽極、およびｐ型半導体材料とｎ型半導体材料が混合されたバルクヘテロジャンクション層を有する有機光電変換素子であって、前記陰極と陽極の間に、少なくとも下記一般式（１）で表される部分構造を有する化合物を含有する層を有する。


（式中、Ｘは酸素原子もしくは硫黄原子もしくはセレン原子を表し、ＹはＣ−Ｒ_２または窒素原子を表す。Ｒ_１、Ｒ_２は水素原子もしくは置換基を表す。Ｚ_１、Ｚ_２は炭素原子もしくは窒素原子を表す。） （もっと読む）

【課題】 良好な感度と良好な空間分解能を得ることが可能な積層構造の検出装置を提供する。
【解決手段】 基板１００上に、複数の変換素子と、基板と複数の変換素子との間に配置された複数のスイッチ素子２と、複数の変換素子と複数のスイッチ素子との間に配置された絶縁体１０６，１０８と、を有し、複数の変換素子が、互いに離間した複数の第１電極１と、複数の変換素子に渡って設けられた第２電極１１３と、複数の第１電極と第２電極との間に複数の変換素子に渡って配置された半導体層１１１と、を含み、絶縁体が、複数の第１電極の直下に位置する複数の第１領域と、複数の第１領域の間に位置する第２領域と、を含む検出装置であって、絶縁体の第２領域と半導体層とが接する部分の電位を第２電極の電位と第１電極の電位の間の電位に規定する電位が供給される第３電極が絶縁体の第２領域の内部に設けられている。 （もっと読む）

【課題】
光導電膜の厚膜化や光導電膜への印加電圧の過度な増大を伴わず、大幅に感度を向上させるとともに、高い光電変換効率と安定したアバランシェ増倍を両立できるアバランシェ増倍方式の撮像デバイスを提供する。
【解決手段】
光入射側に配設される第１透光性電極と、第１透光性電極に積層され、第１透光性電極を介して入射する入射光を光電変換する第１光電変換部と、第１光電変換部に積層され、第１光電変換部で生成される電荷が注入されて発光する第１電界発光薄膜部と、第１電界発光薄膜部に積層される第２透光性電極と、第２透光性電極に積層され、第１電界発光薄膜部で発光され第２透光性電極を透過した光を光電変換する第２光電変換部と、第２光電変換部で生成される信号電荷を２次元の画像信号として読み出す信号読み出し部とを含み、第１光電変換部又は第２光電変換部は光電変換部内で電荷のアバランシェ増倍を行う。 （もっと読む）

【課題】エネルギー高分解能でかつ放射線の撮像を可能とすると同時に高検出効率で高速の超伝導体放射線センサーを提供することである。
【解決手段】超伝導トンネル接合を用いた放射線センサーにおいて、単結晶基板上に共通の不感領域を取り囲まない７個以上の超伝導直列接合で検出素子を構成する、あるいは中心にエネルギー測定用の超伝導直列接合を設け、その外側に入射位置測定用の４つ以上の超伝導直列接合を設けて検出素子を構成する。 （もっと読む）

【課題】本発明は、輝度情報及びカラー情報を十分に取得することができ、高感度と良好な色再現性を両立できる積層型撮像素子を提供することを目的とする。
【解決手段】入力光を受光し、光学像の輝度成分を取得する第１の撮像素子１０と、
該第１の撮像素子の背面側に配置され、該第１の撮像素子を透過した透過光を受光し、前記光学像の色成分を取得する第２の撮像素子７０とを有し、
前記第２の撮像素子のサブピクセル７１の面積は、前記第１の撮像素子のピクセル１１の面積の２倍、３倍又は４倍であることを特徴とする （もっと読む）

【課題】コンパクトな設計が可能な光センサを提供する。
【解決手段】複数の光センサ画素がマトリクス状に配置された光センサアレイと、前記光センサアレイの下側に配置されたバックライトとを備え、前記光センサアレイは、表面遮光膜（例えば、Ａｌ膜）を有し、前記表面遮光膜は、前記各光センサ画素に被写体からの光が入射される入射孔と、前記入射孔の周囲に設けられ前記バックライトからの照射光を前記被写体に照射する通過孔とを有する。前記バックライトは、導光板と、前記導光板の側面に配置される光源とを有する。前記導光板の前記光センサアレイと反対側の面に配置される反射膜を有する。前記バックライトは、導光板と、前記導光板の前記光センサアレイと反対側の面に配置される光源とを有する。前記導光板の前記光センサアレイ側の面に配置される複数の光学シート類を有する。 （もっと読む）

【課題】放射線の照射領域を狭く設定された場合でも、放射線を確実に検出できる放射線検出素子及び放射線画像撮影装置を提供する。
【解決手段】放射線画像撮影用の画素２０Ａ及び放射線検出用の画素２０Ｂを走査配線１０１と信号配線３との交差部に対応して設けた。これにより、放射線検出用の画素２０Ｂが放射線画像が撮影可能な撮影領域に設けられているので、放射線の照射領域を狭く設定された場合でも、放射線を確実に検出できる。 （もっと読む）

【課題】電荷変換層の劣化を抑制すると共に、放射線検出器の製造最終工程まで、電荷変換層へバイアス電圧を印加するための電線が邪魔にならないようにする。
【解決手段】延長電極部431は、ガラス基板408上の光導電層の無い領域で、高電圧線432と電気的に接続されており、延長電極部431からバイアス電極401を介して光導電層404へバイアス電圧が印加される。このため、光導電層404へ付与される圧力が軽減され、光導電層404の劣化を抑制できる。また、高電圧線432と延長電極部431との接続が、ピン456及びプラグ446により行われるので、放射線検出器400の製造最終工程で、高電圧線432と延長電極部431とを接続することができ、放射線検出器400の製造最終工程まで、光導電層404へバイアス電圧を印加するための高電圧線432が邪魔とならない。 （もっと読む）

【課題】回路キャリアに実装されることができる小型の光モジュールを提供する。
【解決手段】光モジュール１００はキャリア基板１４０を具備する。キャリア基板は、第１面１４５上の第１電気接続端子１４３と、これら第１電気接続端子に電気接続された、第２面１４６上の第２電気接続端子１４１とを有する。第２電気接続端子は、回路キャリアに接続可能である。光モジュールは、第１電気接続端子を有する光透過性キャリア１１０と、この光透過性キャリアに電気接続された光素子１２０とをさらに具備する。光透過性キャリアは、対応する第１電気接続端子を通してキャリア基板に機械的及び電気的に接続される。光素子は、光透過性キャリアの第１面１１２に接続されると共に、第１面とは反対側の光透過性キャリアの第２面と対面する光結合部材まで又はこの光結合部材から、光透過性キャリアを通して光を受信又は送信するよう構成されている。 （もっと読む）

【課題】高い曲線因子を提供しうるフラーレン誘導体を含有する有機光電変換素子、太陽電池及び光センサアレイを提供する。
【解決手段】対極と透明電極の間に、少なくとも下記一般式（１）で表される化合物を含有する有機層を有することを特徴とする有機光電変換素子。（式中、ＦＬＮはフラーレンを表す。Ａは芳香族環を形成するに必要な原子群を表す。Ｒ_１は水素原子または置換基を表す。）
（もっと読む）

【課題】短絡電流密度と曲線因子の両立が可能な、光電変換効率の高い有機光電変換素子、この有機光電変換素子を用いた太陽電池及び光アレイセンサを提供することにある。
【解決手段】透明電極、対電極、及びｐ型半導体材料とｎ型半導体材料が混合されたバルクヘテロジャンクション層を有する有機光電変換素子において、前記バルクヘテロジャンクション層のｎ型有機半導体材料が、結晶性のフラーレン誘導体と、非晶性のフラーレン誘導体とを、１：９９〜９９：１の比率で混合した組成物であることを特徴とする有機光電変換素子。 （もっと読む）