【課題】ＭＲ変化率の向上が図れる磁気抵抗素子、磁気メモリ、磁気ヘッド、及び磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】磁化方向が実質的に一方向に固着された第１の磁性層と、外部磁界に応じて磁化方向が変化する第２の磁性層と、上記第１の磁性層と前記第２の磁性層との間に設けられたスペーサ層とを有し、上記第１の磁性層と前記第２の磁性層の少なくともいずれかは、式Ｍ１ａ Ｍ２ｂＸｃ （５≦a≦６８、１０≦ｂ≦７３、２２≦ｃ≦８５）で表される磁性化合物を有し、Ｍ１は、Ｃｏ，Ｆｅ，Ｎｉから選択される少なくとも一種の元素、Ｍ２は、Ｔｉ，Ｖ，Ｃｒ，Ｍｎから選択される少なくとも一種の元素、Ｘは、Ｎ，Ｏ，Ｃから選択される少なくとも一種の元素である。 （もっと読む）

【課題】 特に、複数のセンサ素子における検出誤差を効果的に小さくでき、また装置の小型化を図ることができる磁気検出装置を提供することを目的としている。
【解決手段】 磁気センサ１０と磁石１４とが高さ方向にて間隔を空けて対向配置された磁気検出装置において、前記磁気センサ１０は、基板１１に支持された第１センサ素子１２と第２センサ素子１３とを有し、前記第１センサ素子１２と前記第２センサ素子１３とは、夫々の内部に設けられた第１磁気検知部２０の中心と第２磁気検知部２１の中心とを前記高さ方向に一致させた状態で重ねられて前記基板１１に支持されていることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】透明電極を適用する必要がなく、また、開口率を増大、効率的な偏光変調を行なうことができ、さらに、磁化反転動作を正確に検知できる光変調素子およびこれを用いた空間光変調器を提供する。
【解決手段】基板７上に、磁化自由層３、上部中間層２１、２２、上部磁化固定層１１、１２とがこの順序で積層された上部素子１Ａと、基板７と磁化自由層３との間に形成される下部素子１Ｂとを備える光変調素子１であって、上部磁化固定層は分離した２つの上部磁化固定層からなり、上部磁化固定層は、互いに反平行な磁化に固定され、かつ磁化自由層よりも保磁力の大きい磁性体であり、下部素子１Ｂは、補助電極５３、下部磁化固定層１３、下部中間層２３とがこの順序で基板側から積層され、透過した光を磁化自由層３に入射させるための窓部５４が形成され、駆動電極の一方と補助電極５３との間の電気抵抗は、駆動電極間の電気抵抗に比べて大きい。 （もっと読む）

【課題】簡易な構成で磁気の有無をヒシテリシス特性を付与して検出する。
【解決手段】ブリッジ回路３Ａは、４個の磁気センサ素子１Ａ，１Ｂ，２Ａ，２Ｂ、第１ラダー抵抗Ｒａ、第２ラダー抵抗Ｒｂ、第１選択部Ｘ１及び第２選択部Ｘ２とを備える。第１選択部Ｘ１と第２選択部Ｘ２とによって第１ラダー抵抗Ｒａ及び第２ラダー抵抗Ｒｂのノードを切り替える。判定回路２０は、外部磁界の磁界強度がヒシテリシス特性の変化点で区分けした場合、どの範囲に属するかを第１信号１０ａに基づいて特定し、特定結果と前回の検出信号ＤＥＴとに基づいて今回の検出信号ＤＥＴを生成する。 （もっと読む）

【課題】駆動電極に透明電極を適用する必要がなく、また、開口率を増大させることができると共に、効率的な偏光変調を行なうことができ、さらに、磁化反転動作を正確に知ることができる光変調素子およびこの光変調素子を用いた空間光変調器を提供する。
【解決手段】光を透過させる基板７上に形成され、磁化自由層３と、中間層２１，２２と、磁化固定層１１，１２と、がこの順序で積層されたスピン注入磁化反転素子構造を有する光変調素子１であって、光変調素子１は、さらに、基板７と磁化自由層３との間に透明電極層８を備え、磁化固定層１１，１２は、同一平面上に分離した２つの磁化固定層１１，１２からなり、２つの磁化固定層１１，１２は、互いに反平行な磁化に固定され、かつ磁化自由層３よりも保磁力の大きい磁性体であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 本発明の実施形態によれば、感度よく検知できる歪検知素子、および圧力セン
サを提供することができる。
【解決手段】 磁化方向が変化可能で外部歪が印加されていない状態では磁化が膜面垂
直方向を向いている磁化自由層と、磁化を有する参照層と、前記磁化自由層と前記参照層
との間に設けられたスペーサー層と、を備えた積層膜と、前記積層膜の積層面に対して垂
直方向に通電する一対の電極と、前記一対の電極の何れか一方に設けられた基板と、前記
基板が歪むと、前記磁化自由層の磁化の回転角度と前記参照層の磁化の回転角度が異なる
ことを特徴とする歪検知素子。 （もっと読む）

【課題】書込電流を増大させることなく、熱安定性を改善することができる記憶素子の提供。
【解決手段】記憶素子は、膜面に垂直な磁化を有し、情報に対応して磁化の向きが変化される記憶層１７と、記憶層に記憶された情報の基準となる膜面に垂直な磁化を有する磁化固定層１５と、記憶層と磁化固定層の間に設けられる非磁性体による絶縁層１６とを有する。そして積層方向にスピン偏極した電子を注入することにより、記憶層の磁化の向きが変化して情報の記録が行われる。ここで記憶層が受ける実効的な反磁界の大きさが、記憶層の飽和磁化量よりも小さいものとされている。 （もっと読む）

【課題】配線に透明電極材料を適用する必要がなく、また、開口率を増大させることができると共に、効率的な偏光変調を行なうことができる光変調素子およびこの光変調素子を用いた空間光変調器を提供する。
【解決手段】光を透過させる基板７上に形成され、磁化自由層３と、中間層２１，２２と、磁化固定層１１，１２と、がこの順序で積層されたスピン注入磁化反転素子構造を有する光変調素子１であって、磁化固定層１１，１２は、同一平面上に分離した２つの磁化固定層１１，１２からなり、２つの磁化固定層１１，１２は、互いに反平行な磁化に固定され、かつ磁化自由層３よりも保磁力の大きい磁性体であることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】多層化された磁気記録媒体からの読み出しをより速くする。
【解決手段】実施形態によれば、互いに共鳴周波数が異なる磁性体により形成され積層される複数の磁性層を含み、それぞれの磁性層が記録トラックを含む磁気記録媒体に対して、記録トラックの媒体の磁気共鳴現象を利用して記録の読み出し又は書き込みを行う三次元磁気記録再生装置の磁気ヘッドは、スピントルク発振素子と、補助磁極とを含む。前記スピントルク発振素子は、同時に複数の異なる周波数で発振可能である。前記補助磁極は、前記スピントルク発振素子による前記読み出し又は書き込みを補助する。 （もっと読む）

【課題】 反平行結合を用いた積層膜であっても、理論的な予測では発振周波数は数十GHz台と低く、テラヘルツ波の周波数を実現するには至っていない。
【解決手段】 第一の磁性層と、第二の磁性層と、前記第一の磁性層と前記第二の磁性層との間に挿入される結合中間層とで構成される積層膜と、前記積層膜に対し、電流を前記積層膜の膜面に垂直に通電する電極とを具備し、通電しない状態では前記第一の磁性層と前記第二の磁性層とでそれらの磁化が結合中間層を介して相対角度が+90度及び-90度に磁気結合する部分を有し、通電時に前記第二の磁性層の磁化が発振して電磁波もしくは光を発振することを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】 チップ面積を増加することなく、フューズセルを実現する。
【解決手段】 実施形態による半導体記憶装置は、第１セルアレイ１０−１内に配置された第１参照セルＲＣと、第１セルアレイ１０−１内に配置され、第１参照セルＲＣが配置されたロウ又はカラムと同一のロウ又はカラムに並べられた複数の第１フューズセルＦＣと、を具備する。 （もっと読む）

【課題】書き込みマージン及び読み出しマージンを改善する。
【解決手段】磁気メモリ１０は、磁気抵抗素子２０と、選択トランジスタ２１及び２２とを含む。磁気抵抗素子２０は、参照層３０、非磁性層３１、記録層３２、非磁性層３３、及び参照層３４が順に積層されて構成され、記録層３２は、磁化方向が可変でありかつハイレベル電圧が印加される端子に接続され、参照層３０及び３４は、磁化方向が不変でありかつ互いの磁化方向が反平行である。選択トランジスタ２１は、ビット線ＢＬと参照層３０との間に接続され、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴからなる。選択トランジスタ２２は、ビット線ＢＬＢと参照層３４との間に接続され、Ｎ型ＭＯＳＦＥＴからなる。選択トランジスタ２１及び２２のゲートは、共通のワード線ＷＬに接続される。 （もっと読む）

【課題】多くの半導体装置に必要な低温処理と両立しない高温操作を必要とするような欠点がない、堆積可能なアッド‐オン層形成方法を提供することを目的とする。
【解決手段】堆積可能なアッド‐オン層形成方法であって、第一半導体基板の取り外し層の形成、取り外し層の上の第一半導体基板に多くのドーピング領域の形成、ここで多くのドーピング層の形成は、第一電導型を有するように、ドーピングされ、取り外し層の上の第一半導体基板の第一ドーピング層の形成、第一電導型に対する第二電導型を有するようにドーピングされ、第一ドーピング層の上の第一半導体基板に最低中間ドーピング層の形成、及び中間ドーピング層上の第一半導体基板に最低第三ドーピング層の形成からなり、第三ドーピング層上に第一の電導性ブランケット層の形成、第一電導ブランケット層上に第二の電導性ブランケット層の形成、及び第二電導性ブランケット層が第二半導体基板の対応する電導性上部層と接触するように、第一半導体基板を第二半導体基板への取り付け、からなる。 （もっと読む）

【課題】書き込み電流を低減する。
【解決手段】磁気抵抗素子１０は、膜面に垂直方向の磁気異方性を有し、磁化方向が可変である記録層１３と、膜面に垂直方向の磁気異方性を有し、磁化方向が不変である参照層１５と、記録層１３及び参照層１５間に設けられた中間層１４と、記録層１３の中間層１４が設けられた面と反対面に設けられた下地層１２とを含む。記録層１３は、中間層１４側に設けられかつＣｏＦｅを主成分とする磁性層１３Ｃと、下地層１２側に設けられかつＣｏＦｅを主成分とする磁性層１３Ａとを有し、磁性層１３ＣのＦｅの濃度が磁性層１３ＡのＦｅの濃度より高い。下地層１２は、窒素化合物からなる。 （もっと読む）

【課題】 本発明の実施形態によれば、スピン波の群速度が速いスピン波装置を提供することができる。
【解決手段】 スピン波装置は、金属層と、前記金属層上に設けられ磁化が一方向に向いている磁化固着層と、前記磁化固着層上に設けられた非磁性層と、前記非磁性層上に設けられ磁化の向きが可変の磁化自由層と、前記磁化自由層の上面の一部である第１の領域上に設けられた反強磁性層と、前記第１の領域と離れ、前記磁化自由層の上面の一部である第２の領域上に設けられた第一の電極と、前記第１の領域と前記第２の領域との間であって前記磁化自由層の上面一部である第３の領域上に設けられた第１の絶縁層と、前記反強磁性層上に設けられた第２の電極とを備えることを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】単一方向電流を用いて誤書き込みのない安定な書き込みを行う。
【解決手段】磁化が略垂直でかつ可変の第１強磁性層１２と、磁化が略垂直でかつ不変の第２強磁性層１６と、第１強磁性層と第２強磁性層との間の第１非磁性層１４と、第２強磁性層に対して第１非磁性層と反対側に設けられ、膜面に略平行な磁化を有し、スピン偏極された電子の注入によりマイクロ波磁界を発生する第３強磁性層２０と、第２強磁性層と第３強磁性層との間の第２非磁性層１８と、を備え、第３強磁性層から第１強磁性層に向かう方向および第１強磁性層から第３強磁性層に向かう方向のうちの一方の方向に第１電流を流すことにより第３強磁性層から発生する第マイクロ波磁界によって第１強磁性層の磁化を反転し、一方の方向に第１電流と異なる電流密度を有する第２電流を流し第２強磁性層によってスピン偏極された電子によって第１強磁性層の磁化を異なる方向に反転する。 （もっと読む）

【課題】安定したスピントルク発振が実現でき、信頼性が高いスピントルク発振器を提供する。
【解決手段】スピントルク発振器は主磁極６の上に、磁化固定層４、非磁性中間層３、第一の磁性層１、第二の磁性層２、キャップ層５、対向磁極７を順に積層した構成であり、ｂｃｃ結晶構造を有する面内磁気異方性を有した第一の磁性層１と、その上に積層されたＣｏ及びＮｉの多層膜からなる垂直磁気異方性を有した第二の磁性層２からなる積層構造を有する。 （もっと読む）

【課題】高出力で低抵抗の磁気抵抗効果素子を有する磁気ヘッド、磁気ヘッドアセンブリ及び磁気記録再生装置を提供する。
【解決手段】実施形態によれば、磁気記録媒体に対向する媒体対向面を有し、前記磁気記録媒体に記録された磁化の方向を検出する再生部を備える磁気ヘッドが提供される。前記再生部は、磁化の方向が固着された第１磁化固着層と、前記媒体対向面に対して平行な第１方向に沿って前記第１磁化固着層と積層され、磁化の方向が固着された第２磁化固着層と、前記第１磁化固着層と前記第２磁化固着層との間に設けられ、磁化の方向が可変の磁化自由層と、を含む。前記磁化自由層の前記媒体対向面に対して垂直な第２方向に沿った長さは、前記第１磁化固着層の前記第２方向に沿った長さよりも短く、前記第２磁化固着層の前記第２方向に沿った長さよりも短い。 （もっと読む）

【課題】スピントランスファートルクに起因するノイズの低減を図った磁気抵抗効果素子
、磁気抵抗効果ヘッド、磁気記憶装置、および磁気メモリを提供する。
【解決手段】磁化固着層、非磁性層、磁化自由層を有する磁気抵抗効果素子の磁化固着層
、または磁化自由層内にＺｒ，Ｎｂ，Ｍｏ，Ｒｕ，Ｒｈ，Ｐｄ，Ａｇ，Ｌａ，Ｈｆ，Ｔａ
，Ｗ，Ｒｅ，Ｏｓ，Ｉｒ，Ｐｔ，Ａｕのいずれかを含む層を配置する。 （もっと読む）

【課題】絶縁構造を改良した平面垂直通電型（ＣＰＰ）磁気抵抗（ＭＲ）センサを提供する。
【解決手段】ＣＰＰ ＭＲディスク・ドライブ読取りヘッドなどの平面垂直通電型（ＣＰＰ）磁気抵抗（ＭＲ）センサは、センサを構成する層のスタックを囲む改良絶縁構造を有する。センサは、センサの側縁上で、およびセンサの強磁性バイアス層の下でセンサに隣接する下遮蔽層の領域上で、約１〜５ｎｍの厚さを有する第１の窒化ケイ素層を有する。センサは、センサの後縁上で、およびセンサ後縁に隣接する下遮蔽層の領域上で、約２〜５ｎｍの厚さを有する第２の窒化ケイ素層と、第２の窒化ケイ素層上の実質的により厚い金属酸化物層とを有する。絶縁構造は、センサの周辺で縁損傷を防止し、従って、実質的に小さい寸法を有するＣＰＰ ＭＲ読取りヘッドの製造を可能にする。 （もっと読む）