【課題】画質の低下を回避する裏面照射型のCMOS型固体撮像素子を提供する。
【解決手段】固体撮像素子２１は、受光した光を電気信号に変換するＰＤ３２が平面的に配置された半導体基板４２と、半導体基板４２に入射する光の透過を制御するシャッター層４４とを備えて構成される。そして、半導体基板４２とシャッター層４４との間の間隔が、シャッター層４４に形成されるシャッター素子３３の間隔以下に設定される。また、シャッター層４４は、ＰＤ３２に対する光の入射角に応じて、光を遮光する箇所を調整する。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子の静電破壊を防止することができると共に、画像がぼけやすくなるのを防ぐことができる。
【解決手段】放射線検出器１０Ａは、基板１上に形成されたＴＦＴスイッチ４と、基板１上に形成され、照射された光に応じた電荷を発生する光電変換素子としての半導体層６と、半導体層６上に形成され、一部に帯電防止性を有する遮光部材３２が形成された平坦化層３４と、平坦化層３４上に形成され、照射された放射線に応じた光を発生するシンチレータ７０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子の静電破壊を防止することができると共に、発光層と光電変換基板との密着性を向上させることができる。
【解決手段】放射線検出器１０Ａは、基板１上に形成されたＴＦＴスイッチ４と、基板１上に形成され、照射された光に応じた電荷を発生する光電変換素子としての半導体層６と、半導体層６上に形成された平坦化層３４と、平坦化層３４上に形成されたメッシュ状の帯電防止層３２と、平坦化層３４及び帯電防止層３２上に形成され、照射された放射線に応じた光を発生するシンチレータ７０と、を備える。 （もっと読む）

【課題】 正確な軟Ｘ線の検出を行うことを目的とする。
【解決手段】 本発明に係る軟Ｘ線検出装置１００は半導体基板２を有する。半導体基板２には変換部３と回路部４とが配される。変換部３は例えばフォトダイオードである。変換部３では軟Ｘ線によって発生した電荷が収集される。回路部４には例えば増幅トランジスタ６が配される。増幅トランジスタ６は、変換部３からの信号を増幅して出力する増幅部である。回路部４の上部に遮蔽部７が配される。遮蔽部７が、回路部４に向かって入射する軟Ｘ線を遮蔽する。好適には、遮蔽部７を構成する材料の軟Ｘ線に対する遮蔽係数は、アルミニウム及び銅の軟Ｘ線に対する遮蔽係数よりも高い。または、遮蔽部７を構成する材料は原子番号が７０以上の元素によって構成される。 （もっと読む）

【課題】光センシング装置及びその駆動方法を提供する。
【解決手段】光センシング画素内の光センサートランジスタとスイッチトランジスタとが、それぞれ同じ構造の酸化物半導体トランジスタで形成される光センシング装置、及び前記光センシング装置の動作信頼性を向上させることができる駆動方法が提供される。光センシング装置によれば、光センシング画素内の光センサートランジスタとスイッチトランジスタとは、一つの基板上で同じ構造に隣接して形成され、スイッチトランジスタへの光の入射を防止するために、スイッチトランジスタの光入射面には光遮蔽膜がさらに配される。また、光センシング装置の駆動方法によれば、経時的なスイッチトランジスタのしきい電圧シフトを防止するために、光遮蔽膜には負（−）のバイアス電圧が印加される。 （もっと読む）

【課題】汎用性が向上された光センサを提供する。
【解決手段】複数の受光素子（１０）と、全ての受光素子（１０）それぞれの受光面に入射する光の入射角度が異なるように、光の入射角度を規定する規定部（２０）と、受光素子（１０）の出力信号に基づいて、光の入射角度を算出する算出部（３０）と、を備える光センサであって、全ての受光素子（１０）それぞれと算出部（３０）との間に設けられた選択スイッチ（４０）と、選択スイッチ（４０）の開閉を制御する制御部（５０）と、を有する （もっと読む）

【課題】特定の構造の化合物を光電変換素子に適用した場合に光電変換素子として機能し、かつ、その素子は低い暗電流を示し、かつ該素子を加熱した場合にも暗電流の増加幅を小さくすることが可能な光電変換素子及びそのような光電変換素子を備えた撮像素子を提供すること。
【解決手段】透明導電性膜と導電性膜との間に挟持された、光電変換層及び電子ブロッキング層を含む光電変換膜を有する光電変換素子であって、前記電子ブロッキング層が環構造を３つ以上含む置換アミノ基を置換基に有する化合物を含む事を特徴とする光電変換素子。 （もっと読む）

【課題】光電変換素子に適用した場合に高い光電変換効率を有する光電変換素子として機能し、かつ、暗電流の絶対値が小さく、かつ室温〜６０℃の温度下において、良好な特性を示す、有機光電変換素子を用いた固体撮像素子を提供する。さらに性能の温度依存性が十分小さい有機光電変換素子を提供する。
【解決手段】一対の電極と、前記一対の電極の間に挟持された光電変換層を含む光電変換素子であって、前記光電変換層がフラーレン又はフラーレン誘導体とｐ型有機半導体材料が混合されたバルクへテロ層であり、前記光電変換層のイオン化ポテンシャルが５．２ｅＶ以上５．６ｅＶ以下であり、前記一対の電極の少なくとも一方の電極と、前記光電変換層との間に、少なくとも一層の電子ブロッキング層を備え、光電変換層と隣接する前記電子ブロッキング層のイオン化ポテンシャルが前記光電変換層のイオン化ポテンシャルよりも大きいことを特徴とする光電変換素子。 （もっと読む）

【課題】可変抵抗素子の抵抗値を簡易に制御する。
【課題を解決するための手段】抵抗制御装置は、ＤＸセンタを形成可能な不純物を含む可変抵抗素子と、可変抵抗素子の温度を制御する温度制御装置と、可変抵抗素子に光を照射する光源と、光源以外からの可変抵抗素子への光の照射を遮蔽する遮蔽体と、を備え、不純物がＤＸセンタを形成可能となる温度以下に可変抵抗素子を冷却するとともに、可変抵抗素子に光を照射してＤＸセンタをイオン化させることにより可変抵抗素子の抵抗値を制御する。 （もっと読む）

【課題】固体撮像装置において、画素が微細化されても混色抑制する。
【解決手段】各画素に対応して形成された各色フィルタ成分３６から成るオンチップカラーフィルタ３８と、隣接する各色フィルタ成分３６の境界に形成された遮光体３７を有する。さらに、各色フィルタ成分３６の直下に、セルフアラインにより形成された下凸レンズ３９を有する。 （もっと読む）

【課題】複数の光電素子を備える場合であっても、光電素子間の距離及びレンズ間の距離を狭めることで小型化することができる光通信モジュールを提供する。
【解決手段】ＯＳＡ１のベース１０、受信用レンズ面１５、送信用レンズ面１６及び柱部１７等を透光性の合成樹脂で一体成形する構成とすることにより、受信用レンズ面１５及び送信用レンズ面１６の間の距離を短くすることができ、ＯＳＡ１を小型に製造することができる。また、送信用レンズ面１６をベース１０に突設された柱部１７の突端に設け、受信用レンズ面１５及び送信用レンズ面１６の間の柱部１７の周面を平面１７ａとすることにより、平面１７ａを境にして光を反射させることができるため、送信側から受信側へ、及び、受信側から送信側へ光が漏れることを防止できる。 （もっと読む）

【課題】光透過性基板を用いても、光リーク電流の発生による特性低下を確実に防止するとともに、安価で容易に大型化が可能な光電変換装置を提供する。
【解決手段】下電極４１（第一電極）、ソース配線１６、ゲート配線２１は、それぞれ遮光性を有する導電性材料から形成される。これによって、下電極４１（第一電極）、ソース配線１６、及びゲート配線２１は、本発明における遮光層を形成する。下電極４１（第一電極）、ソース配線１６、及びゲート配線２１は、イメージセンサー１の厚み方向Ｔにおいて、互いに異なる２以上の位置（レベル）で広がるように形成されている。しかも、その一部は厚み方向Ｔにおいて互いに重なり合うように形成されている。 （もっと読む）

【課題】 Ｘ線検出におけるノイズ光の検出の影響を抑制することが可能なＸ線撮像装置を提供する。
【解決手段】 入射したＸ線を検出する複数の検出画素が配列されたＸ線検出部が一方の面１１側に設けられ、他方の面１２がＸ線入射面となっている裏面入射型の固体撮像素子１０と、撮像素子１０の入射面１２上に設けられ、検出対象となるＸ線よりも長波長の光の遮蔽に用いられる遮蔽層２０とによってＸ線撮像装置１を構成する。遮蔽層２０は、入射面１２上に直接に設けられる第１アルミニウム層２１と、第１アルミニウム層２１上に設けられる第２アルミニウム層２２と、第１、第２アルミニウム層２１、２２の間に設けられ、紫外光の遮蔽に用いられる紫外光遮蔽層２５とを有する。 （もっと読む）

【課題】 後方散乱による画質劣化を低減しながらも、放射線の漏洩を防止することが可能なフラットパネル型放射線検出器を提供すること。
【解決手段】 フラットパネル型放射線検出器は、放射線変換膜１１と、ＴＦＴ１２と、原子番号が１２以上３０以下の金属または実効原子番号１２以上３０以下の合金からなり、そこに直接入射した放射線は通過させるが散乱した放射線は通過させない第１金属板１３と、原子番号が７３以上の金属または実効原子番号７３以上の合金からなり、放射線を通過させない第２金属板１４と、電気回路基板１５とが、この順に積層された構成を有する。 （もっと読む）

【課題】カラーフィルタの上面を平坦化して精度良く所定の膜厚にすることが可能な光電変換装置を提供する。
【解決手段】半導体基板１３の上面１３ａには、下部電極１４、有機光電変換材料からなる中間層１５、上部電極１６、透明絶縁層１７、第１〜第３の着色層７５，７９，８３が順次積層され、下部電極１４、中間層１５、上部電極１６、第１〜第３の着色層７５，７９，８３が重なり合う有効画素領域の外側に研磨ストッパー層１８が形成されている。第１〜第３の着色層７５，７９，８３を研磨処理で平坦化する際、研磨ストッパー層１８が露出するまで平坦化するので容易に終点検出を行うことができる。 （もっと読む）

【課題】 信号読出し基板上の省スペース化を図ることができる放射線検出器を提供する。
【解決手段】 放射線検出器１においては、共通電極１８に導電性接着剤３１によって給電線２２が接続されているので、共通電極１８に給電線２２を電気的に接続するために信号読出し基板２上に所定のスペースを確保することが不要となる。そして、多孔質状の光導電層１７において信号読出し基板２と導電性接着剤３１との間に位置する部分に電気絶縁材３２が入り込んでいるため、製造時等に導電性接着剤３１が光導電層１７に染み込むことに起因して画素電極７と共通電極１８とが短絡するのを防止することができる。従って、放射線検出器１によれば、共通電極１８に給電線２２を直接接続して、信号読出し基板２上の省スペース化を図ることが可能となる。 （もっと読む）

【課題】波長変換層により変換された光を検出して放射線画像を表す画像信号に変換する放射線画像検出器において、感度劣化や画像のボケを生じることなく、かつ後方散乱線の影響を防止する。
【解決手段】放射線の照射を受けてその放射線をより長波長の光に変換する波長変換層３２と、波長変換層３２により変換された光を検出して放射線画像を表す画像信号に変換する検出器３１とが積層された放射線画像検出器３において、波長変換層３２の検出器３１側とは反対側に放射線を吸収する放射線吸収層３５を設ける。 （もっと読む）

【課題】高光電変換効率、低暗電流性、高速応答性を示す新規な有機半導体を提供する。
【解決手段】薄膜からなる有機半導体において、薄膜が下記の一般式（Ｉ）で示される化合物を含んでなる有機半導体。
一般式（Ｉ）


式中、Ａ_１はＯ、Ｓ又はＮ−Ｒ_１５を表す。Ｒ_１１、Ｒ_１２、Ｒ_１３、Ｒ_１４、Ｒ_１５はそれぞれ独立に、水素原子又は置換基を表し、Ｒ_１１、Ｒ_１２は連結して環を形成してもよい。Ｂ_１は少なくとも一つの窒素原子を含む環構造を表す。ｎ１は０〜２の整数を表す。 （もっと読む）

【課題】ビーム入射角を高精度で検出することができる小形軽量のビーム入射角検出センサユニット、ビーム入射角測定ユニット、ビーム入射角検出装置および移動装置を提供する。
【解決手段】ビームを遮蔽する第１のビーム遮蔽層本体に、ビームが入射可能の第１のスリット１１Ｃｂを形成した第１のビーム遮蔽層１１Ｃと、この第１のビーム遮蔽層１１Ｃに所定間隔を置いて対向配置される第２のビーム遮蔽層本体に、その平面方向に沿う横方向へ前記第１のスリット１１Ｃｂに対して相対的にずれた位置にて第２のスリット１２Ｃｂを形成した第２のビーム遮蔽層１２と、前記第１，第２のスリット１１Ｃｂ，１２Ｃｂから入射されたビームを検出するセンサ素子を有するセンサ層１３Ｃと、を具備している。 （もっと読む）

【課題】光電変換領域に入射する斜入射成分が軽減され、スミアの発生による画像の劣化が抑制された固体撮像装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】固体撮像装置は、光電変換領域２が形成された半導体基板１と、半導体基板１の上方に光電変換領域２を覆うように形成され、外光を光電変換領域２に集光させ、凸状の上面を有する第１のマイクロレンズ９と、第１のマイクロレンズ９の上方に形成され、外光を第１のマイクロレンズ９に集光させ、凸状の上面を有する第２のマイクロレンズ１３ａとを備えている。第１のマイクロレンズ９及び第２のマイクロレンズ１３ａのいずれか一方の頂部であって、光電変換領域２の直上方に位置する領域には平坦面１６が形成されている。 （もっと読む）