【課題】本発明の目的は、スピントルク発振のための臨界電流密度が低下したスピントルク発振子を備える磁気記録ヘッドを提供することである。
【解決手段】磁気記録媒体に記録磁界を発生させるための主磁極と、前記主磁極と対を成すリターンヨークと、前記主磁極と前記リターンヨークとの間に積層して設けられた、第１磁性体層、第２磁性体層および第３磁性体層を含むスピントルク発振子とを含む磁気記録ヘッドであって、前記第３磁性体層はＦｅ_４Ｎから成り、前記第１磁性体層から前記第３磁性体層の方向に電流を通電するように構成されている磁気記録ヘッドが提供される。 （もっと読む）

【課題】磁気メモリに用い得る磁気素子を作製するための方法及びシステムを提供する。
【解決手段】磁気素子には、固定層と、非磁性スペーサ層と、自由層とが含まれる。スペーサ層は固定層と自由層との間にある。自由層は、書き込み電流が磁気素子を通過する時にスピン転移を用いて切換え得る。磁気素子には更に、バリア層と第２固定層とを含み得る。他の選択肢として、第２固定層と第２スペーサ層と自由層に静磁気的に結合された第２自由層とが含まれる。少なくとも１つの自由層が高垂直異方性を有する。高垂直異方性は、面外減磁エネルギの少なくとも２０％であり且つ１００パーセント未満である垂直異方性エネルギを有する。 （もっと読む）

【課題】 電流密度の低減と面内高周波磁界の強度の増加を同時に実現できるスピントルク発振子を提供する。
【解決手段】 実施形態に係るスピントルク発振子は、磁性体からなる発振層と、磁性体からなり前記発振層にスピンを注入するスピン注入層と、酸化物または窒化物からなる絶縁部および前記絶縁部を積層方向に貫通する非磁性金属からなる導電部を有する電流狭窄層とを有する。 （もっと読む）

【課題】体格の増大が抑制された回転角センサを提供する。
【解決手段】磁化方向が固定された固定層（１５）と、被検出体の生成する外部磁界の向きに応じて磁化方向が変化する自由層（１３）との間に、非磁性の中間層（１４）が挟まれた磁気抵抗効果素子（１０）を有し、該磁気抵抗効果素子（１０）の抵抗値変化に基づいて、被検出体の回転角を検出する回転角センサであって、固定層（１５）と自由層（１３）との対向方向に直交する平面に沿う面積が、固定層（１５）よりも自由層（１３）の方が大きく、固定層（１５）の全てと、自由層（１３）の一部とが、中間層（１４）を介して対向している。 （もっと読む）

【課題】スピントルク注入ランダムアクセスメモリ（ＳＴＲＡＭ）メモリセルのような磁気メモリ素子にデータを書込むための方法および装置を提供する。
【解決手段】さまざまな実施の形態に従うと、マルチレベルセル（ＭＬＣ）磁気メモリセルスタックは、第１の制御線に接続された第１および第２の磁気メモリ素子と、第２の制御線に接続されたスイッチング素子とを有する。第１のメモリ素子は並列に第２のメモリ素子と接続され、第１および第２のメモリ素子はスイッチング素子に直列に接続される。第１および第２のメモリ素子は、さらに、スタック内において、異なる、重ならない高さに配置される。プログラミング電流が第１および第２の制御線の間に流れて、第１および第２の磁気メモリ素子を、異なるプログラムされた抵抗に同時に設定する。 （もっと読む）

【課題】 特にＳＦＰ構造における第１磁性層の膜厚を、耐熱性及びΔＭＲの観点から適正化してなるセルフピン止め型の磁気検出素子及びそれを用いた磁気センサを提供することを目的とする。
【解決手段】 固定磁性層とフリー磁性層とが非磁性材料層を介して積層された積層構造を備え、固定磁性層３は、第１磁性層３ａと第２磁性層３ｃとが非磁性中間層３ｂを介して積層され、反平行に磁化固定されたセルフピン止め型であり、第１磁性層３ａは第２磁性層よりも高保磁力材料のＦｅ_xＣｏ_100-x（ただしｘは、５５ａｔ％以上で６５ａｔ％以下）で形成され、第１磁性層３ａの膜厚ｔ１は１４Å以上で２０．５Å以下の範囲内で第２磁性層よりも薄く、第１磁性層３ａと第２磁性層３ｃの磁化量の差が実質的にゼロである。 （もっと読む）

【課題】本発明の目的は、発振のための臨界電流密度が低下したスピントルク発振子を提供することである。
【解決手段】発振層と、スピン注入層と、それらの間に設けられた中間層とを含むスピントルク発振子であって、前記スピン注入層は前記中間層に接して設けられた第１層と前記第１層に接して設けられた第２層とを含み、前記第１層は（００１）面配向したホイスラー磁性合金または（００１）面配向した体心立方格子（ｂｃｃ）構造を有する磁性体を含むスピントルク発振子が提供される。 （もっと読む）

【課題】 ＭＡＭＲ用途において、低電流密度下で磁界生成層（ＦＧＬ）を発振させ得るスピントランスファー発振器（ＳＴＯ）構造を得る。
【解決手段】
主磁極２０とライトシールド２６との間に形成されるＳＴＯ構造に、垂直磁気異方性（ＰＭＡ）を有する２つのアシスト層２７ａ，３２を設ける。このＳＴＯ構造は、シード層２１／スピン注入層（ＳＩＬ）２２／第１のスペーサ層２３／第１のＰＭＡアシスト層２７ａ／複合ＦＧＬ４０／第２のスペーサ３１／第２のＰＭＡアシスト層３２／キャップ層２５なる構成を有する。複合ＦＧＬ４０は、下部ＦＧＬ２７ｂと、上部ＦＧＬ２９と、これらの間の中間結合層２８とからなるシンセティック反強磁性構造を有する。ＳＩＬ２２および２つのＰＭＡアシスト層２７ａ，３２は、それぞれ、（ＣｏＦｅ／Ｎｉ）_x 等からなる積層体である。 （もっと読む）

【課題】 同じ構造のＧＭＲ素子を使用し、反応する外部磁界の向きを異ならせることができる磁界検知装置を提供する。
【解決手段】 ＧＭＲ素子１０の長手方向ＬをＸ方向とＹ方向に対して４５度の向きで形成する。ＧＭＲ素子１０の固定磁性層の磁化の固定方向を、長手方向Ｌと直交する向きとし、バイアス用磁石２１，２２によって自由磁性層の磁化の向きを長手方向Ｌに揃える。第１の磁束案内層３１ａと第２の磁束案内層３２ａをＸ方向に細長くし、第１の磁束案内層３１ａと第２の磁束案内層３２ａをＧＭＲ素子１０を挟んでＹ方向に間隔を空けて配置する。Ｘ方向の磁界成分が、第１の磁束案内層３１ａと第２の磁束案内層３２ａの間で導かれてＧＭＲ素子１０にＹ方向の磁束として与えられる。 （もっと読む）

【課題】
マイクロ波アシスト記録を行う磁気ヘッドでは、磁化高速回転体（Field Generation Layer：ＦＧＬ）の飽和磁化の大きさが大きくなるに従って、端部と中央部の反磁界の大きさの違いが大きくなるため、マイクロ波を発生させるＦＧＬは、単磁区状態で発振しない。
【解決手段】
マイクロ波アシスト記録の磁気ヘッドに用いるスピントルクオシレータは，固定層、非磁性中間層、交流磁界発生層をそれぞれ少なくとも一つ以上有しており、交流磁界発生層の膜中央部における飽和磁化よりも浮上面対抗面方向の端部以外の膜の端部における飽和磁化の方を小さくする構造を設ける。 （もっと読む）

【課題】より低いスイッチング電流密度で磁気素子に書き込みを行うこと。
【解決手段】磁気素子１００は、固定層１１０と、非磁性であるスペーサ層１２０と、自由層磁化を有する自由層１３０とを備える。スペーサ層１２０は、固定層１１０と自由層１３０との間に存在する。自由層１３０は、被ドープ強磁性材料を含む。被ドープ強磁性材料は、自由層１３０が室温で１４３０ｅｍｕ／ｃｍ^３以下の低飽和磁化を有するように、少なくとも１つの非磁性材料で希釈された少なくとも１つの強磁性材料か、フェリ磁性的にドープされた少なくとも１つの強磁性材料か、又は、少なくとも１つの非磁性材料で希釈され且つフェリ磁性的にドープされた少なくとも１つの強磁性材料を含む。書き込み電流が磁気素子１００を通過する時、自由層磁化がスピン転移を用いて切換えられる。 （もっと読む）

【課題】従来物質固有の特性として取り扱われてきたスピン偏極率を制御する手法とその素子構造を提案し、従来にない新しい機能性デバイスの基本要素技術を提供する。
【解決手段】強誘電体（Ａ）層上に、該強誘電体（Ａ）と格子不整合率が８％以下である強磁性体（Ｂ）層をヘテロ接合してなり、該強誘電体（Ａ）に電圧を印加させて、強誘電体（Ａ）と強磁性体（Ｂ）の接合界面に生じる歪みにより、強磁性体（Ｂ）のスピン偏極率を変化させることを特徴とする強磁性体のスピン偏極率制御方法。 （もっと読む）

【課題】高周波磁界アシスト記録方式において、主磁極からの磁界強度の向上と狭トラック記録を両立し、高記録密度を実現できる磁気記録ヘッドを提供する。
【解決手段】主磁極１２０のトレーリング側に高周波磁界を発する発振器１１０を備え、浮上面で見たとき、主磁極のトレーリング側端部のトラック幅Ｐｗと発振器のリーディング側端部のトラック幅Ｔｗｏの比Ｐｗ／Ｔｗｏが０．８５以上１．２５以下であり、主磁極のトレーリング側端部とリーディング側端部の間にトラック幅がＰｗより広い箇所を有する。 （もっと読む）

【課題】 一様な外乱磁界の影響を除去しつつ、磁気アイソレータの小型化を図る。
【解決手段】 設置基板１上に設けられた第１の絶縁層２及び第２の絶縁層４と、第１の絶縁層２上に配置された第１の磁気抵抗効果素子３ａ、第２の磁気抵抗効果素子３ｂ、第３の磁気抵抗効果素子３ｃ及び第４の磁気抵抗効果素子３ｄと、第２の絶縁層２上に配置され、各磁気抵抗効果素子に対向して設けられた信号入力導体５ａと、信号入力折返し導体５ｂとを信号入力接続線５ｃを介してミアンダライン状に接続されるよう構成された信号入力線５とを備え、信号入力線５に信号電流が通電されることにより第１の磁気抵抗効果素子３ａ及び第２の磁気抵抗効果素子３ｂに印加される磁界の方向と、第３の磁気抵抗効果素子３ｃ及び第４の磁気抵抗効果素子３ｄに印加される磁界の方向とが、互いに逆方向となるように信号入力線５が構成されたことを特徴とする。 （もっと読む）

【課題】スイッチングが改良されたハイブリッド磁気トンネル接合要素を提供するための方法およびシステムを提供すること。
【解決手段】磁気デバイスで有用な磁気接合を提供するための方法およびシステムを説明する。磁気接合は、ピンド層、非磁性スペーサ層、および自由層を含む。非磁性スペーサ層は、ピンド層と自由層の間にある。自由層は、円錐状の容易磁気異方性を有する。磁気接合は、磁気接合に書き込み電流が流されるときに自由層が複数の安定な磁気状態間で切替え可能であるように構成される。 （もっと読む）

【課題】低電流密度下においてマイクロ波を生成可能なスピントルク発振器を提供する。
【解決手段】スピントルク発振器は、第１および第２の外表面を有する非磁性スペーサ層１６と、上記第１の外表面と接触する磁界生成層３３と、非磁性スペーサ層１６の表面に対して垂直な永久磁化を有し上記第２の外表面と完全接触するスピン注入層１２とを備える。磁界生成層３３は、垂直磁気異方性を示すと共に第１の外表面と完全接触する第１のＦＧＬサブ層３３１と、面内異方性を示すと共に第１のＦＧＬサブ層３３１と完全接触する第２のＦＧＬサブ層３３２とからなる二層構造を有する。従来の磁界生成層に代えて、一方の層が垂直磁気異方性を示し他方の層が面内異方性を示す二重層を設け、垂直異方性を示す層を非磁性スペーサ層１６に最も近接させるようにしたので、１×１０⁸ Ａ／ｃｍ² という低電流密度下においてマイクロ波が生成可能となる。 （もっと読む）

【課題】１Ｔｂｉｔ／ｉｎ^２を超える磁気記録装置に適用されるマイクロ波アシスト記録において、１Ｇｂｉｔ／ｓを超える情報転送速度を実現する磁気記録ヘッド及び装置を提供する。
【解決手段】マイクロ波磁界発生源となる高速磁化回転体２にスピントルクを供給する固定層１について、固定層への外部印加磁界をＨ_ｅｘｔ、固定層の磁気異方性磁界をＨ_ｋ、固定層の膜面の垂直方向の実効反磁界をＨ_{ｄ−ｅｆｆ}としたとき、Ｈ_ｅｘｔ−Ｈ_ｋ＋Ｈ_{ｄ−ｅｆｆ}＞０、かつ、Ｈ_ｅｘｔ＋Ｈ_ｋ−Ｈ_{ｄ−ｅｆｆ}＞０を満たすように構成する。 （もっと読む）

【課題】発振器及び該発振器の動作方法を提供する。
【解決手段】印加電流、印加電圧及び印加磁場のうち少なくとも一つによって可変的な磁化方向を有する少なくとも１層の磁性層を含み、所定の周波数を有した発振信号を生成する発振部、及び発振部と同じ基板上に集積され、発振信号を差動増幅し、出力信号を提供する出力端子を含む発振器である。 （もっと読む）

【課題】 電流−スピン流変換効率が高く、高強度のスピン流が得られるスピントロニクス装置を提供する。
【解決手段】 互いに平行に対向する第１端面及び第２端面を有し、電子と正孔とが同程度のキャリア密度と移動度を有し、正常及び異常ホール係数が共にゼロである強磁性の両極性伝導金属からなるスピン流生成領域３０と、第１端面にオーミック接続し、電子をスピン流生成領域３０に注入する第１主電極２０と、第２端面にオーミック接続し、正孔をスピン流生成領域３０に注入する第２主電極４０とを備える。第１端面に垂直な面に直交する方向の外部磁場にもとづく正常ホール効果に、磁場誘起磁化もしくは自発磁化にもとづく異常ホール効果が加わることによって、電子と正孔とを同一方向に輸送されるように偏向して、電子と正孔の電荷を互いに相殺し、スピン流生成領域３０における異常ホール効果によってスピン流を得る。 （もっと読む）

【課題】記憶層にかかる漏れ磁界を可及的に低減することを可能にする。
【解決手段】膜面に垂直方向の磁気異方性を有する強磁性層１０と、強磁性層上に設けられた第１の非磁性層８と、第１の非磁性層上に設けられ、かつ膜面に垂直方向の磁気異方性を有するとともに前記強磁性層の磁化の向きと反平行の磁化を有し、かつ強磁性層の積層方向の膜厚の１／２．８以上１／１．５以下の膜厚を有する参照層６と、参照層上に設けられた第２の非磁性層８と、第２の非磁性層上に設けられ、膜面に垂直方向の磁気異方性を有しスピン偏極した電子の作用により磁化の方向が変化する記憶層２と、を備えている。 （もっと読む）