【課題】ＭＲＡＭセルに比べてより高い温度で確実に書き込まれ得る熱アシストされた書き込み操作と自己参照読み出し操作とに適した磁気ランダムアクセスメモリ（ＭＲＡＭ）セルを提供する。
【解決手段】メモリセルは、第１部分２’と第２部分２”とを有する磁気トンネル接合部分から構成され、各部分が、記憶層２３，２４とセンス層２１，２２とトンネル障壁層２５，２６とから構成され、この磁気トンネル接合が、当該２つの記憶層との間に反強磁性層２０をさらに有し、これらの記憶層の各々の記憶磁化方向を臨界温度未満でピン止めし、これらの記憶磁化方向を臨界温度以上で自由にする。 （もっと読む）

【課題】磁気特性の低下の抑制を図る。
【解決手段】磁気抵抗効果素子は、磁化方向が膜面に対して垂直でかつ不変である第１磁性層３３と、前記第１磁性層上に形成されたトンネルバリア層３４と、前記トンネルバリア層上に形成され、磁化方向が膜面に対して垂直でかつ可変である第２磁性層３５と、を具備する。前記第１磁性層は、上部側に形成され、前記トンネルバリア層の下部に接する界面層３２と、下部側に形成され、垂直磁気異方性の起源となる本体層３１と、を有する。前記界面層は、内側に設けられた磁化を有する第１領域３８と、その外側に前記第１領域を取り囲むように設けられた前記第１領域よりも磁化の小さい第２領域３９と、を含む。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果素子の特性劣化を抑制する。
【解決手段】本実施形態の磁気抵抗効果素子は、膜面に対して垂直方向に磁気異方性と不変な磁化方向とを有する第１の磁性体３０と、膜面に対して垂直方向に磁気異方性と可変な磁化方向とを有する第２の磁性体１０と、磁性層１０，３０の間の非磁性体２０とを、含む。第１及び第２の磁性体のうち少なくとも一方は、ボロン（Ｂ）及び希土類金属及び遷移金属を含む磁性層３０１を備え、磁性層３０１において、希土類金属の含有量は、２０ａｔ．％以上であり、遷移金属の含有量は、３０ａｔ．％以上であり、ボロンの含有量が、１ａｔ．％以上、５０ａｔ．％以下である。 （もっと読む）

【課題】 本発明の実施形態によれば、劣化しにくく、ＭＲ変化率の大きい磁気抵抗効果素子、それを用いた磁気ヘッドアセンブリ、磁気記録再生装置、メモリセルアレイ、及び磁気抵抗効果素子の製造方法を提供することができる。
【解決手段】 磁気抵抗効果素子は、第１の電極と、第１の磁性層と、第２の磁性層と、スペーサ層と、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、及びＣｄから選択される少なくとも一つの元素とＦｅ、Ｃｏ、及びＮｉから選択される少なくとも一つの元素とを含む酸化物層と、酸化物層に接して設けられ、Ｚｎ、Ｉｎ、Ｓｎ、及びＣｄから選択される少なくとも一つの元素を０．５ａｔ%以上８０ａｔ％以下の濃度で含み、かつＦｅ、Ｃｏ、及びＮｉから選択される少なくとも一つの元素を含む金属層とを備える。 （もっと読む）

【課題】ＳＴ−ＭＲＡＭにおいて記憶素子の破壊を防ぎつつ記憶素子に情報を記憶させ、併せて書込速度の向上を図る。
【解決手段】メモリブロック１−１、１−２に対する書込制御部５１−１、５１−２とを複数対設け、各書込制御部５１−１、５１−２が、対を為すメモリブロック１−１または１−２の各記憶素子に書き込まれるべき情報をシフトレジスタ５２に格納し、当該シフトレジスタ５２から１つの情報をメモリブロック１−１、１−２に出力し、当該出力した情報の書込成否を判定し、書込失敗と判定した場合はメモリブロック１−１、１−２に対して再度同一情報を出力し、書込成功と判定した場合はメモリブロック１−１、１−２において書込可能状態とする前記記憶素子を選択するためのアドレス値を増加させかつ、シフトレジスタ５２から次の情報をメモリブロック１−１、１−２に出力する、という書込制御を個々に独立して行う。 （もっと読む）

【課題】メモリ素子の信頼性と消費電流の抑制を両立させることができる半導体装置を提供する。
【解決手段】半導体装置は、複数の磁気メモリセルＭＣと、複数のディジット線ＤＬと、ディジット線ドライブ回路２８Ｂと、ビット線ＢＬ［０：９５」とを備える。複数のビット線ＢＬ［０：９５」は、たとえば１２本ごとの複数の群に分割される。半導体装置は、複数のビット線の各々を少なくとも２段階の強度で駆動可能に構成されたビット線ドライブ回路２２Ｌ，２２Ｒとをさらに備える。ビット線ドライブ回路２２Ｌ，２２Ｒは、書込群に対しては、書込データに対応する極性の電流で２段階のうち強い強度でビット線を駆動し、非書込群に対しては、２段階のうち弱い強度で自分自身のデータに対応する極性のデータ保持電流を流す。 （もっと読む）

【課題】 マルチレベル磁気素子を提供する。
【解決手段】 本発明は、自由に整列させることができる磁化を有する軟強磁性層と、第１の高温しきい値では固定され、第１の低温しきい値では自由に整列可能な磁化を有する第１の硬強磁性層との間に第１のトンネル障壁層を備えるマルチレベル磁気素子に関する。磁気素子は、第２のトンネル障壁層と、第２の高温しきい値では固定され、第１の低温しきい値では自由に整列可能な磁化を有する第２の硬強磁性層とをさらに備え、軟強磁性層が第１のトンネル障壁層と第２のトンネル障壁層の間に備えられる。本明細書で開示される磁気素子は、ただ１本の電流線のみを使用して４つの異なるレベルを書き込むことができるようにする。 （もっと読む）

【課題】電気的破壊の抑制を可能とする記憶素子の駆動方法を提供する。
【解決手段】複数の磁性層を有し、スピントルク磁化反転を利用して記録を行う記憶素子の駆動方法であって、記憶素子に記録パルス電圧を印加する際に記録パルスと逆極性のパルス電圧を印加する。前記逆極性のパルス電圧は、前記記録パルスの立ち下がり時のアンダーシュートであり、前記アンダーシュートの絶対値及びパルス幅は、前記記録パルス電圧の５％以上２０％以下である。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果素子を構成する多層磁性膜を加工する際に生じるダメージを少なくし、前記のダメージを受けたことにより磁気特性に劣化が生じることを防止でき、高品質な磁気抵抗効果素子を製造することに適した磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子を構成する多層磁性膜が形成された基板に対して反応性イオンエッチングにより多層磁性膜を加工する工程を含んでいる磁気抵抗効果素子の製造方法において、反応性イオンエッチングが行われた多層磁性膜に対してイオンビーム照射する工程を含む磁気抵抗効果素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】少ない書き込み電圧から成る書き込み電流を印加することによって記憶層の磁化の向きを反転させることで、記憶素子の破壊を防ぎつつ、記憶素子に情報を記憶させる。
【解決手段】ＳｐＲＡＭ１は、磁性体の磁化状態により情報を記憶する記憶層と、記憶層に対して非磁性層を介して、磁化の向きが固定された磁化固定層と、を有し、記憶層及び磁化固定層の積層方向に流す書き込み電流を印加することによって、記憶層の磁化の向きが変化して、記憶層に情報が記憶される記憶素子２を備える。また、独立した２つ以上のパルス列から成る書き込み電圧で、記憶素子２に書き込み電流を供給する電圧制御部１１を備える。 （もっと読む）

【課題】チャンネル層に電荷が必要以上に蓄積することを抑制し、素子破壊を抑制可能なスピン伝導素子を提供すること。
【解決手段】スピン伝導素子１００は、所定方向に延び、半導体材料からなるチャンネル７と、チャンネル７上に第１絶縁層８１を介して配置された磁化固定層１２Ｂと、チャンネル７上に第２絶縁層８２を介して配置された磁化自由層１２Ｃと、チャンネル７上に配置された第１電極２０Ａ及び第２電極２０Ｄと、を備え、第１電極２０Ａ、磁化固定層１２Ｂ、磁化自由層１２Ｃ、及び第２電極２０Ｄは、チャンネル７上に所定方向に沿ってこの順に配置され、チャンネル７は、所定方向において、第１電極２０Ａ及び第２電極２０Ｄの少なくとも一方よりも外側にまで延在していることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】ホール素子を製造するにあたって、半導体単結晶材料の材料効率をよくするとともに、素子と電極との電気的接続を信頼性の高いものとし、また、ダイシングブレードの長寿命化をはかる。
【解決手段】製造上の支持基板側で半導体単結晶薄膜からホール素子のチップ１４ａを剥離可能に形成し、これとは別工程で、ホール素子の大きさに予め切り出されたコア基板２１上に絶縁層２２を形成し、その絶縁層２２上に導電性接着剤を用いてそれぞれ一対の入力用電極２３，２３と出力用電極２４，２４とを含む電極部２５を形成し、上記支持基板から剥離したチップ１４ａをコア基板２１の電極部２５に実装する。 （もっと読む）

磁気メモリセルは強磁性の自由層と強磁性のピン留めされた参照層とを有し、自由層と参照層との各々は平面外磁気異方性と平面外磁気配向とを有し、スピントルクによって切換え可能である。セルは、自由層に近接する強磁性のアシスト層を含み、アシスト層は約５００Ｏｅ未満の磁気異方性を有する。アシスト層は、平面内または平面外の異方性を有し得る。
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【課題】ＲＥ−ＴＭ合金を含むことで優れた磁気特性を有する垂直磁気異方性の磁気抵抗素子において、この磁気特性が維持できる磁気抵抗素子を提供する。
【解決手段】磁化固定層１１と中間層１２と磁化反転層１３とを積層して備え、磁化固定層１１および磁化反転層１３の少なくとも一方がＲＥ−ＴＭ合金を含む磁気抵抗素子１であって、上下に接続された一対の電極２，３間を絶縁するための絶縁層６が、磁気抵抗素子１に接触して配され、シリコン窒化物からなることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】動作の信頼性が向上する抵抗変化型メモリを提案する。
【解決手段】本発明の例に関わる抵抗変化型メモリは、第１の方向に延在する第１の配線ＢＬと、第２の方向に延在する第２の配線ＷＬと、第１及び第２の配線ＢＬ，ＷＬに接続され、抵抗変化型記憶素子１０と非オーミック素子１５とから構成される直列回路と、第１の配線ＢＬに電流Ｉ_Ｐを与える電流供給回路８Ａと、第２の配線ＷＬに接続され、容量素子２１を有する容量回路２０Ａと、を備える。 （もっと読む）

【課題】トンネルバリア層の膜厚を薄くすることなく低抵抗化を図ることができ、所要のＭＲ比が得られるトンネル磁気抵抗効果素子及びこれを用いた磁気抵抗デバイスを提供する。
【解決手段】トンネルバリア層２７と、該トンネルバリア層２７を挟む配置に設けられた磁化固定層２６と磁化自由層２８とを備え、前記トンネルバリア層２７が、二元系岩塩型酸化物からなる絶縁層によって形成され、該絶縁層の酸素濃度が、前記二元系岩塩型酸化物の化学量論組成よりも低く設定されている。 （もっと読む）

【課題】高いバリア品質と高いＭＲ比を両立させることを可能とする磁気抵抗効果素子を提供する。
【解決手段】磁気抵抗効果素子１は、絶縁層１７と非磁性層１９との間に、自由磁性層１８を備える磁気抵抗効果素子であって、絶縁層１７は、岩塩型結晶構造を有する金属酸化物を用いて形成され、自由磁性層１８は、構成元素の一つにホウ素を含む材料を用いて形成され、非磁性層１９は、タンタルと比較して、自由磁性層１８中のホウ素が相対的に拡散し易い材料を用いて形成される。 （もっと読む）

【課題】ダメージ層を持った多層磁性膜の磁気特性劣化を防止でき、高品質な磁気抵抗効果素子を製造することが可能な磁気抵抗効果素子の製造装置の提供。
【解決手段】反応性イオンエッチング室と、ラジカル処理室と、前記反応性イオンエッチング室及び前記ラジカル処理室の間で基板を搬送可能な搬送手段を有する真空搬送室と、を備える磁気抵抗効果素子の製造装置において、真空搬送室では、搬送手段により、磁性膜及び基板を有する磁気抵抗効果素子を前記反応性イオンエッチング室に搬入する第１工程が実行され、反応性イオンエッチング室では、前記磁性膜の所定領域を、反応性イオンエッチング法により、プラズマにより活性化された水素原子及び酸素原子の存在下でエッチングする第２工程１０１，１０２が実行され、ラジカル処理室では、前記第２工程後の磁性膜をイオン電流密度４×１０^−７Ａ／ｃｍ^２以下のプラズマに曝する第３工程１０３が実行される。 （もっと読む）

【課題】ＭＴＪ素子の磁性体材料の特性に悪影響を与えることなく、信頼性の高い上部配線を形成することができる半導体装置及びその製造方法を得る。
【解決手段】前処理として還元性のＮＨ₃やＨ₂によるプラズマ処理を実施する。その後、ＭＴＪ素子に引張ストレスを印加する引張応力シリコン窒化膜５５ｐをクラッド層５３ｂ及びクラッド層５３ｂが形成されていない層間絶縁膜上に成膜する。続いて、ＭＴＪ素子に圧縮ストレスを印加する圧縮応力シリコン窒化膜５５ｃを引張応力シリコン窒化膜５５ｐ上に成膜する。これらの引張応力シリコン窒化膜５５ｐ及び圧縮応力シリコン窒化膜５５ｃの成膜条件は、平行平板型プラズマＣＶＤ装置を用いて、ＲＦパワーは０．０３〜０．４Ｗ／ｃｍ²の範囲で、成膜温度は２００〜３５０℃の範囲にそれぞれ設定される。 （もっと読む）

【課題】微細化に伴うパンチスルー耐性の低下を抑制しつつ高いＯＮ電流／ＯＦＦ電流比を有する電磁作用によるトランジスタを実現する。
【解決手段】本発明の電磁作用によるトランジスタは、磁化方向が第１の方向に固定された強磁性金属からなるゲート８１と、第１の方向と垂直な第２の方向に非磁性膜８２を挟んでゲート８１に対向して設けられ、非磁性膜８２を介してゲート８１との間に流れる電流によって第１の方向と平行に磁化方向が反転可能な強磁性金属からなるチャネル８３と、チャネル８３の反転可能な磁化方向の一方に間隙を挟んで設けられ、磁化方向が第１の方向に固定された強磁性金属からなるソース８４と、チャネル８３の反転可能な磁化方向の他方に間隙を挟んで設けられ、磁化方向が第１の方向と逆方向に固定された強磁性金属からなるドレイン８５を有する。 （もっと読む）