【課題】 フレキ基板に実装した製品にベンディングが掛かると電極端子が剥がれ易い。
【解決手段】 回路基板１上に実装された発光素子、受光素子などよりなる光素子に接続される回路部と、回路基板の側面から光素子の実装面の裏面にかけて形成され、光素子および回路部に導電パターンを介して接続される複数個の実装用電極２と、光素子および回路部を封止する透光性樹脂４と、光素子に対応する位置に透孔部と、実装用電極２が形成されている面に対応する部分に開口部を有し、光素子および回路部を覆い、実装用電極２が形成されている面に対して面一となるように、外部プリント基板７に半田付けするためのケース端子５ｅを両サイドに形成するシールドカバー５とを有し、複数個の実装用電極２を拡大し（幅方向α、高さ方向β）、該電極の外周をレジストで押さえると共に、ケース端子５ｅと実装用電極２を半田６などにより外部プリント基板７に固着する。 （もっと読む）

【課題】 リード端子を鉛フリーのリフローが可能な表面実装タイプとする。
【解決手段】 フォトリフレクタ１のハウジング２には上方と前方に開口する受発光デバイス３を収納する収納凹部２ａが形成されており、両側壁には受発光デバイス３の配線基板４が挿入される溝部２ｂが形成されている。ハウジング２の底部に一部が埋設された複数のリードフレーム９には、バネ性を有する接点部９ａが底部に形成された開口部３ｃから上方へ突出しており、棒状部９ｂは前面から突出している。配線基板４には配線パターン４ａが形成され、配線基板４表面に搭載された封止樹脂７で封止された受発光素子から配線基板４側面を経由して裏面まで配設されている。受発光デバイス３がハウジング２に収納されたときに、配線パターン４ａはリードフレーム９の接点部９ａと導通する。 （もっと読む）

【課題】 小型化が可能で、位置決めを正確に行うことができ、比較的安価に製造でき、しかも、放熱性能が比較的高いオプトデバイスを提供すること。
【解決手段】 光半導体素子４と複数のリードフレーム２をモールド樹脂１で封止し、モールド樹脂１の表面に形成した凹部９に、モールド樹脂１よりも熱伝導率が高い熱伝導部材８を配置する。凹部９の内側面に、リードフレーム２のインナーリードフレーム２ｂの部分を露出させて、熱伝導部材８をインナーリードフレーム２ｂに接触させる。光半導体素子４で生成された熱が、この光半導体素子４が搭載されたインナーリードフレーム２ｂから、熱伝導部材８を介して他のインナーリードフレーム２ｂに伝達される。インナーリードフレーム２ｂを介してモールド樹脂１の全体に熱が伝達されるので、温度分布の偏りが小さくなる。 （もっと読む）

センサＩＣが電気的に接続される第１のＱＦＮタイプのリードフレームを含む画像センサ装置。第２のリードフレームがレンズを保持するために設置されている。第３のリードフレームが、レンズからＩＣを適当に分離するために第１および第２のリードフレーム間に位置する。リードフレーム・パネルを使用することにより、複数のセンサ装置が同時に組み立てられる。
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本発明は、ビーム発光性及び／又はビーム受光性の半導体チップと、プラスチック成形部と、外部電気端子を有しているビーム発光型及び／又はビーム受光型半導体構成素子に関している。前記プラスチック成形部は、半導体構成素子によって発光及び／又は受光される電磁ビームに対して透過性であり、さらに当該プラスチック成形部と共に半導体チップが少なくとも部分的に変形されており、前記外部電気端子は、半導体チップの電気的コンタクト面と電気的に接続されている。前記プラスチック成形部は、硬化反応性のシリコン成形材料からなっている。さらに本発明はそのような半導体構成素子の製造方法にも関している。
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基板および電気的活性領域を有する電子デバイス用に有用な封入アセンブリが記載され、封入アセンブリは、バリヤーシートおよび前記シートから伸張するバリヤー構造体を含んでなり、バリヤー構造体は、電子デバイス上で使用されるとき、電子デバイスを実質的に密封するように構成される。いくつかの実施形態では、バリヤー構造体は、封入アセンブリを電子デバイスに接合するために、接着剤と共に使用されるように設計される。場合によりゲッタリング材料を使用できる。

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【課題】半導体受光素子やこれらを駆動する電子部品からなる集積回路が複数組み込まれた半導体装置において、その装置サイズや実装のためのスペースを拡張することなく、前記集積回路内で発生した熱を素早く放出することのできる半導体装置を提供することである。
【解決手段】素子基板２２と、この素子基板２２の表面に形成され、複数の半導体受光素子等からなる光電子集積回路２５が実装されるダイボンドパターン部２４と、このダイボンドパターン部２４の所定の箇所から素子基板２２の裏面に延びる複数のサーマルビア２６と、前記素子基板２２の裏面に形成され、前記サーマルビア２６の下端に接する薄板状のサーマルランド２７とを備え、前記素子基板２２の側面に形成される側面放熱部３３を介して前記ダイボンドパターン部２４とサーマルランド２７とを連結させることで、前記光電子集積回路２５内で発生した熱を外部に放出させるようにした。 （もっと読む）

【課題】 軽薄化、小型化を達成しつつ、高い信頼性を持つＣＯＧ（Chip On Glass）ＣＭＯＳイメージセンサモジュール及びその製造方法を提供する。
【解決手段】 透明媒質１８の対面に一定パターンのメッキを形成するステップと、メッキパターンが形成された透明媒質の対面にイメージセンサチップのパターン部及びフレキシブルＰＣＢ１６と電気的に接続する１次及び２次金バンプ１３，１４を形成するステップと、１次金バンプとイメージチップのパターンを電気的に接続するようにボンディングする１次ボンディングステップと、フレキシブルＰＣＢのパターン部と第２ステップを通じて形成された２次金バンプを電気的に接続するように超音波と熱を利用してボンディングする２次ボンディングステップと、フレキシブルＰＣＢにイメージチップが実装された後面を、エポキシ樹脂１９を利用してモールディングするステップとを含む。 （もっと読む）

【課題】 製造コスト的に有利に、可視光の光量を反映した照度を測定することができる技術を提供する。
【解決手段】 照度センサチップにおいて、第１半導体層と、上記第１半導体層に接合された第２半導体層と、を有し、上記第１半導体層と上記第２半導体層との接合部分に上記第２半導体層を介して光が入射した場合に、上記接合部分への入射光量に応じた電気信号を出力するように構成し、上記第２半導体層の厚みを、上記電気信号の出力量を基準とした分光感度特性におけるピーク感度波長が、可視光の波長範囲（たとえば５８０〜６００ｎｍ）となるように、たとえば２〜４μｍ設定した。第２半導体層をシリコン半導体として構成するとともに、照度センサを、ｎｐｎ接合を有するフォトトランジスタとして構成する。 （もっと読む）

【課題】小型、高周波、高性能光導電リレーの提供。
【解決手段】本発明の光導電リレー（１００）は、半導体発光素子（１０１）と、該発光素子の発光面から発生する駆動光を受光する受光面を備えた光導電スイッチ素子（１０２）と、前記発光面と前記受光面とを対向させて固定接続するための導電柱（１０３）を３本以上備え、前記発光面と受光面との距離を１００μｍ以下にしている。 （もっと読む）