【課題】取付け場所の制約が少なく、かつ、高価な生産設備を必要とすることなく製造できるワイヤレス光結合検出装置を実現する。
【解決手段】ワイヤレス光結合検出装置は、光を出射する発光素子部４と、発光素子部４からの光を受信したか否かに応じて対象物の有無を検出し、検出データを生成する受光素子部８と、電力受信用コイル９と、信号送信用アンテナ１０とを備えている。電力受信用コイル１０は、外部からの電波を受けることによって誘電電流を発生させ、該誘電電流を発光素子部４および受光素子部８を駆動するための駆動電流として供給する。信号送信用アンテナ１０は、受光素子部８が生成する検出データを外部にワイヤレス送信する。 （もっと読む）

【課題】電子部品を再利用（リユース）する場合に、電子部品を搭載する電子機器の製品メーカー又は電子機器のリユース専業企業自身が発光素子の残り寿命を算出し、再利用（リユース）を進める上の仕組みを提供し得る電子部品及び電子機器、並びに電子部品の再利用方法を提供する。
【解決手段】透過型フォトインタラプタ１は発光素子１０を備える、発光素子１０は、主となる主ＬＥＤ１１と、その近傍に設けられて主ＬＥＤ１１の残り寿命を算出するための副ＬＥＤ１２とを備えている。 （もっと読む）

【課題】チャネル間のクロストークを抑制し、絶縁耐圧を向上できる半導体装置とその製造方法を提供する。
【解決手段】半導体装置は、第１の発光素子７ａと、第１の発光素子に電気的に接続されたリードの一部と、第１の発光素子が放射する光を検知する第１の受光素子１３ａと、第１の受光素子に電気的に接続されたリードの一部と、を第１の樹脂で覆った第１の成型体９ａを備える。同様、第２の発光素子７ｂと、第２の発光素子に電気的に接続されたリードの一部と、第２の受光素子１３ｂと、第２の受光素子に電気的に接続されたリードの一部とを、前記第１の樹脂で覆った第２の成型体９ｂを備える。そして、第１の成型体と第２の成型体とを一体に成型した第３の成型体３を備える。第１の成型体と第２の成型体とに跨って配置されたリードのうちの、第１の成型体と第２の成型体との間に延在する部分の表面が、前記第１の樹脂からなる薄膜９ｃに覆われている。 （もっと読む）

【課題】実施形態は、光出力の駆動電流に対する線形性を向上させた発光素子を提供する。
【解決手段】実施形態は、ＧａＡｓ系化合物半導体を材料とし発光波長のピークが９５０ｎｍ〜９８０ｎｍの範囲にある発光素子であって、第１導電形の第１半導体層と、前記第１半導体層の上に設けられた第２導電形の第２半導体層と、を備える。さらに、前記第２半導体層の上に設けられた第１電極と、前記第１半導体層に電気的に接続された第２電極と、を備える。そして、前記第２半導体層の平面視におけるチップ面積が、０．１５ｍｍ×０.１５ｍｍ以下である。 （もっと読む）

【課題】低背化が可能であり、部品点数を低減できるようにしたフォトカプラを提供する。
【解決手段】配線基板１と、配線基板１の表面１ａ上に接合されたＩＲ発光装置６０と、配線基板１の表面１ａ上であってＩＲ発光装置６０から離れた位置に接合されたＩＲ受光装置５０と、を備え、配線基板１の表面１ａ上において、ＩＲ発光装置６０が有する発光部６１の発光面６１ａと、ＩＲ受光装置５０が有する光学フィルタ２０の受光面２０ａとが対向している。ＩＲ発光装置６０と受光装置５０とが上下ではなく、水平方向の位置関係となるため、フォトカプラの高さを小さくすることが可能である。また、発光面６１ａから出力された光は、凹状の反射面等を介することなく、直接に受光面２０ａに入射するため、凹状の反射面等は不要であり部品点数を減らすことが可能である。 （もっと読む）

【課題】所望の角度・方向から入射してくる光のみを受光面に到達させて検出することを可能とした光センサ装置及びその製造方法を提供する。
【解決手段】裏面（受光面）１６ｂに入射する光を検出して表面１６ａ側から信号を出力するＩＲ素子１０と、上面３０ａの少なくとも一部がＩＲ素子１０の表面１６ａと対向した状態で、ＩＲ素子１０と電気的に接続されためっき電極層３０と、ＩＲ素子１０とめっき電極層３０とを覆うモールド樹脂４９と、モールド樹脂４９に取り付けられた蓋体６０と、を備え、ＩＲ素子１０の受光面１６ｂ及びめっき電極層３０の下面３０ｂは、モールド樹脂４９の上面４９ａ及び下面４９ｂとそれぞれ同一平面に配置された状態でモールド樹脂４９から露出しており、蓋体６０には、ＩＲ素子１０の受光面１６ｂの視野角を制限する貫通した開口部６５が設けられている。 （もっと読む）

【課題】小型化と出力容量の低下を同時に図る。
【解決手段】従来の半導体装置では、ドレイン領域やソース領域の深さが活性層の厚みよりも浅く(薄く)なっていた。これに対して本実施形態の半導体装置１では、活性層３の厚みを薄くしてドレイン領域４Ａ，４Ｂやソース領域５Ａ，５Ｂの深さを活性層３の厚みと同じにしている。その結果、Ｎ型のドレイン領域４Ａ，４Ｂ及びソース領域５Ａ，５ＢとＰ型のベース領域７Ａ，７ＢとのＰＮ接合の接合面積が従来よりも減少するので、当該ＰＮ接合に生じる出力容量Cossの低下を図ることができる。しかも、特許文献１記載の従来例に比べて、２つのダイオードや配線パターンが不要であるから小型化を図ることもできる。 （もっと読む）

【課題】信頼性の高い光結合性半導体素子を提供する。
【解決手段】本発明の光結合型半導体素子は、発光素子１０１と、発光素子１０１に光学的に対向する位置に配置された受光素子１０２と、発光素子１０１と受光素子１０２とを一体的に封止する一次モールド樹脂層（第一の樹脂層）１０３と、発光素子１０１と受光素子１０２とを内包するように一次モールド樹脂層１０３を覆う二次モールド樹脂層（第二の樹脂層）１０４と、を有する。この光結合性半導体素子は、２３℃における１次モールド樹脂層１０３の熱膨張率をα_Ａとし、二次モールド樹脂層１０４の熱膨張率をα_Ｂとしたとき、１．０＜α_Ａ／α_Ｂ≦１．３を満たすものである。また、二次モールド樹脂層１０４は、高化式フローテスターを用いて測定される１７５℃における溶融粘度が１５Ｐａ．ｓ以下の樹脂組成物を硬化させてなる。 （もっと読む）

【課題】被検出物の大きさや形状の変化に対応が容易で且つ組み立て性の良い光検出装置の製造方法を提供する。
【解決手段】両端部のそれぞれに搭載されている発光部１、受光部３と、発光窓１１ｆ、受光窓１１ｇとを有するフレキシブル基板２の裏面にベース基板５が積層されている積層基板１１を、発光部１の前面と発光窓１１ｆとが対向し、受光部３の前面と受光窓１１ｇとが対向するように積層基板１１の発光部１と発光窓１１ｆとの間の第１、第３の屈曲部６ａ、６ｃ、受光部３と受光窓１１ｇとの間の第２、第４の屈曲部６ｂ、６ｄで折り曲げる工程と、発光部１の前面と受光部３の前面とがそれぞれ発光窓１１ｆと受光窓１１ｇとを介して対向するように積層基板１１の長手方向の中心Ｑを挟んで互いに離間する位置の第５、第６の屈曲部６ｅ、６ｆで折り曲げる工程とを有する。 （もっと読む）

【課題】 インサーションロスの低減が可能な半導体リレーを提供する。
【解決手段】 入力端子部５１間に所定の電力が入力されて発光素子２が点灯すると、発光素子２の光を受けた受光駆動素子４が各ＭＯＳＦＥＴ３ｂをそれぞれオン駆動することで、出力端子部６１間の電気的接続がオンされる。出力端子部６１が設けられた各出力導電板６において、それぞれ、ＭＯＳＦＥＴ３ｂが実装された実装部６２の厚さ方向を、各端子部５１，６１がそれぞれ実装されるプリント配線板Ｐの厚さ方向に直交させた。各実装部６２の厚さ方向がプリント配線板Ｐの厚さ方向に平行とされる場合に比べ、プリント配線板Ｐに設けられた導電パターンＰ３と各実装部６２との間の寄生容量が低下することで、インサーションロスが低減される。 （もっと読む）

本発明は、基板、基板上に配置される２つの第１電気導電層及び複数の第２電気導電層を備える近接センサパッケージ構造に関する。基板は、それぞれ底面及び内側内壁によって画定される第１溝及び第２溝を有する。導電層はそれぞれ、第１溝の底面から、第１溝の内側側壁に沿って、もう一方の第１導電層に対して反対側の方向に、基板の外側側壁まで延在する。第２導電層は、第１導電部分及び第２導電部分を含む。第１導電部分は、第２溝の底面の中央領域に設けられる。第２導電部分は、第２溝の底面から、第２溝の内側側壁に沿って、基板の外側内壁まで延在する。 （もっと読む）

【課題】生産性に優れ、組立工程におけるリードタイムを短縮し、電気特性および信頼性に優れた軽薄短小型フォトカプラーデバイスおよびそれを作製するための一次封止用紫外線硬化型樹脂組成物を提供すること。
【解決手段】（Ａ）重量平均分子量５，０００〜３０，０００の（メタ）アクリロイル基を有するポリマー又はオリゴマー、（Ｂ）ラジカル開始剤、（Ｃ）接着助剤
を必須成分とし、（Ａ）の１００質量部に対して、（Ｂ）が０．１〜２０質量部であることを特徴とする多重封止電子デバイスの一次封止用紫外線硬化型樹脂組成物である。 （もっと読む）

【課題】パッケージ内での応力の問題がなくなるか、もしくは減じられ、オーバーモールド工程とオーバーモールド工程に関する工程を削減し、金型が不要な、小型の光結合素子パッケージを提供する。
【解決手段】光結合素子パッケージ３０は、キャリア基板３２と、キャリア基板上の複数の導電領域４６から成り、光結合デバイス３８、４０、光透過性媒体４８、および複数の導電構造３４をキャリア基板上に配置する。 （もっと読む）

【課題】筐体に設けられた窓における反射光に起因する誤検知を抑制した光検出装置を提供する。
【解決手段】透光板１０９と、透光板１０９を介して被検出物に光を照射する発光素子１０２と、該被検出物において反射した該光を透光板１０９を介して受光する受光素子１０３とを備えており、透光板１０９と、発光素子１０２または受光素子１０３との間に、回折格子１０７が設けられている光検出装置１を用いる。 （もっと読む）

一態様において、本発明は、柔軟型基板と、該基板上に配置された光学素子と、を備えた光学センサーを提供する。柔軟型基板が、光学素子に作用する変形部を有し、該変形部が、少なくとも部分的に光学素子を囲む基板変形領域内に設けられる。本発明の目的は、ロールツーロール製造に適合する光学センサー構造を提供することである。
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【課題】絶縁性を重視し、光の透過性が悪い材料を使用しても、入出力間など、の端子間耐圧を上昇させることの可能な半導体リレーを提供する。
【解決手段】本発明の半導体リレーは、入力信号によって点灯・消灯する発光素子１００と、前記発光素子と光結合せしめられ、起電力を発生する光電変換素子２００と、前記光電変換素子で生起された電力によってスイッチングするスイッチング用半導体素子からなる出力素子３００とを具備した半導体リレーであって、前記スイッチング用半導体素子は絶縁性部材（絶縁性樹脂）４で被覆され、少なくとも前記光電変換素子が前記発光素子と対向する領域に開口７を有する絶縁性部材を具備したことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】硬化による半導体装置の反りが低減され、白色性、耐熱性、耐光性に優れた硬化物を与える、光半導体装置用シリコーン樹脂組成物を提供。
【解決手段】下記を含む光半導体装置用のシリコーン樹脂組成物（Ａ）平均組成式(1)で表され、重量平均分子量（ポリスチレン換算）が500〜20000のオルガノポリシロキサン100質量部（ＣＨ_３）_aＳｉ（ＯＲ^１）_b（ＯＨ）_cＯ_(4-a-b-c)/2(1)（Ｒ^１：炭素数１〜４の有機基。0.8≦ａ≦1.5、0≦ｂ≦0.3、0.001１≦ｃ≦0.5、及び0.801≦ａ＋ｂ＋ｃ＜2）（Ｂ）白色顔料３〜200質量部（Ｃ）無機充填剤400〜1000質量部（Ｄ）縮合触媒0.01〜10質量部（Ｅ）下記式(2)で表されるオルガノポリシロキサン2〜50質量部


（Ｒ^２及びＲ^３：ＯＨ、Ｃ１〜Ｃ３、シクロヘキシル基、ビニル基、フェニル基及びアリル基から選ばれる。ｍ：５〜５０）。 （もっと読む）

【課題】発光素子の応答性を上げることが可能な光結合装置回路及び光結合装置を提供する。
【解決手段】スピードアップ回路１４をなす並列に接続されたコンデンサ１２及び抵抗１３を介して入力された駆動信号によって発光制御される発光素子１７と、スピードアップ回路３４をなす並列に接続されたコンデンサ３２及び抵抗３３を介して入力されたこの駆動信号と逆相の信号により制御される発光素子３７と、発光素子１７、３７とそれぞれ絶縁され、発光素子１７、３７の発光信号に応動し、互いに直列接続されたフォトトランジスタ２１、４１とを備える。 （もっと読む）

本願発明は半導体デバイス、反射型フォトインタラプタ並びに反射型フォトインタラプタ用のハウジングの製造方法に関する。ここでハウジング下方部分（５）はモノリシックであり、少なくとも２つの空洞（６、７）を有しており、これらの空洞内に発光部（３）と受光部（４）が収容されている。
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