【課題】 ＭＲ変化率の高い磁気抵抗効果素子の製造方法を提供する。
【解決手段】 キャップ層と、磁化固着層と、前記キャップ層と前記磁化固着層との間に設けられた磁化自由層と、前記磁化固着層と前記磁化自由層との間に設けられたスペーサ層と、Ｚｎ、Ｉｎ、ＳｎおよびＣｄから選択される少なくとも１つの元素並びにＦｅ、ＣｏおよびＮｉから選択される少なくとも１つの元素を含む酸化物を有する機能層とを備えた積層体と、前記積層体の膜面に垂直に電流を流すための一対の電極とを備えた磁気抵抗効果素子の製造方法であって、前記機能層の母材料から成る膜を成膜し、前記膜に、酸素の分子、イオン、プラズマおよびラジカルから成る群から選択される少なくとも１つを含むガスを用いた酸化処理を施し、前記酸化処理が施された膜に対して還元性ガスを用いた還元処理を施すことを含む磁気抵抗効果素子の製造方法。 （もっと読む）

【課題】多チャンネル化しても形成面積の増大を抑えることができる磁気レベルシフタを提供する。
【解決手段】レベルシフタは、入力信号が印加される磁界発生用配線１１２と、磁界発生用配線１１２が発生した磁界に対応した値をとる検出信号を出力する検出用磁気抵抗効果素子１１と、一定の値をとる参照信号を出力する参照用磁気抵抗効果素子２１，３１を備える。当該レベルシフタは、検出信号と参照電圧の差に基づいて出力信号を生成する。 （もっと読む）

【課題】垂直磁化を用いた磁気メモリ素子において、作製プロセスに耐え、薄い膜厚で大きな保磁力と高い耐熱性を有する参照層を実現する。
【解決手段】参照層は、２０原子％以上５０原子％以下のＰｔを含有し、１ｎｍ以上５ｎｍ以下の膜厚を有する、少なくとも２以上のＣｏＰｔ層が、Ｒｕ層を介して積層された構造を有するものとする。そしてＲｕ層の厚みは、０．４５±０．０５ｎｍあるいは０．９±０．１ｎｍとする。またＣｏＰｔ層の結晶の３回対称軸が膜面垂直に配向する。またスピン注入層との界面を、１．５ｎｍ以下のＣｏ又はＦｅを主成分とする高スピン分極層とする。 （もっと読む）

【課題】発振器及びその動作方法を提供する。
【解決手段】固定された磁化方向を有する固定層、固定層上に備わった第１自由層及び前記第１自由層上に備わった第２自由層を含むことができる発振器であり、該発振器は、第１自由層及び第２自由層のうち少なくとも１層の磁気モーメントの歳差運動を利用して、信号を発生するように構成されうる。 （もっと読む）

【課題】低い消費電力で動作する磁気メモリ素子の実現。
【解決手段】垂直磁化膜であって情報に対応して磁化の向きが変化する記憶層と、記憶層に対して非磁性層を介して設けられる垂直磁化膜であって磁化方向が固定されて記憶された情報の基準となる参照層とを有する磁気メモリ素子に、磁化が膜面内に環状とされた渦磁化層を設けるようにする。渦磁化層は、記憶層の、参照層側の面とは反対側の面に対して、非磁性層を介して設ける。 （もっと読む）

【課題】小さな電流密度でスピン注入磁化反転することができる、スピン注入デバイス及びスピン注入磁気装置並びに磁気メモリ装置を提供する。
【解決手段】 単層の強磁性固定層２６からなるスピン偏極部９とスピン偏極部９上に形成された第１の非磁性層からなる注入接合部７とを有しているスピン注入部１と、スピン注入部１に接して設けられる強磁性フリー層２７と、強磁性フリー層２７の表面に形成された第２の非磁性層２８と、を備え、第１の非磁性層が絶縁体または導電体からなり、第２の非磁性層２８がＲｕ、Ｉｒ、Ｒｈの何れかでなり、外部磁界を印加しないで、且つ、スピン偏極部９と強磁性フリー層２７の表面に形成される第２の非磁性層２８との膜面垂直方向に電流を流して強磁性フリー層２７の磁化を反転させる。 （もっと読む）

【課題】 特に、感度軸が直交する２種類の磁気抵抗効果素子を同じチップ上に形成可能とした磁気センサを提供することを目的とする。
【解決手段】 同じセンサチップに第１磁気抵抗効果素子１５と第２磁気抵抗効果素子１６が設けられており、各磁気抵抗効果素子は、フリー磁性層と固定磁性層とが非磁性層を介して積層された素子部と、前記素子部に対してバイアス磁界を供給するためのハードバイアス層を有する。各素子部の固定磁性層は、第１磁性層と第２磁性層とが非磁性中間層を介して積層され、第１磁性層と第２磁性層とが反平行に磁化固定されたセルフピン止め構造である。第１磁気抵抗効果素子の第１素子部の磁化固定方向と第２磁気抵抗効果素子の第２素子部の磁化固定方向は直交している。第１ハードバイアス層及び第２ハードバイアス層は、同じ着磁方向であるが各素子部に供給されるバイアス磁界は直交している。 （もっと読む）

【課題】記録層における磁化容易軸が垂直方向を向いている垂直磁化型の不揮発性磁気メモリ装置において、記録層の磁化容易軸をより確実に垂直方向に向かせることを目的とする。
【解決手段】不揮発性磁気メモリ装置は、磁化容易軸が垂直方向を向いている記録層を有する積層構造体５０、第１の配線４１、及び、第２の配線４２から成る磁気抵抗効果素子を備えており、積層構造体５０の上、又は、積層構造体５０の下、又は、積層構造体５０の上及び下には、記録層５３を構成する材料のヤング率よりも低い値のヤング率を有する低ヤング率領域４８１が配置されており、積層構造体５０は磁化参照層５１を更に有し、低ヤング率領域４８１を配置することによって記録層５３及び磁化参照層５１において内部応力が発生し、記録層５３及び磁化参照層５１の垂直磁気異方性が増大される。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果素子を用いて電流を検知するセンサを備えた半導体装置に関する。簡単な構成により、電流の検出を高精度に実現することを目的にする。
【解決手段】半導体回路が形成された基板と、基板に配設された第１の配線部材と、第１の配線部材に立設された垂直配線部材と、垂直配線部材に接続され第１の配線部材と平行に架設された第２の配線部材と、垂直配線部材に対向配置された第１の磁電変換素子と、垂直配線部材をはさんで第１の磁電変換素子と対向する第２の磁電変換素子と、第１の磁電変換素子と第２の磁電変換素子を直列に接続する第１の素子配線と、第１の素子配線の中点が入力される第１の増幅回路とを備えている。 （もっと読む）

【課題】現在、反強磁性膜として、不規則相Mn₈₀Ir₂₀膜、規則相Mn₇₅Ir₂₅膜が業界標準である。しかしながら、両者とも結晶構造が立方晶であるが故に結晶磁気異方性エネルギー定数が10⁵ erg/cm³程度と小であり、熱揺らぎ耐性が不足している状態にある。いわゆる、ピンデグレが顕在化している問題がある。
【解決手段】上記課題を克服するため、結晶磁気異方性エネルギー定数約2×10⁸ erg/cm³を保有しているL1₀ Mn₅₀Ir₅₀膜を固定層用、反強磁性膜300として適用する。これにより、例えば、素子サイズ5 nm□、反強磁性膜厚5 nmになっても、緩和時間1.2×10⁴⁹ 年と、天文学的数値の熱揺らぎ耐性を確保できる。L1₀ Mn₅₀Ir₅₀系反強磁性膜の低温規則化手段については、Mn₅₀Ir₅₀膜下方に動的応力駆動・静的応力駆動MnIr低温規則化層を設けることにより、解決する。 （もっと読む）

【課題】複数の素子部の抵抗値のバラツキを低減することができる磁気センサ装置を提供することを第１の目的とする。また、この磁気センサ装置を製造する方法を提供することを第２の目的とする。
【解決手段】基板１３の一面２６側に導体部３２が形成されている。この導体部３２の上には導体部３２の正極となる部分と負極となる部分とが開口するように絶縁層２７が形成されており、絶縁層２７の上にピン磁性層２８が含まれた磁気抵抗素子部１４が形成されている。そして、導体部３２に電流が流れると、導体部３２の周囲に磁界が形成されることにより、各磁気抵抗素子部１４のピン磁性層２８の磁化の向きおよび大きさが固定される。したがって、導体部３２に流す電流を制御することで各磁気抵抗素子部１４の抵抗値を揃えることができ、ひいては各磁気抵抗素子部１４の抵抗値のバラツキを低減することができる。 （もっと読む）

【課題】磁気抵抗効果素子の抵抗値を適当な大きさにし、且つＭＲ変化率を十分に大きくする。
【解決手段】ＭＲ素子５は、第１の強磁性層（自由層５５）と、第２の強磁性層（固定層５３）と、第１の強磁性層と第２の強磁性層との間に配置されたスペーサ層５４とを備えている。スペーサ層５４は、順に積層された非磁性金属層５４１、第１の酸化物半導体層５４２および第２の酸化物半導体層５４３を有している。非磁性金属層５４１は、Ｃｕよりなり、０．３〜１．５ｎｍの範囲内の厚みを有している。第１の酸化物半導体層５４２は、Ｇａ酸化物半導体よりなり、０．５〜２．０ｎｍの範囲内の厚みを有している。第２の酸化物半導体層５４３は、Ｚｎ酸化物半導体よりなり、０．１〜１．０ｎｍの範囲内の厚みを有している。 （もっと読む）

【課題】 効率的に高周波磁界を印加することが可能な磁気記録ヘッド及びそれを用いた磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】 実施形態に係る磁気記録ヘッドは、磁気記録媒体に記録磁界を発生させるための主磁極と、前記主磁極と対を成すリターンヨークと、前記主磁極と前記リターンヨークとの間に設けられた、発振層およびスピン注入層を含むスピントルク発振子と、前記主磁極と前記スピントルク発振子との間および前記リターンヨークと前記スピントルク発振子との間の少なくとも一方に設けられた３層以上の非磁性金属層から成る積層体であって、前記非磁性金属層の厚さは０．５ｎｍ以上２ｎｍ以下であり、前記積層体の積層方向の長さは前記積層体の積層面内方向の最小の長さより小さい積層体と、前記積層体と前記スピントルク発振子との間に設けられた電極とを有する。 （もっと読む）

【課題】バリア層の下面として平滑な界面を有するＴＭＲデバイスを提供する。
【解決手段】シード層１１上に、反強磁性層１２、外側ピンド層２０、ＡＦＭ 結合層１４、内側ピンド層１５、バリア層１６、フリー層１７およびキャップ層１８をこの順で備えている。外側ピンド層（ＡＰ２層）２０は、（ＣｏＦｅ）_outer 層２１（外側ＣｏＦｅ層２１）／ （ＣｏＦｅ_x ）Ｂ_y 層２２（非晶質層２２）／（ＣｏＦｅ）_inner 層２３（内側ＣｏＦｅ層２３）の積層構造を有している。デバイスのロバスト性が改善される。 （もっと読む）

【課題】情報保持特性を低下することなくスピン注入による磁化反転を起こすために必要な電流を低減化する。
【解決手段】磁化方向が所定の方向に固定された参照層２６と、スピン注入により磁化方向が変化する記録層２８と、記録層２８と参照層２６を隔てる中間層２７と、記録層２８を加熱する発熱部３３と、を備える。記録層２８の材料は、磁化量が１５０℃で室温時の磁化量の５０％以上となり、１５０℃以上２００℃以下の範囲で室温時の磁化量の１０％以上８０％以下となる磁性体より構成する。 （もっと読む）

【課題】エラーを生じることなく、短い時間で書き込み動作を行うことができる、記憶装置を提供する。
【解決手段】情報を磁性体の磁化状態により保持する記憶層１４と、この記憶層１４に対して、非磁性層１３を介して設けられ、磁化Ｍ１２の向きが膜面に平行な方向に固定された固定磁化層１２と、記憶層１４の固定磁化層１２とは反対の側に、非磁性層１５を介して設けられ、磁化Ｍ１６の向きが膜面に垂直な方向である磁性層１６とを含む記憶素子１０と、この記憶素子１０に、記憶素子１０の各層の積層方向に流す電流を供給する配線とを含む記憶装置を構成する。 （もっと読む）

【課題】書込み電流の増大や書込みの信用性の向上が図られた磁気記憶装置を提供する。
【解決手段】磁気記憶装置は、基板１１と、基板１１上に設けられたライト線ＷＴと、ライト線ＷＴに対して基板１１の厚み方向に間隔をあけて配置され、ライト線ＷＴの延在方向と交差する方向に延びるビット線ＢＬと、ライト線ＷＴおよびビット線ＢＬの間に位置する磁気記憶素子ＭＭとを備え、磁気記憶素子ＭＭは、磁化方向が固定された固定層１と、外部磁界によって磁化方向が変化する記録層３とを含み、記録層３は合金膜を含み、合金膜はコバルトと鉄とホウ素とを含み、ホウ素は２１ａｔ％より高い。 （もっと読む）

【課題】磁気ディスク装置のマイクロ波アシストを行うＳＴＯＡＲ素子が、確実に発振しているか判断する。
【解決手段】電流バイアス時にＳＴＯＡＲ素子が発振すると、素子の抵抗値が高くなる。そこで、電流バイアスを出力しているヘッドＩＣにおいて、ＳＴＯＡＲ素子に印加されている電圧を検知し、電圧が閾値以上に増加した場合は発振していると判断することが可能になる。これは逆に、閾値以下の電圧の場合は、ＳＴＯＡＲ素子は発振していないと判定できる。また一定の閾値以上に電圧が達した後に抵抗値が低下する場合は、発振が弱まっていると判定できるため、電流でブーストすることでＳＴＯＡＲ素子を再び正常に発振させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】磁気ディスク装置のマイクロ波アシストを行うＳＴＯＡＲ素子が、確実に発振しているか判断する。
【解決手段】電流バイアス時にＳＴＯＡＲ素子が発振すると、素子の抵抗値が高くなる。そこで、電流バイアスを出力しているヘッドＩＣにおいて、ＳＴＯＡＲ素子に印加されている電圧を検知し、電圧が閾値以上に増加した場合は発振していると判断することが可能になる。これは逆に、閾値以下の電圧の場合は、ＳＴＯＡＲ素子は発振していないと判定できる。また一定の閾値以上に電圧が達した後に抵抗値が低下する場合は、発振が弱まっていると判定できるため、電流でブーストすることでＳＴＯＡＲ素子を再び正常に発振させることが可能である。 （もっと読む）

【課題】従来のセンサとは別の動作原理に基づくMEMS技術を応用した新たな高感度センサを提供する。
【解決手段】磁性膜センサは、磁気歪を発生する矩形状の磁性膜を有し、磁性膜に磁気歪を発生させる磁気歪構造を有している。磁気歪構造は、例えば磁性膜を湾曲させて磁気歪を発生させるように構成されている。また、磁気歪構造は、例えば表面に凹部が形成された凹部付絶縁層を設け、その凹部を跨ぐようにして磁性膜を形成することによって得られる。磁性膜は、ＧＭＲ膜等に永久磁石バイアス層が積層され、その永久磁石バイアス層によって磁性膜の短手辺に沿った方向の磁界がＧＭＲ膜に加えられている。 （もっと読む）