【課題】 従来に比べて小型で、素子機能部間で、高い周波数の信号を高精度に伝送することができる集積型半導体装置を提供する。
【解決手段】 サファイア単結晶基板１０と、サファイア単結晶基板１０の一方主面１０Ａに第１素子機能部２２を備え、他方主面１０Ｂに第２素子機能部３２を備え、第１素子機能部２２が光を発光し、第２素子機能部３２がサファイア単結晶基板１０を透過した光を受光することで、高い周波数の信号を精度良く伝送する。 （もっと読む）

【課題】放出光のピーク波長範囲の外側の発光スペクトル強度が低減された半導体発光装置およびそれを用いた光結合装置を提供する。
【解決手段】半導体発光素子は、発光層と、第１の層と、第２の層と、分布ブラッグ反射層と、を有する。発光層は、第１の面および第２の面を有し、７４０ｎｍ以上８３０ｎｍ以下の波長範囲にピーク波長を有する放出光を放出可能である。第１の層は、前記発光層の前記第１の面の側に設けられ、第１導電形を有し、前記発光層の反対の側に設けられた光取り出し面を有する。第２の層は、前記発光層の前記第２の面の側に設けられ、第２導電形を有する。分布ブラッグ反射層は、前記第２の層の前記発光層とは反対の側に設けられ、第２導電形を有する分布ブラッグ反射層であって、前記光取り出し面に向けて前記放出光を反射可能である。また、第３および第４の層は、前記ピーク波長よりも短いバンドギャップ波長をそれぞれ有する。 （もっと読む）

【課題】小型化と出力容量の低下を同時に図る。
【解決手段】従来の半導体装置では、ドレイン領域やソース領域の深さが活性層の厚みよりも浅く(薄く)なっていた。これに対して本実施形態の半導体装置１では、活性層３の厚みを薄くしてドレイン領域４Ａ，４Ｂやソース領域５Ａ，５Ｂの深さを活性層３の厚みと同じにしている。その結果、Ｎ型のドレイン領域４Ａ，４Ｂ及びソース領域５Ａ，５ＢとＰ型のベース領域７Ａ，７ＢとのＰＮ接合の接合面積が従来よりも減少するので、当該ＰＮ接合に生じる出力容量Cossの低下を図ることができる。しかも、特許文献１記載の従来例に比べて、２つのダイオードや配線パターンが不要であるから小型化を図ることもできる。 （もっと読む）

【課題】 既存のハードウェア構成を極力変更せず、ＯＮ抵抗の切替後の変動を迅速に収束させることが可能な信号処理回路を提供する。
【解決手段】 本発明の代表的な構成は、波形発生器または波形測定器に適用される信号処理回路１００であって、信号経路の切替を行う半導体リレー１２０ａ〜１２０ｌと、信号経路上の半導体リレー１２０ａ〜１２０ｌに、波形発生時または波形測定時に流れる電流よりも大きな電流をその直前に一時的に流す制御部１４２と、を含むことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】高周波電気信号に影響が出ない形態でモニタＰＤを実装したセラミックパッケージ型の光送信モジュールを提供する。
【解決手段】光送信モジュール１は、ＬＤ３が実装される底部セラミック基板１１上に、ＬＤ１１の側方を囲うセラミック製のパッケージフレーム１２が設けられ、その上に光学窓付きの蓋１４が取付けられて成るパッケージ２内に、ＬＤ３及びモニタ用のＰＤ４を封止すると共に、底部セラミック基板１１と平行な光軸を有するＬＤ３の前端面３ａからの光を反射部材で反射させ光学窓から出射させる。パッケージフレーム２が、ＬＤ３の後方の部分に、ＬＤ３に対する信号ライン１５ｂが形成された信号供給基板１５と、信号ライン１５ｂを間に挟んで互いに対向する段差部１６と、を有し、モニタＰＤ４が、対向する段差部１６の間を橋架するように取付けられたサブマウント７に実装されている。 （もっと読む）

【課題】高周波特性を向上させるとともに、発光素子と制御素子を封止する透光性樹脂の形状を所望の形状に保持しやすい半導体リレーモジュールを提供する。
【解決手段】半導体リレーモジュールＡは、ソース電極同士が接続されたＭＯＳＦＥＴ１１，１２からなり、高周波信号用の信号伝送線路１１０の途中に設けられた半導体スイッチ１と、入力信号に応じて光信号を発光する発光ダイオード３１と、発光ダイオード３１からの光信号を受光する受光素子を有し当該受光素子の出力に応じてＭＯＳＦＥＴ１１，１２のオン／オフを制御する制御ＩＣ３２と、制御ＩＣ３２が備える受光素子および発光ダイオード３１を光学的に結合させた状態で樹脂封止する透光性樹脂８を備える。制御ＩＣ３２は、信号伝送線路１１０を構成する導体パターン１１３から分岐させたランド１３２上に配置され、導体パターン１１３とランド１３２との間にはＬＰＦ４が挿入される。 （もっと読む）

【課題】 安価なガラス基板を用い、情報量の増加に対応でき、なおかつ高性能
で高速動作が可能な集積回路を有する半導体装置の提供を課題とする。
【解決手段】 集積回路を構成する種々の回路を複数のガラス基板上に形成し、
各ガラス基板間の信号の伝送は、光信号を用いる所謂光インターコネクションで
行なう。具体的には、あるガラス基板に形成された上段の回路の出力側に発光素
子を設け、別のガラス基板に形成された後段の回路の入力側に、該発光素子と対
向するように受光素子を形成する。そして上段の回路から出力された電気信号か
ら変換された光信号が発光素子から出力され、該光信号を受光素子が電気信号に
変換し、後段の回路に入力される。 （もっと読む）

【課題】多重チャネルを含む高速光配線素子を提供する。
【解決手段】高速光配線素子が提供される。高速光配線素子は、ＳＯＩ基板上の第１半導体チップと、ＳＯＩ基板上の前記第１半導体チップから電気信号を受信して光信号を出力する光放出器と、ＳＯＩ基板上の前記光信号を感知して電気信号に変換する光検出器と、ＳＯＩ基板上の前記光検出器によって変換された電気信号を受信する第２半導体チップとを含む。 （もっと読む）

【課題】 信号の伝送歪み及び伝送ロスを減少することができる光電子集積回路装置を提供することを第一の目的とする。また、信号の伝送遅延時間を短縮することができる光電子集積回路装置を提供することを第二の目的とする。
【解決手段】 電気回路部１１と、光学的出力端子部１２と、光学的入力端子部１０とを含む第一光電子集積回路（１−１）及び第二光電子集積回路（１−２）で構成されており、該第一光電子集積回路（１−１）及び第二光電子集積回路（１−２）が夫々の光学的出力端子部１２と光学的入力端子部１０とが向き合うように配置されることにより、複数の光電子集積回路装置１間の信号伝送を光信号で行うことが可能となり、信号の伝送歪み及び伝送ロスを減少できると共に、信号の伝送遅延時間を短縮することができる。 （もっと読む）

【課題】発光部と受光部とを有する光送受信装置において、複雑な工程を得ることなく高効率で偏波制御可能な構造を実現する。
【解決手段】基板１０に近接して発光部１２０と受光部１３０とが形成されている。発光部１２０と受光部１３０とは互いに独立して駆動可能であり、受光部１３０の上部には不純物拡散領域１３９が形成されている。受光部１３０は高効率で光を受信することができ、発光部１２０と受光部１３０の表面に偏波を制御するために必要な微小構造を形成することができ、高効率且つ偏波制御が可能な光送受信装置を得ることができる。 （もっと読む）

【課題】発光素子の応答性を上げることが可能な光結合装置回路及び光結合装置を提供する。
【解決手段】スピードアップ回路１４をなす並列に接続されたコンデンサ１２及び抵抗１３を介して入力された駆動信号によって発光制御される発光素子１７と、スピードアップ回路３４をなす並列に接続されたコンデンサ３２及び抵抗３３を介して入力されたこの駆動信号と逆相の信号により制御される発光素子３７と、発光素子１７、３７とそれぞれ絶縁され、発光素子１７、３７の発光信号に応動し、互いに直列接続されたフォトトランジスタ２１、４１とを備える。 （もっと読む）

【課題】キャリアの走行時間の増大を最低限に抑制しつつ、容量を低減することの可能な半導体受光素子を提供する。
【解決手段】半導体積層構造２０は、第１導電型層１１と、光吸収層１２と、光入射面１３Ａを有する第２導電型層１３とを半導体基板１０側から順に含んで構成されている。半導体積層構造２０のうち第１導電型層１１の一部と、光吸収層１２とにより柱状のメサ部１４が構成されており、光吸収層１２の内部に、または第１導電型層１１と光吸収層１２との間に酸化層１９が設けられている。酸化層１９は、光入射面１３Ａとの対向領域内に設けられた非酸化領域１９Ａと、非酸化領域１９Ａの周囲に設けられた環形状の酸化領域１９Ｂとを積層面内に有しており、酸化領域１９Ｂの比誘電率が、他の層（第１導電型層１１、光吸収層１２、第２導電型層１３）の比誘電率よりも小さくなっている。 （もっと読む）

【課題】スイッチング速度が速く、集積化に適した光半導体リレーを提供する。
【解決手段】発光素子１１と、受光素子１３と、光起電力が印加されて、ゲート・ソース間が充電されることによりドレイン・ソース間のインピーダンスが変化する出力ＭＯＳトランジスタ１５を有する出力部１６と、第１電極が出力ＭＯＳトランジスタ１５のゲートに接続され、第２電極が抵抗を介して受光素子１３のカソードに接続され、制御電極がカソードに接続された制御トランジスタ１８と、第１電極が出力ＭＯＳトランジスタ１５のゲートに接続され、第２電極が絶縁ゲート出力ＭＯＳトランジスタ１５のソースに接続され、制御電極が制御トランジスタ１８の第２電極に接続されたトランジスタ１９と、制御トランジスタ１８の第２電極と、放電トランジスタ１９の第２電極との間に接続されたダイオード２０と、を具備する。 （もっと読む）

【課題】 電気的な絶縁を必要とするプリント基板間でギガビット帯の信号を伝送できるモジュール型測定器のデータ転送装置を提供する。
【解決手段】 Ｇbps帯の信号をプリント基板間で伝送させるデータ伝送装置において、
前記プリント基板の端部に設けられ、表面に絶縁膜が施された一対のコネクタと、
この一対のコネクタの一方に設けられた半導体レーザと、
前記一対のコネクタの他方に設けられ、前記半導体レーザから入射された光を受光するフォトダイオードと
を設ける。 （もっと読む）

【課題】オンオフ動作時に出力端子間に発生する過渡電圧を低減する。
【解決手段】一対の入力端子ＩＮ１、ＩＮ２と、一対の出力端子ＯＵＴ１、ＯＵＴ２と、出力端子間に接続されたＭＯＳＦＥＴＮ１、Ｎ２と、入力端子ＩＮ１、ＩＮ２とＭＯＳＦＥＴＮ１、Ｎ２との間に接続された駆動回路１０とを備える。入力端子ＩＮ１、ＩＮ２間には、発光素子Ｄ１が接続される。ＭＯＳＦＥＴＮ１、Ｎ２は、それぞれのソース電極同士を相互に電気的に接続し、それぞれのドレインを出力端子ＯＵＴ１、ＯＵＴ２に接続する。駆動回路１０は、ＭＯＳＦＥＴＮ１、Ｎ２のゲートに駆動電圧を与えるフォトダイオードアレイＦＤ１と、ＭＯＳＦＥＴＮ１、Ｎ２のゲート・ソース電極間に接続され、それぞれのゲート電極に蓄積される電荷を放電するための放電回路１１と、を含む。 （もっと読む）

【課題】複数の信号系統での信号の転送を可能とする非接触の信号転送装置を提供する。
【解決手段】回転軸１３回りに相対的に回転可能な支持台５１と回転体５２との間で信号を転送すべく送信機構１１と受信機構１２とを備える信号転送装置１０である。送信機構１１は、支持台５１と回転体５２との相対的な回転により受信機構１２に対して回転軸１３回りに回転される発光部１４を有し、発光部１４が、受信機構１２に対して回転軸１３回りに回転されている際に受信機構１２へ向けて光束を出射することにより、回転軸１３に直交する照射面１８上に回転軸１３を取り巻く環状の照射領域１９を形成可能とされ、受信機構１２は、発光部１４の受信機構１２に対する回転軸１３回りの回転位置に拘わらず発光部１４から出射された光束を受光可能に照射領域１９に対応して配置された受光部２２を有する。 （もっと読む）

【課題】オン・オフ動作の高速な半導体リレー装置を提供する。
【解決手段】駆動電流Ｉｄの供給によって発光する発光ダイオード２と、発光ダイオード２からの光を受光して光起電力Ｖ１を発生するフォトダイオードアレイ３と、制御電流Ｉｓの供給によって発光する発光ダイオード５ａと、光起電力Ｖ１を作動用電力として作動すると共に発光ダイオード５ａからの光を受光して駆動信号Ｓｄを発生する受光ＩＣ５ｂと、駆動信号Ｓｄに基づいてオン・オフする第１ＭＯＳＦＥＴ８および第２ＭＯＳＦＥＴ９とを備えている。 （もっと読む）

【課題】信頼性を確保しつつ小型化が可能な光結合装置を提供する。
【解決手段】第１の主面に凹部が設けられた第１の基板と、前記第１の基板の前記第１の主面上に設けられた第１の配線パターン、第２の配線パターン、第３の配線パターン、及び第４の配線パターンと、前記第１の主面に接合された第２の基板と、前記第１の主面と前記第２の基板とが接合されて形成された内部空間に設けられ、前記第１及び第２の配線パターンと電気的に接続され前記第１及び第２の基板により遮光される波長の光を放射する第１の発光素子と、前記内部空間に設けられ、前記第３及び第４の配線パターンと電気的に接続され前記第１の発光素子から放射される前記光を受光する受光素子と、を備え、前記第１の発光素子から放射された前記光の少なくとも一部は、前記第２の基板により反射されて前記受光素子に入射することを特徴とする光結合装置が提供される。 （もっと読む）

【課題】充分小さい遅延時間で、ゲート信号などを伝達できるようにする。
【解決手段】フォトカプラ１を用いた信号伝送回路と、パルストランス４を用いた信号伝送回路とを入力部においてそれぞれ並列に接続し、出力部においてフォトカプラによる信号伝送回路の出力と、パルストランスによる信号伝送回路の出力とが互いに加算されるように接続することで、フォトカプラ１による遅延時間をパルストランス４により補償し、遅れ時間を小さくする。 （もっと読む）

【課題】中空箱型状のパッケージ体で構成された光結合型半導体リレーにおいて、簡易な方法で電磁波ノイズを遮断できるようにする。
【解決手段】上面を開口した中空箱体３と、上面の開口３ｄに被せられる蓋板２とを組み合わせて、中空箱型状のパッケージ体１を構成し、少なくとも発光素子４と受光素子５とを、パッケージ体１の内面となる蓋板２の裏内面２ａと、箱体３の内底面３ｃとに相対的に対向配置させ、かつパッケージ体１の内面と外底面に所定の配線パターン７ａ、７ｂを配設した光結合型半導体リレー２０において、パッケージ体１は、配線パターン７ａ、７ｂと接触しないようにして、導電性のシールド膜で形成された外皮６を備えている。 （もっと読む）