【課題】小さな電流密度でスピン注入磁化反転することができる、スピン注入デバイス及びスピン注入磁気装置並びに磁気メモリ装置を提供する。
【解決手段】 単層の強磁性固定層２６からなるスピン偏極部９とスピン偏極部９上に形成された第１の非磁性層からなる注入接合部７とを有しているスピン注入部１と、スピン注入部１に接して設けられる強磁性フリー層２７と、強磁性フリー層２７の表面に形成された第２の非磁性層２８と、を備え、第１の非磁性層が絶縁体または導電体からなり、第２の非磁性層２８がＲｕ、Ｉｒ、Ｒｈの何れかでなり、外部磁界を印加しないで、且つ、スピン偏極部９と強磁性フリー層２７の表面に形成される第２の非磁性層２８との膜面垂直方向に電流を流して強磁性フリー層２７の磁化を反転させる。 （もっと読む）

【課題】記録密度を高めた高周波磁界アシスト記録を可能とする磁気記録ヘッド、及び磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】
媒体対向面を有する主磁極６１と、媒体対向面に平行な第１の方向において主磁極６１に隣接して設けられたスピントルク発振子１０と、媒体対向面に平行でかつ第１の方向と直行する第２の方向においてスピントルク発振子１０を挟んで設けられた第１シールド６３と、第１の方向においてスピントルク発振子１０の主磁極６１に隣接する側とは反対の側に設けられた第２シールドと、を備え、第１シールド６３がグラニュラ磁性体を含むことを特徴とする磁気記録ヘッド。 （もっと読む）

【課題】 特に、固定抵抗素子を磁気抵抗効果素子よりも少ない積層数にて、電気抵抗値Ｒｓ及び抵抗温度係数（ＴＣＲ）が磁気抵抗効果素子とほぼ同等になるように調整できる磁気センサを提供することを目的とする。
【解決手段】 本実施形態における磁気センサ１は、基板２上に、反強磁性層、固定磁性層、非磁性材料層及びフリー磁性層が積層されて成る磁気抵抗効果素子１０と、前記磁気抵抗効果素子１０と電気的に接続された固定抵抗素子２０とを有し、前記固定抵抗素子２０は、Ｆｅ単層２２と、前記Ｆｅ単層２２よりも抵抗温度係数（ＴＣＲ）が低い非磁性層２１とを積層して構成され、前記磁気抵抗効果素子１０よりも積層数が少ないことを特徴とするものである。 （もっと読む）

【課題】磁気特性を損なうことなく、より小さなＦＬＷを有する磁気抵抗効果素子の形成方法を提供する。
【解決手段】この磁気抵抗効果素子の形成方法は、基体の上にＭＴＪスタックを形成することと、ＭＴＪスタックをパターニングしてＦＬＷが第１の幅であるＭＴＪ素子を形成することと、２０°未満の入射角のイオンビームを用いた第１のＩＢＥ処理を行い、ＦＬＷを第１の幅よりも狭い第２の幅とすることと、（ｄ）６０°を超える入射角のイオンビームを用い、弧を描くような掃引動作を伴いながら第２のＩＢＥ処理を行い、第１のＩＢＥ処理の際に生じた残渣を除去すると共に、ＦＬＷを第２の幅よりも狭い第３の幅とすることと、２０°未満の入射角のイオンビームを用いた第３のＩＢＥ処理を行い、第２のＩＢＥ処理で生じた側壁における損傷部分を除去すると共にＦＬＷを第３の幅よりも狭い第４の幅とすることとを含む。 （もっと読む）

【課題】センサーの出力が線形となり、有効利用可能な測定信号を容易に得ることができる測定アセンブリを提供する。
【解決手段】本発明は、磁界の強度を計測するための磁気抵抗磁界センサーと電子処理回路とを有する。センサーは、基準要素（２）と分離要素（３）と磁界を感知する要素（４）との積層体（１）を備え、基準要素（２）と感知要素（４）がそれぞれ第１方向と第２方向における第１磁気異方性と第２磁気異方性を有する。感知要素（４）は、強磁性材料層（ＦＭ１）と反強磁性材料層（ＡＦ１）との重畳体からなっており、この重畳体は、測定用磁界の方向における成分が、測定用磁界の強度の関数として可逆的に変化すると共に調整可能磁界範囲において直線的に変化する磁気モーメント（１０）を与えるようになっている。 （もっと読む）

【課題】低保磁力、低磁歪および低ＲＡ値を確保しつつ、高いＴＭＲ比を得る。
【解決手段】フリー層１８は、トンネルバリア層１７の側から第１の強磁性層、挿入層および第２の強磁性層が順に積層された複合構造を有する。第１の強磁性層は、ＣｏＦｅ合金、または、そのＣｏＦｅ合金にＮｉなどを添加してなる合金を含み、かつ、正の磁歪定数を有する。第１の強磁性層の上面はプラズマエッチ処理がなされている。挿入層は、Ｆｅ，ＣｏおよびＮｉから選択される少なくとも一種の磁性元素と、Ｔａ，Ｔｉ，Ｗ，Ｚｒ，Ｈｆ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｖ，ＭｇおよびＣｒから選択される少なくとも一種の非磁性元素とを含む。第２の強磁性層は、ＣｏＦｅやＮｉＦｅなどからなり、負の磁歪定数を有する。 （もっと読む）

【課題】１枚の基板に３個以上の巨大磁気抵抗素子を配置し、三軸方向の磁界の強さを検知することができる小型の磁気センサを得る。
【解決手段】ビア部Ａを有する配線層が形成された基板１に酸化膜３５を形成し、この酸化膜を選択エッチングして複数の突起部８を形成する。この突起部の斜面を含む酸化膜上に磁気センサの感磁部となる複数の素子を形成すると同時にビア部とこれら複数の素子を接続する配線部を形成する。 （もっと読む）

略平坦な基板の上面と称される一表面上に蒸着される複数の多層磁気抵抗センサを備える集積磁力計であって、基板の前記上面は複数の傾斜面を備えた少なくとも１つの空洞または隆起を有することと、４つの前記傾斜面上には異なる、かつ対で互いに反対の方向性を有する少なくとも４つの前記磁気抵抗センサが配置され、各センサはそのセンサが配置される面に対して平行な外部磁場の一成分に感応することを特徴とする集積磁力計。このような磁力計の製造プロセス。 （もっと読む）

【課題】従来技術よりも角度誤差が低減された磁気抵抗センサ素子を提供し、このような磁気抵抗センサ素子を、自動車の精確な角度センサとして使用することができるようにすることにある。
【解決手段】第１の固着薄膜（３５）は、第１の強磁性材料製とりわけＣｏＦｅ合金製であり、前記第２の固着薄膜（３３）は、第２の強磁性材料製とりわけＣｏＦｅ合金製であり、前記中間薄膜（３４）は、非磁性材料製とりわけルテニウム製である磁気抵抗センサ素子において、前記第１の固着薄膜（３５）の厚みは、第２の固着薄膜（３３）の厚みよりも０．２ｎｍ〜０．８ｎｍだけ小さい。 （もっと読む）

【課題】ＧＭＲあるいはＭＴＪデバイスのような非平行ＭＲ素子のリファレンス層におけるピンド磁化の方向を同時に設定可能なＭＲ素子の磁化方法を提供する。
【解決手段】複数の非平行ＭＲ素子の各リファレンス層（サブＡＰ１層）１５の厚みを対応する磁気ピンド層（サブＡＰ２層）１３よりも薄くする。これら複数のＭＲ素子を、サブＡＰ２層１３の磁化方向を磁場方向に向けるのに十分な方向と大きさを有する磁場中に配置する。そののち、磁場の大きさを零になるまで減少させ、磁場の大きさが零になったときに、ＭＲ素子を熱処理する。それによって各サブＡＰ１層１５の磁化方向を当該ＭＲ素子の長手方向に沿うように固定する。 （もっと読む）

【課題】巨大な垂直磁気異方性定数を持つ材料を用いた垂直磁化膜を利用することなく、レファレンス層と高周波磁気発振層の磁化方向を反平行にする必要がなく、高周波磁気発振層に注入する偏極電子として反射電子を用いる必要がない磁気記録ヘッドを提供する。
【解決手段】負の磁気異方性定数を持つ磁性材料を主成分とする高周波磁界発振層１８と、スピンが偏極した電子を高周波磁界発振層１８に供給するレファレンス層１４と、高周波磁界発振層１８とレファレンス層１４間に配置された非磁性層１６と、を有する高周波磁界発振素子１１と、主磁極１２と、を備える。 （もっと読む）

【課題】高い抵抗を有するＣＰＰ構造で、低電流で大きな出力信号を生成するスピンバルブ素子を提供すること。
【解決手段】少なくとも１つの強磁性層42aを含むピンド層構造、少なくとも１つの強磁性層41を含み、ピンド層よりも磁気的に軟らかいフリー層構造、フリー層とピンド層を隔てて、フリー層構造とピンド層構造の間の磁気結合を妨げ、電流がそこを通って流れることができるように構成された薄いスペーサー層構造43、導電性が著しく異なる少なくとも２つの部分を含む少なくとも２つの磁性又は非磁性の第１及び第２の電流狭窄（ＣＣ）層構造44,44’を含み、第１のＣＣ層44は、フリー層構造と隣接してまたはフリー層構造の内部に配置され、第２のＣＣ層44’は、ピンド層と隣接して、または、ピンド層の内部で中央部または中央部よりフリー層構造側に配置されるＣＰＰスピンバルブ素子。 （もっと読む）

【課題】位置検出精度の低下を伴うこと無くギアと磁界センサ間の距離を大とでき、かつ、機械的振動による誤検出を抑制可能な位置センサを実現する。
【解決手段】回転角センサ１０１は磁気センサ３０１と磁束発生体２１０とを有し、回転角センサ１０１は回転体４０１の周辺部近傍に配置される。磁束発生体２１０は磁気センサ３０１に対向する側の面が凸型の形状であり、磁束発生体２１０は、磁石２１１と磁束集束部２１２とで構成している。磁束集束部２１２は、磁気センサ３０１に対向する側の面が凸形状の磁性体であり、磁石２１１から発生した磁束を集束させる。磁界角度の変化を磁気センサ３０１で検出することで、ギア４１０の動きや位置情報などを検出する構成としたので、位置検出精度の低下を伴うこと無くギアと磁界センサ間の距離を大とすることができ、かつ、機械的振動による誤検出を抑制可能な位置センサを実現できる。 （もっと読む）

【課題】巨大磁気抵抗効果（ＧＭＲ）素子の温度係数と同じかまたは類似の温度係数を有する抵抗器を形成する材料スタックを提供する。
【解決手段】材料スタック５０は、反強磁性層５２、第１のピンド層５４、非磁性層５６、および第２のピンド層５８を含む材料スタックとして与えられ、磁界が存在するときと存在しないときで通常同じ電気抵抗を有する。材料スタック５０の電気抵抗は、抵抗分圧器またはホイートストンブリッジ装置で使用される、磁気抵抗効果素子と通常同じ温度係数を有する。 （もっと読む）

【課題】磁気センサの配置位置のばらつきに起因する影響を抑え、簡単な構成である回転検出システムを提供すること。
【解決手段】本発明の回転検出システムは、基板１と、前記基板１の表面上に実装された磁気センサ２ａ，２ｂと、前記基板１の上方に配置され、前記基板１の表面に対して垂直な軸を中心に回転可能であり、磁性材料で構成された被回転体３と、前記被回転体３に取り付けられた単極磁石４と、を具備し、前記磁気センサ２ａ，２ｂは、磁化固定層及び磁化フリー層を有する磁気抵抗効果素子を有し、前記基板１の表面に平行な方向の磁場により前記磁化フリー層が磁化され、前記磁化固定層の磁化と前記磁化フリー層の磁化との間の角度差により回転検出することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】アライメント精度を高めて、磁気センサとしての磁場感度を高めるとともに、そのばらつきを低減して、安定した磁気特性を有する磁気センサの製造方法を提供する。
【解決手段】シリコン基板３１上に複数の磁気抵抗効果素子を形成する素子形成工程と、磁気抵抗効果素子を形成したシリコン基板３１をマグネットアレイ４８に重ね、磁気抵抗効果素子に磁界を付与した状態で熱処理することにより、磁気抵抗効果素子を規則化する規則化熱処理工程とを備え、素子形成工程では、シリコン基板３１の一部にアライメントマーク３２を形成しておき、規則化熱処理工程では、マグネットアレイ４８にシリコン基板３１を重ね合わせ、赤外線光学系５１によって赤外線を照射し、シリコン基板３１を透過した赤外線によりマグネットアレイ４８のアライメントマーク４６を撮像しながらそのアライメントマーク４６にシリコン基板３１のアライメントマーク３２を位置決めする。 （もっと読む）

【課題】磁性細線でトラックを形成した磁気記録媒体を対象として、磁区の移動によるデータの消失を防ぐと共に、磁性細線の記録層を有効に記録、保存、再生に活用し、実質的に使用されていない空き容量を減少させることができる磁気記録媒体再生装置、これに用いる磁気記録媒体、および、磁気記録媒体再生方法を提供する。
【解決手段】パルス電流を、磁性細線５の一端から他端に向かう細線方向に供給する電流供給手段１０と、磁性細線５の書込領域にデータの記録を行うデータ記録手段２０と、読出領域に記録されているデータを再生するデータ再生手段３０と、あふれデータ検出領域に記録されているデータを検出するあふれデータ検出手段４０と、あふれデータ検出手段４０で検出されたデータを、再書込領域に再度記録するあふれデータ再記録手段５０と、を備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】非常に高いデータ密度での読み取りのために、スピントルク発振子センサを小さくすることを可能とする。
【解決手段】非常に狭いギャップ厚を有するスピントルク磁気抵抗センサ。センサは、センサの磁性層でのスピントルク誘導磁気発振の周波数の変化を測定することにより、磁界の存在を検出するように動作する。センサは、一対の自由磁性層を有し、これらの自由磁性層の間に挟まれた薄い非磁性の結合層によってこれらの自由磁性層は反平行結合される。このセンサは、ピンニング層構造も関連するＡＦＭピンニング層も含んでいない。そのため、このセンサは、従来技術のセンサよりもかなり薄く構築することが可能である。 （もっと読む）

【課題】
積層された反強磁性層と固定層からなる交換結合膜、それを有する磁気抵抗効果ヘッド、磁気センサおよび磁気メモリにおいて、反強磁性層と固定層間の交換結合エネルギーを増大し、固定層の磁化の安定性を高める。
【解決手段】
反強磁性層１２と固定層１３とが積層され、前記反強磁性層１２により前記固定層１３の磁化方向が一方向に磁気的に固定されている交換結合膜１０、それを有する磁気抵抗効果ヘッド、磁気センサおよび磁気メモリにおいて、前記反強磁性層１２をMn-X（X＝Ir,Rh,Ru）で構成するとともに、前記固定層１３の主成分をCo-Fe-Mnで構成する。 （もっと読む）

【課題】ＴＭＲ素子などのスピントロニクス素子を用いた磁気センサに関し、ノイズを低減し、かつ、高感度化を図ることができる磁気センサを提供する。
【解決手段】磁気抵抗素子群を用いた磁気センサ２０は、検知素子１０を直列に接続して磁気抵抗素子群８ａ、８ｂ、８ｃとし、これらを並列に配置してセル９として磁気抵抗素子群を連動する。基準抵抗１１を直列に配置することにより、磁気抵抗値の変化につれて出力変化を実現する。 （もっと読む）